chinese直男口爆体育生外卖, 99久久er热在这里只有精品99, 又色又爽又黄18禁美女裸身无遮挡, gogogo高清免费观看日本电视,私密按摩师高清版在线,人妻视频毛茸茸,91论坛 兴趣闲谈,欧美 亚洲 精品 8区,国产精品久久久久精品免费

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學習在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認識你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

押注HBM3E和PCle5.0 SSD, 四家存儲芯片大廠旗艦新品匯總

章鷹觀察 ? 來源:電子發(fā)燒友網(wǎng) ? 作者:章鷹 ? 2024-04-06 00:04 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

電子發(fā)燒友原創(chuàng) 章鷹
4月1日,韓國股市開盤后,存儲大廠SK海力士一度漲幅超過4%,市值已超過 1,000 億美元,受益于投資者持續(xù)買入AI相關(guān)股票,由于市場對于SK海力士高帶寬內(nèi)存(HBM)的需求激增,SK海力士的股價在過去一年暴增一倍以上。
無獨有偶,3月28日,在加州圣荷西舉行的全球芯片制造商聚會 Memcon 2024 上,三星公司執(zhí)行副總裁兼 DRAM 產(chǎn)品和技術(shù)主管 Hwang Sang-joong 表示,三星公司將增加 HBM 芯片產(chǎn)量,今年產(chǎn)量是去年的 2.9 倍。據(jù)悉三星電子的市場規(guī)模較大,市值超過3600億美元,是閃存技術(shù)的引領(lǐng)者,過去一年三星股價漲31%。
美國存儲大廠美光公司在 3 月 20 日舉行的公司第二財季法說會上指出,市場對其HBM的需求強勁。首席執(zhí)行官 Sanjay Mehrotra 預(yù)計,2024 財年HBM將創(chuàng)造數(shù)億美元的營收。
近日,在CFMS閃存峰會上,三星電子、SK海力士、美光和西部數(shù)據(jù)四家公司展示最新用于手機、PC、AI服務(wù)器和數(shù)據(jù)中心的旗艦存儲產(chǎn)品,本文進行匯總。
聚焦手機和數(shù)據(jù)中心,三星展示1TB UFS4.0和CXL新品
在閃存峰會上,三星電子執(zhí)行副總裁吳和錫表示,三星是閃存技術(shù)的引領(lǐng)者,三星在2023年推出第一款QLC UFS產(chǎn)品,目前已經(jīng)開始量產(chǎn)并成功商業(yè)化。在手機UFS技術(shù)發(fā)展推動上,三星目標是盡快將UFS順序讀寫能力提高一倍。

現(xiàn)場展出的三星UFS4.0產(chǎn)品,UFS4.0為每通道提供高達23.2Gbps的帶寬,是UFS3.1的兩倍,使其“非常適合需要大量數(shù)據(jù)處理的5G智能手機”。三星展示的移動存儲UFS4.0容量高達1TB,這款產(chǎn)品采用三星第8代V-NAND技術(shù)實現(xiàn)高達4,200 MB/s的順序讀取速度和高達2,800MB/s的順序?qū)懭胨俣?,顯著高于UFS3.1的讀寫速度和寫入速度。這款產(chǎn)品在小型化方面也有創(chuàng)新,較上一代V7減少了高達26%的封裝體積,配合5G手機需求。
據(jù)悉,目前UFS4.0產(chǎn)品最大順序讀取性能為4GB/s,要成長一倍到8GB/s要到UFS5.0才可以實現(xiàn)。為了順應(yīng)LLM大語言模型的應(yīng)用,三星目前正在開發(fā)更高帶寬的UFS4.0產(chǎn)品,計劃2025年大規(guī)模量產(chǎn)4通道UFS產(chǎn)品。三星的產(chǎn)品路線圖上顯示,2027年三星UFS5.0計劃量產(chǎn)上市。

面向數(shù)據(jù)中心,三星去年推出了PM9D3a系列的SSD產(chǎn)品,這是一款適用于大型數(shù)據(jù)中心級的8通道PCle 5.0固態(tài)硬盤。8TB SSD可以達到每TB 50K IOPS性能,性能和效率比上一代提高1.6倍。三星還提到,F(xiàn)DP時代來臨,數(shù)據(jù)放置技術(shù)延長設(shè)備使用壽命,主要分為OC-SSD和ZNS等技術(shù),設(shè)備到主機通過接收提示來控制數(shù)據(jù)的FDP技術(shù)出現(xiàn)。

三星還展出了CXL Memory Module Hybrid,作為基于CXL2.0接口的存儲產(chǎn)品,結(jié)合了NAND和DRAM技術(shù),幫助AI和ML系統(tǒng)在處理大規(guī)模數(shù)據(jù)集時,實現(xiàn)高效的處理速度和有效的數(shù)據(jù)訪問。這款產(chǎn)品容量最高可達256GB,支持內(nèi)存池化、熱插拔,通過了CXL1.1合規(guī)性測試的所有項目。
SK海力士推出企業(yè)級PCLe Gen5 SSD,美光HBM3E產(chǎn)品送樣
SK海力士執(zhí)行副總裁兼NAND解決方案開發(fā)部負責人安炫表示:“在多模態(tài)AI時代,數(shù)據(jù)來自于手機、筆記本電腦、傳感器和服務(wù)器,這些數(shù)據(jù)都在云端匯集,創(chuàng)造了獨特的存儲需求,比方說手機存儲必須要更快,雖然功耗很低,但需要處理復(fù)雜的數(shù)據(jù)集。數(shù)據(jù)中心需要大容量和高效的存儲。數(shù)據(jù)的復(fù)雜性使得高性能與大容量存儲成為必然趨勢?!?br />

以H-TPU為核心,SK海力士推出了企業(yè)級和消費級類的PCle Gen5 SSD。H-TPU架構(gòu),是一種特定領(lǐng)域的微處理器,其大小相當于ARM R8核心的1/25?;贖-TPU架構(gòu),SK海力士推出了PS1010和PS1030兩款企業(yè)級的PCle Gen5 SSD。
這兩款16通道的硬盤驅(qū)動器,與行業(yè)平均水平相比,順序性能提高了50%,隨機性能提升了30%,熱性能提高了13%。目前,這兩款產(chǎn)品已經(jīng)完成了第一批客戶驗證,現(xiàn)在準備批量發(fā)貨。
HBM是一種新型的CPU/GPU內(nèi)存芯片,全稱為High Bandwidth Memory,即高帶寬存儲器,專門用于高性能計算和圖形處理領(lǐng)域,具有高帶寬、低延遲和低功耗等特點,被廣泛應(yīng)用于高性能計算(HPC)、人工智能(AI)等領(lǐng)域。
目前,HBM市場競爭主要集中在SK海力士、三星及美光三大原廠。Trendforce集邦咨詢預(yù)計,2023年三大廠商在HBM領(lǐng)域的市占率分別為53%、38%、9%。今年3月19日,SK海力士宣布其超高性能AI存儲器HBM3E開始向客戶供貨;三星則預(yù)計將于今年下半年開始大規(guī)模量產(chǎn)12層堆疊HBM3E DRAM,目前已開始向客戶提供樣品。
美光企業(yè)副總裁暨存儲事業(yè)部總經(jīng)理 Jeremy Werner表示,隨著AI技術(shù)的飛速發(fā)展和應(yīng)用場景的不斷拓展,大規(guī)模的AI模型對算力的需求與日俱增。美光已經(jīng)量產(chǎn)了HBM3E產(chǎn)品,目前正在送樣階段。12層堆棧的HBM3E產(chǎn)品容量可以達到36GB,性能方面,美光HBM3E的引腳速度超過9.2Gb/s,可以提供超過1.2TB/s的內(nèi)存帶寬,每瓦性能提升2.5倍。
圍繞AI PC、數(shù)據(jù)中心和汽車,西部數(shù)據(jù)推出三大旗艦產(chǎn)品
西部數(shù)據(jù)公司中國區(qū)智能終端產(chǎn)品事業(yè)部高級銷售總監(jiān)文芳表示:“當下人工智能、機器學習以及自動駕駛等大量數(shù)據(jù)密集型應(yīng)用場景正高速發(fā)展。這意味著創(chuàng)新的NAND閃存技術(shù)在推動更高性能、更低時延的存儲解決方案方面將扮演更為重要的角色?!?/div>
西部數(shù)據(jù)的展臺有三大類產(chǎn)品展示為主。一類是嵌入式閃存驅(qū)動器,西部數(shù)據(jù)展示了iNAND AT EU552 UFS3.1解決方案, 它是針對自動駕駛和網(wǎng)聯(lián)汽車推出車規(guī)級UFS 3.1存儲解決方案。這款產(chǎn)品的優(yōu)勢在于采用了112層的3D NAND技術(shù),順序讀取速度高達1,600MB/s,順序?qū)懭胨俣雀哌_1,200MB/s,適用于eCockpit, ADAS與自動駕駛解決方案。憑借iNAND AT EU552 UFS 3.1嵌入式閃存驅(qū)動器,西部數(shù)據(jù)成為了首批通過 ASPICE CL3(等級3)的數(shù)據(jù)存儲解決方案提供商。

第二類是聚焦在PC領(lǐng)域。針對商用PC OEM廠商,西部數(shù)據(jù)推出了順序讀取速度高達6,000MB/s的 PC SN5000S NVMe SSD。這款搭載了高性能QLC(四級單元)的西部數(shù)據(jù)PC SN5000S NVMe SSD,為 PC OEM 廠商提供了創(chuàng)新的PCIe Gen4x4 存儲解決方案,幫助用戶輕松應(yīng)對繁重的工作負載。

第三類是應(yīng)用于數(shù)據(jù)中心的西部數(shù)據(jù)Ultrastar DC SN655 NVMe SSD。隨著新型應(yīng)用、用例和網(wǎng)聯(lián)設(shè)備的與日俱增,數(shù)據(jù)中心客戶對于構(gòu)建更具成本效益、可擴展性和可持續(xù)性的基礎(chǔ)架構(gòu)的需求日益增加。現(xiàn)場工作人員表示,西部數(shù)據(jù)Ultrastar DC SN655 NVMe SSD是一款高性價比和低功耗垂直集成的SSD,容量可從3.84TB擴展到15.36TB,可滿足存儲和混合工作負載計算應(yīng)用的要求,這款產(chǎn)品還提供了簡單且可擴展的單端口或雙端口路徑,確保滿足企業(yè)高可用性要求下的持續(xù)數(shù)據(jù)訪問。
小結(jié)
隨著大模型的快速爆發(fā),加速了對AI服務(wù)器需求,AI服務(wù)器中搭載高容量HBM,以及對DDR5的容量需求是普通服務(wù)器的2-4倍。目前高端AI服務(wù)器GPU搭載HBM芯片已成主流。此外,在服務(wù)器領(lǐng)域,為滿足更高容量、更好性能的應(yīng)用需求,2024年server PCIe5.0 SSD的滲透率將較2023年翻倍成長。汽車也成為存儲的潛力增長市場,這些都是存儲廠商細分市場的增長亮點。
三星、SK海力士、美光和西部數(shù)據(jù)在這些細分市場推出的新品,將要接受中國客戶和全球客戶的檢驗,2024年存儲市場有怎樣的增長,終端、服務(wù)器和數(shù)據(jù)中心市場將牽引存儲需求發(fā)生哪些變化,我們將繼續(xù)跟進報道。
聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
  • 存儲芯片
    +關(guān)注

    關(guān)注

    11

    文章

    969

    瀏覽量

    44573
  • HBM
    HBM
    +關(guān)注

    關(guān)注

    2

    文章

    422

    瀏覽量

    15585
  • pcle
    +關(guān)注

    關(guān)注

    0

    文章

    34

    瀏覽量

    6021
  • HBM3E
    +關(guān)注

    關(guān)注

    0

    文章

    82

    瀏覽量

    686
收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評論

    相關(guān)推薦
    熱點推薦

    400層閃存、HBM4、122TB SSD等,成為2025年存儲市場牽引力

    ? 電子發(fā)燒友網(wǎng)報道(文/黃晶晶)在人工智能、數(shù)據(jù)中心、新能源汽車、智能終端等應(yīng)用的帶動下,存儲新技術(shù)新產(chǎn)品加速到來。例如數(shù)據(jù)中心市場,不僅是高帶寬HBM持續(xù)進階,HBM3EHBM4
    的頭像 發(fā)表于 12-16 07:24 ?3865次閱讀
    400層閃存、<b class='flag-5'>HBM</b>4、122TB <b class='flag-5'>SSD</b>等,成為2025年<b class='flag-5'>存儲</b>市場牽引力

    英偉達認證推遲,但三星HBM3E有了新進展

    明年。目前博通憑借自有半導體設(shè)計能力,正為谷歌代工第七代TPU"Ironwood"及Meta自研AI芯片"MTIA v3"。 ? 此外,三星電子也積極推進向亞馬遜云服務(wù)(AWS)供應(yīng)HBM3E 12層產(chǎn)品,近期已在平澤園區(qū)啟動實
    的頭像 發(fā)表于 07-12 00:16 ?3183次閱讀

    半導體存儲芯片核心解析

    Flash、ROM (只讀存儲器)、新興存儲器 (如 MRAM, PCM, ReRAM/FeRAM)。 3. 主流存儲芯片技術(shù)詳解 3.1 DRAM - 電腦/手機的內(nèi)存條/運行內(nèi)
    發(fā)表于 06-24 09:09

    今日看點丨英特爾計劃裁減高達20%員工;超48億!面板大廠重磅收購

    1. 三星向博通供應(yīng)HBM3E 芯片,重奪AI 芯片市場地位 ? 據(jù)韓媒報道,三星電子將向博通供應(yīng)第五代高帶寬內(nèi)存(HBM3E),繼AMD之后再獲大單。據(jù)業(yè)內(nèi)消息人士透露,三星電子已完
    發(fā)表于 06-18 10:50 ?1629次閱讀

    劃片機在存儲芯片制造中的應(yīng)用

    劃片機(DicingSaw)在半導體制造中主要用于將晶圓切割成單個芯片(Die),這一過程在內(nèi)存儲存卡(如NAND閃存芯片、SSD、SD卡等)的生產(chǎn)中至關(guān)重要。以下是劃片機在
    的頭像 發(fā)表于 06-03 18:11 ?550次閱讀
    劃片機在<b class='flag-5'>存儲芯片</b>制造中的應(yīng)用

    三星與英偉達高層會晤,商討HBM3E供應(yīng)

    其高帶寬存儲HBM3E產(chǎn)品中的初始缺陷問題,并就三星第五代HBM3E產(chǎn)品向英偉達供應(yīng)的相關(guān)事宜進行了深入討論。 此次高層會晤引發(fā)了外界的廣泛關(guān)注。據(jù)推測,三星8層HBM3E產(chǎn)品的質(zhì)量
    的頭像 發(fā)表于 02-18 11:00 ?784次閱讀

    三星電子將供應(yīng)改良版HBM3E芯片

    三星電子在近期舉行的業(yè)績電話會議中,透露了其高帶寬內(nèi)存(HBM)的最新發(fā)展動態(tài)。據(jù)悉,該公司的第五代HBM3E產(chǎn)品已在2024年第三季度實現(xiàn)大規(guī)模生產(chǎn)和銷售,并在第季度成功向多家GPU廠商及數(shù)據(jù)中心供貨。與上一代
    的頭像 發(fā)表于 02-06 17:59 ?911次閱讀

    國內(nèi)首顆!支持ONFI 5.0 的TW6501 SATA SSD存儲芯片

    國內(nèi)首顆!支持ONFI 5.0 的TW6501 SATA SSD存儲芯片
    的頭像 發(fā)表于 01-21 16:33 ?705次閱讀
    國內(nèi)首顆!支持ONFI <b class='flag-5'>5.0</b> 的TW6501 SATA <b class='flag-5'>SSD</b><b class='flag-5'>存儲芯片</b>

    美光加入16-Hi HBM3E內(nèi)存競爭

    近日,全球DRAM內(nèi)存巨頭之一的美光科技公司宣布,將正式進軍16-Hi(即16層堆疊)HBM3E內(nèi)存市場。目前,美光正在對最終設(shè)備進行評估,并計劃在今年內(nèi)實現(xiàn)量產(chǎn)。 這一消息標志著美光在高性能內(nèi)存
    的頭像 發(fā)表于 01-17 14:14 ?711次閱讀

    SK海力士加速16Hi HBM3E內(nèi)存量產(chǎn)準備

    堅實基礎(chǔ)。 SK海力士的這一舉措,無疑將在全球半導體市場中掀起波瀾。16Hi HBM3E內(nèi)存作為業(yè)界領(lǐng)先的技術(shù)產(chǎn)品,其量產(chǎn)將有望推動整個半導體存儲行業(yè)的發(fā)展和進步。通過加速量產(chǎn)準備工作,SK海力士不僅展現(xiàn)了其在技術(shù)創(chuàng)新方面的實力,也彰顯了其對于市場需求變化
    的頭像 發(fā)表于 12-26 14:46 ?843次閱讀

    英偉達加速認證三星新型AI存儲芯片

    近日,英偉達首席執(zhí)行官黃仁勛近日在接受采訪時透露,英偉達正在全力加速對三星最新推出的AI存儲芯片——HBM3E的認證進程。這一舉措標志著英偉達在AI存儲技術(shù)上的又一次重要布局。 據(jù)黃仁勛介紹,英偉達
    的頭像 發(fā)表于 11-26 10:22 ?901次閱讀

    SK海力士發(fā)布HBM3e 16hi產(chǎn)品

    在近日舉辦的SK AI Summit 2024活動中,SK hynix(SK海力士)透露了一項令人矚目的新產(chǎn)品計劃。據(jù)悉,該公司正在積極開發(fā)HBM3e 16hi產(chǎn)品,這款產(chǎn)品的每顆HBM芯片容量高達48GB,將為用戶帶來前所未有
    的頭像 發(fā)表于 11-14 18:20 ?1186次閱讀

    SK海力士展出全球首款16層HBM3E芯片

    在近日舉行的SK AI峰會上,韓國存儲巨頭SK海力士向全球展示了其創(chuàng)新成果——全球首款48GB 16層HBM3E產(chǎn)品。這一產(chǎn)品的推出,標志著SK海力士在高端存儲技術(shù)領(lǐng)域的又一次重大突破。
    的頭像 發(fā)表于 11-13 14:35 ?1026次閱讀

    SK海力士推出48GB 16層HBM3E產(chǎn)品

    近日在一次科技展覽上,SK海力士驚艷亮相,展出了全球首款48GB 16層HBM3E(High Bandwidth Memory 3E)產(chǎn)品。這一突破性產(chǎn)品不僅展示了SK海力士在高端存儲技術(shù)領(lǐng)域
    的頭像 發(fā)表于 11-05 15:01 ?1065次閱讀

    三星電子HBM3E商業(yè)化遇阻,或重新設(shè)計1a DRAM電路

    近日,業(yè)界傳出三星電子HBM3E商業(yè)化進程遲緩的消息,據(jù)稱這一狀況或與HBM核心芯片DRAM有關(guān)。具體而言,1a DRAM的性能問題成為了三星電子向英偉達提供HBM3E量產(chǎn)供應(yīng)的絆腳石
    的頭像 發(fā)表于 10-23 17:15 ?1111次閱讀