HBM3E

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HBM（High Bandwidth Memory，HBM）性能強(qiáng)大成為 AI/ML 和其他高性能計(jì)算工作負(fù)載的首選內(nèi)存。AI服務(wù)器需求的爆發(fā)使得HBM供不應(yīng)求。HBM3 于2022 年正式推出，是最新一代的高帶寬內(nèi)存；我們可以認(rèn)為HBM3的擴(kuò)展版本就是HBM3E。

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HBM、HBM2、HBM3和HBM3e技術(shù)對(duì)比

AI服務(wù)器出貨量增長(zhǎng)催化HBM需求爆發(fā)，且伴隨服務(wù)器平均HBM容量增加，經(jīng)測(cè)算，預(yù)期25年市場(chǎng)規(guī)模約150億美元，增速超過50%。

2024-03-01 標(biāo)簽：存儲(chǔ)器服務(wù)器 HBM 4.8k 0

什么是HBM3E內(nèi)存？Rambus HBM3E/3內(nèi)存控制器內(nèi)核

Rambus HBM3E/3 內(nèi)存控制器內(nèi)核針對(duì)高帶寬和低延遲進(jìn)行了優(yōu)化，以緊湊的外形和高能效的封裝為人工智能訓(xùn)練提供了最大的性能和靈活性。

2024-03-20 標(biāo)簽：處理器 DRAM 人工智能 4.3k 0

華邦電子重新定義AI內(nèi)存：為新一代運(yùn)算打造高帶寬、低延遲解決方案

本文將探討內(nèi)存技術(shù)的最新突破、AI 應(yīng)用日益增長(zhǎng)的影響力，以及華邦如何透過策略性布局響應(yīng)市場(chǎng)不斷變化的需求。

2025-08-28 標(biāo)簽：內(nèi)存華邦電子 HPC 4.1k 0

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DRAM定價(jià)提升帶來營(yíng)收上揚(yáng)！受益于AI數(shù)據(jù)中心需求，美光上調(diào)第四財(cái)季營(yíng)收和盈利預(yù)期

8月11日，美國(guó)存儲(chǔ)芯片大廠美光科技公司發(fā)布截止8月28日的第四財(cái)季預(yù)報(bào)，公司預(yù)計(jì)該財(cái)季營(yíng)收將達(dá)到112億美元，上下浮動(dòng)1億美元，受樂觀業(yè)績(jī)指引的影響，...

2025-08-12 標(biāo)簽：amd AI 美光 8.6k 0

押注HBM3E和PCle5.0 SSD, 四家存儲(chǔ)芯片大廠旗艦新品匯總

電子發(fā)燒友原創(chuàng) 章鷹 ? 4月1日，韓國(guó)股市開盤后，存儲(chǔ)大廠SK海力士一度漲幅超過4%，市值已超過 1,000 億美元，受益于投資者持續(xù)買入AI相關(guān)股票...

2024-04-06 標(biāo)簽：存儲(chǔ)芯片 HBM pcle 6.4k 0

HBM3E量產(chǎn)后，第六代HBM4要來了！

電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/黃晶晶）眼下各家存儲(chǔ)芯片廠商的HBM3E陸續(xù)量產(chǎn)，HBM4正在緊鑼密鼓地研發(fā)，從規(guī)格標(biāo)準(zhǔn)到工藝制程、封裝技術(shù)等都有所進(jìn)展，原本SK...

2024-07-28 標(biāo)簽：存儲(chǔ)HBM HBM3E 6.3k 0

英偉達(dá)發(fā)布新一代H200，搭載HBM3e，推理速度是H100兩倍！

電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/李彎彎）日前，英偉達(dá)正式宣布，在目前最強(qiáng)AI芯片H100的基礎(chǔ)上進(jìn)行一次大升級(jí)，發(fā)布新一代H200芯片。H200擁有141GB的內(nèi)...

2023-11-15 標(biāo)簽：英偉達(dá)HBM3 HBM3E 5.3k 0

風(fēng)景獨(dú)好？12層HBM3E量產(chǎn)，16層HBM3E在研，產(chǎn)業(yè)鏈涌動(dòng)

電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/黃晶晶）在早前的報(bào)道中，對(duì)于HBM產(chǎn)能是否即將過剩，業(yè)界有不同的聲音，但絲毫未影響存儲(chǔ)芯片廠商對(duì)HBM產(chǎn)品升級(jí)的步伐。 ? 三大廠...

2024-10-06 標(biāo)簽：SK海力士 HBM3 HBM3E 5k 0

三星存儲(chǔ)，開始反擊！

電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/黃山明）近日，三星電子公布了其第三季度財(cái)報(bào)，顯示該公司芯片季度營(yíng)業(yè)利潤(rùn)達(dá)3.86萬(wàn)億韓元，遠(yuǎn)低于上一季度的6.45萬(wàn)億韓元，環(huán)比爆...

2024-11-04 標(biāo)簽：存儲(chǔ)三星 HBM3E 4.1k 0

追趕SK海力士，三星、美光搶進(jìn)HBM3E

電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/黃晶晶）新型存儲(chǔ)HBM隨著AI訓(xùn)練需求的攀升顯示出越來越重要的地位。從2013年SK海力士推出第一代HBM來看，HBM歷經(jīng)HBM1...

2023-10-25 標(biāo)簽：美光三星 HBM3 3.9k 0

存儲(chǔ)技術(shù)進(jìn)入爆發(fā)期，SK海力士321層NAND，HBM3e，LPDDR5T紛至沓來

電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/黃山明）我們?nèi)缃裾幱谛畔r(shí)代，而存儲(chǔ)作為信息的載體，對(duì)當(dāng)今技術(shù)的發(fā)展至關(guān)重要。通常存儲(chǔ)芯片是以半導(dǎo)體電路作為存儲(chǔ)媒介的存儲(chǔ)器，用...

2023-08-14 標(biāo)簽：存儲(chǔ)SK海力士 LPDDR 3k 1

HBM3E起飛，沖鋒戰(zhàn)鼓已然擂響

HBM3自2022年1月誕生，便憑借其獨(dú)特的2.5D/3D內(nèi)存架構(gòu)，迅速成為高性能計(jì)算領(lǐng)域的翹楚。HBM3不僅繼承了前代產(chǎn)品的優(yōu)秀特性，更在技術(shù)上取得了...

2024-03-30 標(biāo)簽：存儲(chǔ)器 SK海力士 HBM3 2.9k 0

價(jià)格暴漲500%，HBM3e市場(chǎng)徹底被引爆

內(nèi)存技術(shù)作為計(jì)算機(jī)系統(tǒng)的核心組成部分，其性能的提升對(duì)于整體計(jì)算能力的提升至關(guān)重要。

2024-02-23 標(biāo)簽：DRAM DDR 內(nèi)存技術(shù) 2.3k 0

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電子發(fā)燒友網(wǎng)

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電子發(fā)燒友網(wǎng)于2006年10月成立，是一個(gè)以電子技術(shù)知識(shí)為核心，以工程師為主導(dǎo)的平臺(tái)。致立于為中國(guó)電子工程師的電子產(chǎn)品設(shè)計(jì)等做出最大貢獻(xiàn)，促進(jìn)中國(guó)電子科技的穩(wěn)步發(fā)展。
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京瓷

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京瓷株式會(huì)社成立于1959年4月1日。川村誠(chéng)為現(xiàn)任代表取締役社長(zhǎng)。資本金為1，157億332萬(wàn)日元。截至2006年3月31日為止的年度銷售額達(dá)到1，181，489百萬(wàn)日元，集團(tuán)公司包括關(guān)聯(lián)公司在內(nèi)共計(jì)183家，員工61，468名。
emmc

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eMMC （Embedded Multi Media Card）是MMC協(xié)會(huì)訂立、主要針對(duì)手機(jī)或平板電腦等產(chǎn)品的內(nèi)嵌式存儲(chǔ)器標(biāo)準(zhǔn)規(guī)格。
過壓保護(hù)電路

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6G

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6G網(wǎng)絡(luò)將是一個(gè)地面無(wú)線與衛(wèi)星通信集成的全連接世界。6G，即第六代移動(dòng)通信標(biāo)準(zhǔn)，也被稱為第六代移動(dòng)通信技術(shù)。主要促進(jìn)的就是物聯(lián)網(wǎng)的發(fā)展。截至2019年11月，6G仍在開發(fā)階段。6G的傳輸能力可能比5G提升100倍，網(wǎng)絡(luò)延遲也可能從毫秒降到微秒級(jí)。
華強(qiáng)pcb線路板打樣

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COB

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高頻電容

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wifi6

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WiFi6主要使用了OFDMA、MU-MIMO等技術(shù)，MU-MIMO（多用戶多入多出）技術(shù)允許路由器同時(shí)與多個(gè)設(shè)備通信，而不是依次進(jìn)行通信。MU-MIMO允許路由器一次與四個(gè)設(shè)備通信，WiFi6將允許與多達(dá)8個(gè)設(shè)備通信。WiFi6還利用其他技術(shù)，如OFDMA（正交頻分多址）和發(fā)射波束成形，兩者的作用分別提高效率和網(wǎng)絡(luò)容量。WiFi6最高速率可達(dá)9.6Gbps。
汽車

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dcdc轉(zhuǎn)換器

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DC/DC轉(zhuǎn)換器為轉(zhuǎn)變輸入電壓后有效輸出固定電壓的電壓轉(zhuǎn)換器。DC/DC轉(zhuǎn)換器分為三類：升壓型DC/DC轉(zhuǎn)換器、降壓型DC/DC轉(zhuǎn)換器以及升降壓型DC/DC轉(zhuǎn)換器。
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　　賽靈思公司（Xilinx）推出的行業(yè)第一個(gè)可擴(kuò)展處理平臺(tái)Zynq系列。旨在為視頻監(jiān)視、汽車駕駛員輔助以及工廠自動(dòng)化等高端嵌入式應(yīng)用提供所需的處理與計(jì)算性能水平。
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CD4069

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VDD

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　Vcc和Vdd是器件的電源端。Vcc是雙極器件的正，Vdd多半是單極器件的正。下標(biāo)可以理解為NPN晶體管的集電極C，和PMOS or NMOS場(chǎng)效應(yīng)管的漏極D。同樣你可在電路圖中看見Vee和Vss，含義一樣。因?yàn)橹髁餍酒Y(jié)構(gòu)是硅NPN所以Vcc通常是正。如果用PNP結(jié)構(gòu)Vcc就為負(fù)了。建議選用芯片時(shí)一定要看清電氣參數(shù)
HarmonyOS

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HarmonyOS最新信息分享，我們將為大家?guī)鞨armonyOS是什么意思的深度解讀，HarmonyOS官網(wǎng)地址、HarmonyOS開源相關(guān)技術(shù)解讀與設(shè)計(jì)應(yīng)用案例，HarmonyOS系統(tǒng)官網(wǎng)信息，華為harmonyOS最新資訊動(dòng)態(tài)分析等。
特斯拉線圈

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特斯拉線圈又叫泰斯拉線圈，因?yàn)檫@是從“Tesla”這個(gè)英文名直接音譯過來的。這是一種分布參數(shù)高頻串聯(lián)諧振變壓器，可以獲得上百萬(wàn)伏的高頻電壓。
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電路過電流過電壓保護(hù)是為防止主回路短路或直流牽引電動(dòng)機(jī)發(fā)生環(huán)火造成主回路電流過大而損壞同步牽引發(fā)電機(jī)、主整流柜等電氣設(shè)備，機(jī)車在牽引、電阻制動(dòng)或自負(fù)載工況下，對(duì)主電路的過電流和過電壓均進(jìn)行保護(hù)。
過零檢測(cè)電路

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過零檢測(cè)指的是在交流系統(tǒng)中，當(dāng)波形從正半周向負(fù)半周轉(zhuǎn)換時(shí)，經(jīng)過零位時(shí)，系統(tǒng)作出的檢測(cè)。可作開關(guān)電路或者頻率檢測(cè)。漏電開關(guān)的漏電檢測(cè)是檢測(cè)零序電流。
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AIoT（人工智能物聯(lián)網(wǎng)）=AI（人工智能）+IoT（物聯(lián)網(wǎng)）。 AIoT融合AI技術(shù)和IoT技術(shù)，通過物聯(lián)網(wǎng)產(chǎn)生、收集海量的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)于云端、邊緣端，再通過大數(shù)據(jù)分析，以及更高形式的人工智能，實(shí)現(xiàn)萬(wàn)物數(shù)據(jù)化、萬(wàn)物智聯(lián)化，物聯(lián)網(wǎng)技術(shù)與人工智能追求的是一個(gè)智能化生態(tài)體系，除了技術(shù)上需要不斷革新，技術(shù)的落地與應(yīng)用更是現(xiàn)階段物聯(lián)網(wǎng)與人工智能領(lǐng)域亟待突破的核心問題。
逆變器電路圖

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測(cè)試電路

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擬訂科創(chuàng)板股票上市審核規(guī)則、科創(chuàng)板上市公司并購(gòu)重組審核規(guī)則、上市委員會(huì)及科技創(chuàng)新咨詢委員會(huì)相關(guān)規(guī)則；負(fù)責(zé)科創(chuàng)板股票發(fā)行上市審核和科創(chuàng)板上市公司并購(gòu)重組審核工作，擬訂審核標(biāo)準(zhǔn)、審核程序等；對(duì)發(fā)行人、科創(chuàng)板上市公司及中介機(jī)構(gòu)進(jìn)行自律監(jiān)管等。
74LS00

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74LS00是一個(gè)內(nèi)部擁有四個(gè)獨(dú)立的二輸入與非門電路，它滿足與非門的邏輯功能，可以實(shí)現(xiàn)與非門的邏輯功能。共有54/7400、54/74H00、54/74S00、54/74LS00。54XXX

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