牽引變流器是地鐵列車(chē)的核心裝備，其技術(shù)復(fù)雜、可靠性要求高。地鐵列車(chē)牽引變流器主要采用IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)變流技術(shù)。為牽引變流器設(shè)計(jì)一款性能可靠、穩(wěn)定的IGBT驅(qū)動(dòng)控制電源是保證牽引變流器可靠、穩(wěn)定運(yùn)行的一個(gè)重要環(huán)節(jié)。
2026-01-04 14:06:44
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激光焊接機(jī)作為一種高精度連接方法，在均溫板制造中扮演關(guān)鍵角色。均溫板是一種用于高效散熱的真空腔體，其內(nèi)部充滿工作流體，通過(guò)相變過(guò)程傳遞熱量。激光焊接主要用于密封均溫板的腔體，確保真空環(huán)境和流體密封性
2025-12-31 14:37:0961 
效率與產(chǎn)品質(zhì)量的雙重突破，成為推動(dòng)行業(yè)技術(shù)升級(jí)的核心力量。 串并聯(lián)組合焊接的技術(shù)挑戰(zhàn)與解決方案 圓柱電池在模組化過(guò)程中需通過(guò)串并聯(lián)結(jié)構(gòu)實(shí)現(xiàn)電壓與容量的靈活配置，這一過(guò)程對(duì)焊接工藝提出嚴(yán)苛要求：串聯(lián)焊接需確保電
2025-12-22 11:58:5673 PC5502是一款先進(jìn)、高性能、低成本的負(fù)載均流控制芯片，可以實(shí)現(xiàn)多個(gè)獨(dú)立電源或DC-DC電源模塊的并聯(lián)。該芯片適用于服務(wù)器、工作站、通訊和其他分布式電源系統(tǒng)中，也適用于N+1冗余系統(tǒng)或并聯(lián)電源
2025-12-19 15:48:34
22 IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)作為現(xiàn)代電力電子系統(tǒng)的核心器件，其隔離與控制技術(shù)直接關(guān)系到系統(tǒng)的安全性和可靠性。隔離設(shè)計(jì)通過(guò)光耦或變壓器實(shí)現(xiàn)高低壓電路間的電氣隔離，避免信號(hào)干擾和高壓擊穿風(fēng)險(xiǎn)。而控制
2025-12-10 14:53:49238 
在并聯(lián)使用MOS存在一些問(wèn)題，那我們要怎樣做才能避免這些問(wèn)題？
首先，器件的一致性一定要好。
在功率MOSFET多管并聯(lián)時(shí)，器件內(nèi)部參數(shù)的微小差異就會(huì)引起并聯(lián)各支路電流的不平衡而導(dǎo)致單管過(guò)流損壞。
其次是功率。如果功率高于25%，MOS發(fā)熱嚴(yán)重，性能會(huì)急劇下降，因此在設(shè)計(jì)時(shí)需要對(duì)MOS進(jìn)行降額使用。
2025-12-10 08:19:21
艾德克斯IT6500C系列直流電源，不僅支持主從并聯(lián)，主動(dòng)均流，擴(kuò)展輸出能力，還具備雙象限電流輸出，跨象限無(wú)縫切換、CC/CV優(yōu)先權(quán)等多種功能，可應(yīng)用于非常嚴(yán)苛的浪涌電流測(cè)試。
2025-12-08 16:21:511624 
文章總結(jié)：超法拉電容均壓板漏電問(wèn)題需通過(guò)檢測(cè)、優(yōu)化和維護(hù)解決，涵蓋診斷流程、場(chǎng)景化方案及預(yù)防措施。
2025-11-27 09:19:00430 
在現(xiàn)代電力電子與新能源汽車(chē)工業(yè)飛速發(fā)展的今天，絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）功率模塊作為電能轉(zhuǎn)換與控制的“心臟”，其可靠性直接決定了整個(gè)系統(tǒng)的性能與壽命。IGBT模塊內(nèi)部通過(guò)焊接、鍵合等工藝將多個(gè)
2025-11-21 14:13:06858 
電子工程師通過(guò)并聯(lián)電容提升能量容量，但需保持電壓耐壓不變，串聯(lián)電容以提升耐壓，同時(shí)并聯(lián)增加電流容量。
2025-11-15 09:14:003103 
傾佳電子基于并聯(lián)1400V SiC MOSFET的高功率交錯(cuò)并聯(lián)三相四線制工商業(yè)儲(chǔ)能變流器PCS設(shè)計(jì)與分析 傾佳電子（Changer Tech）是一家專注于功率半導(dǎo)體和新能源汽車(chē)連接器的分銷(xiāo)商。主要
2025-11-03 09:52:32289 
STGSH80HB65DAG IGBT針對(duì)軟換向進(jìn)行了優(yōu)化，可最大限度地降低導(dǎo)通和開(kāi)關(guān)損耗。 每個(gè)開(kāi)關(guān)均包含一個(gè)低壓差續(xù)流二極管，因此非常適合用于高效諧振和軟開(kāi)關(guān)應(yīng)用。
2025-10-25 16:30:442788 
STMicroelectronics STGD4H60DF 600V 4A高速H系列IGBT設(shè)計(jì)采用先進(jìn)的溝槽式柵極場(chǎng)終止型結(jié)構(gòu)。STMicroelectronics STGD4H60DF IGBT
2025-10-23 09:58:461592 
總線電壓下具有出色的短路能力，因此非常適用于此類應(yīng)用。此外，~VCE(sat)~ 溫度系數(shù)微正，參數(shù)分布非常緊密，有助于實(shí)現(xiàn)更安全的并聯(lián)操作。GWA40MS120DF4AG汽車(chē)級(jí)IGBT具有1200V
2025-10-20 14:54:592027 
STMicroelectronics STGHU30M65DF2AG汽車(chē)級(jí)IGBT采用先進(jìn)的溝槽式柵極場(chǎng)終止型結(jié)構(gòu)進(jìn)行開(kāi)發(fā)。STMicroelectronics STGHU30M65DF2AG在
2025-10-17 17:42:132112 
STGSH50M120D安裝在非常緊湊、堅(jiān)固耐用、易于表面貼裝的封裝中。 該器件針對(duì)硬開(kāi)關(guān)換向的傳導(dǎo)和開(kāi)關(guān)損耗進(jìn)行了優(yōu)化，其中短路耐受性是其基本特性。每個(gè)開(kāi)關(guān)均包含一個(gè)正向壓降低的續(xù)流二極管。因此，該產(chǎn)品專為最大限度地提高工業(yè)驅(qū)動(dòng)器的效率和功率密度而設(shè)計(jì)。
2025-10-16 17:15:071679 
48V供電場(chǎng)景，單芯片兼容多電壓需求，減少外圍電路設(shè)計(jì)復(fù)雜度。
軍工級(jí)恒流精度
±3%的電流偏差率優(yōu)于行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)50%，配合<±0.5%的負(fù)載調(diào)整率，確保100顆LED串并聯(lián)時(shí)亮度差異≤5
2025-10-15 18:15:35
變頻器驅(qū)動(dòng)IGBT的時(shí) 檢測(cè)gnd與機(jī)殼的波形會(huì)疊加一個(gè)igbt驅(qū)動(dòng)頻率在上面，請(qǐng)問(wèn)各位大神 這個(gè)是什么原因引起的
2025-09-11 14:54:07
在實(shí)際應(yīng)用中，為了應(yīng)對(duì)各種不同的使用需求，保證測(cè)試的靈活性、節(jié)省成本等種種原因，我們需要對(duì)多臺(tái)直流電源進(jìn)行并聯(lián)達(dá)到擴(kuò)容，以提升輸出電流能力，提高輸出功率。通過(guò)單機(jī)并聯(lián)的組合方式，我們可以獲得更靈活的選型應(yīng)對(duì)方案。
2025-09-05 11:23:362924 
LED 單個(gè)字符串。通過(guò)提供恒流的獨(dú)立控制輸出，LED 可以 并聯(lián)組合以在單個(gè)串上產(chǎn)生更高的電流。恒定灌電流 所有通道都通過(guò)單個(gè)外部電阻進(jìn)行設(shè)置。這允許不同的 LED 驅(qū)動(dòng)器在 同一應(yīng)用程序吸收各種電流，提供多色的可選實(shí)現(xiàn) LED。
2025-09-02 11:13:442516 
需求，是理想之選。它可同時(shí)為系統(tǒng)中的 MCU 與 IGBT 驅(qū)動(dòng)電路提供穩(wěn)定且電氣隔離的電源，即便處于寬輸入電壓范圍波動(dòng)、復(fù)雜負(fù)載工況等條件下，依然能夠確保系統(tǒng)持續(xù)保持優(yōu)異的運(yùn)行性能。
核心特性一覽
寬
2025-09-02 09:04:58
，對(duì)散熱效果有顯著影響，進(jìn)而可能關(guān)聯(lián)到 IGBT 的短路失效機(jī)理。 IGBT 工作時(shí)，電流通過(guò)芯片產(chǎn)生焦耳熱，若熱量不能及時(shí)散發(fā)，將導(dǎo)致芯片溫度升高。良好的散熱可使 IGBT 保持在適宜工作溫度，確保性能穩(wěn)定。IGBT 封裝底部與散熱器貼合面平整度差時(shí)，
2025-08-26 11:14:101195 
參數(shù)會(huì)有所差異，電源模塊并聯(lián)造成了各個(gè)模塊電應(yīng)力和熱應(yīng)力不同，大大降低了整個(gè)電源系統(tǒng)的可靠性運(yùn)行。為了保證各個(gè)模塊所受到的電應(yīng)力和熱應(yīng)力基本相同，需要對(duì)并聯(lián)模塊采用并聯(lián)均流技術(shù)。
2025-08-26 09:28:1515965 
如何確保穩(wěn)定的 WDT 重置
2025-08-26 06:34:45
一、引言 IGBT（絕緣柵雙極型晶體管）作為電力電子領(lǐng)域的核心器件，廣泛應(yīng)用于新能源汽車(chē)、智能電網(wǎng)等關(guān)鍵領(lǐng)域。短路失效是 IGBT 最嚴(yán)重的失效模式之一，會(huì)導(dǎo)致系統(tǒng)癱瘓甚至安全事故。研究發(fā)現(xiàn)
2025-08-25 11:13:121348 ，兼顧散熱與空間效率。
典型應(yīng)用
高頻開(kāi)關(guān)電源（SMPS）及DC-DC轉(zhuǎn)換器
電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路、光伏逆變系統(tǒng)
新興寬禁帶器件（如GaN功率管）驅(qū)動(dòng)
多相并聯(lián)大電流驅(qū)動(dòng)場(chǎng)景
SLM27526EN-DG通過(guò)低延時(shí)
2025-08-20 08:31:00
SiC MOSFET在并聯(lián)應(yīng)用中的安全性和穩(wěn)定性提出了挑戰(zhàn)當(dāng)SiC MOSFET應(yīng)用在橋式電路時(shí)高速開(kāi)關(guān)動(dòng)作引發(fā)的串?dāng)_問(wèn)題嚴(yán)重影響了系統(tǒng)的可靠性.為了使SiC MOSFET在電路系統(tǒng)中穩(wěn)定運(yùn)行本文主要針對(duì)并聯(lián)均流和串?dāng)_抑制問(wèn)題展開(kāi)研究.第一部分首先對(duì)SiC MOSFET電氣特性
2025-08-18 15:36:271 通過(guò)利用Thermal EMMI(熱紅外顯微鏡）去檢測(cè)IGBT 樣品異常
2025-08-15 09:17:351665 
的核心驅(qū)動(dòng)模塊。這款來(lái)自日立(現(xiàn)屬美蓓亞三美)的IGBT模塊，通過(guò)高度集成化設(shè)計(jì)，把IGBT、FWDs(續(xù)流二極管)、驅(qū)動(dòng)電路、保護(hù)電路等全部集合在單一芯片內(nèi)，實(shí)現(xiàn)了
2025-08-14 09:55:53449 
監(jiān)測(cè)IGBT狀態(tài)，一旦檢測(cè)到過(guò)流（退飽和），立即觸發(fā)保護(hù)：
通過(guò)隔離屏障將FAULT信號(hào)拉低報(bào)警。
屏蔽輸入信號(hào)，防止進(jìn)一步誤導(dǎo)通。
啟動(dòng)軟關(guān)斷(Soft Turn-Off)，降低關(guān)斷過(guò)電壓應(yīng)力
2025-08-12 08:33:41
就可以構(gòu)成完整的 LED 恒流驅(qū)動(dòng)電路，通過(guò)調(diào)節(jié)該電阻可調(diào)節(jié)輸出電流。
封裝與散熱：采用 ESOP8 封裝，SW 引腳與底部散熱片直連，可降低熱阻，支持長(zhǎng)時(shí)間滿負(fù)荷運(yùn)行，配合鋁基板能進(jìn)一步增強(qiáng)散熱，確保
2025-08-06 09:33:12
通過(guò)USBDevice->BulkOutEndPt->FinishDataXfer，可以根據(jù)其是函數(shù)返回值來(lái)判斷數(shù)據(jù)是否正常發(fā)送，如果使用USBDevice-&
2025-08-01 06:02:45
產(chǎn)品描述:(替代UCC29002)PC5502是一款先進(jìn)、高性能、低成本的負(fù)載均流控制芯片，可以實(shí)現(xiàn)多個(gè)獨(dú)立電源或DC-DC電源模塊的并聯(lián)。該芯片適用于服務(wù)器、工作站、通訊和其他分布式電源系統(tǒng)中，也
2025-07-31 10:20:44
，工程師往往采用器件串聯(lián)或并聯(lián)的方式。然而，若忽視器件之間的特性差異及配套設(shè)計(jì)，容易引發(fā)均壓均流問(wèn)題，最終造成電路效率降低甚至器件失效。一、串聯(lián)應(yīng)用中的均壓挑戰(zhàn)當(dāng)需要承
2025-07-31 09:29:42731 
不同的變頻器對(duì)于IGBT單管使用的關(guān)注點(diǎn)會(huì)有所區(qū)別，常見(jiàn)使用的關(guān)注點(diǎn)會(huì)有開(kāi)關(guān)特性、低導(dǎo)通損耗 (VCE(sat))、良好的熱性能 、反向并聯(lián)二極管性能等。因此，在選擇可以代換JT075N065WED型號(hào)IGBT單管用于變頻器時(shí)，工程師必須重點(diǎn)評(píng)估上述關(guān)鍵需求點(diǎn)。
2025-07-30 15:35:162902 
常采用串聯(lián)或并聯(lián)方式進(jìn)行擴(kuò)展。然而，串并聯(lián)設(shè)計(jì)并非簡(jiǎn)單的堆疊組合，實(shí)際應(yīng)用中需面臨諸如均壓、均流、熱分布等挑戰(zhàn)。本文將結(jié)合工程案例，探討快恢復(fù)二極管串并聯(lián)的設(shè)計(jì)要
2025-07-24 09:46:28560 
實(shí)現(xiàn)更高的耐壓或電流能力。然而，F(xiàn)RD在串并聯(lián)應(yīng)用中會(huì)面臨均壓、均流以及熱穩(wěn)定性的挑戰(zhàn)。一、串聯(lián)應(yīng)用：提高耐壓能力問(wèn)題背景單顆快恢復(fù)二極管的反向耐壓（VRRM）通常
2025-07-23 09:56:29776 2025 年7月16日，中國(guó)——意法半導(dǎo)體發(fā)布STGWA30IH160DF2 IGBT，該器件兼具1600 V的額定擊穿電壓、優(yōu)異的熱性能和軟開(kāi)關(guān)拓?fù)涓咝н\(yùn)行等優(yōu)勢(shì)，特別適用于需要并聯(lián)使用的大功率
2025-07-17 10:43:176617 本書(shū)結(jié)合國(guó)內(nèi)外IGBT的發(fā)展和最新應(yīng)用技術(shù)，以從事IGBT應(yīng)用電路設(shè)計(jì)人員為本書(shū)的讀者對(duì)象，系統(tǒng)、全面地講解了IGBT應(yīng)用電路設(shè)計(jì)必備的基礎(chǔ)知識(shí)，并選取和總結(jié)了IGBT的典型應(yīng)用電路設(shè)計(jì)實(shí)例，以供
2025-07-14 17:32:41
，請(qǐng)問(wèn)是什么原因？（板子上一共3顆LTM4644，兩外兩顆一顆將1，2，3并聯(lián)使用，另一顆將1，2并聯(lián)使用，均正常，只有這顆，將3，4路并聯(lián)使用發(fā)現(xiàn)工作異常）
2025-07-14 06:22:07
輸出特性1. 電流模式選擇
恒流（CC）模式：
適用場(chǎng)景：電池充電、LED恒流驅(qū)動(dòng)、材料測(cè)試（如電阻率測(cè)量）。
設(shè)置方法：
通過(guò)電源面板或SCPI命令（如CURR 2.0）設(shè)定目標(biāo)電流（如2A
2025-07-08 14:48:35
電解電容因高容量、低成本特性，廣泛應(yīng)用于電源濾波、儲(chǔ)能等場(chǎng)景。通過(guò)并聯(lián)方式組合多個(gè)電解電容，可進(jìn)一步優(yōu)化電路性能，但需規(guī)避潛在風(fēng)險(xiǎn)。電解電容并聯(lián)使用有什么好處和注意事項(xiàng)，今天我們一起來(lái)看看： 一
2025-07-04 14:25:491946 
的整體可靠性。然而，MOSFET并聯(lián)設(shè)計(jì)并非簡(jiǎn)單的“多加幾個(gè)”過(guò)程，必須考慮到均流、寄生參數(shù)與熱平衡等諸多因素。本文將探討如何在實(shí)際設(shè)計(jì)中有效應(yīng)對(duì)這些挑戰(zhàn)，優(yōu)化并
2025-07-04 10:03:51670 
峰均比，或稱峰值因數(shù)(crestfactor)，簡(jiǎn)稱PAR（peak-to-averageratio），或叫峰均功率比(簡(jiǎn)稱PARR,peak-to-averagepowerratio)。先說(shuō)
2025-07-02 17:32:152549 
傾佳電子楊茜致力于推動(dòng)國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅模塊在電力電子應(yīng)用中全面取代進(jìn)口IGBT模塊，助力電力電子行業(yè)自主可控和產(chǎn)業(yè)升級(jí)！ 以下基于BMF240R12E2G3 SiC模塊的雙并聯(lián)設(shè)計(jì)，結(jié)合均流電感技術(shù)
2025-07-01 17:55:48689 
會(huì)考慮將快恢復(fù)整流器進(jìn)行并聯(lián)或串聯(lián)設(shè)計(jì)。但看似簡(jiǎn)單的“疊加”，實(shí)際涉及一系列電氣與熱學(xué)挑戰(zhàn)，尤其是均流與均壓控制問(wèn)題。本文將深入剖析快恢復(fù)整流器在并聯(lián)與串聯(lián)應(yīng)用中
2025-06-25 10:31:08516 
隔離
總結(jié)
SLMi8233DDCG-DG通過(guò)硬件級(jí)死區(qū)編程與 4A/40V驅(qū)動(dòng)能力 ，解決了半橋拓?fù)渲虚_(kāi)關(guān)管直通與驅(qū)動(dòng)強(qiáng)度不足的核心痛點(diǎn)。其18ns級(jí)通道匹配精度顯著提升多相并聯(lián)系統(tǒng)均流性，而
2025-06-21 09:44:16
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2025-06-17 16:17:10
測(cè)量回路雜散電感常用方法有雙脈沖法、短路法及諧振法。雙脈沖法通過(guò)測(cè)量獲取IGBT關(guān)斷時(shí)的尖峰電壓Vpeak和電流變化率，利用公式來(lái)計(jì)算雜散電感Lstray；短路法通過(guò)測(cè)量IGBT短路開(kāi)通時(shí)的下降電壓
2025-06-17 09:53:402027 
電壓產(chǎn)生和抑制的機(jī)理，建立了低寄生電感母排基本模型以進(jìn)行仿真，闡述了換流回路雜散電感的組成和計(jì)算方法，以實(shí)驗(yàn)測(cè)試數(shù)據(jù)為基礎(chǔ)研究IGBT開(kāi)關(guān)性能;通過(guò)比較仿真、計(jì)算、實(shí)驗(yàn)結(jié)果，提出了優(yōu)化低感母排EMC設(shè)計(jì)的原則。
2025-06-17 09:45:101781 
IGBT的柵極電壓可通過(guò)不同的驅(qū)動(dòng)電路來(lái)產(chǎn)生。這些驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)的優(yōu)劣對(duì)IGBT構(gòu)成的系統(tǒng)長(zhǎng)期運(yùn)行可靠性產(chǎn)生直接影響。為了確保IGBT的完全飽和以及較小化通態(tài)損耗，同時(shí)還要限制短路電流和功率應(yīng)力，正向柵極電壓必須控制在適當(dāng)范圍內(nèi)。
2025-06-12 09:55:42863 
Si-IGBT+SiC-MOSFET并聯(lián)混合驅(qū)動(dòng)逆變器設(shè)計(jì)的關(guān)鍵要素
2025-06-06 08:25:172984 
在電力電子領(lǐng)域，當(dāng)多個(gè)SiC MOSFET模塊并聯(lián)時(shí)，受器件參數(shù)、寄生參數(shù)等因素影響，會(huì)出現(xiàn)動(dòng)態(tài)電流不均的問(wèn)題，制約系統(tǒng)性能。本章節(jié)帶你探究SiC MOSFET模塊并聯(lián)應(yīng)用中的動(dòng)態(tài)均流問(wèn)題。
2025-05-30 14:33:432259 
通過(guò)并聯(lián)SiC MOSFET功率器件，可以獲得更高輸出電流，滿足更大功率系統(tǒng)的要求。本章節(jié)主要介紹了SiC MOSFET并聯(lián)運(yùn)行實(shí)現(xiàn)靜態(tài)均流的基本要求和注意事項(xiàng)。
2025-05-23 10:52:481552 
一、核心定義與結(jié)構(gòu)特性 大功率IGBT模塊是以絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）為核心，集成續(xù)流二極管（FWD）的復(fù)合功率器件，通過(guò)多層封裝技術(shù)實(shí)現(xiàn)高電壓、大電流承載能力35。其典型結(jié)構(gòu)包含： ? 芯片
2025-05-22 13:49:381273 
為了協(xié)調(diào)IGBT通態(tài)特性與關(guān)斷特性及短路特性之間的矛盾，提高器件的綜合性能和可靠性，在IGBT中引入了一種電子注入增強(qiáng)效應(yīng)（Injection Enhancement Effect，IE），既可
2025-05-21 14:15:171366 
IGBT吸收電路的模型。在分析中均假定：所有二極管的通態(tài)電壓降為零，開(kāi)關(guān)器件T的拖尾電流為零，開(kāi)關(guān)器件T的通態(tài)電壓降為零。
2025-05-21 09:45:301052 
IGBT作為功率半導(dǎo)體器件，對(duì)靜電極為敏感。我將從其靜電敏感性原理入手，詳細(xì)闡述使用過(guò)程中防靜電的具體注意事項(xiàng)與防護(hù)措施，確保其安全穩(wěn)定運(yùn)行。
2025-05-15 14:55:081426 包括器件固有可靠性和使用可靠性。固有可靠性問(wèn)題包括安全工作區(qū)、閂鎖效應(yīng)、雪崩耐量、短路能力及功耗等，使用可靠性問(wèn)題包括并聯(lián)均流、軟關(guān)斷、電磁干擾及散熱等。
2025-04-25 09:38:272583 
續(xù)流二極管都是并聯(lián)在線圈的兩端，線圈在通過(guò)電流時(shí)，會(huì)在其兩端產(chǎn)生感應(yīng)電動(dòng)勢(shì)。當(dāng)電流消失時(shí)，其感應(yīng)電動(dòng)勢(shì)會(huì)對(duì)電路中的原件產(chǎn)生反向電壓。當(dāng)反向電壓高于原件的反向擊穿電壓時(shí)，會(huì)把原件如三極管，等造成損壞
2025-04-24 11:36:4020512 
在電源設(shè)計(jì)、DC-DC轉(zhuǎn)換、逆變器等高功率應(yīng)用中，單顆肖特基二極管（SchottkyDiode）往往無(wú)法滿足電流或電壓的需求，此時(shí)就需要通過(guò)并聯(lián)或串聯(lián)的方式來(lái)提升器件的承載能力。但由于肖特基二極管
2025-04-18 09:36:05960 
常見(jiàn)的線性穩(wěn)壓器LT系列和LM系列，為什么LT系列支持并聯(lián)輸出而LM系列不支持并聯(lián)輸出，從內(nèi)部電路原理分析主三極管、參考電壓電路、負(fù)載之間的關(guān)系？
并且針對(duì)輸出并聯(lián)如何做到輸出均流？
2025-04-17 07:20:22
大佬們，我現(xiàn)在需要同時(shí)對(duì)六個(gè)電容并聯(lián)充電，充電完成之后通過(guò)電路結(jié)構(gòu)轉(zhuǎn)換成串聯(lián)，當(dāng)然充電事件是通過(guò)單片機(jī)控制的，但是現(xiàn)在我不知道怎么設(shè)計(jì)電路結(jié)構(gòu)能從并聯(lián)轉(zhuǎn)換為串聯(lián)。
2025-04-14 19:47:46
如下是一款具有IGBT保護(hù)的驅(qū)動(dòng)芯片，其如何檢測(cè)并判斷IGBT故障，并且在什么情況下觸發(fā)該故障？
尤其是在一類短路和二類短路時(shí)是否應(yīng)該觸發(fā)，具體如何檢測(cè)？
2025-04-05 20:16:16
使用手冊(cè)推薦的OPA541并聯(lián)電路時(shí)，當(dāng)VIN給負(fù)電平時(shí)，主從均流，當(dāng)VIN給正點(diǎn)是主運(yùn)放輸出全部電流，從運(yùn)放未輸出電流
2025-04-02 17:05:28
汽車(chē)，工業(yè)，商業(yè)照明應(yīng)用。PC561A 的防靜電保護(hù)設(shè)可以確保整個(gè)照明系統(tǒng)在設(shè)計(jì)、安裝及應(yīng)用中的安全。 產(chǎn)品特性:? 線型恒流LED驅(qū)動(dòng)? 寬輸入電壓范圍： 1.3V ～ 60 V? 抗60V反接
2025-04-02 10:08:23
我正在嘗試通過(guò)并聯(lián) RGB 接口連接 TFT 屏幕，看起來(lái)很簡(jiǎn)單，對(duì)吧？
?
24 位 RGB 的 LPC4088 僅使用 3 個(gè) 4 字節(jié)的 DMA RAM（浪費(fèi) 1 個(gè)字節(jié)）
我找不到
2025-04-02 06:15:34
(零電壓轉(zhuǎn)換) 拓?fù)渲械拈_(kāi)關(guān)損耗，并對(duì)電路和器件特性相關(guān)的三個(gè)主要功率開(kāi)關(guān)損耗—導(dǎo)通損耗、傳導(dǎo)損耗和關(guān)斷損耗進(jìn)行描述。此外，還通過(guò)舉例說(shuō)明二極管的恢復(fù)特性是決定MOSFET 或 IGBT導(dǎo)通開(kāi)關(guān)損耗
2025-03-25 13:43:17
電力電子電路設(shè)計(jì)，有時(shí)單個(gè)整流二極管的電流承載能力或耐壓能力無(wú)法滿足應(yīng)用需求，此時(shí)可以通過(guò)并聯(lián)或串聯(lián)方式來(lái)增強(qiáng)電流或耐壓能力。然而，并聯(lián)時(shí)需要解決均流問(wèn)題，串聯(lián)時(shí)要保證均壓，否則會(huì)導(dǎo)致器件提前失效
2025-03-17 11:45:362478 
，廣泛應(yīng)用于電動(dòng)汽車(chē)、工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)、新能源發(fā)電（如光伏逆變器、風(fēng)電變流器）以及家電等領(lǐng)域。IGBT的性能直接影響到系統(tǒng)的效率、可靠性和安全性。為了確保IGBT在實(shí)際
2025-03-14 17:21:44792 
在電力電子的廣闊領(lǐng)域中，絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）作為核心器件，其性能優(yōu)劣直接關(guān)乎整個(gè)系統(tǒng)的運(yùn)行效率與穩(wěn)定性。而功耗問(wèn)題，始終是IGBT應(yīng)用中不可忽視的關(guān)鍵環(huán)節(jié)。今天，就讓我們一同深入探究IGBT功耗背后的奧秘。
2025-03-14 09:17:5232485 
IGBT模塊的反向恢復(fù)現(xiàn)象是指在IGBT關(guān)斷時(shí)，其內(nèi)部集成的續(xù)流二極管（FWD）從正向?qū)顟B(tài)轉(zhuǎn)變?yōu)榉聪蚪刂範(fàn)顟B(tài)過(guò)程中出現(xiàn)的一些特定物理現(xiàn)象和電氣特性變化。
2025-03-13 14:39:283761 
2025年3月初，芯旺微電子成功通過(guò)全球頂級(jí)Tier1企業(yè)的供應(yīng)商導(dǎo)入審核，標(biāo)志著公司在車(chē)規(guī)芯片領(lǐng)域正式邁入國(guó)際一流供應(yīng)鏈體系。
2025-03-10 10:06:511040 堵煤開(kāi)關(guān)的實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)煤流功能在工業(yè)生產(chǎn)中發(fā)揮著至關(guān)重要的作用。通過(guò)實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)煤流狀況，堵煤開(kāi)關(guān)為生產(chǎn)提供了必要的數(shù)據(jù)支持，并對(duì)煤流進(jìn)行調(diào)節(jié)和控制，從而確保了生產(chǎn)過(guò)程的順暢和高效。
2025-03-07 09:21:12727 串聯(lián)諧振與并聯(lián)諧振在電路理論中是兩種重要的諧振現(xiàn)象，它們之間存在顯著的區(qū)別。以下是串聯(lián)諧振與并聯(lián)諧振的主要差異： 一、基本原理 ? 串聯(lián)諧振 ?：發(fā)生在由電感(L)、電容(C)和電阻(R)串聯(lián)
2025-03-06 15:23:024636 、斜坡波形壓力及自定義輸出壓力等多樣化壓力輸出，通過(guò)與精密的微流量傳感器搭配使用，利用閉環(huán)的PID控制實(shí)現(xiàn)多樣化波形的流量流動(dòng)控制，確保流體控制的精確性和穩(wěn)定性。 流控連續(xù)灌流系統(tǒng)：雖然搜索結(jié)果未提及相關(guān)原理，但
2025-03-04 16:00:00645 氮化鎵晶體管的并聯(lián)設(shè)計(jì)總結(jié) 先上鏈接，感興趣的朋友可以直接下載： *附件：氮化鎵晶體管的并聯(lián)設(shè)計(jì).pdf 一、引言 ? 應(yīng)用場(chǎng)景 ?：并聯(lián)開(kāi)關(guān)管廣泛應(yīng)用于大功率場(chǎng)合，如牽引逆變器、可回收能源系統(tǒng)等
2025-02-27 18:26:311103 ，用于研究突發(fā)脈沖磁場(chǎng)對(duì)IGBT模塊的干擾效應(yīng)。首先，通過(guò)等效電路模型表示IGBT模塊，隨后針對(duì)其易受干擾的區(qū)域進(jìn)行磁場(chǎng)仿真。仿真不同時(shí)間步長(zhǎng)的磁場(chǎng)分布、渦流分布、磁通密度以及IGBT模塊中的溫升。此外
2025-02-25 09:54:451677 
多相電源因其高效率、高功率密度、優(yōu)秀的熱管理和快速動(dòng)態(tài)響應(yīng)等優(yōu)勢(shì)，在多個(gè)行業(yè)中有著廣泛的應(yīng)用，比如：高性能計(jì)算（HPC）、通信基站、智能駕駛、ASIC 或處理器的內(nèi)核電源以及服務(wù)器的存儲(chǔ)器應(yīng)用等。
2025-02-24 10:34:221868 
IGBT的溫度及安全運(yùn)行 IGBT的溫度可由下圖描述： 溫差 (平均值)和熱阻關(guān)系如下式： Rthjc = ΔTjc ÷ 損耗 Rthch = ΔTch ÷ 損耗 Rthha = ΔTha ÷ 損耗
2025-02-14 11:30:5933073 
。因此，如何保證并聯(lián)MOS管的電流均流，是設(shè)計(jì)中的一個(gè)關(guān)鍵問(wèn)題。今天我們將從選型、布局和電路設(shè)計(jì)三個(gè)方面，探討實(shí)現(xiàn)電流均流的方法： 1. MOS管選型與匹配 1.1 選擇參數(shù)一致的MOS管 導(dǎo)通電阻（Rds(on)） ：MOS管的導(dǎo)通電阻直接影響電流分配。選擇
2025-02-13 14:06:354243 
導(dǎo)語(yǔ)：在過(guò)去的一個(gè)多月，我們從最基礎(chǔ)的器件入手，深入了解再探討SiC MOSFET與Si IGBT的單個(gè)特性和并聯(lián)后的表現(xiàn)，并借助一些案例說(shuō)明了如何利用這些器件本身的特性來(lái)優(yōu)化系統(tǒng)性能？以上是第一步
2025-02-08 09:10:371200 
碳化硅（SiC）MOSFET并聯(lián)應(yīng)用均流控制技術(shù)的綜述，傾佳電子楊茜綜合了當(dāng)前研究進(jìn)展與關(guān)鍵技術(shù)方向。
2025-02-05 14:36:011509 
絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）作為現(xiàn)代電力電子系統(tǒng)中的核心元件，廣泛應(yīng)用于電機(jī)驅(qū)動(dòng)、新能源發(fā)電、變頻器和電動(dòng)汽車(chē)等領(lǐng)域。IGBT在工作過(guò)程中會(huì)產(chǎn)生大量的熱量，如果不能有效地散熱，將會(huì)導(dǎo)致器件溫度升高
2025-02-03 14:27:001299 。它不僅具有MOSFET的輸入阻抗高、驅(qū)動(dòng)功率小、開(kāi)關(guān)速度快等優(yōu)點(diǎn)，還兼具BJT的導(dǎo)通壓降低、載流能力大等特點(diǎn)。然而，IGBT在工作過(guò)程中會(huì)產(chǎn)生大量的熱量，如果不能有效地散熱，會(huì)導(dǎo)致溫度升高，從而
2025-02-03 14:26:001163 及Rgoff的數(shù)值是否合適。通常我們對(duì)某款IGBT的認(rèn)識(shí)主要是通過(guò)閱讀相應(yīng)的datasheet，但實(shí)際上，數(shù)據(jù)手冊(cè)中所描述的參數(shù)是基于一些已經(jīng)給定的外部參數(shù)測(cè)試得來(lái)的，而實(shí)際應(yīng)用中的外部參數(shù)都是個(gè)性化的，往往會(huì)有所不同，因此這些參數(shù)有些是不能直接拿來(lái)使用的。我們需要了解IGBT在
2025-01-28 15:44:008854 
IGBT雙脈沖實(shí)驗(yàn) 1.1 IGBT雙脈沖實(shí)驗(yàn)?zāi)康?1、通過(guò)實(shí)驗(yàn)獲取IGBT驅(qū)動(dòng)板及IGBT模塊的主要?jiǎng)討B(tài)參數(shù)，如延時(shí)、上升、下降時(shí)間、開(kāi)關(guān)損耗等； 2、通過(guò)實(shí)驗(yàn)獲得功率組件設(shè)計(jì)中濾波電容、吸收電容
2025-01-27 18:10:002622 
大電流 Si IGBT 和小電流 SiC MOSFET 兩者并聯(lián)形成的混合器件實(shí)現(xiàn)了功率器件性能和成本的折衷。 但是SIC MOS和Si IGBT的器件特性很大不同。為了盡可能在不同工況下分別利用
2025-01-21 11:03:572635 
大功率系統(tǒng)需要并聯(lián) IGBT來(lái)處理高達(dá)數(shù)十千瓦甚至數(shù)百千瓦的負(fù)載，并聯(lián)器件可以是分立封裝器件，也可以是組裝在模塊中的裸芯片。這樣做可以獲得更高的額定電流、改善散熱，有時(shí)也是為了系統(tǒng)冗余。部件之間的工藝變化以及布局變化，會(huì)影響并聯(lián)器件的靜態(tài)和動(dòng)態(tài)電流分配。
2025-01-21 09:48:152264 
在1字形二極管鉗位三電平電路中，當(dāng)發(fā)生短路故障或過(guò)流故障時(shí)，傳統(tǒng)的關(guān)斷IGBT的做法是，檢測(cè)到故障的驅(qū)動(dòng)器把故障信息傳遞給控制器，然后控制器先把外管關(guān)斷，再關(guān)斷內(nèi)管。
2025-01-17 11:06:303937 
大功率系統(tǒng)需要并聯(lián) IGBT來(lái)處理高達(dá)數(shù)十千瓦甚至數(shù)百千瓦的負(fù)載，并聯(lián)器件可以是分立封裝器件，也可以是組裝在模塊中的裸芯片。這樣做可以獲得更高的額定電流、改善散熱，有時(shí)也是為了系統(tǒng)冗余。部件之間
2025-01-16 10:44:182078 
上回書(shū)(英飛凌芯片簡(jiǎn)史)說(shuō)到，IGBT自面世以來(lái)，歷經(jīng)數(shù)代技術(shù)更迭，標(biāo)志性的技術(shù)包括平面柵+NPT結(jié)構(gòu)的IGBT2，溝槽柵+場(chǎng)截止結(jié)構(gòu)的IGBT3和IGBT4，表面覆銅及銅綁定線的IGBT5等?，F(xiàn)今
2025-01-15 18:05:212265 
IGBT高速雙包：IGBT 溝槽和場(chǎng)效應(yīng)管技術(shù)采用軟、快速恢復(fù)的反并聯(lián)二極管IKW50N60H3600V 第三代高速開(kāi)關(guān)系列 特點(diǎn)TRENCHSTOPTM 技術(shù)提供-極低振動(dòng)
2025-01-11 15:07:17
一、什么是UPS并機(jī)均流性能UPS（不間斷電源）并機(jī)均流性能指的是在多臺(tái)UPS并聯(lián)運(yùn)行時(shí)，各臺(tái)UPS能夠均勻分擔(dān)負(fù)載電流的能力。在實(shí)際應(yīng)用中，為了確保電力系統(tǒng)的穩(wěn)定性和可靠性，往往需要采用多臺(tái)UPS
2025-01-10 17:23:382163 器件是否符合標(biāo)準(zhǔn)。
一、來(lái)料檢查的目的
SMT來(lái)料檢查的重要性在于確保所有進(jìn)入生產(chǎn)線的材料：包括 元器件、PCB板以及各種貼片加工材料（如焊膏、貼片膠等），均符合質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn) 。這是因?yàn)檫@些組件和材料
2025-01-07 16:16:16
焊接實(shí)時(shí)檢測(cè)儀應(yīng)運(yùn)而生，成為確保焊接質(zhì)量和安全的關(guān)鍵設(shè)備。本文將詳細(xì)介紹恒流焊接實(shí)時(shí)檢測(cè)儀的工作原理、技術(shù)特點(diǎn)及其在實(shí)際應(yīng)用中的重要性。
### 工作原理
恒流焊
2025-01-07 11:43:201088
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工商網(wǎng)監(jiān)
評(píng)論