牽引變流器是地鐵列車的核心裝備，其技術復雜、可靠性要求高。地鐵列車牽引變流器主要采用IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)變流技術。為牽引變流器設計一款性能可靠、穩(wěn)定的IGBT驅動控制電源是保證牽引變流器可靠、穩(wěn)定運行的一個重要環(huán)節(jié)。
2026-01-04 14:06:44
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激光焊接機作為一種高精度連接方法，在均溫板制造中扮演關鍵角色。均溫板是一種用于高效散熱的真空腔體，其內部充滿工作流體，通過相變過程傳遞熱量。激光焊接主要用于密封均溫板的腔體，確保真空環(huán)境和流體密封性
2025-12-31 14:37:0961 
效率與產(chǎn)品質量的雙重突破，成為推動行業(yè)技術升級的核心力量。 串并聯(lián)組合焊接的技術挑戰(zhàn)與解決方案 圓柱電池在模組化過程中需通過串并聯(lián)結構實現(xiàn)電壓與容量的靈活配置，這一過程對焊接工藝提出嚴苛要求：串聯(lián)焊接需確保電
2025-12-22 11:58:5673 PC5502是一款先進、高性能、低成本的負載均流控制芯片，可以實現(xiàn)多個獨立電源或DC-DC電源模塊的并聯(lián)。該芯片適用于服務器、工作站、通訊和其他分布式電源系統(tǒng)中，也適用于N+1冗余系統(tǒng)或并聯(lián)電源
2025-12-19 15:48:34
22 IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)作為現(xiàn)代電力電子系統(tǒng)的核心器件，其隔離與控制技術直接關系到系統(tǒng)的安全性和可靠性。隔離設計通過光耦或變壓器實現(xiàn)高低壓電路間的電氣隔離，避免信號干擾和高壓擊穿風險。而控制
2025-12-10 14:53:49238 
在并聯(lián)使用MOS存在一些問題，那我們要怎樣做才能避免這些問題？
首先，器件的一致性一定要好。
在功率MOSFET多管并聯(lián)時，器件內部參數(shù)的微小差異就會引起并聯(lián)各支路電流的不平衡而導致單管過流損壞。
其次是功率。如果功率高于25%，MOS發(fā)熱嚴重，性能會急劇下降，因此在設計時需要對MOS進行降額使用。
2025-12-10 08:19:21
艾德克斯IT6500C系列直流電源，不僅支持主從并聯(lián)，主動均流，擴展輸出能力，還具備雙象限電流輸出，跨象限無縫切換、CC/CV優(yōu)先權等多種功能，可應用于非常嚴苛的浪涌電流測試。
2025-12-08 16:21:511624 
文章總結：超法拉電容均壓板漏電問題需通過檢測、優(yōu)化和維護解決，涵蓋診斷流程、場景化方案及預防措施。
2025-11-27 09:19:00430 
在現(xiàn)代電力電子與新能源汽車工業(yè)飛速發(fā)展的今天，絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）功率模塊作為電能轉換與控制的“心臟”，其可靠性直接決定了整個系統(tǒng)的性能與壽命。IGBT模塊內部通過焊接、鍵合等工藝將多個
2025-11-21 14:13:06858 
電子工程師通過并聯(lián)電容提升能量容量，但需保持電壓耐壓不變，串聯(lián)電容以提升耐壓，同時并聯(lián)增加電流容量。
2025-11-15 09:14:003103 
傾佳電子基于并聯(lián)1400V SiC MOSFET的高功率交錯并聯(lián)三相四線制工商業(yè)儲能變流器PCS設計與分析 傾佳電子（Changer Tech）是一家專注于功率半導體和新能源汽車連接器的分銷商。主要
2025-11-03 09:52:32289 
STGSH80HB65DAG IGBT針對軟換向進行了優(yōu)化，可最大限度地降低導通和開關損耗。 每個開關均包含一個低壓差續(xù)流二極管，因此非常適合用于高效諧振和軟開關應用。
2025-10-25 16:30:442788 
STMicroelectronics STGD4H60DF 600V 4A高速H系列IGBT設計采用先進的溝槽式柵極場終止型結構。STMicroelectronics STGD4H60DF IGBT
2025-10-23 09:58:461592 
總線電壓下具有出色的短路能力，因此非常適用于此類應用。此外，~VCE(sat)~ 溫度系數(shù)微正，參數(shù)分布非常緊密，有助于實現(xiàn)更安全的并聯(lián)操作。GWA40MS120DF4AG汽車級IGBT具有1200V
2025-10-20 14:54:592027 
STMicroelectronics STGHU30M65DF2AG汽車級IGBT采用先進的溝槽式柵極場終止型結構進行開發(fā)。STMicroelectronics STGHU30M65DF2AG在
2025-10-17 17:42:132112 
STGSH50M120D安裝在非常緊湊、堅固耐用、易于表面貼裝的封裝中。 該器件針對硬開關換向的傳導和開關損耗進行了優(yōu)化，其中短路耐受性是其基本特性。每個開關均包含一個正向壓降低的續(xù)流二極管。因此，該產(chǎn)品專為最大限度地提高工業(yè)驅動器的效率和功率密度而設計。
2025-10-16 17:15:071679 
48V供電場景，單芯片兼容多電壓需求，減少外圍電路設計復雜度。
軍工級恒流精度
±3%的電流偏差率優(yōu)于行業(yè)標準50%，配合<±0.5%的負載調整率，確保100顆LED串并聯(lián)時亮度差異≤5
2025-10-15 18:15:35
變頻器驅動IGBT的時 檢測gnd與機殼的波形會疊加一個igbt驅動頻率在上面，請問各位大神 這個是什么原因引起的
2025-09-11 14:54:07
在實際應用中，為了應對各種不同的使用需求，保證測試的靈活性、節(jié)省成本等種種原因，我們需要對多臺直流電源進行并聯(lián)達到擴容，以提升輸出電流能力，提高輸出功率。通過單機并聯(lián)的組合方式，我們可以獲得更靈活的選型應對方案。
2025-09-05 11:23:362924 
LED 單個字符串。通過提供恒流的獨立控制輸出，LED 可以 并聯(lián)組合以在單個串上產(chǎn)生更高的電流。恒定灌電流 所有通道都通過單個外部電阻進行設置。這允許不同的 LED 驅動器在 同一應用程序吸收各種電流，提供多色的可選實現(xiàn) LED。
2025-09-02 11:13:442516 
需求，是理想之選。它可同時為系統(tǒng)中的 MCU 與 IGBT 驅動電路提供穩(wěn)定且電氣隔離的電源，即便處于寬輸入電壓范圍波動、復雜負載工況等條件下，依然能夠確保系統(tǒng)持續(xù)保持優(yōu)異的運行性能。
核心特性一覽
寬
2025-09-02 09:04:58
，對散熱效果有顯著影響，進而可能關聯(lián)到 IGBT 的短路失效機理。 IGBT 工作時，電流通過芯片產(chǎn)生焦耳熱，若熱量不能及時散發(fā)，將導致芯片溫度升高。良好的散熱可使 IGBT 保持在適宜工作溫度，確保性能穩(wěn)定。IGBT 封裝底部與散熱器貼合面平整度差時，
2025-08-26 11:14:101195 
參數(shù)會有所差異，電源模塊并聯(lián)造成了各個模塊電應力和熱應力不同，大大降低了整個電源系統(tǒng)的可靠性運行。為了保證各個模塊所受到的電應力和熱應力基本相同，需要對并聯(lián)模塊采用并聯(lián)均流技術。
2025-08-26 09:28:1515965 
如何確保穩(wěn)定的 WDT 重置
2025-08-26 06:34:45
一、引言 IGBT（絕緣柵雙極型晶體管）作為電力電子領域的核心器件，廣泛應用于新能源汽車、智能電網(wǎng)等關鍵領域。短路失效是 IGBT 最嚴重的失效模式之一，會導致系統(tǒng)癱瘓甚至安全事故。研究發(fā)現(xiàn)
2025-08-25 11:13:121348 ，兼顧散熱與空間效率。
典型應用
高頻開關電源（SMPS）及DC-DC轉換器
電機驅動電路、光伏逆變系統(tǒng)
新興寬禁帶器件（如GaN功率管）驅動
多相并聯(lián)大電流驅動場景
SLM27526EN-DG通過低延時
2025-08-20 08:31:00
SiC MOSFET在并聯(lián)應用中的安全性和穩(wěn)定性提出了挑戰(zhàn)當SiC MOSFET應用在橋式電路時高速開關動作引發(fā)的串擾問題嚴重影響了系統(tǒng)的可靠性.為了使SiC MOSFET在電路系統(tǒng)中穩(wěn)定運行本文主要針對并聯(lián)均流和串擾抑制問題展開研究.第一部分首先對SiC MOSFET電氣特性
2025-08-18 15:36:271 通過利用Thermal EMMI(熱紅外顯微鏡）去檢測IGBT 樣品異常
2025-08-15 09:17:351665 
的核心驅動模塊。這款來自日立(現(xiàn)屬美蓓亞三美)的IGBT模塊，通過高度集成化設計，把IGBT、FWDs(續(xù)流二極管)、驅動電路、保護電路等全部集合在單一芯片內，實現(xiàn)了
2025-08-14 09:55:53449 
監(jiān)測IGBT狀態(tài)，一旦檢測到過流（退飽和），立即觸發(fā)保護：
通過隔離屏障將FAULT信號拉低報警。
屏蔽輸入信號，防止進一步誤導通。
啟動軟關斷(Soft Turn-Off)，降低關斷過電壓應力
2025-08-12 08:33:41
就可以構成完整的 LED 恒流驅動電路，通過調節(jié)該電阻可調節(jié)輸出電流。
封裝與散熱：采用 ESOP8 封裝，SW 引腳與底部散熱片直連，可降低熱阻，支持長時間滿負荷運行，配合鋁基板能進一步增強散熱，確保
2025-08-06 09:33:12
通過USBDevice->BulkOutEndPt->FinishDataXfer，可以根據(jù)其是函數(shù)返回值來判斷數(shù)據(jù)是否正常發(fā)送，如果使用USBDevice-&
2025-08-01 06:02:45
產(chǎn)品描述:(替代UCC29002)PC5502是一款先進、高性能、低成本的負載均流控制芯片，可以實現(xiàn)多個獨立電源或DC-DC電源模塊的并聯(lián)。該芯片適用于服務器、工作站、通訊和其他分布式電源系統(tǒng)中，也
2025-07-31 10:20:44
，工程師往往采用器件串聯(lián)或并聯(lián)的方式。然而，若忽視器件之間的特性差異及配套設計，容易引發(fā)均壓均流問題，最終造成電路效率降低甚至器件失效。一、串聯(lián)應用中的均壓挑戰(zhàn)當需要承
2025-07-31 09:29:42731 
不同的變頻器對于IGBT單管使用的關注點會有所區(qū)別，常見使用的關注點會有開關特性、低導通損耗 (VCE(sat))、良好的熱性能 、反向并聯(lián)二極管性能等。因此，在選擇可以代換JT075N065WED型號IGBT單管用于變頻器時，工程師必須重點評估上述關鍵需求點。
2025-07-30 15:35:162902 
常采用串聯(lián)或并聯(lián)方式進行擴展。然而，串并聯(lián)設計并非簡單的堆疊組合，實際應用中需面臨諸如均壓、均流、熱分布等挑戰(zhàn)。本文將結合工程案例，探討快恢復二極管串并聯(lián)的設計要
2025-07-24 09:46:28560 
實現(xiàn)更高的耐壓或電流能力。然而，F(xiàn)RD在串并聯(lián)應用中會面臨均壓、均流以及熱穩(wěn)定性的挑戰(zhàn)。一、串聯(lián)應用：提高耐壓能力問題背景單顆快恢復二極管的反向耐壓（VRRM）通常
2025-07-23 09:56:29776 2025 年7月16日，中國——意法半導體發(fā)布STGWA30IH160DF2 IGBT，該器件兼具1600 V的額定擊穿電壓、優(yōu)異的熱性能和軟開關拓撲高效運行等優(yōu)勢，特別適用于需要并聯(lián)使用的大功率
2025-07-17 10:43:176617 本書結合國內外IGBT的發(fā)展和最新應用技術，以從事IGBT應用電路設計人員為本書的讀者對象，系統(tǒng)、全面地講解了IGBT應用電路設計必備的基礎知識，并選取和總結了IGBT的典型應用電路設計實例，以供
2025-07-14 17:32:41
，請問是什么原因？（板子上一共3顆LTM4644，兩外兩顆一顆將1，2，3并聯(lián)使用，另一顆將1，2并聯(lián)使用，均正常，只有這顆，將3，4路并聯(lián)使用發(fā)現(xiàn)工作異常）
2025-07-14 06:22:07
輸出特性1. 電流模式選擇
恒流（CC）模式：
適用場景：電池充電、LED恒流驅動、材料測試（如電阻率測量）。
設置方法：
通過電源面板或SCPI命令（如CURR 2.0）設定目標電流（如2A
2025-07-08 14:48:35
電解電容因高容量、低成本特性，廣泛應用于電源濾波、儲能等場景。通過并聯(lián)方式組合多個電解電容，可進一步優(yōu)化電路性能，但需規(guī)避潛在風險。電解電容并聯(lián)使用有什么好處和注意事項，今天我們一起來看看： 一
2025-07-04 14:25:491946 
的整體可靠性。然而，MOSFET并聯(lián)設計并非簡單的“多加幾個”過程，必須考慮到均流、寄生參數(shù)與熱平衡等諸多因素。本文將探討如何在實際設計中有效應對這些挑戰(zhàn)，優(yōu)化并
2025-07-04 10:03:51670 
峰均比，或稱峰值因數(shù)(crestfactor)，簡稱PAR（peak-to-averageratio），或叫峰均功率比(簡稱PARR,peak-to-averagepowerratio)。先說
2025-07-02 17:32:152549 
傾佳電子楊茜致力于推動國產(chǎn)SiC碳化硅模塊在電力電子應用中全面取代進口IGBT模塊，助力電力電子行業(yè)自主可控和產(chǎn)業(yè)升級！ 以下基于BMF240R12E2G3 SiC模塊的雙并聯(lián)設計，結合均流電感技術
2025-07-01 17:55:48689 
會考慮將快恢復整流器進行并聯(lián)或串聯(lián)設計。但看似簡單的“疊加”，實際涉及一系列電氣與熱學挑戰(zhàn)，尤其是均流與均壓控制問題。本文將深入剖析快恢復整流器在并聯(lián)與串聯(lián)應用中
2025-06-25 10:31:08516 
隔離
總結
SLMi8233DDCG-DG通過硬件級死區(qū)編程與 4A/40V驅動能力 ，解決了半橋拓撲中開關管直通與驅動強度不足的核心痛點。其18ns級通道匹配精度顯著提升多相并聯(lián)系統(tǒng)均流性，而
2025-06-21 09:44:16
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2025-06-17 16:17:10
測量回路雜散電感常用方法有雙脈沖法、短路法及諧振法。雙脈沖法通過測量獲取IGBT關斷時的尖峰電壓Vpeak和電流變化率，利用公式來計算雜散電感Lstray；短路法通過測量IGBT短路開通時的下降電壓
2025-06-17 09:53:402027 
電壓產(chǎn)生和抑制的機理，建立了低寄生電感母排基本模型以進行仿真，闡述了換流回路雜散電感的組成和計算方法，以實驗測試數(shù)據(jù)為基礎研究IGBT開關性能;通過比較仿真、計算、實驗結果，提出了優(yōu)化低感母排EMC設計的原則。
2025-06-17 09:45:101781 
IGBT的柵極電壓可通過不同的驅動電路來產(chǎn)生。這些驅動電路設計的優(yōu)劣對IGBT構成的系統(tǒng)長期運行可靠性產(chǎn)生直接影響。為了確保IGBT的完全飽和以及較小化通態(tài)損耗，同時還要限制短路電流和功率應力，正向柵極電壓必須控制在適當范圍內。
2025-06-12 09:55:42863 
Si-IGBT+SiC-MOSFET并聯(lián)混合驅動逆變器設計的關鍵要素
2025-06-06 08:25:172984 
在電力電子領域，當多個SiC MOSFET模塊并聯(lián)時，受器件參數(shù)、寄生參數(shù)等因素影響，會出現(xiàn)動態(tài)電流不均的問題，制約系統(tǒng)性能。本章節(jié)帶你探究SiC MOSFET模塊并聯(lián)應用中的動態(tài)均流問題。
2025-05-30 14:33:432259 
通過并聯(lián)SiC MOSFET功率器件，可以獲得更高輸出電流，滿足更大功率系統(tǒng)的要求。本章節(jié)主要介紹了SiC MOSFET并聯(lián)運行實現(xiàn)靜態(tài)均流的基本要求和注意事項。
2025-05-23 10:52:481552 
一、核心定義與結構特性 大功率IGBT模塊是以絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）為核心，集成續(xù)流二極管（FWD）的復合功率器件，通過多層封裝技術實現(xiàn)高電壓、大電流承載能力35。其典型結構包含： ? 芯片
2025-05-22 13:49:381273 
為了協(xié)調IGBT通態(tài)特性與關斷特性及短路特性之間的矛盾，提高器件的綜合性能和可靠性，在IGBT中引入了一種電子注入增強效應（Injection Enhancement Effect，IE），既可
2025-05-21 14:15:171366 
IGBT吸收電路的模型。在分析中均假定：所有二極管的通態(tài)電壓降為零，開關器件T的拖尾電流為零，開關器件T的通態(tài)電壓降為零。
2025-05-21 09:45:301052 
IGBT作為功率半導體器件，對靜電極為敏感。我將從其靜電敏感性原理入手，詳細闡述使用過程中防靜電的具體注意事項與防護措施，確保其安全穩(wěn)定運行。
2025-05-15 14:55:081426 包括器件固有可靠性和使用可靠性。固有可靠性問題包括安全工作區(qū)、閂鎖效應、雪崩耐量、短路能力及功耗等，使用可靠性問題包括并聯(lián)均流、軟關斷、電磁干擾及散熱等。
2025-04-25 09:38:272583 
續(xù)流二極管都是并聯(lián)在線圈的兩端，線圈在通過電流時，會在其兩端產(chǎn)生感應電動勢。當電流消失時，其感應電動勢會對電路中的原件產(chǎn)生反向電壓。當反向電壓高于原件的反向擊穿電壓時，會把原件如三極管，等造成損壞
2025-04-24 11:36:4020512 
在電源設計、DC-DC轉換、逆變器等高功率應用中，單顆肖特基二極管（SchottkyDiode）往往無法滿足電流或電壓的需求，此時就需要通過并聯(lián)或串聯(lián)的方式來提升器件的承載能力。但由于肖特基二極管
2025-04-18 09:36:05960 
常見的線性穩(wěn)壓器LT系列和LM系列，為什么LT系列支持并聯(lián)輸出而LM系列不支持并聯(lián)輸出，從內部電路原理分析主三極管、參考電壓電路、負載之間的關系？
并且針對輸出并聯(lián)如何做到輸出均流？
2025-04-17 07:20:22
大佬們，我現(xiàn)在需要同時對六個電容并聯(lián)充電，充電完成之后通過電路結構轉換成串聯(lián)，當然充電事件是通過單片機控制的，但是現(xiàn)在我不知道怎么設計電路結構能從并聯(lián)轉換為串聯(lián)。
2025-04-14 19:47:46
如下是一款具有IGBT保護的驅動芯片，其如何檢測并判斷IGBT故障，并且在什么情況下觸發(fā)該故障？
尤其是在一類短路和二類短路時是否應該觸發(fā)，具體如何檢測？
2025-04-05 20:16:16
使用手冊推薦的OPA541并聯(lián)電路時，當VIN給負電平時，主從均流，當VIN給正點是主運放輸出全部電流，從運放未輸出電流
2025-04-02 17:05:28
汽車，工業(yè)，商業(yè)照明應用。PC561A 的防靜電保護設可以確保整個照明系統(tǒng)在設計、安裝及應用中的安全。 產(chǎn)品特性:? 線型恒流LED驅動? 寬輸入電壓范圍： 1.3V ～ 60 V? 抗60V反接
2025-04-02 10:08:23
我正在嘗試通過并聯(lián) RGB 接口連接 TFT 屏幕，看起來很簡單，對吧？
?
24 位 RGB 的 LPC4088 僅使用 3 個 4 字節(jié)的 DMA RAM（浪費 1 個字節(jié)）
我找不到
2025-04-02 06:15:34
(零電壓轉換) 拓撲中的開關損耗，并對電路和器件特性相關的三個主要功率開關損耗—導通損耗、傳導損耗和關斷損耗進行描述。此外，還通過舉例說明二極管的恢復特性是決定MOSFET 或 IGBT導通開關損耗
2025-03-25 13:43:17
電力電子電路設計，有時單個整流二極管的電流承載能力或耐壓能力無法滿足應用需求，此時可以通過并聯(lián)或串聯(lián)方式來增強電流或耐壓能力。然而，并聯(lián)時需要解決均流問題，串聯(lián)時要保證均壓，否則會導致器件提前失效
2025-03-17 11:45:362478 
，廣泛應用于電動汽車、工業(yè)電機驅動、新能源發(fā)電（如光伏逆變器、風電變流器）以及家電等領域。IGBT的性能直接影響到系統(tǒng)的效率、可靠性和安全性。為了確保IGBT在實際
2025-03-14 17:21:44792 
在電力電子的廣闊領域中，絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）作為核心器件，其性能優(yōu)劣直接關乎整個系統(tǒng)的運行效率與穩(wěn)定性。而功耗問題，始終是IGBT應用中不可忽視的關鍵環(huán)節(jié)。今天，就讓我們一同深入探究IGBT功耗背后的奧秘。
2025-03-14 09:17:5232485 
IGBT模塊的反向恢復現(xiàn)象是指在IGBT關斷時，其內部集成的續(xù)流二極管（FWD）從正向導通狀態(tài)轉變?yōu)榉聪蚪刂範顟B(tài)過程中出現(xiàn)的一些特定物理現(xiàn)象和電氣特性變化。
2025-03-13 14:39:283761 
2025年3月初，芯旺微電子成功通過全球頂級Tier1企業(yè)的供應商導入審核，標志著公司在車規(guī)芯片領域正式邁入國際一流供應鏈體系。
2025-03-10 10:06:511040 堵煤開關的實時監(jiān)測煤流功能在工業(yè)生產(chǎn)中發(fā)揮著至關重要的作用。通過實時監(jiān)測煤流狀況，堵煤開關為生產(chǎn)提供了必要的數(shù)據(jù)支持，并對煤流進行調節(jié)和控制，從而確保了生產(chǎn)過程的順暢和高效。
2025-03-07 09:21:12727 串聯(lián)諧振與并聯(lián)諧振在電路理論中是兩種重要的諧振現(xiàn)象，它們之間存在顯著的區(qū)別。以下是串聯(lián)諧振與并聯(lián)諧振的主要差異： 一、基本原理 ? 串聯(lián)諧振 ?：發(fā)生在由電感(L)、電容(C)和電阻(R)串聯(lián)
2025-03-06 15:23:024636 、斜坡波形壓力及自定義輸出壓力等多樣化壓力輸出，通過與精密的微流量傳感器搭配使用，利用閉環(huán)的PID控制實現(xiàn)多樣化波形的流量流動控制，確保流體控制的精確性和穩(wěn)定性。 流控連續(xù)灌流系統(tǒng)：雖然搜索結果未提及相關原理，但
2025-03-04 16:00:00645 氮化鎵晶體管的并聯(lián)設計總結 先上鏈接，感興趣的朋友可以直接下載： *附件：氮化鎵晶體管的并聯(lián)設計.pdf 一、引言 ? 應用場景 ?：并聯(lián)開關管廣泛應用于大功率場合，如牽引逆變器、可回收能源系統(tǒng)等
2025-02-27 18:26:311103 ，用于研究突發(fā)脈沖磁場對IGBT模塊的干擾效應。首先，通過等效電路模型表示IGBT模塊，隨后針對其易受干擾的區(qū)域進行磁場仿真。仿真不同時間步長的磁場分布、渦流分布、磁通密度以及IGBT模塊中的溫升。此外
2025-02-25 09:54:451677 
多相電源因其高效率、高功率密度、優(yōu)秀的熱管理和快速動態(tài)響應等優(yōu)勢，在多個行業(yè)中有著廣泛的應用，比如：高性能計算（HPC）、通信基站、智能駕駛、ASIC 或處理器的內核電源以及服務器的存儲器應用等。
2025-02-24 10:34:221868 
IGBT的溫度及安全運行 IGBT的溫度可由下圖描述： 溫差 (平均值)和熱阻關系如下式： Rthjc = ΔTjc ÷ 損耗 Rthch = ΔTch ÷ 損耗 Rthha = ΔTha ÷ 損耗
2025-02-14 11:30:5933073 
。因此，如何保證并聯(lián)MOS管的電流均流，是設計中的一個關鍵問題。今天我們將從選型、布局和電路設計三個方面，探討實現(xiàn)電流均流的方法： 1. MOS管選型與匹配 1.1 選擇參數(shù)一致的MOS管 導通電阻（Rds(on)） ：MOS管的導通電阻直接影響電流分配。選擇
2025-02-13 14:06:354243 
導語：在過去的一個多月，我們從最基礎的器件入手，深入了解再探討SiC MOSFET與Si IGBT的單個特性和并聯(lián)后的表現(xiàn)，并借助一些案例說明了如何利用這些器件本身的特性來優(yōu)化系統(tǒng)性能？以上是第一步
2025-02-08 09:10:371200 
碳化硅（SiC）MOSFET并聯(lián)應用均流控制技術的綜述，傾佳電子楊茜綜合了當前研究進展與關鍵技術方向。
2025-02-05 14:36:011509 
絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）作為現(xiàn)代電力電子系統(tǒng)中的核心元件，廣泛應用于電機驅動、新能源發(fā)電、變頻器和電動汽車等領域。IGBT在工作過程中會產(chǎn)生大量的熱量，如果不能有效地散熱，將會導致器件溫度升高
2025-02-03 14:27:001299 。它不僅具有MOSFET的輸入阻抗高、驅動功率小、開關速度快等優(yōu)點，還兼具BJT的導通壓降低、載流能力大等特點。然而，IGBT在工作過程中會產(chǎn)生大量的熱量，如果不能有效地散熱，會導致溫度升高，從而
2025-02-03 14:26:001163 及Rgoff的數(shù)值是否合適。通常我們對某款IGBT的認識主要是通過閱讀相應的datasheet，但實際上，數(shù)據(jù)手冊中所描述的參數(shù)是基于一些已經(jīng)給定的外部參數(shù)測試得來的，而實際應用中的外部參數(shù)都是個性化的，往往會有所不同，因此這些參數(shù)有些是不能直接拿來使用的。我們需要了解IGBT在
2025-01-28 15:44:008854 
IGBT雙脈沖實驗 1.1 IGBT雙脈沖實驗目的 1、通過實驗獲取IGBT驅動板及IGBT模塊的主要動態(tài)參數(shù)，如延時、上升、下降時間、開關損耗等； 2、通過實驗獲得功率組件設計中濾波電容、吸收電容
2025-01-27 18:10:002622 
大電流 Si IGBT 和小電流 SiC MOSFET 兩者并聯(lián)形成的混合器件實現(xiàn)了功率器件性能和成本的折衷。 但是SIC MOS和Si IGBT的器件特性很大不同。為了盡可能在不同工況下分別利用
2025-01-21 11:03:572635 
大功率系統(tǒng)需要并聯(lián) IGBT來處理高達數(shù)十千瓦甚至數(shù)百千瓦的負載，并聯(lián)器件可以是分立封裝器件，也可以是組裝在模塊中的裸芯片。這樣做可以獲得更高的額定電流、改善散熱，有時也是為了系統(tǒng)冗余。部件之間的工藝變化以及布局變化，會影響并聯(lián)器件的靜態(tài)和動態(tài)電流分配。
2025-01-21 09:48:152264 
在1字形二極管鉗位三電平電路中，當發(fā)生短路故障或過流故障時，傳統(tǒng)的關斷IGBT的做法是，檢測到故障的驅動器把故障信息傳遞給控制器，然后控制器先把外管關斷，再關斷內管。
2025-01-17 11:06:303937 
大功率系統(tǒng)需要并聯(lián) IGBT來處理高達數(shù)十千瓦甚至數(shù)百千瓦的負載，并聯(lián)器件可以是分立封裝器件，也可以是組裝在模塊中的裸芯片。這樣做可以獲得更高的額定電流、改善散熱，有時也是為了系統(tǒng)冗余。部件之間
2025-01-16 10:44:182078 
上回書(英飛凌芯片簡史)說到，IGBT自面世以來，歷經(jīng)數(shù)代技術更迭，標志性的技術包括平面柵+NPT結構的IGBT2，溝槽柵+場截止結構的IGBT3和IGBT4，表面覆銅及銅綁定線的IGBT5等?，F(xiàn)今
2025-01-15 18:05:212265 
IGBT高速雙包：IGBT 溝槽和場效應管技術采用軟、快速恢復的反并聯(lián)二極管IKW50N60H3600V 第三代高速開關系列 特點TRENCHSTOPTM 技術提供-極低振動
2025-01-11 15:07:17
一、什么是UPS并機均流性能UPS（不間斷電源）并機均流性能指的是在多臺UPS并聯(lián)運行時，各臺UPS能夠均勻分擔負載電流的能力。在實際應用中，為了確保電力系統(tǒng)的穩(wěn)定性和可靠性，往往需要采用多臺UPS
2025-01-10 17:23:382163 器件是否符合標準。
一、來料檢查的目的
SMT來料檢查的重要性在于確保所有進入生產(chǎn)線的材料：包括 元器件、PCB板以及各種貼片加工材料（如焊膏、貼片膠等），均符合質量標準 。這是因為這些組件和材料
2025-01-07 16:16:16
焊接實時檢測儀應運而生，成為確保焊接質量和安全的關鍵設備。本文將詳細介紹恒流焊接實時檢測儀的工作原理、技術特點及其在實際應用中的重要性。
### 工作原理
恒流焊
2025-01-07 11:43:201088
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