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標(biāo)簽 > igbt
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動(dòng)電流較大;MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小,開關(guān)速度快,但導(dǎo)通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn),驅(qū)動(dòng)功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動(dòng)等領(lǐng)域。
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柵極驅(qū)動(dòng)脈沖觸發(fā),柵極電壓上升至高電平,VGE=+5V,IGBT導(dǎo)通后,電源電壓將對(duì)線圈一次側(cè)漏感充電,一次側(cè)電流開始線性上升。由于在火花塞產(chǎn)生電弧之前...
懷揣著這樣美好的愿景,英飛凌憑借根植中國(guó)家電行業(yè)多年的技術(shù)優(yōu)勢(shì)與行業(yè)資源,搭建和運(yùn)營(yíng)了家電生態(tài)圈網(wǎng)站。
電子負(fù)載和電阻負(fù)載區(qū)別 電子負(fù)載和電阻負(fù)載是電子學(xué)中常見的兩種負(fù)載,它們?cè)跍y(cè)試電路、進(jìn)行數(shù)據(jù)采集和模擬分析等方面起到重要的作用。雖然它們都是用來(lái)模擬負(fù)載...
                                                        第7代IGBT正開始在儲(chǔ)能領(lǐng)域大放異彩
? 電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/黃山明)在儲(chǔ)能技術(shù)高速發(fā)展的今天,更強(qiáng)的發(fā)電與蓄電能力,更高的能源管理效率,更穩(wěn)定的輸送能力都是相關(guān)企業(yè)追求的方向,這就需要功...
士蘭微發(fā)布2019年年報(bào),IGBT和IPM產(chǎn)品同比增速40%
報(bào)告期內(nèi),公司研發(fā)項(xiàng)目主要圍繞電源管理產(chǎn)品平臺(tái)、功率半導(dǎo)體器件與模塊技術(shù)、數(shù)字音視頻技術(shù)、射頻/模擬技術(shù),MCU/DSP產(chǎn)品平臺(tái)、MEMS傳感器產(chǎn)品與工...
變頻器的構(gòu)成元器件多種多樣,不同的元器件有不同的功能,不同的元器件有不同的專用!而在愛德利變頻器的組成與應(yīng)用上除了有所有的變頻器元器件組成外還是有變頻器...
如何通過設(shè)計(jì)確保IGBT并聯(lián)均流措
由于并聯(lián)IGBT自身參數(shù)的不一致及電路布局不對(duì)稱等,必引起器件電流分配不均,嚴(yán)重時(shí)會(huì)使器件失效甚至損壞主電路,因此,IGBT并聯(lián)的重點(diǎn)是考慮如何通過設(shè)計(jì)...
車規(guī)級(jí)IGBT延續(xù)高景氣度,國(guó)內(nèi)品牌2023年前難挑大梁
據(jù)Yole統(tǒng)計(jì),2020年時(shí),IGBT的市場(chǎng)規(guī)模為54億美元,隨著主要電動(dòng)交通的IGBT用量快速增長(zhǎng),供應(yīng)鏈正在調(diào)整其戰(zhàn)略并進(jìn)行大規(guī)模投資。在純電動(dòng)汽車...
2022-01-17 標(biāo)簽:IGBT 4.1k 0
在知道大功率器件之前,我們要先知道功率器件是什么意思,功率器件是電子元件和電子器件的總稱,是電子裝置中,電能轉(zhuǎn)換與電路控制的核心,它利用半導(dǎo)體單向?qū)щ姷?..
IGBT需求旺盛,國(guó)內(nèi)廠商產(chǎn)能大幅開出
集微網(wǎng)消息,2017年以來(lái),功率半導(dǎo)體市場(chǎng)景氣向好,二極管、MOS管、IGBT等功率器件紛紛出現(xiàn)供需偏緊,導(dǎo)致交期延長(zhǎng),價(jià)格數(shù)次調(diào)漲。
作為中國(guó)制造業(yè)巨頭,比亞迪的電池與汽車業(yè)務(wù)最為人熟知。2020年,比亞迪汽車?yán)塾?jì)銷量42.69萬(wàn)輛,近日,比亞迪還斬獲哥倫比亞1002量純電動(dòng)巴士訂單。...
比亞迪半導(dǎo)體經(jīng)過10余年的發(fā)展,已成為國(guó)內(nèi)自主可控的車規(guī)級(jí)IGBT領(lǐng)導(dǎo)廠商,成功打破國(guó)外壟斷。在中國(guó)車規(guī)級(jí)IGBT市場(chǎng)占據(jù)18%份額的比亞迪半導(dǎo)體是如何成長(zhǎng)的?
什么是高電壓平臺(tái)/實(shí)現(xiàn)高電壓平臺(tái)需要哪些條件
電動(dòng)車會(huì)取代燃油車嗎?電動(dòng)車什么時(shí)候能像燃油車一樣便利?雖然在動(dòng)力、噪音、使用成本等方面電動(dòng)車已經(jīng)甩開燃油車一個(gè)身位,隨著續(xù)航超過1000km的車型陸續(xù)...
                                                        H橋IGBT功率單元及試驗(yàn)裝置的母線結(jié)構(gòu)
H橋IGBT功率單元 本文中的實(shí)驗(yàn)裝置是一臺(tái)單相 H 橋IGBT 功率單元,其拓?fù)浣Y(jié)
2010-02-22 標(biāo)簽:IGBT 4.1k 0
                                                        
                            目前,碳化硅(SiC)這種半導(dǎo)體材料因其在電力電子應(yīng)用中的出色表現(xiàn)引起了廣泛的關(guān)注。對(duì)晶圓和器件的研究在近年來(lái)已經(jīng)取得很大進(jìn)展。碳化硅是一種寬禁帶(WB...
IGBT:電力電子技術(shù)第三次革命中最具代表性的產(chǎn)品
新能源汽車領(lǐng)域更是IGBT的用武之地。有關(guān)信息顯示,在新能源汽車中,IGBT模塊約占整車成本的7%~10%,是除電池之外所占成本第二高的元件,決定了整車...
IGCT和IGBT的區(qū)別? IGCT(Integrated Gate-Commutated Thyristor)和 IGBT(Insulated Gat...
2023-11-17 標(biāo)簽:IGBTIGCT功率半導(dǎo)體 4.1k 0
                                                        高電壓大電流IGBT靜態(tài)測(cè)試系統(tǒng)簡(jiǎn)介
IGBT(絕緣柵雙極性晶體管)是常見的功率器件,期間經(jīng)常使用在強(qiáng)電流高電壓的場(chǎng)景中,如電動(dòng)汽車、變電站等。器件結(jié)構(gòu)由MOSFET及BGT組合而成,兼具了...
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