美高森美公司(Microsemi Corporation，紐約納斯達克交易所代號：MSCC) 推出新一代1200V非穿通型(non-punch through，NPT) IGBT系列中的首款產(chǎn)品。
2012-05-18 09:25:34
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美國SemiSouth Laboratories公司發(fā)布了耐壓為650V和耐壓為1700V的SiC制JFET產(chǎn)品，均為常開型功率元件。耐壓為650V的產(chǎn)品名稱為“SJDA065R055”，導通電阻為55mΩ，漏電流在室溫時（25℃）為30A，在
2012-05-21 10:31:012900 美高森美公司（Microsemi ）宣布擴大RF功率產(chǎn)品線，推出DRF1400功率MOSFET。該產(chǎn)品非常適合在廣泛的工業(yè)、科學和醫(yī)療 （industrial、scientific and medical，ISM） 應用的RF產(chǎn)生器中使用，包括
2012-06-05 09:31:441087 瑞薩電新發(fā)表13款具備高效能之第7代絕緣閘雙極性電晶體（IGBT）系列新產(chǎn)品。新款IGBT包括650V的RJH/RJP65S系列與1250V的RJP1CS系列。新款IGBT是將系統(tǒng)中的直流電轉(zhuǎn)換為交流電的功率半導體裝
2012-07-31 11:34:282027 Microsemi宣布提供新一代工業(yè)溫度碳化硅（silicon carbide，SiC）標準功率模塊，它們是用于要求高性能和高可靠性的大功率開關(guān)電源、馬達驅(qū)動器、不間斷電源、太陽能逆變器、石油勘探和其它大功率、高電壓工業(yè)應用的理想選擇。
2013-01-25 11:50:121464 Space、SpaceX及其項目分包商成功發(fā)射首批10顆Iridium NEXT衛(wèi)星。Iridium NEXT是Iridium新一代衛(wèi)星群，代替及增強其覆蓋全球的現(xiàn)有近地軌道衛(wèi)星網(wǎng)絡。該項目采用了美高森美20多萬個非常適合衛(wèi)星通信應用的器件。
2017-03-28 01:02:301941 與600V IGBT3一樣，新的650V IGBT4也是采用了溝槽的MOS-top-cell薄片技術(shù)和場截止的概念（如圖1 所示），但與600V IGBT3相比，芯片厚度增加了大約15%，并且MOS
2018-10-26 09:17:008908 Nexperia今天推出650V的功率器件GAN063-650WSA，宣布其進入氮化鎵場效應管（GaN）市場。
2019-11-22 15:16:322459 英飛凌最近推出了系列650V混合SiC單管（TO247-3pin和TO-247-4pin）。用最新的650V/SiC/G6/SBD續(xù)流二極管，取代了傳統(tǒng)Si的Rapid1快速續(xù)流二極管，配合650V/TS5的IGBT芯片（S5/H5），進一步優(yōu)化了系統(tǒng)效率、性能與成本之間的微妙平衡。
2021-08-31 10:38:422572 
電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報道 最近，意法半導體推出了一款面向大功率家電應用的第二代IH系列1600V IGBT STGWA30IH160DF2，該器件兼具1600 V的額定擊穿電壓、優(yōu)異的熱性能和軟開關(guān)拓撲
2025-07-28 07:29:003535 40 A 650V IGBT，它與IGBT相同額定電流的二極管組合封裝到表面貼裝TO-263-3（亦稱D2PAK）封裝中。全新D2PAK封裝TRENCHSTOP 5 IGBT可滿足電源設備對功率
2018-10-23 16:21:49
碳化硅（SiC）具有禁帶寬度大、擊穿電場強度高、飽和電子漂移速度高、熱導率大、介電常數(shù)小、抗輻射能力強、化學穩(wěn)定性良好等特點，被認為是制作高溫、高頻、大功率和抗輻射器件極具潛力的寬帶隙半導體材料
2020-09-24 16:22:14
0前言家用逆變焊機因其體較小，操作方便，市場接受度逐步提高。因市電220V輸入的特點，一般采用600V/650V規(guī)格的IGBT作為逆變主功率器件。IGBT (Insulated Gate
2014-08-13 09:25:59
容量為1200A/2400V，根據(jù)大功率斬波的需要，通常，額定工作電流為400A——1500A，考慮到器件工作安全，必須留有2倍左右的電流裕度，再結(jié)合本文前述的IGBT最大電流標稱問題，單一器件無法
2018-10-17 10:05:39
按照大功率 igbt 驅(qū)動保護電路能夠完成的功能來分類，可以將大功率 igbt 驅(qū)動保護電 路分為以下三種類型：單一功能型，多功能型，全功能型。
2019-11-07 09:02:20
。此外本文所述大功率igbt驅(qū)動保護電路是指應用于直流母線電壓在650v～1000v范圍、輸出電流的交流有效值在100a～600a范圍的場合。詳情見附件。。。。。。
2021-04-06 14:38:18
igbt驅(qū)動保護電路進行分類，并對該電路需要達到的一些功能進行闡述，最后展望此電路的發(fā)展。此外本文所述大功率igbt驅(qū)動保護電路是指應用于直流母線電壓在650v～1000v范圍、輸出電流的交流有效值在
2012-12-08 12:34:45
詳情見附件大功率IGBT驅(qū)動的技術(shù)特點及發(fā)展趨勢分析1 引言由于igbt具有開關(guān)頻率高、導通功耗小及門極控制方便等特點，在大功率變換系統(tǒng)中得到廣泛的應用。在igbt應用中，除其本身的技術(shù)水平以外
2021-04-20 10:34:14
；第四步：打開電源開關(guān)；第五步：開始測試；第六步：數(shù)據(jù)處理； 最后得到的曲線如下圖：測試器件為CM400HA-24H@Vgs=15.0V六：測量CM400HA-24H大功率IGBT步驟第一步：關(guān)閉電源
2015-03-11 13:51:32
按照大功率igbt驅(qū)動保護電路能夠完成的功能來分類，可以將大功率igbt驅(qū)動保護電路分為以下三種類型:單一功能型、多功能型、全功能型。2.1 單一功能型 單一功能型的大功率igbt驅(qū)動保護電路一
2012-07-09 15:36:02
大功率MOSFET、IGBT怎么雙脈沖測試，調(diào)門極電阻，急!急!急!急!急!急!
2021-02-24 17:38:39
整流的應用。 8、產(chǎn)品無鉛 , 符合 RoHS 指令。相比普通的功率電感或色環(huán)電感來說,盡管所起到的作用是一樣的，但是大功率電感在高性能要求電路上所起的作用是普通功率電感不能代替的。
2015-03-23 16:35:29
MOSFET的方式內(nèi)嵌固有體二極管的最新一代陽極短路IGBT.與最佳競爭產(chǎn)品和前代產(chǎn)品相比，該器件具有Eoff較小的特性?？傊?，新器件使得FS IGBT更適用于不需要高性能反向并聯(lián)二極管的軟開關(guān)應用。
2018-09-30 16:10:52
美高森美MSAD165-16整流模塊能用ASEMI的 MDA165-16代替嗎?
2017-05-27 14:54:59
FCI為混合動力及電動汽車推出大功率連接器設計
2021-05-10 06:18:51
功率分立和模塊解決方案的少數(shù)供應商之一。美高森美的SP6LI產(chǎn)品系列采用專為高電流SiC MOSFET功率模塊而設計的最低雜散電感封裝之一，具有五種標準模塊，在外殼溫度(Tc)為80°C的情況下，提供從
2018-10-23 16:22:24
電壓能力相結(jié)合。IGBT將用于控制輸入的隔離柵極FET和作為單個器件中開關(guān)的雙極型功率晶體管組合在一起。安森美半導體推出TO247-4L IGBT系列，具有強大且經(jīng)濟實惠的Field StopII
2020-07-07 08:40:25
；TSD5N60MTruesemi 其它相關(guān)產(chǎn)品請 點擊此處 了解特性：3.0A，650V，最大RDS（on）= 3.0Ω@ VGS = 10V低柵極電荷（典型值為16nC）快速切換經(jīng)過100％雪崩測試改進的dv/dt功能主要參數(shù)：應用：高效開關(guān)模式電源，基于半橋拓撲的有源功率因數(shù)校正`
2020-04-30 15:13:55
Molex推出下一代高性能超低功率存儲器技術(shù)
2021-05-21 07:00:24
本文介紹了新一代IHM.B具備更強機械性能的高功率IGBT模塊,其融合了最新的設計、材料、焊接和安裝技術(shù)。首批IHM.B模塊將搭載最新的、采用溝槽柵單元設計的3.3kV IGBT3芯片,在保持機械
2010-05-04 08:07:47
PrimePACK?是英飛凌推出的最新一代大功率IGBT 模塊，它集合了最新的芯片和封裝 技術(shù)，在大功率場合很受歡迎。光伏逆變器追求高效率，PrimePACK?的芯片和封裝技術(shù)能 大大降低IGBT 總損耗從而提高光伏
2018-12-07 09:24:53
快速增長的電動汽車市場，安森美半導體推出了許多IGBT、低中高壓MOSFET、高壓整流器、汽車模塊和數(shù)字隔離柵極驅(qū)動器以及一個用于48V系統(tǒng)的80 V 和100V MOSFET。最新增加到汽車電源
2018-10-25 08:53:48
經(jīng)常有客戶想要大功率輸出的電源芯片，但是又考慮成本過高？我們銀聯(lián)寶有一款U321電源芯片，可以大功率輸出，又電路極簡，成本低，性能高！具有良好的線性調(diào)整率和負載調(diào)整率。U321電源芯片是集成
2020-03-18 14:37:05
650V耐壓的buck電路夠不夠用
2023-08-01 14:38:42
請教一下大神大功率管IGBT(H20T120)怎么檢測呢？
2023-05-16 17:15:04
600V IGBT3，全新芯片具備更出色的關(guān)斷軟度和更高的阻斷電壓功能。此外，該器件的短路能力大幅增強。而600V IGBT3主要適用于低功率應用或雜散電感很低的高功率應用。650V IGBT4的設計與技術(shù)
2018-12-07 10:16:11
摘要新一代CoolMOS? 650V CFD2技術(shù)為具備高性能體二極管的高壓功率MOSFET樹立了行業(yè)新桿標。該晶體管將650V的擊穿電壓、超低通態(tài)電阻、低容性損耗特性與改進反向恢復過程中的體二極管
2018-12-03 13:43:55
供應igbt雙極性晶體管650V、75A 大功率igbt開關(guān)電源SGTP75V65SDS1P7 ，具有較低的導通損耗和開關(guān)損耗，SGTP75V65SDS1P7可應用于光伏，UPS,SMPS以及PFC等領(lǐng)域，更多產(chǎn)品手冊、應用料資請向士蘭微代理驪微電子申請。>>
2022-08-02 17:11:03
IGBT高壓大功率驅(qū)動和保護電路的應用及原理
通過對功率器件IGBT的工作特性分析、驅(qū)動要求和保護方法等討
2009-10-09 09:56:012995 
IGBT高壓大功率驅(qū)動和保護電路的應用研究
IGBT在以變頻器及各類電源為代表的電力電子裝置中得到了廣泛應用。IGBT集雙極型功率晶體管和功率MOSFET
2009-11-13 15:43:501064 
三菱電機推出新一代功率半導體模塊
三菱電機株式會社推出新一代功率半導體模塊：第6代NX系列IGBT模塊。第6代NX系列IGBT模塊用于驅(qū)動一般工業(yè)變頻
2010-03-24 18:01:351527 Toshiba推出高性能功率MOSFET TK系列
Toshiba推出新系列的功率MOSFET，這些功率MOSFET改善效率和具有快速開關(guān)速度，應用工作電壓高達650V, 電流20A。新的TK系列器件適合用于各
2010-03-30 10:37:181779 深圳美隆電子推出大功率電阻產(chǎn)品 近日，國內(nèi)知名電容電阻生產(chǎn)企業(yè)美隆電子為了更好的配合客戶生產(chǎn)需要，強勢推出大功率電阻產(chǎn)品，此產(chǎn)品常用于醫(yī)學設備
2010-04-17 16:47:23824 英飛凌科技股份公司近日推出全新的650V CoolMOS C6/E6高性能功率MOSFET系列。該產(chǎn)品系列將現(xiàn)代超級結(jié)（SJ）器件的優(yōu)勢（如低導通電阻和低容性開關(guān)損耗）與輕松控制的開關(guān)行為、及
2010-07-05 08:48:262309 美高森美公司(Microsemi Corporation)日前發(fā)布用于開發(fā)下一代高電壓大功率系統(tǒng)的設計指南，這些系統(tǒng)以公司獨有的數(shù)字射頻(digital radio frequency, DRF)系列混合模塊為基礎(chǔ)
2011-07-06 09:11:50992 對大功率IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor，絕緣柵雙極型晶體管）的開關(guān)特性、驅(qū)動波形、驅(qū)動功率、布線等方面進行了分析和討論，介紹了一種用于大功率IGBT 的驅(qū)動電路。
2012-05-02 14:50:48
137 致力于提供幫助功率管理、安全、可靠與高性能半導體技術(shù)產(chǎn)品的領(lǐng)先供應商美高森美公司（Microsemi Corporation，紐約納斯達克交易所代號：MSCC） 推出新一代1200V非穿通型（non-punch throu
2012-05-18 10:52:17706 
大功率IGBT驅(qū)動技術(shù)的現(xiàn)狀與發(fā)展
2012-06-06 11:52:238640 
晶能光電（江西）有限公司近日成功研制出新一代硅基大功率LED芯片產(chǎn)品。
2012-06-19 10:12:451186 大功率igbt驅(qū)動保護電路的功能
2012-07-09 12:02:015842 高壓大功率IGBT驅(qū)動型號介紹
2012-09-03 18:20:2675 功率、安全性、可靠度和效能差異化半導體解決方案供應商美高森美公司（Microsemi） 宣佈其新一代1200V非貫穿型（non-punch through，NPT）系列的叁款IGBT新產(chǎn)品
2012-09-13 10:08:172071 
美高森美公司（Microsemi Corporation，紐約納斯達克交易所代號：MSCC）宣布其新一代1200V非穿通型（non-punch through， NPT） IGBT系列增添十多款全新器件，包括25A、50A和70A額定電流型款。
2013-04-03 11:27:231091 致力于提供功率管理、安全、可靠與高性能半導體技術(shù)產(chǎn)品的領(lǐng)先供應商美高森美公司（Microsemi Corporation，紐約納斯達克交易所代號：MSCC） 現(xiàn)在宣布推出用于工業(yè)、商業(yè)、航空、國防、通信和安全應用的IGLOO?2現(xiàn)場可編程門陣列（FPGA）系列產(chǎn)品。
2013-06-27 15:07:162345 致力于提供功率管理、安全、可靠與高性能半導體技術(shù)產(chǎn)品的領(lǐng)先供應商美高森美公司宣布擴展高頻率垂直擴散金屬氧化物半導體（VDMOS） MOSFET產(chǎn)品系列，兩款更大功率、更高電壓（V） VRF2944
2013-09-16 14:08:451118 致力于提供幫助功率管理、安全、可靠與高性能半導體技術(shù)產(chǎn)品的領(lǐng)先供應商美高森美公司（Microsemi Corporation，紐約納斯達克交易所代號：MSCC） 擴展碳化硅（SiC）肖特基產(chǎn)品系列，推出全新的650V解決方案產(chǎn)品系列，新型二極管產(chǎn)品瞄準包括太陽能逆變器的大功率工業(yè)應用。
2013-10-30 16:09:571171 2014年10月21日，北京——全球功率半導體和管理方案領(lǐng)導廠商 – 國際整流器公司 （International Rectifier，簡稱IR） 推出多款堅固可靠的650V IRGP47xx器件，藉以擴充絕緣柵雙極晶體管 （IGBT） 系列。
2014-10-21 15:27:422388 2015年4月，深圳費思科技推出了重磅產(chǎn)品：高性能的大功率可編程直流電源FTH系列。該電源具有目前國際上最先進的技術(shù)水平和技術(shù)指標，是國產(chǎn)測試測控電源領(lǐng)域的重大突破。
2015-04-08 16:51:372235 IGBT高壓大功率驅(qū)動和保護電路的應用及原理，感興趣的小伙伴們可以看看。
2016-07-26 11:11:0026 意法半導體推出新款M系列650V IGBT，為電源設計人員提供一個更快捷經(jīng)濟的能效解決方案,新款M系列650V IGBT，為電源設計人員提供一個更快捷經(jīng)濟的能效解決方案，適用于暖通空調(diào)系統(tǒng)（HVAC
2016-11-02 17:19:432436 雙路智能大功率IGBT驅(qū)動器
2017-03-04 17:50:193 致力于在功耗、安全、可靠性和性能方面提供差異化半導體技術(shù)方案的領(lǐng)先供應商美高森美公司宣布推出新一代存儲輸入/輸出(I/O)控制器產(chǎn)品 SmartROC 3100和SmartIOC 2100。這兩款產(chǎn)品均由公司統(tǒng)一智能存儲堆棧(Unified Smart Storage Stack)推動。
2017-04-08 01:13:071364 
美高森美公司（Microsemi） 發(fā)布了新一代先進的SmartFusion2 SoC FPGA評測工具套件。新一代SmartFusion2評測工具套件是一款定位于易于使用、功能豐富、價格相宜
2018-09-14 15:41:001919 Infineon公司是出界上著名的半導體生產(chǎn)商，其生產(chǎn)的“EUPEC”IGHT在世界范圍內(nèi)占有很大部分份額。其配套生產(chǎn)的EiceDriver系列IGBT驅(qū)動器也在工業(yè)領(lǐng)域廣泛應用。對于大功率IGBT
2019-10-07 14:40:0020529 
作為碳化硅技術(shù)全球領(lǐng)先企業(yè)的科銳（Cree Inc．， 美國納斯達克上市代碼：CREE）公司，于近日宣布推出Wolfspeed 650V碳化硅MOSFET產(chǎn)品組合，適用于更廣闊的工業(yè)應用，助力新一代電動汽車車載充電、數(shù)據(jù)中心和其它可再生能源系統(tǒng)應用，提供業(yè)界領(lǐng)先的功率效率。
2020-04-02 15:37:564450 英飛凌宣布推出650V SiC MOSFET，標志著公司進一步增強了在低壓SiC領(lǐng)域的布局，650V CoolSiC MOSFET系列。
2020-05-09 15:07:505544 650 V 場截止 IGBT 如何幫助將廚房烹飪提升到一個全新的水平。 電磁爐制造商正在努力增加最大功率并減少烹飪時間，同時實現(xiàn)高系統(tǒng)效率以滿足嚴格的能源之星標準。 這些趨勢對選擇合適的 IGBT 提出了新的要求，這些 IGBT 是感應加熱系統(tǒng)中的關(guān)鍵
2021-06-01 14:56:252726 
，配合650V/TS5的IGBT芯片(S5/H5)，進一步優(yōu)化了系統(tǒng)效率、性能與成本之間的微妙平衡。 IGBT混搭SiC SBD續(xù)流二極管，在硬換流的場合，至少有兩個主要優(yōu)勢： 沒有Si二極管的反向恢復
2021-03-26 16:40:203459 
IGBT器件的大功率DCDC電源并聯(lián)技術(shù)(通信電源技術(shù)2019第七期)-該文檔為基于IGBT器件的大功率DCDC電源并聯(lián)技術(shù)總結(jié)文檔，是一份不錯的參考資料，感興趣的可以下載看看
2021-09-22 12:39:1954 東芝拓展650V超結(jié)結(jié)構(gòu)N溝道功率MOSFET新品 景嘉微發(fā)布JH920 東芝拓展新一代超級結(jié)結(jié)構(gòu)N溝道功率MOSFET“DTMOSVI系列”的產(chǎn)品線 東芝電子元件及存儲裝置株式會社 （“東芝
2022-03-18 17:35:265831 英飛凌最近推出了系列650V混合SiC單管(TO247-3pin和TO-247-4pin)。用最新的650V/SiC/G6/SBD續(xù)流二極管，取代了傳統(tǒng)Si的Rapid1快速續(xù)流二極管，配合650V/TS5的IGBT芯片(S5/H5)，進一步優(yōu)化了系統(tǒng)效率、性能與成本之間的微妙平衡。
2022-08-01 10:11:291160 
ROHM最近新推出650V耐壓IGBT“RGTV系列（短路耐受能力保持型）”和“RGW系列（高速開關(guān)型）”共21種機型，該系列產(chǎn)品同時實現(xiàn)了業(yè)界頂級的低傳導損耗和高速開關(guān)特性，并大大減少了開關(guān)時的過沖。
2023-02-09 10:19:251901 
1700V以下大功率IGBT智能驅(qū)動模塊使用手冊 （采用100%國產(chǎn)化元器件設計） 云南拓普科技出品的系列大功率IGBT智能驅(qū)動模塊是特別為100%國產(chǎn)化需求企業(yè)推出的一款可靠、安全的高性能驅(qū)動模塊
2023-02-16 15:01:5514 ，自行研制出各種專用的大功率igbt驅(qū)動保護電路。本文對這些大功率igbt驅(qū)動保護電路進行分類，
并對該電路需要達到的一些功能進行闡述，最后展望此電路的發(fā)展。此外本文所述大功率igbt驅(qū)動保護電路是指應用于直流母線電壓在650v～1000v范圍、
輸出電
2023-02-24 10:51:3623 潤新微電子（Runxin Microelectronics）榮幸推出了最新一代的650V GaN功率晶體管（FET），該產(chǎn)品具備卓越的性能和廣泛的應用領(lǐng)域。 產(chǎn)品特點： 易于使用：650V GaN
2023-06-12 16:38:342033 新品EVAL-IHW65R62EDS06J這塊感應加熱半橋評估板采用新一代650V逆導型R6系列IGBT和SOI技術(shù)的EiceDRIVERIGBT驅(qū)動器，產(chǎn)品針對100kHz的諧振開關(guān)應用感應
2022-03-01 09:32:401608 
SP9683高頻準諧振、集成650V氮化鎵功率器件，30W高性能ACDC芯片
2023-10-21 15:43:273418 
驪微電子供應SVF7N65F/T/S650v10a大功率mos管提供svf10n65f電路圖，更多產(chǎn)品詳細參數(shù)、規(guī)格書及相關(guān)資料請士蘭微MOS代理商驪微電子申請。>>
2022-03-30 15:42:475 供應SGTP75V65SDS1P775A、650V光伏逆變器igbt-三相igbt逆變電源，提供SGTP75V65SDS1P7關(guān)鍵參數(shù)，更多產(chǎn)品手冊、應用料資請向士蘭微mos代理驪微電子申請。>>
2022-08-02 17:12:198 IGBT 作為一種功率半導體器件，廣泛應用于工業(yè)節(jié)能、電動汽車和新能源裝備等領(lǐng)域。IGBT 具有節(jié)能、安裝方便、維護方便、散熱穩(wěn)定等特點，是能量轉(zhuǎn)換和傳輸?shù)暮诵难b置。瑞能的650V IGBT產(chǎn)品在電性能和可靠性等方面具備諸多優(yōu)勢，在行業(yè)內(nèi)也處于領(lǐng)先地位。
2023-12-26 13:31:351604 
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《5V轉(zhuǎn)220V新一代無變壓器大功率升壓模塊XKT203-08介紹.docx》資料免費下載
2024-02-26 09:12:44159 本次推出的產(chǎn)品主要為50A 650V TO-247封裝IGBT單管；
2024-03-15 14:26:0746430 
近日，國內(nèi)半導體功率器件領(lǐng)軍企業(yè)揚州揚杰電子科技股份有限公司（以下簡稱“揚杰科技”）再度刷新業(yè)界認知，推出了一款專為光伏儲能充電樁等高頻應用而設計的50A 650V TO-247封裝IGBT單管產(chǎn)品
2024-03-16 10:48:192224 德州儀器（TI）近日推出了一款具有劃時代意義的650V三相氮化鎵（GaN）集成電源模塊（IPM）——DRV7308，專為250W電機驅(qū)動器應用量身打造。這款全新的GaN IPM憑借其卓越的性能，為大型家用電器及加熱、通風和空調(diào)（HVAC）系統(tǒng)的工程師們帶來了前所未有的便利。
2024-06-18 16:06:011457 難以滿足這些應用的需求。因此，大功率IGBT和SiCMOSFET的并聯(lián)設計成為了一種有效的解決方案。本文將介紹并聯(lián)設計的關(guān)鍵要點，并推薦安森美(onsemi)的幾款相應產(chǎn)品。
2024-08-01 15:27:463073 
Navitas半導體公司日前宣布擴展其第三代“快速”系列(G3F)650V碳化硅(SiC)MOSFET，新增一款耐用且高效的表面貼裝TOLL(無引腳晶體管外形)封裝。這種新型封裝專門針對高功率
2024-08-05 11:25:201265 
適用于高電壓、大功率的應用場景，如工業(yè)電機驅(qū)動、電力傳輸?shù)取?PT（Punch Through，穿透型）IGBT PT IGBT是一種改進的IGBT結(jié)構(gòu)，具有較低的導通損耗和較
2024-08-08 09:11:335020 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《汽車650V GaN功率級頂部冷卻QFN 12x12封裝的熱設計和性能.pdf》資料免費下載
2024-09-24 11:27:100 森國科近期推出的650V/60A IGBT（型號：KG060N065LD-R），憑借其業(yè)界領(lǐng)先的低傳導損耗和高速開關(guān)性能，在電力電子領(lǐng)域引起了廣泛關(guān)注。
2024-10-17 15:41:59898 森國科推出的650V/6A IGBT（型號：KG006N065SD-B）在風扇、泵和吸塵器等家電領(lǐng)域的應用上做到了高效電機驅(qū)動和精準控制。
2024-11-13 16:36:131162 
JL3I200V65RE2PN為650V /200A INPC三電平逆變模塊，采用溝槽柵場終止技術(shù)IGBT7芯片，帶熱敏電阻（NTC）和可選 PressFIT壓接針腳技術(shù)。
2025-01-16 14:16:081125 近日，中國中車集團旗下中車大連公司自主研制的新一代D180-20型大功率高速柴油機啟機點火成功。
2025-01-17 10:40:13899 標志著ROHM在高性能功率半導體領(lǐng)域取得了又一重大突破。 TOLL封裝以其緊湊的體積、卓越的散熱性能以及出色的電流容量和開關(guān)特性而備受矚目。這些優(yōu)勢使得TOLL封裝在工業(yè)設備、車載設備以及大功率應用領(lǐng)域
2025-02-18 10:03:531194 東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）宣布，推出四款最新650V碳化硅（SiC）MOSFET——“TW031V65C”、“TW054V65C”、“TW092V65C”和“TW123V
2025-05-22 14:51:22901 
概述 MG600HF065TLC2是一款電壓等級為650V、額定電流高達600A的高性能IGBT模塊。采用先進的溝槽技術(shù)，模塊實現(xiàn)了極低的飽和壓降，顯著提升了能效表現(xiàn)。內(nèi)置超快軟恢復反并聯(lián)二極管，模塊最高結(jié)溫可達175℃，并具備3000A的短路電流承受能力（6μs），特別適合高功率
2025-06-19 16:56:42530 
隨著便攜儲能、新能源及工業(yè)電源應用對高效率、高功率密度需求的不斷提升，IGBT作為電力電子系統(tǒng)的核心開關(guān)器件，其性能已成為決定整機效能與可靠性的關(guān)鍵因素。為應對市場對高性能功率器件的迫切需求，龍騰半導體正式推出四款650V F系列IGBT新品，致力于為高頻、高效應用提供更優(yōu)異的解決方案。
2025-10-24 14:03:301877 
在工業(yè)電源、電機驅(qū)動及照明系統(tǒng)等高壓應用場景中，功率MOS管的可靠性、能效與成本控制直接決定了終端產(chǎn)品的市場競爭力。合科泰電子推出的高壓MOS管 HKTD7N65，憑借650V耐壓、7A電流與低至1.08Ω的導通電阻，為工程師提供了一款兼具高性能與高可靠性的國產(chǎn)功率器件新選擇。
2025-11-07 17:46:101414 UWB650Pro 是思為無線推出的新一代高性能 UWB 無線通信模塊，相比 UWB650，具備更低功耗、更小體積和優(yōu)化引腳設計，支持 Mesh 自組網(wǎng)、高精度定位、測距及數(shù)據(jù)透傳，兼容 UWB650 軟件協(xié)議，實現(xiàn)平滑升級，適用于工業(yè)生產(chǎn)、室內(nèi)定位、礦井及醫(yī)療人員定位等場景。
2025-11-25 17:52:112690 
在功率半導體領(lǐng)域，IGBT（絕緣柵雙極型晶體管）一直扮演著至關(guān)重要的角色。今天要給大家詳細介紹的是安森美（onsemi）的一款 650V、50A 的場截止溝槽 IGBT
2025-12-08 11:35:351611 
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