標(biāo)準(zhǔn)。安森美(onsemi)作為一家半導(dǎo)體供應(yīng)商,為高要求的應(yīng)用提供能在惡劣環(huán)境下運(yùn)行的產(chǎn)品,且這些產(chǎn)品達(dá)到了高品質(zhì)和高可靠性。之前我們分享了如何對IGBT進(jìn)行可靠性測試,今天我們來介紹如何通過可靠性審核程序確保IGBT的產(chǎn)品可靠性。
2024-01-25 10:21:16
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美高森美公司(Microsemi Corporation,紐約納斯達(dá)克交易所代號:MSCC) 推出新一代1200V非穿通型(non-punch through,NPT) IGBT系列中的首款產(chǎn)品。
2012-05-18 09:25:34
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飛兆半導(dǎo)體近日舉行了2012年度的北京媒體交流培訓(xùn)活動,會上,飛兆半導(dǎo)體中國區(qū)銷售總監(jiān)王劍,技術(shù)經(jīng)理陳立烽,高級應(yīng)用經(jīng)理曹巍向媒體朋友介紹了飛兆半導(dǎo)體在功率半導(dǎo)體和移動
2012-08-26 11:08:50
1171 飛兆半導(dǎo)體公司(Fairchild Semiconductor)已經(jīng)擴(kuò)充其短路額定IGBT產(chǎn)品組合,為電機(jī)驅(qū)動設(shè)計者提供更高的效率、功率密度和可靠性,以便支持低損耗和短路耐用性至關(guān)重要的三相電機(jī)驅(qū)動應(yīng)用
2012-09-10 09:59:45
880 應(yīng)用于高能效電子產(chǎn)品的首要高性能硅方案供應(yīng)商安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor,美國納斯達(dá)克上市代號:ONNN)擴(kuò)充NGBTxx系列1,200伏(V)溝槽型場截止(FS)絕緣門雙極晶體管(IGBT)器
2012-10-24 13:48:39
1042 全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier,簡稱IR) 推出新一代絕緣柵雙極型晶體管 (IGBT) 技術(shù)平臺。全新第八代 (Gen8) 1200V IGBT技術(shù)平臺采用
2012-11-17 10:40:17
1973 飛兆半導(dǎo)體的高電壓場截止陽極短路(Shorted Anode) trench IGBT可針對IH電飯煲、臺式電磁爐和基于逆變器的微波爐等應(yīng)用中實現(xiàn)更高的效率和系統(tǒng)可靠性,為設(shè)計人員提供經(jīng)濟(jì)實惠且高效的解決方案。
2013-01-29 13:48:08
1150 IGBT是感應(yīng)加熱系統(tǒng)中的關(guān)鍵功率半導(dǎo)體器件,采用合適的IGBT能夠提供低功率損耗以實現(xiàn)高效率,同時具備高可靠性以便電磁爐在壽命期內(nèi)正常工作。
2014-09-05 13:59:44
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本文專門探討實現(xiàn)高可靠性電源的半導(dǎo)體解決方案,這類電源提供冗余、電路保護(hù)和遠(yuǎn)程系統(tǒng)管理。本文將突出顯示,半導(dǎo)體技術(shù)的改進(jìn)和新的安全功能怎樣簡化了設(shè)計,并提高了組件的可靠性。
2017-10-20 14:02:10
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基本半導(dǎo)體1200V 碳化硅MOSFET采用平面柵碳化硅工藝,結(jié)合元胞鎮(zhèn)流電阻設(shè)計,開發(fā)出了短路耐受時間長,導(dǎo)通電阻小,閾值電壓穩(wěn)定的1200V系列性能卓越的碳化硅MOSFET。
2019-01-17 15:40:03
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MOSFET、600V~1350V溝槽柵場截止型IGBT,相關(guān)核心技術(shù)已獲得多項專利授權(quán),四大系列產(chǎn)品均獲得江蘇省高新技術(shù)產(chǎn)品認(rèn)定。
l 深圳芯能
成立時間:2013年
業(yè)務(wù)模式:設(shè)計
簡介:深圳芯能半導(dǎo)體
2023-10-16 11:00:14
二極管本器件采用了最新的半導(dǎo)體技術(shù)[1、2]:IGBT4和EmCon4二極管。英飛凌推出的全新1200V IGBT4系列,結(jié)合改進(jìn)型發(fā)射極控制二極管,針對高中低功率應(yīng)用提供了三款產(chǎn)品,可面向不同應(yīng)用滿足
2018-12-07 10:23:42
數(shù)量的功率循環(huán)。利用Coffin Manson定律可得出負(fù)載變化能力的數(shù)學(xué)近似值。圖6顯示了英飛凌在不同結(jié)溫波動條件下的功率循環(huán)曲線。該曲線適用于1200V和1700V IGBT模塊的最新溝槽柵場截止
2018-12-04 09:57:08
式和半橋電路的開關(guān)管承壓僅為輸入電源電壓,60降額時選用600V的開關(guān)管比較容易,而且不會出現(xiàn)單向偏磁飽和的問題,一般來說這三種拓?fù)湓诟邏狠斎腚娐分械玫綇V泛的應(yīng)用?! ?、電源設(shè)備可靠性熱設(shè)計技術(shù)
2018-09-25 18:10:52
隨著半導(dǎo)體工藝復(fù)雜度提升,可靠性要求與測試成本及時間之間的矛盾日益凸顯。晶圓級可靠性(Wafer Level Reliability, WLR)技術(shù)通過直接在未封裝晶圓上施加加速應(yīng)力,實現(xiàn)快速
2025-05-07 20:34:21
2MΩ 的放電電阻,功耗可降低多達(dá) 30mW。 圖5.AX-CAP? 放電功能的實驗結(jié)果V.結(jié)論創(chuàng)新的 AX-CAP? 放電功能是飛兆半導(dǎo)體 mWSaver? 技術(shù)中其中一項功能,在需要較大 EMI
2012-11-24 15:24:47
的強(qiáng)勁需求。飛兆半導(dǎo)體移動、計算、消費(fèi)和通信部門 (MCCC) 業(yè)務(wù)錄得3%的連續(xù)增長,這反映了其關(guān)鍵終端市場通常的季節(jié)性大幅增長。飛兆半導(dǎo)體繼續(xù)獲益于工業(yè)、電器、汽車和替代能源市場領(lǐng)域的銷售增長
2011-07-31 08:51:14
架構(gòu)加上脈沖頻率調(diào)制(PFM)特性,可提供最高的輕載效率。 額外的優(yōu)化有助于改進(jìn)熱性能和系統(tǒng)魯棒性: 采用飛兆半導(dǎo)體公司的PowerTrench MOSFET屏蔽柵極技術(shù),具有更少的開關(guān)節(jié)點振鈴
2018-09-27 10:49:52
效率)。這些柵極驅(qū)動光耦合器的峰值工作電壓高達(dá) 1414V,能夠配合高壓IGBT?! ?b class="flag-6" style="color: red">飛兆半導(dǎo)體是光電子產(chǎn)品的領(lǐng)先供應(yīng)商,提供廣泛的封裝平臺并集成各種不同的輸入和輸出配置組合,飛兆半導(dǎo)體提供用于低頻
2012-12-06 16:16:33
二極管該模塊采用了最新的半導(dǎo)體技術(shù)芯片[1、2]:IGBT4和Emitter controlled 4二極管。英飛凌推出的全新1200V IGBT4系列,結(jié)合改進(jìn)型發(fā)射極控制二極管,針對高中低功率應(yīng)用提供
2018-12-03 13:49:12
(UPS),全半橋拓?fù)浜椭行渣c鉗位拓?fù)?。它可以支持需?b class="flag-6" style="color: red">1200V解決方案的客戶,并從TO-247-4L封裝所提供的減少Eon開關(guān)損耗中獲益?! “采?b class="flag-6" style="color: red">半導(dǎo)體的TO-247-4L Field Stop II
2020-07-07 08:40:25
問題。(※在SBD和MOSFET的第一象限工作中不會發(fā)生這類問題)ROHM通過開發(fā)不會擴(kuò)大堆垛層錯的獨特工藝,成功地確保了體二極管通電的可靠性。在1200V 80Ω的第二代SiC MOSFET產(chǎn)品中,實施了
2018-11-30 11:30:41
的區(qū)別請參考:PT,NPT,F(xiàn)S型IGBT的區(qū)別)。技能:低導(dǎo)通壓降,125℃工作結(jié)溫(600V器件為150℃),開關(guān)性能優(yōu)化得益于場截止以及溝槽型元胞,IGBT3的通態(tài)壓降更低,典型的Vce(sat
2021-05-26 10:19:23
) IGBT與非穿通(NPT)型IGBT(圖3 a與b),過渡到目前國際最新的溝槽柵場截止(Trench+FS)技術(shù)(圖3 c)。針對焊機(jī)產(chǎn)品的1200V系列正是采用了這一最新技術(shù)。相對于PT和NPT
2014-08-13 09:01:33
一定的短路能力。下表是派恩杰半導(dǎo)體部分產(chǎn)品短路能力:表1 1200V/650V MOSFET器件短路耐量派恩杰半導(dǎo)體針對柵極的可靠性是嚴(yán)格按照AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)進(jìn)行,在柵極分別加負(fù)壓和正壓(-4V
2022-03-29 10:58:06
流能力。 新的1200 V產(chǎn)品配置為900 A相臂(半橋)IGBT模塊,提供出色的安全工作區(qū)(SOA)和過熱能力。在同類產(chǎn)品中,LoPak 的獨特優(yōu)勢在于強(qiáng)大的電氣性能和高可靠性方面的專業(yè)知識
2023-02-22 16:58:24
,半導(dǎo)體技術(shù)的改進(jìn)和新的安全功能怎樣簡化了設(shè)計,并提高了組件的可靠性。 高可靠性電源系統(tǒng)的要求 在理想的世界里,高可靠性系統(tǒng)應(yīng)該設(shè)計為能夠避免單點失效,有辦法在保持運(yùn)行 (但也許是在降低的性能水平
2018-10-17 16:55:21
法半導(dǎo)體的SLLIMM-nano產(chǎn)品家族新增兩種不同的功率開關(guān)技術(shù): · IGBT: IGBT: 3/5/8 A、600 V內(nèi)置超高速二極管的PowerMESH? 和溝槽場截止IGBT
2018-11-20 10:52:44
高可靠性系統(tǒng)設(shè)計包括使用容錯設(shè)計方法和選擇適合的組件,以滿足預(yù)期環(huán)境條件并符合標(biāo)準(zhǔn)要求。本文專門探討實現(xiàn)高可靠性電源的半導(dǎo)體解決方案,這類電源提供冗余、電路保護(hù)和遠(yuǎn)程系統(tǒng)管理。本文將突出顯示,半導(dǎo)體技術(shù)的改進(jìn)和新的安全功能怎樣簡化了設(shè)計,并提高了組件的可靠性。
2019-07-25 07:28:32
高可靠性系統(tǒng)設(shè)計包括使用容錯設(shè)計方法和選擇適合的組件,以滿足預(yù)期環(huán)境條件并符合標(biāo)準(zhǔn)要求。本文專門探討實現(xiàn)高可靠性電源的半導(dǎo)體解決方案,這類電源提供冗余、電路保護(hù)和遠(yuǎn)程系統(tǒng)管理。本文將突出顯示,半導(dǎo)體技術(shù)的改進(jìn)和新的安全功能怎樣簡化了設(shè)計,并提高了組件的可靠性。
2021-03-18 07:49:20
半導(dǎo)體陣容的包括用于主逆變器的650 V至1200V IGBT、1200 V SiC二極管、用于充電器的650 V超級結(jié)MOSFET、用于48V系統(tǒng)的80 V至200 V極低RDSon(< 1m
2018-10-25 08:53:48
現(xiàn)如今,電子產(chǎn)品的質(zhì)量不可或缺的兩大性能——技術(shù)性和可靠性。作為一個成功電子產(chǎn)品的出臺,兩方面的綜合水平影響著產(chǎn)品質(zhì)量。電源作為一個電子系統(tǒng)中重要的部件,其可靠性決定了整個系統(tǒng)的安全性能,開關(guān)
2018-10-09 14:11:30
隨著功率電子和半導(dǎo)體技術(shù)的快速進(jìn)步,各類電力電子應(yīng)用都開始要求用專門、專業(yè)的半導(dǎo)體開關(guān)器件,以實現(xiàn)成本和性能的共贏。與傳統(tǒng)的非穿通(NPT) IGBT相比,場截止(FS) IGBT進(jìn)一步降低
2018-09-30 16:10:52
由于碳化硅具有不可比擬的優(yōu)良性能,碳化硅是寬禁帶半導(dǎo)體材料的一種,主要特點是高熱導(dǎo)率、高飽和以及電子漂移速率和高擊場強(qiáng)等,因此被應(yīng)用于各種半導(dǎo)體材料當(dāng)中,碳化硅器件主要包括功率二極管和功率開關(guān)管
2020-06-28 17:30:27
°C。系統(tǒng)可靠性大大增強(qiáng),穩(wěn)定的超快速本體二極管,因此無需外部續(xù)流二極管。三、碳化硅半導(dǎo)體廠商SiC電力電子器件的產(chǎn)業(yè)化主要以德國英飛凌、美國Cree公司、GE、ST意法半導(dǎo)體體和日本羅姆公司、豐田
2023-02-20 15:15:50
了漂移區(qū)的摻雜濃度從而降低耐壓嗎?2、為什么電場由三角形變?yōu)樘菪慰梢灾恍栎^薄的漂移區(qū)就可以提升耐壓?3、為什么單極型的MOSFET沒有FS層,而雙極型的FRD和IGBT都有用到場截止層?為什么場截止層
2020-02-20 14:26:40
機(jī)械溫控開關(guān)的可靠性有多少?我看溫控開關(guān)的體積很小,價格便宜,可以用于一些溫度控制方面,不過可靠性有多少呢?
2023-10-31 06:37:26
和Tvjop=125°C、cos(?)=1。除了標(biāo)準(zhǔn)操作,這種設(shè)計還必須具備結(jié)實耐用性,能夠承受故障。功率半導(dǎo)體數(shù)據(jù)表中的參數(shù)值是硬短路電流(ISC)的規(guī)范。短路魯棒性盡管場終止型IGBT相對于非穿通型
2018-12-07 10:16:11
-發(fā)射極飽和電壓(VCE(SAT))的負(fù)溫度系數(shù)會帶來較高的熱逸潰風(fēng)險。1999年,半導(dǎo)體行業(yè)通過采用同質(zhì)原料和工藝創(chuàng)新,改善了IGBT的制造成本,結(jié)果成就了“非穿通型”(NPT)IGBT。這些器件支持
2018-12-03 13:47:00
40A、1200V絕緣柵雙極型晶體管 SGTP40V120FDB2P7-IGBT模塊一、描述SGTP40V120FDB2P7絕緣柵雙極型晶體管采用士蘭微電子第五代場截止(Field
2024-10-23 09:22:18
25A、1200V絕緣柵雙極型晶體管 SGT25U120FD1P7-IGBT單管 一、描述SGT25U120FD1P7絕緣柵雙極型晶體管采用士蘭微電子場截止4Plus
2024-10-23 09:31:20
飛兆半導(dǎo)體的光耦合器為工業(yè)現(xiàn)場總線通信提供出色的隔離性能
具有同級最佳的抗噪性能
飛兆半導(dǎo)體公司 (Fairchild Semiconductor) 為工業(yè)系統(tǒng)設(shè)計人員提供一款具
2009-05-08 10:50:59
522 IR針對汽車應(yīng)用推出1200V絕緣IGBT AUIRG7CH80K6B-M
國際整流器公司 (International Rectifier,簡稱IR) 推出采用焊前金屬 (Solderable Front Metal,SFM) 的 1200V 絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) AUIRG7
2009-11-19 08:49:32
955 飛兆半導(dǎo)體MicroFET™采用薄型封裝
飛兆半導(dǎo)體公司(Farichild Semiconductor)宣布其MicroFET現(xiàn)推出行業(yè)領(lǐng)先的薄型封裝版本,幫助設(shè)計人員提升其設(shè)計性能。飛兆半導(dǎo)體與設(shè)計工
2009-11-21 08:58:55
675 飛兆半導(dǎo)體中國團(tuán)隊提供創(chuàng)新高效解決方案
飛兆半導(dǎo)體公司(Fairchild Semiconductor)位于深圳、上海和臺北的全球功率資源中心(Global Power ResourceSM Center, GPRC)宣布為廣
2009-12-23 17:45:33
1045 飛兆半導(dǎo)體擴(kuò)展3.3V光電耦合器精選產(chǎn)品
飛兆半導(dǎo)體公司(Fairchild Semiconductor)響應(yīng)市場對3.3V光電耦合器解決方案的不斷增長的需求,開發(fā)了能夠提供出色的隔離性能、
2010-02-23 09:19:02
1011 FAN73933-飛兆半導(dǎo)體全新高壓柵極驅(qū)動器IC提供更佳抗噪能力和性能
馬達(dá)驅(qū)動逆變器、分布式電
2010-09-17 12:48:46
1325 華潤上華已開發(fā)完成1200V Trench NPT IGBT(溝槽非穿通型絕緣柵雙極晶體管)工藝平臺,各項參數(shù)均達(dá)到設(shè)計要求,成功進(jìn)入Trench IGBT代工市場。
2011-03-31 09:23:06
1844 太陽能功率逆變器、不間斷電源(UPS)以及焊接應(yīng)用的設(shè)計人員面臨提高能效,滿足散熱法規(guī),同時減少元件數(shù)目的挑戰(zhàn)。有鑒于此,飛兆半導(dǎo)體公司(Fairchild Semiconductor)開發(fā)了一
2012-03-28 09:07:16
1196 功率、安全性、可靠度和效能差異化半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商美高森美公司(Microsemi) 宣佈其新一代1200V非貫穿型(non-punch through,NPT)系列的叁款IGBT新產(chǎn)品
2012-09-13 10:08:17
2071 
國際整流器公司 (International Rectifier,簡稱IR) 推出新一代絕緣閘雙極電晶體 (IGBT) 技術(shù)平臺。全新第八代 (Gen8) 1200V IGBT技術(shù)平臺利用IR新一代溝道閘極場截止技術(shù),為工業(yè)及節(jié)能
2012-11-21 09:39:40
3382 由于當(dāng)今的消費(fèi)類電子產(chǎn)品和家用電器變得越來越復(fù)雜,因此它們需要更佳的性能和可靠性。飛兆半導(dǎo)體的(Fairchild Semiconductor)FSL1x系列FPS綠色模式電源開關(guān)有助于設(shè)計人員解決這些挑戰(zhàn)。
2013-02-02 10:34:19
1778 飛兆半導(dǎo)體推出了具有有源米勒箝位功能的FOD8318智能柵極驅(qū)動光電耦合器。 該器件是一個先進(jìn)2.5A的輸出電流IGBT驅(qū)動光電耦合器,可驅(qū)動大部分1200V/150A IGBT。
2013-03-21 10:31:52
1719 飛兆半導(dǎo)體(紐約證券交易所代碼: FCS)——全球領(lǐng)先的高性能功率和移動半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商已榮膺《今日電子(EPC)》主辦的第11屆年度十佳DC-DC功率產(chǎn)品獎。這是自飛兆半導(dǎo)體將其高壓場截止陽極
2013-09-18 11:47:11
1028 英飛凌全新1200V SiC MOSFET經(jīng)過優(yōu)化,兼具可靠性與性能優(yōu)勢。它們在動態(tài)損耗方面樹立了新標(biāo)桿,相比1200V硅(Si)IGBT低了一個數(shù)量級。這在最初可以支持光伏逆變器、不間斷電源(UPS)或充電/儲能系統(tǒng)等應(yīng)用的系統(tǒng)改進(jìn),此后可將其范圍擴(kuò)大到工業(yè)變頻器。
2016-05-10 17:17:49
8625 2016 年 5月10日- 推動高能效創(chuàng)新的安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor,美國納斯達(dá)克上市代號: ON),推出新系列絕緣柵雙極晶體管(IGBT),采用公司專有的超場截止溝槽技術(shù)
2016-05-10 17:57:40
2271 1200V溝槽柵場截止型IGBT終端設(shè)計_陳天
2017-01-08 14:36:35
7 溝槽柵場終止型代表了絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)的最新結(jié)構(gòu)。由于溝槽柵結(jié)構(gòu)與平面柵結(jié)構(gòu)在基區(qū)載流子輸運(yùn)、柵極結(jié)電容計算等方面存在較大的不同,沿用平面柵結(jié)構(gòu)的建模方法不可避免會存在較大的偏差
2018-02-01 14:25:10
0 大聯(lián)大旗下品佳代理的英飛凌(Infineon)推出革命性的1200V SiC MOSFET,使產(chǎn)品設(shè)計可以在功率密度和性能上達(dá)到前所未有的水平。它們將有助于電源轉(zhuǎn)換方案的開發(fā)人員節(jié)省空間、減輕重量、降低散熱要求,并提高可靠性和降低系統(tǒng)成本。
2018-04-23 16:18:00
4336 
新一代1200V TRENCHSTOP? IGBT6專門針對開關(guān)頻率在15kHz以上的硬開關(guān)和諧振拓?fù)涠O(shè)計,可滿足其對更高能效以及更低導(dǎo)通損耗和開關(guān)損耗的要求.
2018-07-11 11:28:57
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ROHM第三代碳化硅MOSFET特點(相比第二代)ROHM第三代設(shè)計應(yīng)用于650V和1200V產(chǎn)品之中,包括分立或模組封裝。本報告深入分析了650V和1200V第三代溝槽MOSFET,并利用光學(xué)顯微鏡和掃描電鏡研究復(fù)雜的碳化硅溝槽結(jié)構(gòu)。
2018-08-20 17:26:29
10826 的功率管理和電池開關(guān),以便提供更高的靈活性和電池可靠性。飛兆半導(dǎo)體公司(Fairchild Semiconductor)的IntelliMAXTM系列先進(jìn)負(fù)載管理開關(guān)能夠幫助設(shè)計人員提高系統(tǒng)保護(hù)能力,減低設(shè)計復(fù)雜性,同時達(dá)到更高的系統(tǒng)功率和可靠性。 飛兆半導(dǎo)體公司廣泛的IntelliM
2018-12-14 20:05:01
556 ROHM新推出四款支持汽車電子產(chǎn)品可靠性標(biāo)準(zhǔn)AEC-Q101※1)的1200V耐壓IGBT“RGS系列”產(chǎn)品。
2019-05-13 18:30:57
1897 據(jù)外媒報道,最近,日本羅姆半導(dǎo)體公司(ROHM)宣布新增兩款車用級1200V耐壓絕緣柵雙極型晶體管(IGBT),此類晶體管非常適合用于電子壓縮機(jī)內(nèi)的逆變器,以及正溫度系數(shù)(PTC)加熱器中的開關(guān)電路。
2019-05-27 08:41:50
1845 全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM(總部位于日本京都)新推出四款支持汽車電子產(chǎn)品可靠性標(biāo)準(zhǔn)AEC-Q101※1)的1200V耐壓IGBT“RGS系列”產(chǎn)品。
2019-05-29 15:15:50
5922 (Insulated Gate Bipolar Transistor)做為功率半導(dǎo)體器件領(lǐng)域中的一顆耀眼明珠,以其自身優(yōu)越的性能在大、中功率產(chǎn)品中得到了廣泛的應(yīng)用。長期以來在逆變、變頻等領(lǐng)域,國際IGBT大廠一直占領(lǐng)主導(dǎo)地位。隨著國產(chǎn)IGBT性能的提高與可靠性的加強(qiáng),目前IGBT單管在工業(yè)領(lǐng)料(如充
2020-12-04 10:41:49
6972 適用于感應(yīng)加熱應(yīng)用的 Fairchilds 第二代場截止、陽極短路、溝槽 IGBT
2022-11-15 20:02:24
0 ROHM新開發(fā)的“RGS系列”是滿足汽車電子產(chǎn)品可靠性標(biāo)準(zhǔn)AEC-Q101的1200V耐壓IGBT。此次推出的4款型號,傳導(dǎo)損耗非常低,非常有助于應(yīng)用的小型化與高效化。
2023-02-09 10:19:23
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,最大程度降低導(dǎo)通損耗和開關(guān)損耗。這些新器件旨在提高快速開關(guān)應(yīng)用能效,將主要用于 能源基礎(chǔ)設(shè)施應(yīng)用 ,如太陽能逆變器、不間斷電源(UPS)、儲能和電動汽車充電電源轉(zhuǎn)換。 新的1200V溝槽型場截止(FS7)IGBT在高開關(guān)頻率能源基礎(chǔ)設(shè)施應(yīng)用中 用于升壓電路提高
2023-03-22 14:50:03
985 新品CoolSiC1200VSiCMOSFET低歐姆產(chǎn)品CoolSiC1200VSiCMOSFET低歐姆產(chǎn)品,采用TO247封裝,建立在最先進(jìn)的溝槽柵半導(dǎo)體工藝上。經(jīng)過優(yōu)化,性能和可靠性均有進(jìn)一步
2022-04-20 09:56:20
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2023年10月,凌銳半導(dǎo)體正式推出新一代1200V 18毫歐和35毫歐的SiC MOS。產(chǎn)品性能優(yōu)異,開關(guān)損耗更低、柵氧質(zhì)量更好、而且兼容15V和18V驅(qū)動,能夠滿足高可靠性、高性能的應(yīng)用需求。
2023-10-20 09:43:26
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2023-12-19 15:22:00
1 半導(dǎo)體可靠性測試主要是為了評估半導(dǎo)體器件在實際使用過程中的可靠性和穩(wěn)定性。這些測試項目包括多種測試方法和技術(shù),以確保產(chǎn)品的性能、質(zhì)量和可靠性滿足設(shè)計規(guī)格和用戶需求。下面是關(guān)于半導(dǎo)體可靠性測試的詳細(xì)
2023-12-20 17:09:04
4341 本文介紹了針對電機(jī)驅(qū)動進(jìn)行優(yōu)化的全新1200 V IGBT和二極管技術(shù)。該IGBT結(jié)構(gòu)基于全新微溝槽技術(shù),與標(biāo)準(zhǔn)技術(shù)相比,可大幅減少靜態(tài)損耗,并具備高可控性。而二極管因為優(yōu)化了場截止設(shè)計,其振蕩發(fā)生
2024-01-09 14:24:50
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2024-03-04 09:35:44
110 蓉矽半導(dǎo)體近日宣布,其自主研發(fā)的1200V 40mΩ SiC MOSFET產(chǎn)品NC1M120C40HT已順利通過AEC-Q101車規(guī)級測試和HV-H3TRB加嚴(yán)可靠性考核。這一里程碑式的成就不僅彰顯
2024-03-12 11:06:30
1587 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《1200V 15A溝槽和場阻IGBT JJT15N120SE數(shù)據(jù)手冊.pdf》資料免費(fèi)下載
2024-04-10 15:23:45
0 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《1200V 25A溝槽和場阻IGBT JJT25N120SE數(shù)據(jù)手冊.pdf》資料免費(fèi)下載
2024-04-10 16:59:08
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2024-04-10 17:11:31
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2024-04-10 17:16:10
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2024-04-10 18:02:38
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2024-04-10 18:05:17
3 全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM(總部位于日本京都市)面向車載電動壓縮機(jī)、HV加熱器、工業(yè)設(shè)備用逆變器等應(yīng)用,開發(fā)出符合汽車電子產(chǎn)品可靠性標(biāo)準(zhǔn)AEC-Q101*1、1200V耐壓、實現(xiàn)了業(yè)界超低損耗和超高短路耐受能力*2的第4代IGBT*3。
2024-11-13 13:55:45
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本文介紹了為工業(yè)應(yīng)用設(shè)計的第8代1800A/1200V IGBT功率模塊,該功率模塊采用了先進(jìn)的第8代IGBT和二極管。與傳統(tǒng)功率模塊相比,該模塊采用了分段式柵極溝槽(SDA)結(jié)構(gòu),并通過可以控制
2024-11-14 14:59:19
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派恩杰半導(dǎo)體上新 ;1200V 400A系列半橋62mm封裝模塊,內(nèi)置二極管提升高頻應(yīng)用可靠性!
2025-03-24 10:11:32
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在功率器件快速發(fā)展的當(dāng)下,如何實現(xiàn)更低的損耗、更強(qiáng)的可靠性與更寬的應(yīng)用覆蓋,成為行業(yè)關(guān)注焦點。龍騰半導(dǎo)體推出**1200V 50A Field Stop Trench IGBT**新品,專為高頻應(yīng)用場景設(shè)計。依托先進(jìn)工藝平臺與系統(tǒng)化設(shè)計能力,為工業(yè)逆變、UPS、新能源等場景注入高效驅(qū)動力。
2025-04-29 14:43:47
1044 納微半導(dǎo)體 (納斯達(dá)克股票代碼: NVTS) 今日推出一種全新的可靠性標(biāo)準(zhǔn),以滿足最嚴(yán)苛汽車及工業(yè)應(yīng)用的系統(tǒng)壽命要求。納微最新一代650V與1200V“溝槽輔助平面柵”碳化硅MOSFET,搭配優(yōu)化的HV-T2Pak頂部散熱封裝,實現(xiàn)行業(yè)最高6.45mm爬電距離,可滿足1200V以下應(yīng)用的IEC合規(guī)性。
2025-05-14 15:39:30
1342 在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中,可靠性測試設(shè)備如同產(chǎn)品質(zhì)量的 “守門員”,通過模擬各類嚴(yán)苛環(huán)境,對半導(dǎo)體器件的長期穩(wěn)定性和可靠性進(jìn)行評估,確保其在實際使用中能穩(wěn)定運(yùn)行。以下為你詳細(xì)介紹常見的半導(dǎo)體測試可靠性測試設(shè)備。
2025-05-15 09:43:18
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?在現(xiàn)代電力電子應(yīng)用中,IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)作為核心功率開關(guān)器件,其性能直接影響整個系統(tǒng)的效率和可靠性。揚(yáng)杰科技推出的DGW40N120CTLQ IGBT模塊憑借其優(yōu)異的電氣特性和堅固
2025-06-26 13:53:20
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1200V STGSH50M120D將采用半橋配置的二極管和IGBT集成在一個ACEPACK SMIT封裝中。該器件將M系列溝槽柵極場截止IGBT的穩(wěn)健性與頂部冷卻ACEPACK SMIT表面貼裝封裝出色的可靠性和散熱性能相結(jié)合。
2025-07-11 17:32:41
1863 揚(yáng)杰科技近日推出了新一代 To-247PLUS 封裝1200V IGBT單管,產(chǎn)品采用新一代微溝槽工藝平臺,極大的優(yōu)化了器件的導(dǎo)通損耗,產(chǎn)品參數(shù)一致性好,可靠性優(yōu)良,適用于伺服、變頻器等各類中低頻應(yīng)用領(lǐng)域。
2025-09-18 18:01:39
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在電焊機(jī)應(yīng)用中,IGBT單管的耐壓能力、開關(guān)特性、導(dǎo)通損耗和可靠性直接影響整機(jī)的焊接性能、能耗水平和使用壽命。飛虹半導(dǎo)體推出的FHA25T120A(TO-247封裝)是一款專為電焊機(jī)優(yōu)化的場溝槽柵
2025-11-28 13:50:05
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在電子工程領(lǐng)域,IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)一直是功率轉(zhuǎn)換和控制應(yīng)用中的關(guān)鍵組件。今天,我們將深入探討ON Semiconductor推出的FGHL50T65MQDT場截止溝槽IGBT,這款產(chǎn)品憑借其出色的性能和特性,在眾多應(yīng)用中展現(xiàn)出了巨大的潛力。
2025-12-08 11:21:42
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在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域,IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)一直扮演著至關(guān)重要的角色。今天要給大家詳細(xì)介紹的是安森美(onsemi)的一款 650V、50A 的場截止溝槽 IGBT
2025-12-08 11:35:35
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