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微機電系統(tǒng)(MEMS, Micro-Electro-Mechanical System),也叫做微電子機械系統(tǒng)、微系統(tǒng)、微機械等,是在微電子技術(shù)(半導(dǎo)體制造技術(shù))基礎(chǔ)上發(fā)展起來的,融合了光刻、腐蝕、薄膜、LIGA、硅微加工、非硅微加工和精密機械加工等技術(shù)制作的高科技電子機械器件。
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MEMS(Micro Electro Mechanical System,微機電系統(tǒng))技術(shù)被廣泛應(yīng)用于光纖通信系統(tǒng)中,MEMS技術(shù)與光學(xué)技術(shù)的結(jié)合,通常...
犧牲層技術(shù)自20世紀80 年代美國加州大學(xué)伯克利分校開發(fā)至今,得到了快速發(fā)展。犧牲層技術(shù)是 MEMS 工藝設(shè)計中有別于傳統(tǒng)IC制造工藝技術(shù)之一
高壓功率放大器在MEMS微結(jié)構(gòu)模態(tài)測試靜電激勵技術(shù)中的應(yīng)用
MEMS測試技術(shù)是微機電系統(tǒng)技術(shù)的重要組成部分之一,微結(jié)構(gòu)動態(tài)特性的測試對MEMS器件的性能及其設(shè)計、仿真、制造、以及質(zhì)量控制和評價等方面均具有重要的意...
該壓電MEMS超聲換能器由兩部分組成:Mo/AIN/Mo壓電層和刻蝕有空腔的SOI襯底。其工作原理是當電場為交變電場時,壓電層做周期性地拉伸與收縮,從而...
基于3D打印技術(shù)的MEMS加速度計的設(shè)計
微機電系統(tǒng)(MEMS)器件,例如MEMS加速度計,廣泛應(yīng)用于汽車電子、消費電子和生物醫(yī)療等行業(yè)。利用半導(dǎo)體制造技術(shù)可有效地大批量生產(chǎn)MEMS器件,但對于...
Pre-CMOS/MEMS 是指部分或全部的 MEMS 結(jié)構(gòu)在制作 CMOS 之前完成,帶有MEMS 微結(jié)構(gòu)部分的硅片可以作為 CMOS 工藝的初始材料。
加速度計能夠測量加速度、傾斜度、振動或沖擊,因此,可用于從可穿戴健身設(shè)備到工業(yè)平臺穩(wěn)定系統(tǒng)的各種應(yīng)用。有數(shù)百種零件可供選擇,成本和性能都有很大的跨度。本...
常規(guī)的絕緣層上硅 (Silicon on Insulator, SOI)是通過注氧隔離 (Separation by Implanted Oxygen,...
MEMS的相關(guān)術(shù)語及MEMS芯片制造過程
ALD是Atomic Layer Deposition(原子層沉積)的縮寫,是通過重復(fù)進行材料供應(yīng)(前體)和排氣,利用與基板之間的表面反應(yīng),分步逐層沉積...
鍵合技術(shù)是 MEMS 工藝中常用的技術(shù)之一,是指將硅片與硅片、硅片與玻璃或硅片與金屬等材料通過物理或化學(xué)反應(yīng)機制緊密結(jié)合在一起的一種工藝技術(shù)。
進行MEMS制造的最基本需求是能夠沉積1到100微米之間的材料薄膜。NEMS的制造過程是基本一致的,膜沉積的測量范圍從幾納米到一微米。
干法刻蝕解決RIE中無法得到高深寬比結(jié)構(gòu)或陡直壁問題
在 MEMS 制造工藝中,常用的干法刻蝕包括反應(yīng)離子刻蝕 (Reactive lon Etching, RIE)、深反應(yīng)離子刻蝕(Deep Reacti...
振動監(jiān)測 (VM) 已經(jīng)問世很長一段時間,并且已被用于監(jiān)測機器、設(shè)備或結(jié)構(gòu)的健康狀況。在機器運行過程中,可以利用專用傳感器收集其振動數(shù)據(jù)以對其進行實時監(jiān)...
2022-09-29 標簽:mems振動傳感器振動監(jiān)測系統(tǒng) 1936 0
慣性測量單元可實現(xiàn)高數(shù)據(jù)分辨率
據(jù)麥姆斯咨詢介紹,慣性測量單元(Inertial Measurement Unit,IMU)是測量物體三軸姿態(tài)角(或角速率)以及加速度的裝置。通常,IM...
2022-09-28 標簽:智能手機mems數(shù)據(jù) 1460 0
基于深度學(xué)習(xí)(DL)的數(shù)據(jù)驅(qū)動的非參數(shù)化MEMS結(jié)構(gòu)設(shè)計方法
在本論文研究中,作者們提出使用深度學(xué)習(xí)技術(shù),通過快速準確地預(yù)測具有不同幾何結(jié)構(gòu)特征的眾多設(shè)計候選方案的物理特性,加速MEMS設(shè)計周期。
2022-09-26 標簽:mems機器學(xué)習(xí)深度學(xué)習(xí) 1181 0
其中,m表示干涉級次,L2表示真空腔腔長,n2表示真空腔折射率,L1表示硅腔腔長,n2表示硅腔折射率。
近年來,基于MEMS的超聲換能器技術(shù)一直處于快速發(fā)展和增長階段,廣泛應(yīng)用于醫(yī)療陣列成像、手勢識別、內(nèi)窺成像、指紋識別等領(lǐng)域。
對于狀態(tài)監(jiān)測(CbM)傳感器開發(fā),單對以太網(wǎng)(SPE)或10BASE-T1L比標準以太網(wǎng)更具顯著優(yōu)勢,包括縮小傳感器尺寸、降低復(fù)雜性和低成本布線選項。本...
微機電系統(tǒng)因其巨大的能力和良好的品質(zhì)而經(jīng)常用于T/R模塊,特別是用于空間模塊化應(yīng)用。將MEMS技術(shù)用于射頻應(yīng)用可以制成高性能和低成本的集成元件,如可變電...
駐極體電容式麥克風(fēng)的參數(shù)規(guī)格及設(shè)計
ECM是指駐極體電容式麥克風(fēng),與MEMS硅麥不同,其內(nèi)部結(jié)構(gòu)如圖1所示。
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