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標簽 > igbt
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管)組成的復合全控型電壓驅(qū)動式功率半導體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優(yōu)點。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動電流較大;MOSFET驅(qū)動功率很小,開關(guān)速度快,但導通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點,驅(qū)動功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動等領(lǐng)域。
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用方波驅(qū)動IGBT合適嗎? 方波是一個矩形波形,它具有快速上升和下降的邊沿。IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)是一種常用的功率開關(guān)設(shè)備,常用于高電壓和高電流...
2024-02-06 標簽:功率開關(guān)IGBT晶體管 1.8k 0
昕感科技發(fā)布一款1200V低導通電阻SiC MOSFET產(chǎn)品N2M120013PP0
近日,昕感科技發(fā)布一款兼容15V柵壓驅(qū)動的1200V低導通電阻SiC MOSFET產(chǎn)品N2M120013PP0,導通電阻在15V柵壓下低至13mΩ,配合...
2025年上半年,芯干線科技交出一份卓越的成績單:銷售額同比增長265%,多行業(yè)、全產(chǎn)品線強勢爆發(fā)!
絕對最大額定值的含義 IGBT IPM的絕對最大額定值 絕對最大額定值是指在任何工作條件下,設(shè)備允許的最大電壓、電流、功率以及溫度等參數(shù)的界限值。IGB...
富士電機直接水冷式車載IGBT模塊耐壓為1200V,電流為500A,面積為320mm×170mm。在海外,該模塊已被用于2012年底上市的混合動力車(H...
近期,某特種加工工廠客戶咨詢使用泰克示波器進行焊機的維修檢測。由于客戶現(xiàn)有一臺逆變電焊機可正常通電開機,但焊絲不化絲。客戶將機器拆解后使用傳統(tǒng)萬用表進行...
IGBT的密勒電容隨著直流母線電壓的大小怎樣變化? IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)是一種半導體器件,廣泛...
英飛凌高級總監(jiān)徐輝表示,英飛凌進一步豐富了自己的汽車電子產(chǎn)品線,滲入各個細分市場,形成了最為全面的新能源產(chǎn)品和解決方案。
全球功率半導體和管理方案領(lǐng)導廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier,簡稱IR) 推出堅固可靠的全新1200V超高速...
青銅劍技術(shù)推出雙通道驅(qū)動器2xD0210T12x0
在現(xiàn)代電力電子系統(tǒng)中,碳化硅MOSFET和IGBT是核心功率器件。其中,碳化硅具備高效率、高開關(guān)頻率及高溫耐受性等特性,IGBT技術(shù)成熟且性價比高,兩者...
電力電子器件(Power Electronic Device),又稱為功率半導體器件,用于電能變換和電能控制電路中的大功率(通常指電流為數(shù)十至數(shù)千安,電...
2022年功率晶體管銷售額有望增長11%,預(yù)計達245億美元
功率晶體管市場預(yù)計將在 2024 年開始另一個增長周期,到 2026 年,年銷售額將穩(wěn)步增長,達到 289 億美元,復合年增長率 (CAGR) 有望達到...
IGBT高壓變頻調(diào)速電源 Power Supply(PS) of IGBT High- voltage Frequency Conversion Go...
2009-07-11 標簽:IGBT 1.8k 0
比亞迪半導體PIM模塊通過多家頭部變頻與商用空調(diào)客戶可靠性認證
PIM產(chǎn)品作為IGBT產(chǎn)品大類的重要組成部分,是一種綜合集成功率器件,適用于變頻器及伺服領(lǐng)域。
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