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      標簽　>　igbt

      igbt

      igbt

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      IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優(yōu)點。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅動電流較大；MOSFET驅動功率很小，開關速度快，但導通壓降大，載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點，驅動功率小而飽和壓降低。非常適合應用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機、變頻器、開關電源、照明電路、牽引傳動等領域。

      文章：3176個 瀏覽：259408次 帖子：484個

      igbt資訊

      Vishay發(fā)布寬體IGBT和MOSFET驅動器 可用于高壓應用領域

      日前，Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出用于電機驅動、太陽能逆變器、新能源和焊接設備，以及...

      2014-03-25 標簽：MOSFETVishayIGBT 946 0

      國產(chǎn)IGBT功率器件步入快速發(fā)展階段

      在中國，為了適應大環(huán)境的需求，扶持相關企業(yè)的健康發(fā)展，國家在新能源、節(jié)能環(huán)保方面出臺了一系列支持性的政策措施，在政府和市場的雙重推動下，功率半導體行業(yè)正...

      2014-03-11 標簽：IGBT功率器件 1.8k 0

      IR推超高速IGBT 為感應加熱和軟開關應用作出優(yōu)化

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      2014-03-10 標簽：IRIGBT 1.9k 1

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      英飛凌科技股份公司推出單片集成逆導二極管的20A 1350V器件，再次擴充逆導（RC） 軟開關IGBT（絕緣柵雙極型晶體管）產(chǎn)品組合。新的20A RC-...

      2014-02-24 標簽：英飛凌IGBT 1.1k 0

      國家政策支持，中國功率半導體將迎來黃金發(fā)展期

      據(jù)中國半導體行業(yè)協(xié)會的相關人士透露，有關促進集成電路發(fā)展的綱要性文件已草擬完畢，目前正在進行部際協(xié)調(diào)。上證報資訊獲悉，政策扶持的重點將主要集中于集成電路...

      2014-01-21 標簽：IGBTSiC功率半導體 2.1k 0

      2013年度大事記：藍牙/IGBT/802.11p全面爆發(fā)

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      飛兆半導體是全球領先的高性能電源和移動半導體解決方案的提供商，其推出一系列1200 V溝槽型場截止IGBT。以硬開關工業(yè)應用為目標，如太陽能逆變器、不間...

      2013-12-05 標簽：飛兆半導體IGBT 1.4k 0

      利用安森美半導體IGBT實現(xiàn)高能效的高性能開關應用

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      今天，不論是用在工業(yè)領域還是民用產(chǎn)品的開關應用，絕緣柵雙極晶體管（IGBT）都可以提供有效的解決方案，以實現(xiàn)最終產(chǎn)品的高能效和高性能。在節(jié)能至上的市場上...

      2013-11-20 標簽：IGBT安森美半導體 1.3k 0

      揭秘IGBT市場成長的動力來源

      IGBT市場在2011~2012年少許反常性的下跌后，今年市場已回歸穩(wěn)定成長腳步。具體而言，市場預估將從今年的36億美元，在5年后達到60億美元。

      2013-11-11 標簽：IGBT馬達驅動器 1.6k 2

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