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      igbt

      igbt

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      IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式功率半導(dǎo)體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅(qū)動電流較大；MOSFET驅(qū)動功率很小，開關(guān)速度快，但導(dǎo)通壓降大，載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn)，驅(qū)動功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動等領(lǐng)域。

      文章：3178個(gè) 瀏覽：259451次 帖子：484個(gè)

      igbt資訊

      電動汽車中碳化硅器件正在取代硅基功率器件

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      這條雄心勃勃的汽車電氣化之路首先需要高壓功率器件。SiC 半導(dǎo)體因其更快的開關(guān)速度以及支持更高的電壓和溫度而被認(rèn)為是一種首選技術(shù)，大多電動汽車廠商都已經(jīng)...

      2023-11-11 標(biāo)簽：電動汽車IGBTSiC 1.9k 0

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      因?yàn)殡娐分斜厝淮嬖陔s散電感，所以減小Rg 時(shí)必須考慮di/dt 所產(chǎn)生的影響，過高的di/dt 除了會在IGBT 關(guān)斷時(shí)產(chǎn)生過大的峰值電壓以致于產(chǎn)存在過...

      2018-06-08 標(biāo)簽：電阻igbtrg 1.9k 0

      揚(yáng)杰科技又新增5億元車用IGBT、SiC模塊封裝項(xiàng)目

      近日，據(jù)邗江發(fā)布消息，在維揚(yáng)經(jīng)濟(jì)開發(fā)區(qū)先進(jìn)制造業(yè)項(xiàng)目新春集中簽約儀式上，揚(yáng)州揚(yáng)杰電子科技股份有限公司副董事長梁瑤信心滿滿地告訴記者，“去年揚(yáng)杰電子實(shí)現(xiàn)開...

      2024-02-20 標(biāo)簽：IGBTSiC模塊揚(yáng)杰科技 1.9k 0

      飛虹IGBT單管FHA75T65V1DL在電焊機(jī)中的應(yīng)用

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      2025-08-04 標(biāo)簽：半導(dǎo)體電焊機(jī)IGBT 1.9k 0

      看導(dǎo)熱材料如何助力新能源汽車IGBT散熱

      近期，比亞迪推出了全新的車規(guī)級IGBT 4.0，為我國汽車產(chǎn)業(yè)的彎道超車，提供強(qiáng)大的中國芯，標(biāo)志著中國在IGBT技術(shù)上實(shí)現(xiàn)零的突破，打破了國際巨頭的技術(shù)...

      2020-03-31 標(biāo)簽：IGBT導(dǎo)熱材料導(dǎo)熱硅脂 1.9k 0

      英飛凌IGBT7系列芯片大解析

      英飛凌IGBT7系列芯片大解析

      上回書(英飛凌芯片簡史)說到，IGBT自面世以來，歷經(jīng)數(shù)代技術(shù)更迭，標(biāo)志性的技術(shù)包括平面柵+NPT結(jié)構(gòu)的IGBT2，溝槽柵+場截止結(jié)構(gòu)的IGBT3和IG...

      2025-01-15 標(biāo)簽：英飛凌芯片IGBT 1.9k 0

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      我想你會得到兩個(gè)不同的答案，這個(gè)問題涉及EMI的輻射和對EMI的免疫力。我不確定你最感興趣的是什么。兩者都有標(biāo)準(zhǔn)，具體取決于應(yīng)用。歐洲工業(yè)輻射標(biāo)準(zhǔn)比北美...

      2021-02-10 標(biāo)簽：驅(qū)動器變頻器IGBT 1.8k 0

      SiC N溝道IGBT器件研制的最新成果

      超高壓 SiC N 溝道 IGBT 器件元胞的基本結(jié)構(gòu)如圖 1 所示。N+ 區(qū)域定義為源區(qū)，相應(yīng)的電極稱為發(fā)射極（Emitter）。背面 P+ 區(qū)域定義...

      2022-06-17 標(biāo)簽：IGBT碳化硅 1.8k 0

      IGBT的靜態(tài)參數(shù)有哪些？怎樣去精確測量這些參數(shù)呢？

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      IGBT靜態(tài)參數(shù)是評估其正常工作狀態(tài)下電學(xué)特性的關(guān)鍵指標(biāo)，主要包含以下核心參數(shù)及定義： 一、基本靜態(tài)參數(shù) ? 柵極-發(fā)射極閾值電壓（VGE(th)） ?...

      2025-05-16 標(biāo)簽：測試儀IGBT晶體管 1.8k 0

      2013年度大事記：藍(lán)牙/IGBT/802.11p全面爆發(fā)

      4G商用帶動產(chǎn)業(yè)鏈大發(fā)展 網(wǎng)絡(luò)建設(shè)成關(guān)鍵，新能源應(yīng)用加持IGBT市場商機(jī)無限，藍(lán)牙4.0超越過往 三大操作系統(tǒng)支持飛速發(fā)展，

      2013-12-13 標(biāo)簽：4G藍(lán)牙IGBT 1.8k 0

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      東芝推出采用薄型SO6L封裝的兩款光耦---“TLP5705H”和“TLP5702H”，可在小型IGBT／MOSFET中用作絕緣柵極驅(qū)動IC。

      2021-11-30 標(biāo)簽：MOSFET東芝IGBT 1.8k 0

      總投資4.63億元！廣汽集團(tuán)旗下廣州青藍(lán)IGBT正式投產(chǎn)

      該項(xiàng)目計(jì)劃總投資4.63億元，主要圍繞新能源汽車自主IGBT領(lǐng)域開展技術(shù)研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用，是華南地區(qū)首個(gè)新能源汽車自主IGBT投資項(xiàng)目。一期規(guī)劃產(chǎn)能為年...

      2023-12-12 標(biāo)簽：新能源汽車IGBT 1.8k 0

      士蘭微電子車規(guī)級MOS產(chǎn)品獲CIAS2024年度“最具市場力產(chǎn)品獎(jiǎng)”

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      2024年4月23-24日，CIAS2024功率半導(dǎo)體新能源創(chuàng)新發(fā)展大會暨 CIAShow功率半導(dǎo)體、裝備與材料創(chuàng)新展在蘇州獅山國際會議中心舉辦，士蘭微...

      2024-04-26 標(biāo)簽：士蘭微電子導(dǎo)通電阻IGBT 1.8k 0

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      6月27-29日，2017年國際電力元件、可再生能源管理展覽會（PCIM Asia）在上海世博展覽館成功舉行。國內(nèi)IGBT驅(qū)動領(lǐng)軍企業(yè)青銅劍科技攜旗下全...

      2017-07-05 標(biāo)簽：igbtsic 1.8k 0

      芯片交期再縮短；IGBT持續(xù)缺貨漲價(jià)！存儲芯片全員巨虧，減產(chǎn)進(jìn)行時(shí)...

      芯片交期再縮短；IGBT持續(xù)缺貨漲價(jià)！存儲芯片全員巨虧，減產(chǎn)進(jìn)行時(shí)...

      導(dǎo)語：芯片交付周期已連續(xù)9個(gè)月縮短！車用芯片依舊緊缺，尤其是IGBT嚴(yán)重缺貨；另外，驅(qū)動IC4月或調(diào)漲10%至15%...更多詳情請閱讀3月行情匯總。市...

      2023-04-10 標(biāo)簽：芯片IGBT 1.8k 0

      又一車企造芯，涉及IGBT、自動駕駛、智能座艙等

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      2022-10-26 標(biāo)簽：IGBT自動駕駛 1.8k 0

      士蘭微推出600A/1200V IGBT汽車驅(qū)動模塊，提升充電速度與行駛動力

      士蘭微推出600A/1200V IGBT汽車驅(qū)動模塊，提升充電速度與行駛動力

      隨著人們對環(huán)保意識的提高和汽車駕駛體驗(yàn)感的不斷追求，新能源汽車的市場需求逐漸增大，已然成為汽車發(fā)展的大趨勢，但是新能源汽車充電時(shí)間長、續(xù)航里程短等問題仍...

      2023-09-07 標(biāo)簽：新能源汽車IGBT士蘭微 1.8k 0

      華潤微電子開發(fā)出1200V Trench NPT IGBT工藝平臺

      華潤上華已開發(fā)完成1200V Trench NPT IGBT(溝槽非穿通型絕緣柵雙極晶體管)工藝平臺，各項(xiàng)參數(shù)均達(dá)到設(shè)計(jì)要求，成功進(jìn)入Trench IG...

      2011-03-31 標(biāo)簽：IGBT華潤微電子工藝平臺 1.8k 0

      IGBT的保護(hù)及電路圖

      IGBT的保護(hù)及電路圖

      IGBT的保護(hù)措施，主要包括過壓保護(hù)和過流保護(hù)兩類。使用中，對于IGBT因關(guān)斷而產(chǎn)生的開關(guān)浪涌電壓，可以采用適

      2010-11-09 標(biāo)簽：IGBT 1.8k 0

      國產(chǎn)IGBT功率器件步入快速發(fā)展階段

      在中國，為了適應(yīng)大環(huán)境的需求，扶持相關(guān)企業(yè)的健康發(fā)展，國家在新能源、節(jié)能環(huán)保方面出臺了一系列支持性的政策措施，在政府和市場的雙重推動下，功率半導(dǎo)體行業(yè)正...

      2014-03-11 標(biāo)簽：IGBT功率器件 1.8k 0

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      • 服務(wù)機(jī)器人
        服務(wù)機(jī)器人
        +關(guān)注
        服務(wù)機(jī)器人是機(jī)器人家族中的一個(gè)年輕成員，到目前為止尚沒有一個(gè)嚴(yán)格的定義。不同國家對服務(wù)機(jī)器人的認(rèn)識不同。
      • 四軸飛行器
        四軸飛行器
        +關(guān)注
        四軸飛行器，又稱四旋翼飛行器、四旋翼直升機(jī)，簡稱四軸、四旋翼。這四軸飛行器（Quadrotor）是一種多旋翼飛行器。四軸飛行器的四個(gè)螺旋槳都是電機(jī)直連的簡單機(jī)構(gòu)，十字形的布局允許飛行器通過改變電機(jī)轉(zhuǎn)速獲得旋轉(zhuǎn)機(jī)身的力，從而調(diào)整自身姿態(tài)。具體的技術(shù)細(xì)節(jié)在“基本運(yùn)動原理”中講述。
      • SDK
        SDK
        +關(guān)注
        　　SDK一般指軟件開發(fā)工具包，軟件開發(fā)工具包一般都是一些軟件工程師為特定的軟件包、軟件框架、硬件平臺、操作系統(tǒng)等建立應(yīng)用軟件時(shí)的開發(fā)工具的集合。軟件開發(fā)工具廣義上指輔助開發(fā)某一類軟件的相關(guān)文檔、范例和工具的集合。
      • 基站測試
        基站測試
        +關(guān)注
        802.11ac與11基站測試（base station tests） 在基站設(shè)備安裝完畢后，對基站設(shè)備電氣性能所進(jìn)行的測量。n的區(qū)別，802.11n無線網(wǎng)卡驅(qū)動，802.11n怎么安裝。
      • ESP8266
        ESP8266
        +關(guān)注
        wifi模塊ESP8266的默認(rèn)波特率是115200，但是單片機(jī)不能達(dá)到那么快的傳輸速率，只能使用4800bps，那么設(shè)置的時(shí)候，必不可少的要先用轉(zhuǎn)串口調(diào)試下載器。
      • TMS320F28335
        TMS320F28335
        +關(guān)注
        TMS320F28335是一款TI高性能TMS320C28x系列32位浮點(diǎn)DSP處理器
      • 靜電防護(hù)
        靜電防護(hù)
        +關(guān)注
        為防止靜電積累所引起的人身電擊、火災(zāi)和爆炸、電子器件失效和損壞，以及對生產(chǎn)的不良影響而采取的防范措施。其防范原則主要是抑制靜電的產(chǎn)生，加速靜電泄漏，進(jìn)行靜電中和等。
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