通訊應(yīng)用使用基于半橋、全橋或同步降壓功率拓?fù)涞碾娫茨K。這些拓?fù)涫褂酶咝阅?b class="flag-6" style="color: red">半橋驅(qū)動(dòng)器實(shí)現(xiàn)高頻操作和高效率。半橋柵極驅(qū)動(dòng)器采用的技術(shù)已在業(yè)界成功應(yīng)用了數(shù)十年，UCC27282 120-V 2.5A
2019-08-01 07:20:54
概述：PC318C046EQ 是一款高性能、高可靠性的半橋柵極驅(qū)動(dòng)器,穩(wěn)健可靠的電平轉(zhuǎn)換技術(shù)同時(shí)擁有高運(yùn)行速度和低功耗特性，并且可提供從控制輸入邏輯到高側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器的干凈電平轉(zhuǎn)換。該器件內(nèi)置VDD
2025-08-21 15:48:19
；MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小，開關(guān)速度快，但導(dǎo)通壓降大，載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn)，驅(qū)動(dòng)功率小而飽和壓降低。IGBT一般半橋式電路中的IGBT尤其多用于電機(jī)控制應(yīng)用。圖騰柱式布局創(chuàng)造出
2015-12-30 09:27:49
DC-DC開關(guān)電源電路特性：· 輸入和輸出電壓感應(yīng)提供欠壓和過壓保護(hù)，變壓器初級(jí)電流感應(yīng)提供過載和短路保護(hù)?！?全橋MOSFET驅(qū)動(dòng)器用于驅(qū)動(dòng)主全橋MOSFET，半橋MOSFET驅(qū)動(dòng)器用于實(shí)現(xiàn)同步
2025-05-23 15:09:58
電路（Rectifier）相對應(yīng)，把直流電變成交流電稱為逆變。逆變電路可用于構(gòu)成各種交流電源，在工業(yè)中得到廣泛應(yīng)用。為了提高所設(shè)計(jì)的激勵(lì)電源輸出功率和工作頻率， **逆變電路采用全橋逆的方式，相對于單管和半橋逆變電路，全橋逆變的輸出功率更高、開關(guān)損耗更小、可接納的控制方式更多。**全橋逆變電路如下圖所示
2021-11-16 06:14:11
，隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器的輸出端主要從供電軌獲取電流。一旦IGBT或MOSFET的柵極電壓到達(dá)供電軌，功耗便降為最低，因?yàn)?b class="flag-6" style="color: red">柵極本質(zhì)上是一個(gè)電容。對于高端驅(qū)動(dòng)器而言，高端MOSFET導(dǎo)通時(shí)，該吸電流與半橋電壓拉
2018-10-16 13:52:11
IGBT/功率MOSFET是一種電壓控制型器件，可用作電源電路、電機(jī)驅(qū)動(dòng)器和其它系統(tǒng)中的開關(guān)元件。柵極是每個(gè)器件的電氣隔離控制端。MOSFET的另外兩端是源極和漏極，而對于IGBT，它們被稱為集電極
2021-01-27 07:59:24
ADuM4121柵極驅(qū)動(dòng)器的典型設(shè)置，其結(jié)合功率MOSFET使用，采用半橋配置，適合電源和電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用。在這種設(shè)置中，如果Q1 和 Q2同時(shí)導(dǎo)通，有可能因?yàn)殡娫春徒拥匾_短路而發(fā)生直通。這可能會(huì)永久損壞
2021-07-09 07:00:00
本文通過故意損壞IGBT/MOSFET功率開關(guān)來研究柵極驅(qū)動(dòng)器隔離柵的耐受性能。
2021-06-17 07:24:06
描述DC-DC 轉(zhuǎn)換器 33-42 Vin/12V, 5A 輸出該項(xiàng)目最初旨在為驅(qū)動(dòng) BLDC 電機(jī)的半橋開啟高端和低端 MOSFET。最好將此設(shè)計(jì)與柵極驅(qū)動(dòng)器連接。PCB+展示
2022-08-09 06:31:26
CK5G14 在同一顆芯片中同時(shí)集成了三個(gè) 250V 半橋柵極驅(qū)動(dòng)器，特別適合于三相電機(jī)應(yīng)用中高速功率 MOSFET 和 IGBT 的柵極驅(qū)動(dòng)。芯片內(nèi)置了死區(qū)時(shí)間和上下管直通保護(hù)，非常有效地阻止半橋
2022-01-04 14:16:57
FAN73832 是一款半橋、柵極驅(qū)動(dòng) IC，帶關(guān)斷和可編程死區(qū)時(shí)間控制功能，能驅(qū)動(dòng) MOSFET 和 IGBT，工作電壓高達(dá) +600 V。飛兆的高壓工藝和共模噪聲消除技術(shù)可使高側(cè)驅(qū)動(dòng)器在高 dv
2022-03-08 08:36:21
概述：IRS26302DJBPF美國國家半導(dǎo)體公司生產(chǎn)的一款高速功率MOSFET和IGBT驅(qū)動(dòng)器，它把功率MOSFET/IGBT柵極驅(qū)動(dòng)器與三個(gè)高側(cè)及三個(gè)低側(cè)參考輸出通道集成在一起，在最高20V
2021-05-18 07:25:34
LT1160的典型應(yīng)用 - 半橋/全橋N溝道功率MOSFET驅(qū)動(dòng)器。 LT 1160 / LT1162是經(jīng)濟(jì)高效的半橋/全橋N溝道功率MOSFET驅(qū)動(dòng)器
2019-05-14 09:23:01
NCP5106BA36WGEVB，NCP5106,36 W鎮(zhèn)流器評估板。 NCP5106是一款高壓柵極驅(qū)動(dòng)器IC，提供兩路輸出，用于直接驅(qū)動(dòng)2個(gè)N溝道功率MOSFET或IGBT，采用半橋配置版本B或任何其他高端+低端配置版本A.它使用自舉技術(shù)，以確保正確驅(qū)動(dòng)高端電源開關(guān)。該驅(qū)動(dòng)程序使用2個(gè)獨(dú)立輸入
2019-10-12 10:31:24
采用半橋（或任何其他高側(cè)+低側(cè)）配置。它使用自舉技術(shù)確保正確驅(qū)動(dòng)高端電源開關(guān)。驅(qū)動(dòng)器采用2個(gè)獨(dú)立輸入，以適應(yīng)任何拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)（包括半橋，非對稱半橋，有源鉗位和全橋）
2019-10-12 10:29:07
。
SA2601A典型應(yīng)用
馬達(dá)驅(qū)動(dòng)
逆變器電源
LLC電源
柵極驅(qū)動(dòng)器芯片是電源管理芯片中的重要組成部分，它能夠驅(qū)動(dòng)功率MOSFET的柵極，控制電源的開關(guān)。其可分為單路、多路、高低側(cè)驅(qū)動(dòng)等類型，根據(jù)應(yīng)用場
2024-04-01 17:32:59
600V、4A/4A 半橋門極驅(qū)動(dòng)SiLM2285，超強(qiáng)抗干擾、高效驅(qū)動(dòng)、高邊直驅(qū)設(shè)計(jì)三大核心優(yōu)勢，解決工業(yè)開關(guān)電源、電機(jī)拖動(dòng)、新能源逆變及儲(chǔ)能設(shè)備中的驅(qū)動(dòng)難題，實(shí)現(xiàn)對高壓、高功率MOSFET
2025-10-21 09:09:18
、4A輸出的半橋門極驅(qū)動(dòng)器，旨在通過增強(qiáng)抗擾性、提升驅(qū)動(dòng)效率并簡化設(shè)計(jì)，幫助工程師更穩(wěn)妥地駕馭MOSFET和IGBT，確保系統(tǒng)在高功率場景下穩(wěn)定運(yùn)行。產(chǎn)品主要特性：
寬工作電壓范圍：可承受高達(dá)600V
2025-12-23 08:36:15
采用小型封裝的隔離式半橋柵極驅(qū)動(dòng)器IC在造就高性能方面的卓越能力。采用光耦合器隔離的基本半橋驅(qū)動(dòng)器（如圖1所示）以極性相反的信號(hào)來驅(qū)動(dòng)高端和低端N溝道MOSFET（或IGBT）的柵極，由此來控制輸出功率
2018-07-03 16:33:25
柵極驅(qū)動(dòng)器的 +16V/-8V 電壓，能夠通過具有外部 BJT/MOSFET 緩沖器的單極或雙極電源為柵極驅(qū)動(dòng)器供電可針對反相/非反相工作情況配置柵極驅(qū)動(dòng)器輸入可選擇通過如下方式評估系統(tǒng)：柵極驅(qū)動(dòng)器和 IGBT 之間的雙絞線電纜柵極和發(fā)射極之間的外部電容
2018-12-27 11:41:40
LT1336的典型應(yīng)用是具有成本效益的半橋N溝道功率MOSFET驅(qū)動(dòng)器。浮動(dòng)驅(qū)動(dòng)器可以驅(qū)動(dòng)頂部N溝道功率MOSFET工作在高達(dá)60V（絕對最大值）的高壓（HV）軌道上工作
2019-05-10 06:46:05
概述：（兼用UCC27301A-Q1）PC1209是一款半橋MOSFET驅(qū)動(dòng)器，具有峰值源極和漏極輸出電流能力為4A，能夠最小化開關(guān)損耗地驅(qū)動(dòng)大功率MOSFET。高側(cè)和低側(cè)兩個(gè)通道完全獨(dú)立，其導(dǎo)
2025-03-03 11:27:14
來設(shè)置單極或雙極 PWM 柵極驅(qū)動(dòng)器延遲時(shí)間短，上升和下降時(shí)間短提供用于驅(qū)動(dòng)半橋的信號(hào)和電源反激式恒定導(dǎo)通時(shí)間，無需環(huán)路補(bǔ)償可以在 24V±20% 范圍內(nèi)寬松調(diào)節(jié)輸入此電路設(shè)計(jì)經(jīng)過測試并包含測試結(jié)果
2018-12-21 11:39:19
闡述這些設(shè)計(jì)理念，以展現(xiàn)采用小型封裝的隔離式半橋柵極驅(qū)動(dòng)器IC在造就高性能方面的卓越能力。采用光耦合器隔離的基本半橋驅(qū)動(dòng)器(如圖1所示)以極性相反的信號(hào)來驅(qū)動(dòng)高端和低端N溝道MOSFET(或IGBT
2018-10-23 11:49:22
驅(qū)動(dòng)器解決方案在提供高性能和小尺寸方面的卓越能力。隔離式半橋驅(qū)動(dòng)器的功能是驅(qū)動(dòng)上橋臂和下橋臂N溝道MOSFET(或IGBT)的柵極，通過低輸出阻抗降低導(dǎo)通損耗，同時(shí)通過快速開關(guān)時(shí)間降低開關(guān)損耗。上橋臂
2018-10-16 16:00:23
展現(xiàn)采用小型封裝的隔離式半橋柵極驅(qū)動(dòng)器IC在造就高性能方面的卓越能力。 采用光耦合器隔離的基本半橋驅(qū)動(dòng)器（如圖1所示）以極性相反的信號(hào)來驅(qū)動(dòng)高端和低端N溝道MOSFET（或IGBT）的柵極，由此來控制
2018-09-26 09:57:10
怎么實(shí)現(xiàn)MOSFET的半橋驅(qū)動(dòng)電路的設(shè)計(jì)？
2021-10-11 07:18:56
位功能，可用于各種開關(guān)拓?fù)淇刂铺蓟瑁⊿iC）或硅MOSFET和IGBT功率晶體管。STGAP2SCM配備一個(gè)有源米勒鉗位專用引腳，為設(shè)計(jì)人員防止半橋配置晶體管意外導(dǎo)通提供一個(gè)簡便的解決方案。在
2018-08-06 14:37:25
對MOS管的驅(qū)動(dòng)電路形式，常用推挽式電路，增強(qiáng)驅(qū)動(dòng)能力而功率放大的電路形式，常使用全橋或者半橋的電路形式，放大功率同樣是要接外接供電電源，為什么驅(qū)動(dòng)用推挽，功放用全橋半橋？如果交換電路形式呢？謝謝
2020-07-15 01:34:51
對MOS管的驅(qū)動(dòng)電路形式，常用推挽式電路，增強(qiáng)驅(qū)動(dòng)能力而功率放大的電路形式，常使用全橋或者半橋的電路形式，放大功率同樣是要接外接供電電源，為什么驅(qū)動(dòng)用推挽，功放用全橋半橋？如果交換電路形式呢？謝謝
2017-02-16 14:02:13
+LDO，可有效改善無線充電普遍存在的發(fā)熱高、效率低、外圍電路復(fù)雜等問題。這種方案除了少數(shù)電阻電容以外，只有兩個(gè)主要元器件：主控和高集成度的全橋/半橋芯片，其中SN-D06集成了全橋驅(qū)動(dòng)芯片、功率
2018-12-07 15:30:46
求教各位大佬：MOSFET半橋驅(qū)動(dòng)芯片空載時(shí)為什么HO和LO都沒有輸出波形？最近我在做D類放大，由于是分模塊做的，半橋驅(qū)動(dòng)芯片沒有與mosfet相連，是空載。當(dāng)我把pwm波輸入半橋驅(qū)動(dòng)芯片后，半橋驅(qū)動(dòng)器HO和LO無輸出。調(diào)試了半天也沒發(fā)現(xiàn)問題。各位大佬如果知道的話，請指點(diǎn)下小弟。萬分感謝?。?！
2018-04-09 23:54:28
描述此參考設(shè)計(jì)是一種通過汽車認(rèn)證的隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器解決方案，可在半橋配置中驅(qū)動(dòng)碳化硅 (SiC) MOSFET。此設(shè)計(jì)分別為雙通道隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器提供兩個(gè)推挽式偏置電源，其中每個(gè)電源提供 +15V
2018-10-16 17:15:55
柵極驅(qū)動(dòng)器，能夠驅(qū)動(dòng) N 型功率 MOSFET 和 IGBT。 FD2606S 內(nèi)置 VCC 和 VB 欠壓（UVLO）保護(hù)功能，防止功率管在過低的電壓下工作。 FD2606S 邏輯輸入兼容 TTL 和 CMOS（低至 3.3V），方便與控制設(shè)備接口。該驅(qū)動(dòng)器輸出具有最小驅(qū)動(dòng)器跨導(dǎo)的高脈沖電流緩沖設(shè)計(jì)。
2021-09-14 07:29:33
源電壓均高于10 V，電源電壓降至7 V。對于極端的電池壓降條件，在電源電壓降至5.5 V，但柵極驅(qū)動(dòng)電壓降低的情況下，可保證正常工作。A4940提供微控制器的邏輯級(jí)輸出和全橋配置的N通道功率
2020-09-29 16:51:51
L6390，用于工業(yè)應(yīng)用的高壓半橋柵極驅(qū)動(dòng)器。三相功率級(jí)三L6390半橋柵極驅(qū)動(dòng)器之一的應(yīng)用電路
2019-07-08 12:28:25
驅(qū)動(dòng)器，特別適合于三相電機(jī)應(yīng)用中高速功率 MOSFET 和 IGBT 的柵極驅(qū)動(dòng)。芯片內(nèi)置了死區(qū)時(shí)間和上下管直通保護(hù)，非常有效地阻止半橋電路損壞。為了防止因芯片工作在較低的電源電壓而對功率管產(chǎn)生損害
2019-12-06 13:13:21
采用小型封裝的隔離式半橋柵極驅(qū)動(dòng)器IC在造就高性能方面的卓越能力
2021-03-03 06:35:03
通道的器件，此規(guī)格的表述方式相同，但被稱為通道間偏斜。傳播延遲偏斜通常不能在控制電路中予以補(bǔ)償。圖6顯示了ADuM4121柵極驅(qū)動(dòng)器的典型設(shè)置，其結(jié)合功率MOSFET使用，采用半橋配置，適合電源和電機(jī)
2018-10-25 10:22:56
6顯示了ADuM4121柵極驅(qū)動(dòng)器的典型設(shè)置，其結(jié)合功率MOSFET使用，采用半橋配置，適合電源和電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用。在這種設(shè)置中，如果Q1和Q2同時(shí)導(dǎo)通，有可能因?yàn)殡娫春徒拥匾_短路而發(fā)生直通。這可
2018-11-01 11:35:35
TF2184是一種高壓、高速柵極驅(qū)動(dòng)器，能夠在半橋配置中驅(qū)動(dòng)n通道MOSFET和igbt。TF半導(dǎo)體的高壓過程使TF2184的高側(cè)能夠在引導(dǎo)
2023-06-25 16:25:20
TFB0504是一個(gè)半橋式柵極驅(qū)動(dòng)器，內(nèi)部集成了自舉二極管，能夠在半橋式配置中驅(qū)動(dòng)n通道mosfet和igbt。TF半導(dǎo)體的先進(jìn)工藝，使浮動(dòng)高側(cè)驅(qū)動(dòng)器操作到100V的引導(dǎo)
2023-06-27 17:01:42
TFB0527是一個(gè)半橋式柵極驅(qū)動(dòng)器，內(nèi)部集成了自舉二極管，能夠在半橋式配置中驅(qū)動(dòng)n通道mosfet和igbt。TF半導(dǎo)體的先進(jìn)工藝，使浮動(dòng)高側(cè)驅(qū)動(dòng)器操作到100V的引導(dǎo)
2023-06-28 17:08:12
全橋驅(qū)動(dòng)器UBA2030T及其應(yīng)用
飛利浦公司利用“BCD750功率邏輯工藝方法”制造的UBA2030T，是為驅(qū)動(dòng)全橋拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)中的功率MOSFET而專門
2009-05-13 15:29:21
1473 
NJW4800是一款能提供4A 電流的通用半橋驅(qū)動(dòng)器。內(nèi)置的柵極驅(qū)動(dòng)器能驅(qū)動(dòng)高端和低端的功率MOSFET，所以能
2010-12-30 11:51:561890 
本文將詳細(xì)闡述實(shí)現(xiàn)隔離式半橋柵極驅(qū)動(dòng)器設(shè)計(jì)理念，以展現(xiàn)采用小型封裝的隔離式半橋柵極驅(qū)動(dòng)器IC在造就高性能方面的卓越能力。
2012-12-17 15:12:468864 
IR2103半橋驅(qū)動(dòng)器The IR2103(S) are high voltage high speed power MOSFET and
IGBT drivers with dependent
2015-12-09 16:44:07
52 隔離式半橋柵極驅(qū)動(dòng)器可用于許多應(yīng)用，從要求高功率密度和效率的隔離式DC-DC電源模塊，到高隔離電壓和長期可靠性至關(guān)重要的太陽能逆變器等等，不一而足。本文將詳細(xì)闡述這些設(shè)計(jì)理念，探索隔離式半橋柵極驅(qū)動(dòng)器解決方案在提供高性能和小尺寸方面的卓越能力。
2017-02-09 17:40:113617 
許多應(yīng)用都采用隔離式半橋柵極驅(qū)動(dòng)器來控制大量功率，從要求高功率密度和效率的隔離式DC-DC電源模塊，到高隔離電壓和長期可靠性至關(guān)重要的太陽能逆變器等等，不一而足。本文將詳細(xì)闡述這些設(shè)計(jì)理念，以展現(xiàn)采用小型封裝的隔離式半橋柵極驅(qū)動(dòng)器IC在造就高性能方面的卓越能力。
2017-02-10 07:57:418497 
每個(gè) H 橋的輸出驅(qū)動(dòng)器模塊由 N 溝道功率 MOSFET 組成，這些 MOSFET 被配置成一個(gè)H橋，以驅(qū)動(dòng)電機(jī)繞組。每個(gè) H 橋都包括用于調(diào)節(jié)或限制繞組電流的電路。
2018-05-10 10:28:5830 FD6287 是一款集成了三個(gè)獨(dú)立的半橋柵極驅(qū)動(dòng)集成電路芯片，專為高壓、高速驅(qū)動(dòng) MOSFET 和 IGBT 設(shè)計(jì)，可在高達(dá)+250V 電壓下工作。
2019-01-18 08:00:00221 隔離式半橋柵極驅(qū)動(dòng)器可用于許多應(yīng)用，從要求高功率密度和效率的隔離式DC-DC電源模塊，到高隔離電壓和長期可靠性至關(guān)重要的太陽能逆變器等等，不一而足。本文將詳細(xì)闡述這些設(shè)計(jì)理念，探索隔離式半橋柵極驅(qū)動(dòng)器解決方案在提供高性能和小尺寸方面的卓越能力。
2019-02-23 10:53:588351 
通過故意損壞IGBT/MOSFET功率開關(guān)來研究柵極驅(qū)動(dòng)器隔離柵的耐受性能。
2019-04-16 17:07:396332 
以光耦合器和其他分立式解決方案為參照，了解基于iCoupler?數(shù)字隔離器技術(shù)的ADuM3223和ADuM4223隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器如何簡化強(qiáng)大的半橋MOSFET驅(qū)動(dòng)器的設(shè)計(jì)。
2019-07-29 06:14:003151 FD2606S 是高壓、高速半橋柵極驅(qū)動(dòng)器，能夠驅(qū)動(dòng) N 型功率 MOSFET 和 IGBT。 FD2606S 內(nèi)置 VCC 和 VB 欠壓（UVLO）保護(hù)功能，防止功率管在過低的電壓
2020-04-25 08:00:0071 中的功率消耗或損耗、發(fā)送到功率半導(dǎo)體開關(guān) (IGBT/MOSFET) 的功率以及驅(qū)動(dòng)器 IC 和功率半導(dǎo)體開關(guān)之間的外部組件（例如外部柵極電阻器兩端）的功率損耗。在以下示例中，我們將討論使用 Avago ACPL-332J（2.5nApeak 智能柵極驅(qū)動(dòng)器）的 IGBT 柵極驅(qū)動(dòng)器設(shè)計(jì)。本
2021-06-14 03:51:005319 
LT1336：帶升壓穩(wěn)壓器的半橋N溝道功率MOSFET驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)表
2021-05-19 16:12:341 LT1158：半橋N溝道功率MOSFET驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)表
2021-05-20 18:32:194 AC 電機(jī) 全、半橋驅(qū)動(dòng)器 SCM1241M
2021-12-09 15:21:371488 LN4303 是一款基于懸浮襯底和 P_EPI 工藝的200V 高壓半橋驅(qū)動(dòng)器，具有高低邊輸出，用來驅(qū)動(dòng)半橋電路中的兩個(gè)高壓大功率 MOSFET 或 IGBT。
2022-07-13 16:42:0311315 
MS8844 提供四個(gè)可獨(dú)立控制的半 H 橋驅(qū)動(dòng)器?？杀挥糜?b class="flag-6" style="color: red">驅(qū)動(dòng)直流電機(jī)，一個(gè)步進(jìn)電機(jī)，4 個(gè)螺線圈或者其他負(fù)載。每個(gè)輸出驅(qū)動(dòng)器通道包含采用半 H 橋配置的 N 通道功率 MOSFET。
2022-07-30 09:02:283130 隔離式半橋柵極驅(qū)動(dòng)器用于許多應(yīng)用，從需要高功率密度和效率的隔離式DC-DC電源模塊，到高隔離電壓和長期可靠性至關(guān)重要的太陽能逆變器。本文將詳細(xì)討論這些設(shè)計(jì)概念，探討隔離式半橋柵極驅(qū)動(dòng)器解決方案提供高性能和小尺寸解決方案的能力。
2023-01-17 11:08:464711 
在本文中，我們將學(xué)習(xí)如何使用 P溝道和 N 溝道 MOSFET 構(gòu)建通用全橋或 H 橋 MOSFET 驅(qū)動(dòng)電路，該電路可用于制造電機(jī)、逆變器和許多不同的功率轉(zhuǎn)換器的高效驅(qū)動(dòng)電路。
2023-04-29 09:35:0012140 
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《實(shí)現(xiàn)隔離式半橋柵極驅(qū)動(dòng)器的設(shè)計(jì)基礎(chǔ).pdf》資料免費(fèi)下載
2023-11-22 16:57:327 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《半橋配置的高端柵極供電.pdf》資料免費(fèi)下載
2023-11-22 15:09:401 全橋電路由四個(gè)功率開關(guān)元件（常用是晶體管或MOSFET）組成，通常為兩個(gè)上開關(guān)和兩個(gè)下開關(guān)。它們通過驅(qū)動(dòng)電路控制開關(guān)狀態(tài)實(shí)現(xiàn)對輸入電壓的逆變和調(diào)節(jié)。全橋電路工作原理是：當(dāng)某個(gè)上開關(guān)閉合時(shí)，與之對應(yīng)的下開關(guān)必須打開，以
2024-03-12 11:18:0820570 新品帶iMOTIONMADK的160V半橋SOI半橋驅(qū)動(dòng)器驅(qū)動(dòng)100VMOSFET評估套件用于電池供電應(yīng)用(BPA)的EVAL-2ED2748S01GM1評估套件包括一塊三相逆變器功率板，該功率板
2024-03-13 08:13:071575 
開關(guān)電源芯片U5402是一款650V耐壓的半橋柵極驅(qū)動(dòng)器，具有0.3A拉電流和1A灌電流能力，專用于驅(qū)動(dòng)功率MOSFETs或IGBTs。
2024-04-18 17:13:002195 新品650V高速半橋柵極驅(qū)動(dòng)器2ED2388S06F650V高速半橋柵極驅(qū)動(dòng)器，具有典型的0.29A源電流和0.7A灌電流，采用DSO-8封裝，用于驅(qū)動(dòng)功率MOSFET和IGBT。產(chǎn)品型號(hào)
2024-07-27 08:14:36869 
半橋驅(qū)動(dòng)器和全橋驅(qū)動(dòng)器是電力電子領(lǐng)域中兩種常見的電路驅(qū)動(dòng)器，它們在結(jié)構(gòu)、工作原理、性能特點(diǎn)以及應(yīng)用場景等方面存在顯著差異。
2024-08-28 15:16:079344 LN4203 是一款基于懸浮襯底和 P_EPI 工藝的600V 高壓半橋驅(qū)動(dòng)器，具有高低邊輸出，用來驅(qū)動(dòng)半橋電路中的兩個(gè)高壓大功率 MOSFET 或 IGBT。LN4203 的輸入信號(hào)兼容 CMOS
2024-09-05 15:29:024 FD6288 是一款集成了三個(gè)獨(dú)立的半橋柵極驅(qū)動(dòng)集成電路芯片，專為高壓、高速驅(qū)動(dòng)MOSFET 和 IGBT 設(shè)計(jì)，可在高達(dá)+250V 電壓下工作。FD6288 內(nèi)置 VCC/VBS 欠壓（UVLO
2024-09-21 11:34:020 開關(guān)和柵極驅(qū)動(dòng)器接口的單半橋，可輕松構(gòu)建任何基于半橋的功率拓?fù)?。相關(guān)器件：IPF021N13NM6(OptiMOS6powerMOSFET135V)該系列還有各種功
2024-10-24 08:03:521298 高頻率開關(guān)的MOSFET和IGBT柵極驅(qū)動(dòng)器，可能會(huì)產(chǎn)生大量的耗散功率。因此，需要確認(rèn)驅(qū)動(dòng)器功率耗散和由此產(chǎn)生的結(jié)溫，確保器件在可接受的溫度范圍內(nèi)工作。高壓柵極驅(qū)動(dòng)集成電路（HVIC）是專為半橋開關(guān)
2024-11-11 17:21:201606 
LN4304 是一款基于懸浮襯底和 P_EPI 工藝的200V 高壓半橋驅(qū)動(dòng)器，具有高低邊輸出，用來驅(qū)動(dòng)半橋電路中的兩個(gè)高壓大功率 MOSFET 或 IGBT。LN4304 的輸入信號(hào)兼容 CMOS
2024-12-23 17:08:1120 PT5619 在同一顆芯片中同時(shí)集成了三個(gè) 90V 半橋柵極驅(qū)動(dòng)器，特別適合于三相電機(jī)應(yīng)用中高速功率 MOSFET和 IGBT 的柵極驅(qū)動(dòng). 特點(diǎn)·Feature //內(nèi)置死區(qū)時(shí)間 //內(nèi)置直通保護(hù)
2024-12-24 14:12:55734 用于 GaN 功率開關(guān)的高壓和高速半橋柵極驅(qū)動(dòng)器產(chǎn)品說明STDRIVEG610 和 STDRIVEG611 是兩款用于 N 溝道增強(qiáng)型 GaN 的新型高壓半橋柵極驅(qū)動(dòng)器。STDRIVEG610
2025-02-12 14:06:160 LM5108 是一款高頻半橋柵極驅(qū)動(dòng)器，最大開關(guān)節(jié)點(diǎn) （HS） 額定電壓為 100V。它允許在基于半橋配置的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)中控制兩個(gè) N 溝道 MOSFET，例如同步降壓、全橋、有源鉗位正激、LLC 和同步升壓。
2025-05-24 14:57:00612 
內(nèi)容概要：HPD2606X是一款600V半橋柵極驅(qū)動(dòng)器，采用專有的HVIC和閂鎖免疫CMOS技術(shù)，能夠穩(wěn)定驅(qū)動(dòng)高壓MOSFET和IGBT。其主要特性包括懸浮通道設(shè)計(jì)、抗dV/dt瞬態(tài)負(fù)電壓能力、寬門
2025-05-19 11:33:300 Analog Devices Inc. LTC7068 150V半橋驅(qū)動(dòng)器是一款半橋雙N溝道MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)器，在高達(dá)150V的輸入電壓下工作，具有獨(dú)立于電源的三態(tài)脈寬調(diào)制 (PWM) 輸入邏輯
2025-06-06 10:29:16714 
Analog Devices Inc. LTC7063半橋驅(qū)動(dòng)器驅(qū)動(dòng)兩個(gè)采用半橋配置的N溝道MOSFET，供電電壓高達(dá)140V。高側(cè)和低側(cè)驅(qū)動(dòng)器可以通過提供瞬態(tài)抗擾度和噪聲來驅(qū)動(dòng)具有不同接地
2025-06-14 16:36:57831 
Texas Instruments UCC27301A/UCC27301A-Q1半橋驅(qū)動(dòng)器是穩(wěn)健的柵極驅(qū)動(dòng)器，設(shè)計(jì)用于驅(qū)動(dòng)采用半橋或同步降壓配置的兩個(gè)N溝道MOSFET，絕對最大自舉電壓為120V
2025-07-25 15:23:14564 
Texas Instrument LM2005半橋柵極驅(qū)動(dòng)器是一款緊湊型高壓柵極驅(qū)動(dòng)器，設(shè)計(jì)用于驅(qū)動(dòng)同步降壓或半橋配置中的高側(cè)和低側(cè)N溝道MOSFET。集成自舉二極管無需外部分立二極管，從而節(jié)省了電路板空間并降低了系統(tǒng)成本。
2025-08-08 14:36:111002 
Texas Instruments LM2104半橋柵極驅(qū)動(dòng)器設(shè)計(jì)用于驅(qū)動(dòng)高側(cè)和低側(cè)N溝道MOSFET，具有同步降壓或半橋配置。 此柵極驅(qū)動(dòng)器在GVDD上具有8V典型欠壓鎖定，在BST上具有
2025-08-11 10:15:14965 
Texas Instruments LM2103半橋驅(qū)動(dòng)器是一款緊湊型高壓柵極驅(qū)動(dòng)器，設(shè)計(jì)用于驅(qū)動(dòng)半橋或同步降壓配置中的高側(cè)和低側(cè)N溝道MOSFET。INL反相輸入允許驅(qū)動(dòng)器用于雙或單PWM輸入應(yīng)用。
2025-08-15 15:03:49915 
Texas Instruments LM2105半橋柵極驅(qū)動(dòng)器是一款緊湊型高壓柵極驅(qū)動(dòng)器，設(shè)計(jì)用于驅(qū)動(dòng)同步降壓或半橋配置中的高側(cè)和低側(cè)N溝道MOSFET。集成的自舉二極管無需使用外部分立式二極管，從而節(jié)省電路板空間并降低系統(tǒng)成本。
2025-08-21 09:35:57808 
UCC2773x-Q1 是一款 700V 半橋柵極驅(qū)動(dòng)器，具有 3.5A 源電流和 4A 灌電流能力，旨在驅(qū)動(dòng)功率 MOSFET 和 IGBT。該器件由一個(gè)接地基準(zhǔn)通道 （LO） 和一個(gè)浮動(dòng)通道
2025-09-24 14:47:351199 
UCC2773x-Q1 是一款 700V 半橋柵極驅(qū)動(dòng)器，具有 3.5A 源電流和 4A 灌電流能力，旨在驅(qū)動(dòng)功率 MOSFET 和 IGBT。該器件由一個(gè)接地基準(zhǔn)通道 （LO） 和一個(gè)浮動(dòng)通道
2025-10-10 14:58:35463 
UCC2773x 是一款 700V 半橋柵極驅(qū)動(dòng)器，具有 3.5A 源電流和 4A 灌電流能力，適用于驅(qū)動(dòng)功率 MOSFET 和 IGBT。該器件由一個(gè)接地基準(zhǔn)通道 （LO） 和一個(gè)浮動(dòng)通道 （HO
2025-10-10 15:05:041378 
，并集成了低壓差穩(wěn)壓器 (LDO)。這使得它們非常適合驅(qū)動(dòng)高速GaN。STDRIVEG210半橋柵極驅(qū)動(dòng)器具有針對快速啟動(dòng)和低功耗軟開關(guān)應(yīng)用量身定制的電源UVLO功能。高側(cè)穩(wěn)壓器的特點(diǎn)是喚醒時(shí)間非常短
2025-10-15 10:41:20437 
，并集成了低壓差穩(wěn)壓器 (LDO)。這使得它們非常適合驅(qū)動(dòng)高速GaN。STDRIVEG211半橋柵極驅(qū)動(dòng)器具有專為硬開關(guān)應(yīng)用設(shè)計(jì)的電源UVLO、防止交叉導(dǎo)通的互鎖功能以及集成SmartSD技術(shù)的過流
2025-10-15 10:46:11523 
DRV870xD-Q1 器件是小型半橋柵極驅(qū)動(dòng)器，使用兩個(gè)外部 N 溝道 MOSFET，用于驅(qū)動(dòng)單向有刷直流電機(jī)或螺線管負(fù)載。
PWM接口允許與控制器電路進(jìn)行簡單的接口。內(nèi)部檢測放大器提供可調(diào)
2025-10-16 14:35:31467 
DRV870xD-Q1 器件是小型半橋柵極驅(qū)動(dòng)器，使用兩個(gè)外部 N 溝道 MOSFET，用于驅(qū)動(dòng)單向有刷直流電機(jī)或螺線管負(fù)載。
PWM接口允許與控制器電路進(jìn)行簡單的接口。內(nèi)部檢測放大器提供可調(diào)
2025-10-16 14:39:58461 
STMicroelectronics STDRIVEG611半橋柵極驅(qū)動(dòng)器是用于N溝道增強(qiáng)模式GaN的高壓半橋柵極驅(qū)動(dòng)器。高側(cè)驅(qū)動(dòng)器部分設(shè)計(jì)能夠承受高達(dá)600V的電壓軌，并且可以輕松由集成自舉二極管
2025-10-16 17:42:30655 
STMicroelectronics STDRIVEG610半橋柵極驅(qū)動(dòng)器是高性能設(shè)備，專為在各種電源轉(zhuǎn)換應(yīng)用中驅(qū)動(dòng)N溝道MOSFET或IGBT設(shè)計(jì)。STMicroelectronics
2025-10-17 14:12:56390 
onsemi FAD8253MX-1半橋柵極驅(qū)動(dòng)器IC是一款單片式器件，專為高壓、高速驅(qū)動(dòng)、工作電壓高達(dá)+1200V的IGBT而設(shè)計(jì)。onsemi的高壓工藝和共模噪聲消除技術(shù)可使高驅(qū)動(dòng)器在高dV
2025-11-25 16:50:18607 
EiceDRIVER? 1200V高壓側(cè)和低壓側(cè)驅(qū)動(dòng)器.pdf 產(chǎn)品概述 這兩款驅(qū)動(dòng)器屬于2ED132x系列，專為控制半橋配置中最大阻斷電壓為+1200V的IGBT或SiC MOSFET功率器件而設(shè)計(jì)
2025-12-20 11:15:12666 Technologies EiceDRIVER? 1200V半橋柵極驅(qū)動(dòng)器.pdf 產(chǎn)品概述 這兩款器件屬于2ED132x系列，能夠在半橋配置中控制最大阻斷電壓為+1200V的IGBT或SiC MOSFET功率器件。其獨(dú)
2025-12-20 11:30:021309
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