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標簽 > igbt
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管)組成的復合全控型電壓驅(qū)動式功率半導體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優(yōu)點。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動電流較大;MOSFET驅(qū)動功率很小,開關(guān)速度快,但導通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點,驅(qū)動功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動等領(lǐng)域。
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igbt的柵極驅(qū)動條件 igbt的柵極驅(qū)動條件對其特性有什么影響?
igbt的柵極驅(qū)動條件 igbt的柵極驅(qū)動條件對其特性有什么影響? IGBT是晶體管的一種,它是一種高壓、高電流的開關(guān)器件,常用于高功率電子應(yīng)用中。IG...
陸芯:IGBT模塊 LGM200HF120S4F1A 1200V 200A 半橋 用于ups 儲能 焊機等
上海陸芯電子科技有限公司擁有最新一代TrenchField-Stop技術(shù)的400V200A~400A系列IGBT、650V5A~200A系列IGBT、1...
Diodes柵極驅(qū)動器可在半橋或全橋配置下 開關(guān)功率MOSFET與IGBT
Diodes公司 (Diodes Incorporated) 新推出的DGD21xx系列包括六款半橋柵極驅(qū)動器及六款高/低側(cè)600V柵極驅(qū)動器,可在半橋...
新品 | EconoDUAL? 3 IGBT 7 1700V 900A半橋模塊帶EC8二極管
新品EconoDUAL3IGBT71700V900A半橋模塊帶EC8二極管通過EconoDUAL3TRENCHSTOPIGBT71700V半橋模塊實現(xiàn)可...
CIAS2024金翎獎頒獎典禮:上海貝嶺兩款I(lǐng)GBT產(chǎn)品榮獲兩大獎項
CIAS2024功率半導體新能源創(chuàng)新發(fā)展大會于2024年4月23日在蘇州獅山國際會議中心舉行。
英飛凌IGBT模塊開關(guān)狀態(tài)下最高工作結(jié)溫一般是150度,而IGBT7短時過載情況下的最高工作結(jié)溫可達175度。
2023-02-06 標簽:IGBT開關(guān)狀態(tài)工作結(jié)溫 1.7k 0
薩科微slkor(www.slkoric.com)半導體總經(jīng)理宋仕強介紹,家電節(jié)能、電機節(jié)能與新能源等領(lǐng)域,成為推動我國IGBT 市場高成長的重要因素。...
2023-04-06 標簽:場效應(yīng)管IGBT國產(chǎn)芯片 1.7k 0
近年來,全球半導體分立器件行業(yè)市場規(guī)模呈現(xiàn)波動變化。根據(jù)數(shù)據(jù)顯示,2021年全球半導體分立器件行業(yè)市場規(guī)模為303.37億美元,同比增長27.4%,20...
全球功率半導體和管理方案領(lǐng)導廠商——國際整流器公司 (International Rectifier,簡稱IR) 宣布擴充節(jié)能的600V絕緣柵雙極晶體管...
2025年預測電動車國內(nèi)市場達到100-150億以上;2019-2020年新能源汽車銷量沒怎么漲,但是2020年10月開始又開始增長,一輛車功率半導體價...
英飛凌推出EiceDRIVER?SIL和EiceDRIVER?Boost,用于汽車級IGBT驅(qū)動
英飛凌科技股份有限公司 (FSE:IFX / OTC QX:IFNNY) 今天推出新一代應(yīng)用于新能源汽車的高壓IGBT門級驅(qū)動器。有了專為混合動力/電動...
2013-05-27 標簽:IGBTEiceDRIVER?Boost 1.7k 0
作為功率半導體器件的重要成員,絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)以其卓越的開關(guān)能力和放大特性,在眾多家用電器設(shè)備中發(fā)揮著至關(guān)重要的角色,有效提升能效和性能。...
電力電子新基石:氮化鋁陶瓷基板在IGBT模塊的應(yīng)用研究
氮化鋁陶瓷(AlN)因其優(yōu)越的熱、電性能,已成為電力電子器件如絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)模塊的理想基板材料。本文對其應(yīng)用于IGBT模塊的研究進行深入探討。
東芝推出面向電壓諧振電路1350V分立IGBT,有助于降低設(shè)備功耗
東芝電子元件及存儲裝置株式會社(“東芝”)今日宣布,推出“GT20N135SRA”,這是一款用于桌面電磁爐、電飯煲、微波爐等家用電器電壓諧振電路的135...
英飛凌推出面向18?40kHz開關(guān)用途的低損耗IGBT
英飛凌科技于2016年10月17日推出了支持18kHz?40kHz開關(guān)頻率的低損耗1200V耐壓IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)“RC-E系列”(英文發(fā)布...
變頻器中IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)爆炸是電力電子設(shè)備中較為嚴重的故障之一,其成因復雜且危害性大。以下從設(shè)計、應(yīng)用、環(huán)境及維護等多維度分析可能導致IG...
到2030年,汽車電源市場(包括功率MOSFET、IGBT和SiC半導體)的收入預計將達到266億美元,幾乎是今年收入的兩倍。未來五年,車用功率芯片市...
意法半導體雙通道柵極驅(qū)動器優(yōu)化并簡化SiC和IGBT開關(guān)電路
意法半導體新推出的兩款雙通道電隔離IGBT和碳化硅(SiC) MOSFET柵極驅(qū)動器在高壓電力變換和工業(yè)應(yīng)用中節(jié)省空間,簡化電路設(shè)計。
在高端應(yīng)用領(lǐng)域,碳化硅MOSFET已經(jīng)逐漸取代硅基IGBT。以碳化硅、氮化鎵領(lǐng)銜的寬禁帶半導體發(fā)展迅猛,被認為是有可能實現(xiàn)換道超車的領(lǐng)域。
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