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電子發(fā)燒友網(wǎng)>電源/新能源>功率器件>飛兆半導(dǎo)體的1200V溝槽型場截止IGBT提供更快速的開關(guān)性能和改進(jìn)的可靠性

飛兆半導(dǎo)體的1200V溝槽型場截止IGBT提供更快速的開關(guān)性能和改進(jìn)的可靠性

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2012-09-13 10:08:172071

IR Gen8 1200V IGBT技術(shù)平臺為工業(yè)應(yīng)用提升效率及耐用

國際整流器公司 (International Rectifier,簡稱IR) 推出新一代絕緣閘雙極電晶體 (IGBT) 技術(shù)平臺。全新第八代 (Gen8) 1200V IGBT技術(shù)平臺利用IR新一代溝道閘極截止技術(shù),為工業(yè)及節(jié)能
2012-11-21 09:39:403382

半導(dǎo)體FSL1x系列FPS綠色模式電源開關(guān)

由于當(dāng)今的消費(fèi)類電子產(chǎn)品和家用電器變得越來越復(fù)雜,因此它們需要更佳的性能可靠性。半導(dǎo)體的(Fairchild Semiconductor)FSL1x系列FPS綠色模式電源開關(guān)有助于設(shè)計人員解決這些挑戰(zhàn)。
2013-02-02 10:34:191778

半導(dǎo)體推出FOD8318智能柵極驅(qū)動光電耦合器

半導(dǎo)體推出了具有有源米勒箝位功能的FOD8318智能柵極驅(qū)動光電耦合器。 該器件是一個先進(jìn)2.5A的輸出電流IGBT驅(qū)動光電耦合器,可驅(qū)動大部分1200V/150A IGBT。
2013-03-21 10:31:521719

半導(dǎo)體的陽極短路IGBT榮膺EPC十佳功率產(chǎn)品獎

半導(dǎo)體(紐約證券交易所代碼: FCS)——全球領(lǐng)先的高性能功率和移動半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商已榮膺《今日電子(EPC)》主辦的第11屆年度十佳DC-DC功率產(chǎn)品獎。這是自半導(dǎo)體將其高壓場截止陽極
2013-09-18 11:47:111028

英飛凌推出革命1200V碳化硅(SiC)MOSFET技術(shù) 助力電源轉(zhuǎn)換設(shè)計提升效率和性能

英飛凌全新1200V SiC MOSFET經(jīng)過優(yōu)化,兼具可靠性性能優(yōu)勢。它們在動態(tài)損耗方面樹立了新標(biāo)桿,相比1200V硅(Si)IGBT低了一個數(shù)量級。這在最初可以支持光伏逆變器、不間斷電源(UPS)或充電/儲能系統(tǒng)等應(yīng)用的系統(tǒng)改進(jìn),此后可將其范圍擴(kuò)大到工業(yè)變頻器。
2016-05-10 17:17:498625

安森美半導(dǎo)體進(jìn)一步擴(kuò)展IGBT系列推出基于第三代超截止技術(shù)的1200 V器件

  2016 年 5月10日- 推動高能效創(chuàng)新的安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor,美國納斯達(dá)克上市代號: ON),推出新系列絕緣柵雙極晶體管(IGBT),采用公司專有的超截止溝槽技術(shù)
2016-05-10 17:57:402271

1200V溝槽截止IGBT終端設(shè)計_陳天

1200V溝槽截止IGBT終端設(shè)計_陳天
2017-01-08 14:36:357

溝槽終止IGBT瞬態(tài)數(shù)學(xué)模型

溝槽終止代表了絕緣柵雙極晶體管(IGBT)的最新結(jié)構(gòu)。由于溝槽柵結(jié)構(gòu)與平面柵結(jié)構(gòu)在基區(qū)載流子輸運(yùn)、柵極結(jié)電容計算等方面存在較大的不同,沿用平面柵結(jié)構(gòu)的建模方法不可避免會存在較大的偏差
2018-02-01 14:25:100

英飛凌推出1200V SiC MOSFET 將提高可靠性和降低系統(tǒng)成本

大聯(lián)大旗下品佳代理的英飛凌(Infineon)推出革命1200V SiC MOSFET,使產(chǎn)品設(shè)計可以在功率密度和性能上達(dá)到前所未有的水平。它們將有助于電源轉(zhuǎn)換方案的開發(fā)人員節(jié)省空間、減輕重量、降低散熱要求,并提高可靠性和降低系統(tǒng)成本。
2018-04-23 16:18:004336

高頻應(yīng)用的高能效 新一代1200V TRENCHSTOP IGBT6發(fā)布

新一代1200V TRENCHSTOP? IGBT6專門針對開關(guān)頻率在15kHz以上的硬開關(guān)和諧振拓?fù)涠O(shè)計,可滿足其對更高能效以及更低導(dǎo)通損耗和開關(guān)損耗的要求.
2018-07-11 11:28:575622

深入分析了650V1200V第三代溝槽MOSFET

ROHM第三代碳化硅MOSFET特點(相比第二代)ROHM第三代設(shè)計應(yīng)用于650V1200V產(chǎn)品之中,包括分立或模組封裝。本報告深入分析了650V1200V第三代溝槽MOSFET,并利用光學(xué)顯微鏡和掃描電鏡研究復(fù)雜的碳化硅溝槽結(jié)構(gòu)。
2018-08-20 17:26:2910826

IntelliMAX智能負(fù)載開關(guān)提供高功效和先進(jìn)保護(hù)功能

的功率管理和電池開關(guān),以便提供更高的靈活性和電池可靠性半導(dǎo)體公司(Fairchild Semiconductor)的IntelliMAXTM系列先進(jìn)負(fù)載管理開關(guān)能夠幫助設(shè)計人員提高系統(tǒng)保護(hù)能力,減低設(shè)計復(fù)雜,同時達(dá)到更高的系統(tǒng)功率和可靠性。 半導(dǎo)體公司廣泛的IntelliM
2018-12-14 20:05:01556

ROHM新推基于AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)的四款車載用1200V耐壓IGBT“RGS系列”

ROHM新推出四款支持汽車電子產(chǎn)品可靠性標(biāo)準(zhǔn)AEC-Q101※1)的1200V耐壓IGBT“RGS系列”產(chǎn)品。
2019-05-13 18:30:571897

羅姆推車用級1200V耐壓IGBT 應(yīng)對電動汽車需求

據(jù)外媒報道,最近,日本羅姆半導(dǎo)體公司(ROHM)宣布新增兩款車用級1200V耐壓絕緣柵雙極晶體管(IGBT),此類晶體管非常適合用于電子壓縮機(jī)內(nèi)的逆變器,以及正溫度系數(shù)(PTC)加熱器中的開關(guān)電路。
2019-05-27 08:41:501845

滿足AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)的車載用1200V耐壓IGBT“RGS系列”

全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM(總部位于日本京都)新推出四款支持汽車電子產(chǎn)品可靠性標(biāo)準(zhǔn)AEC-Q101※1)的1200V耐壓IGBT“RGS系列”產(chǎn)品。
2019-05-29 15:15:505922

性能更優(yōu),可靠性更高的國產(chǎn)IGBT產(chǎn)品

(Insulated Gate Bipolar Transistor)做為功率半導(dǎo)體器件領(lǐng)域中的一顆耀眼明珠,以其自身優(yōu)越的性能在大、中功率產(chǎn)品中得到了廣泛的應(yīng)用。長期以來在逆變、變頻等領(lǐng)域,國際IGBT大廠一直占領(lǐng)主導(dǎo)地位。隨著國產(chǎn)IGBT性能的提高與可靠性的加強(qiáng),目前IGBT單管在工業(yè)領(lǐng)料(如充
2020-12-04 10:41:496972

適用于感應(yīng)加熱應(yīng)用的 Fairchilds 第二代截止、陽極短路、溝槽 IGBT

適用于感應(yīng)加熱應(yīng)用的 Fairchilds 第二代截止、陽極短路、溝槽 IGBT
2022-11-15 20:02:240

RGS系列:支持AEC-Q101的車載用1200V耐壓IGBT

ROHM新開發(fā)的“RGS系列”是滿足汽車電子產(chǎn)品可靠性標(biāo)準(zhǔn)AEC-Q101的1200V耐壓IGBT。此次推出的4款型號,傳導(dǎo)損耗非常低,非常有助于應(yīng)用的小型化與高效化。
2023-02-09 10:19:231199

安森美開發(fā)IGBT FS7開關(guān)平臺,應(yīng)用工業(yè)市場

,最大程度降低導(dǎo)通損耗和開關(guān)損耗。這些新器件旨在提高快速開關(guān)應(yīng)用能效,將主要用于 能源基礎(chǔ)設(shè)施應(yīng)用 ,如太陽能逆變器、不間斷電源(UPS)、儲能和電動汽車充電電源轉(zhuǎn)換。 新的1200V溝槽截止(FS7)IGBT在高開關(guān)頻率能源基礎(chǔ)設(shè)施應(yīng)用中 用于升壓電路提高
2023-03-22 14:50:03985

新品 | 1200V低阻值CoolSiC? MOSFET產(chǎn)品

新品CoolSiC1200VSiCMOSFET低歐姆產(chǎn)品CoolSiC1200VSiCMOSFET低歐姆產(chǎn)品,采用TO247封裝,建立在最先進(jìn)的溝槽半導(dǎo)體工藝上。經(jīng)過優(yōu)化,性能可靠性均有進(jìn)一步
2022-04-20 09:56:201544

凌銳半導(dǎo)體正式推出新一代1200V 18毫歐和35毫歐SiC MOS

2023年10月,凌銳半導(dǎo)體正式推出新一代1200V 18毫歐和35毫歐的SiC MOS。產(chǎn)品性能優(yōu)異,開關(guān)損耗更低、柵氧質(zhì)量更好、而且兼容15V和18V驅(qū)動,能夠滿足高可靠性、高性能的應(yīng)用需求。
2023-10-20 09:43:261670

瑞納斯半導(dǎo)體可靠性報告

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2023-12-19 15:22:001

半導(dǎo)體可靠性測試項目有哪些

半導(dǎo)體可靠性測試主要是為了評估半導(dǎo)體器件在實際使用過程中的可靠性和穩(wěn)定性。這些測試項目包括多種測試方法和技術(shù),以確保產(chǎn)品的性能、質(zhì)量和可靠性滿足設(shè)計規(guī)格和用戶需求。下面是關(guān)于半導(dǎo)體可靠性測試的詳細(xì)
2023-12-20 17:09:044341

英飛凌|1200V IGBT7和Emcon7可控更佳,助力提升變頻器系統(tǒng)性能(上)

本文介紹了針對電機(jī)驅(qū)動進(jìn)行優(yōu)化的全新1200 V IGBT和二極管技術(shù)。該IGBT結(jié)構(gòu)基于全新微溝槽技術(shù),與標(biāo)準(zhǔn)技術(shù)相比,可大幅減少靜態(tài)損耗,并具備高可控。而二極管因為優(yōu)化了截止設(shè)計,其振蕩發(fā)生
2024-01-09 14:24:501483

半導(dǎo)體可靠性手冊

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2024-03-04 09:35:44110

蓉矽半導(dǎo)體1200V SiC MOSFET通過車規(guī)級可靠性認(rèn)證

蓉矽半導(dǎo)體近日宣布,其自主研發(fā)的1200V 40mΩ SiC MOSFET產(chǎn)品NC1M120C40HT已順利通過AEC-Q101車規(guī)級測試和HV-H3TRB加嚴(yán)可靠性考核。這一里程碑式的成就不僅彰顯
2024-03-12 11:06:301587

1200V 15A溝槽IGBT JJT15N120SE數(shù)據(jù)手冊

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2024-04-10 15:23:450

1200V 25A溝槽IGBT JJT25N120SE數(shù)據(jù)手冊

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2024-04-10 16:59:080

1200V 40A溝槽IGBT JJT40N120HE數(shù)據(jù)手冊

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2024-04-10 17:11:310

1200V 40A溝槽IGBT JJT40N120SE數(shù)據(jù)手冊

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2024-04-10 17:14:080

1200V 40A溝槽IGBT JJT40N120UE數(shù)據(jù)手冊

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2024-04-10 17:16:100

1200V 75A溝槽IGBT JJT75N120HA數(shù)據(jù)手冊

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2024-04-10 18:02:380

1200V 75A溝槽IGBT JJT75N120SA數(shù)據(jù)手冊

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2024-04-10 18:05:173

ROHM推出第四代1200V IGBT

全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM(總部位于日本京都市)面向車載電動壓縮機(jī)、HV加熱器、工業(yè)設(shè)備用逆變器等應(yīng)用,開發(fā)出符合汽車電子產(chǎn)品可靠性標(biāo)準(zhǔn)AEC-Q101*1、1200V耐壓、實現(xiàn)了業(yè)界超低損耗和超高短路耐受能力*2的第4代IGBT*3。
2024-11-13 13:55:451374

深度了解第8代1800A/1200V IGBT功率模塊

本文介紹了為工業(yè)應(yīng)用設(shè)計的第8代1800A/1200V IGBT功率模塊,該功率模塊采用了先進(jìn)的第8代IGBT和二極管。與傳統(tǒng)功率模塊相比,該模塊采用了分段式柵極溝槽(SDA)結(jié)構(gòu),并通過可以控制
2024-11-14 14:59:192864

派恩杰半導(dǎo)體1200V 400A系列半橋62mm封裝模塊 內(nèi)置二極管提升高頻應(yīng)用可靠性

派恩杰半導(dǎo)體上新 ;1200V 400A系列半橋62mm封裝模塊,內(nèi)置二極管提升高頻應(yīng)用可靠性!
2025-03-24 10:11:323815

龍騰半導(dǎo)體推出1200V 50A IGBT

在功率器件快速發(fā)展的當(dāng)下,如何實現(xiàn)更低的損耗、更強(qiáng)的可靠性與更寬的應(yīng)用覆蓋,成為行業(yè)關(guān)注焦點。龍騰半導(dǎo)體推出**1200V 50A Field Stop Trench IGBT**新品,專為高頻應(yīng)用場景設(shè)計。依托先進(jìn)工藝平臺與系統(tǒng)化設(shè)計能力,為工業(yè)逆變、UPS、新能源等場景注入高效驅(qū)動力。
2025-04-29 14:43:471044

納微半導(dǎo)體推出采用HV-T2Pak封裝的全新碳化硅MOSFET

納微半導(dǎo)體 (納斯達(dá)克股票代碼: NVTS) 今日推出一種全新的可靠性標(biāo)準(zhǔn),以滿足最嚴(yán)苛汽車及工業(yè)應(yīng)用的系統(tǒng)壽命要求。納微最新一代650V1200V溝槽輔助平面柵”碳化硅MOSFET,搭配優(yōu)化的HV-T2Pak頂部散熱封裝,實現(xiàn)行業(yè)最高6.45mm爬電距離,可滿足1200V以下應(yīng)用的IEC合規(guī)。
2025-05-14 15:39:301342

半導(dǎo)體測試可靠性測試設(shè)備

半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中,可靠性測試設(shè)備如同產(chǎn)品質(zhì)量的 “守門員”,通過模擬各類嚴(yán)苛環(huán)境,對半導(dǎo)體器件的長期穩(wěn)定性和可靠性進(jìn)行評估,確保其在實際使用中能穩(wěn)定運(yùn)行。以下為你詳細(xì)介紹常見的半導(dǎo)體測試可靠性測試設(shè)備。
2025-05-15 09:43:181022

揚(yáng)杰科技DGW40N120CTLQ IGBT模塊:高性能可靠性的完美結(jié)合

?在現(xiàn)代電力電子應(yīng)用中,IGBT(絕緣柵雙極晶體管)作為核心功率開關(guān)器件,其性能直接影響整個系統(tǒng)的效率和可靠性。揚(yáng)杰科技推出的DGW40N120CTLQ IGBT模塊憑借其優(yōu)異的電氣特性和堅固
2025-06-26 13:53:201104

意法半導(dǎo)體高效大功率三相逆變器解決方案概述

1200V STGSH50M120D將采用半橋配置的二極管和IGBT集成在一個ACEPACK SMIT封裝中。該器件將M系列溝槽柵極截止IGBT的穩(wěn)健與頂部冷卻ACEPACK SMIT表面貼裝封裝出色的可靠性和散熱性能相結(jié)合。
2025-07-11 17:32:411863

揚(yáng)杰科技推出新一代To-247PLUS封裝1200V IGBT單管

揚(yáng)杰科技近日推出了新一代 To-247PLUS 封裝1200V IGBT單管,產(chǎn)品采用新一代微溝槽工藝平臺,極大的優(yōu)化了器件的導(dǎo)通損耗,產(chǎn)品參數(shù)一致好,可靠性優(yōu)良,適用于伺服、變頻器等各類中低頻應(yīng)用領(lǐng)域。
2025-09-18 18:01:392486

IGBT單管FHA25T120A在電焊機(jī)設(shè)計中的應(yīng)用

在電焊機(jī)應(yīng)用中,IGBT單管的耐壓能力、開關(guān)特性、導(dǎo)通損耗和可靠性直接影響整機(jī)的焊接性能、能耗水平和使用壽命。半導(dǎo)體推出的FHA25T120A(TO-247封裝)是一款專為電焊機(jī)優(yōu)化的溝槽
2025-11-28 13:50:051597

探索FGHL50T65MQDT:650V、50A截止溝槽IGBT的卓越性能

在電子工程領(lǐng)域,IGBT(絕緣柵雙極晶體管)一直是功率轉(zhuǎn)換和控制應(yīng)用中的關(guān)鍵組件。今天,我們將深入探討ON Semiconductor推出的FGHL50T65MQDT截止溝槽IGBT,這款產(chǎn)品憑借其出色的性能和特性,在眾多應(yīng)用中展現(xiàn)出了巨大的潛力。
2025-12-08 11:21:421491

深入解析 FGHL50T65MQDTL4:650V、50A 截止溝槽 IGBT

在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域,IGBT(絕緣柵雙極晶體管)一直扮演著至關(guān)重要的角色。今天要給大家詳細(xì)介紹的是安森美(onsemi)的一款 650V、50A 的截止溝槽 IGBT
2025-12-08 11:35:351611

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