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      igbt

      igbt

      +關(guān)注1256人關(guān)注

      IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅(qū)動(dòng)電流較大；MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小，開關(guān)速度快，但導(dǎo)通壓降大，載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn)，驅(qū)動(dòng)功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動(dòng)等領(lǐng)域。

      文章：3177個(gè) 瀏覽：259432次 帖子：484個(gè)

      igbt資訊

      碳化硅在攻陷IGBT市場的道路上面臨哪些挑戰(zhàn)?

      隨著新能源汽車的逐漸升溫，碳化硅摩拳擦掌，似乎要挑戰(zhàn)逆變器功率器件IGBT 的霸主地位。市場方面，領(lǐng)頭羊 CREE 與大眾等數(shù)家公司簽署長期供貨協(xié)議，并...

      2020-12-07 標(biāo)簽：半導(dǎo)體晶圓IGBT 4.4k 0

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      igbt模塊的作用和功能 igbt有電導(dǎo)調(diào)制效應(yīng)嗎？ IGBT模塊是一種封裝了多個(gè)IGBT晶體管、驅(qū)動(dòng)電路和保護(hù)電路的半導(dǎo)體器件。它的作用是將低電壓高電...

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      2020-04-20 標(biāo)簽：芯片IGBT 4.4k 0

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      一個(gè)IGBT模塊的價(jià)格折合人民幣1.5萬元，而且只賣成品。即使是作為中國牽引電傳動(dòng)技術(shù)的領(lǐng)軍企業(yè)，中車株洲所也依然要每年花費(fèi)數(shù)億元從國外采購IGBT產(chǎn)品。

      2017-08-28 標(biāo)簽：新能源汽車汽車電子igbt 4.4k 10

      IGBT保護(hù)技術(shù)在光伏逆變器的應(yīng)用

      光伏逆變器是光伏系統(tǒng)非常重要的一個(gè)設(shè)備，主要作用是把光伏組件發(fā)出來的直流電變成交流電，除此之外，逆變器還承擔(dān)檢測組件、電網(wǎng)、電纜運(yùn)行狀態(tài)，和外界通信交流...

      2022-03-31 標(biāo)簽：逆變器光伏IGBT 4.4k 0

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      igbt反向并聯(lián)二極管作用 IGBT是一種強(qiáng)勁的功率半導(dǎo)體器件，被廣泛應(yīng)用于高電壓、高電流和高速開關(guān)的領(lǐng)域。與傳統(tǒng)的大功率晶體管相比，IGBT能夠提供更...

      2023-08-29 標(biāo)簽：二極管IGBT電壓控制器 4.4k 0

      IGBT的結(jié)構(gòu)_功率MOSFET的垂直結(jié)構(gòu)

      功率MOSFET和IGBT是做在0.1到1.5平方厘米的芯片上，它的密度是每平方毫米250.000個(gè)單元（50V功率MOS-FET）或者50.000單元...

      2020-05-02 標(biāo)簽：IGBT功率MOSFET 4.3k 0

      河北“明星”芯片廠夭折：公司買地建完一棟樓就沒錢了

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      電磁爐igbt的工作原理是什么？ 電磁爐是一種相對比較新型的炊具設(shè)備，它采用了IGBT（Insulated Gate Bipolar Transisto...

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      捷敏2017年第2季獲利已經(jīng)創(chuàng)下歷史次高，上半年EPS為2.39元，7月營收也下營收新高水準(zhǔn)，市場看好8月將會(huì)再創(chuàng)單月營收歷史新高，后續(xù)捷敏持續(xù)布局車用...

      2017-08-31 標(biāo)簽：mosfetigbt功率半導(dǎo)體 4.3k 0

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      智能功率模塊（IPM）是一種功率半導(dǎo)體模塊，可將操作IGBT所需的所有電路集成到一個(gè)封裝中。它包括所需的驅(qū)動(dòng)電路和保護(hù)功能，以及IGBT。這樣，可以通過...

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      目前我國IGBT產(chǎn)業(yè)在國家政策及重大項(xiàng)目的推動(dòng)及市場牽引下得到了迅速發(fā)展，呈現(xiàn)出大尺寸區(qū)溶（FZ）單晶材料、IGBT芯片工藝和IGBT模塊封裝技術(shù)全面蓬...

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      圖1所示為一個(gè)N溝道增強(qiáng)型絕緣柵雙極晶體管結(jié)構(gòu)，N+區(qū)稱為源區(qū)，附于其上的電極稱為源極。N+區(qū)稱為漏區(qū)。器件的控制區(qū)為柵區(qū)，附于其上的電極稱為柵極。溝道...

      2022-11-02 標(biāo)簽：IGBT晶體管 4.2k 0

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      2019-06-13 標(biāo)簽：電動(dòng)汽車IGBT功率器件 4.2k 0

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      2008-10-23 標(biāo)簽：IGBT短路保護(hù) 4.2k 0

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      IGBT驅(qū)動(dòng)

      2012-07-09 標(biāo)簽：保護(hù)電路IGBT 4.2k 0

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        IoT是Internet of Things的縮寫，字面翻譯是“物體組成的因特網(wǎng)”，準(zhǔn)確的翻譯應(yīng)該為“物聯(lián)網(wǎng)”。物聯(lián)網(wǎng)（Internet of Things）又稱傳感網(wǎng)，簡要講就是互聯(lián)網(wǎng)從人向物的延伸。
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        SDK
        +關(guān)注
        　　SDK一般指軟件開發(fā)工具包，軟件開發(fā)工具包一般都是一些軟件工程師為特定的軟件包、軟件框架、硬件平臺(tái)、操作系統(tǒng)等建立應(yīng)用軟件時(shí)的開發(fā)工具的集合。軟件開發(fā)工具廣義上指輔助開發(fā)某一類軟件的相關(guān)文檔、范例和工具的集合。
      • 基站測試
        基站測試
        +關(guān)注
        802.11ac與11基站測試（base station tests） 在基站設(shè)備安裝完畢后，對基站設(shè)備電氣性能所進(jìn)行的測量。n的區(qū)別，802.11n無線網(wǎng)卡驅(qū)動(dòng)，802.11n怎么安裝。
      • ESP8266
        ESP8266
        +關(guān)注
        wifi模塊ESP8266的默認(rèn)波特率是115200，但是單片機(jī)不能達(dá)到那么快的傳輸速率，只能使用4800bps，那么設(shè)置的時(shí)候，必不可少的要先用轉(zhuǎn)串口調(diào)試下載器。
      • TMS320F28335
        TMS320F28335
        +關(guān)注
        TMS320F28335是一款TI高性能TMS320C28x系列32位浮點(diǎn)DSP處理器
      • 靜電防護(hù)
        靜電防護(hù)
        +關(guān)注
        為防止靜電積累所引起的人身電擊、火災(zāi)和爆炸、電子器件失效和損壞，以及對生產(chǎn)的不良影響而采取的防范措施。其防范原則主要是抑制靜電的產(chǎn)生，加速靜電泄漏，進(jìn)行靜電中和等。
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