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標(biāo)簽 > mos管
mos管是金屬(metal)—氧化物(oxide)—半導(dǎo)體(semiconductor)場(chǎng)效應(yīng)晶體管,或者稱是金屬—絕緣體(insulator)—半導(dǎo)體。MOS管的source和drain是可以對(duì)調(diào)的,他們都是在P型backgate中形成的N型區(qū)。
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一、現(xiàn)象 現(xiàn)象① 你是否遇到過(guò)這樣的情況?IC芯片空載時(shí),輸出電壓正常,但當(dāng)帶上負(fù)載后,輸出電壓馬上就會(huì)往下掉。這是怎么回事呢? 現(xiàn)象② 如圖為MOS管...
開關(guān)電源是直流電轉(zhuǎn)變?yōu)楦哳l脈沖電流,將電能儲(chǔ)存到電感、電容元件中,利用電感、電容的特性將電能按預(yù)定的要求釋放出來(lái)來(lái)改變輸出電壓或電流的; 線性電源沒(méi)有高...
2022-07-27 標(biāo)簽:開關(guān)電源MOS管線性電源 1.3萬(wàn) 0
在嵌入式軟件開發(fā)中,經(jīng)常需要根據(jù)硬件原理圖去進(jìn)行GPIO口配置;如果你硬件知識(shí)一點(diǎn)都不懂,那么在開發(fā)中遇到問(wèn)題,你就很難初步判定是硬件的問(wèn)題,還是軟件配...
由MOS管構(gòu)成的開關(guān)電流電路延遲線的設(shè)計(jì)方法
開關(guān)電流技術(shù)是近年來(lái)提出的一種新的模擬信號(hào)采樣、保持、處理技術(shù)。與已成熟的開關(guān)電容技術(shù)相比,開關(guān)電流技術(shù)不需要線性電容和高性能運(yùn)算放大器,整個(gè)電路均由M...
2018-09-29 標(biāo)簽:存儲(chǔ)mos管開關(guān)電流 1.3萬(wàn) 0
上圖是一個(gè)限流恒流電路,當(dāng)電流低于閾值時(shí),輸出電流由負(fù)載決定,當(dāng)負(fù)載加重,輸出電流達(dá)到閾值時(shí),輸出電流穩(wěn)定在閾值保持恒定,負(fù)載再加重的話,輸出電流也保持...
不同Vt cell工藝是怎么實(shí)現(xiàn)的?閾值電壓和哪些因素有關(guān)系?
Vt指的是MOS管的閾值電壓(threshold voltage)。具體定義(以下圖NMOS為例):當(dāng)柵源電壓(Vgs)由0逐漸增大,直到MOS管溝道形...
MOS管因?yàn)槠鋵?dǎo)通內(nèi)阻低,開關(guān)速度快,因此被廣泛應(yīng)用在開關(guān)電源上。而用好一個(gè)MOS管,其驅(qū)動(dòng)電路的設(shè)計(jì)就很關(guān)鍵。下面分享幾種常用的驅(qū)動(dòng)電路。
2022-03-31 標(biāo)簽:電源MOS管驅(qū)動(dòng)電路 1.3萬(wàn) 0
MOS管驅(qū)動(dòng)電阻并聯(lián)二極管的作用
今天學(xué)習(xí)LED開關(guān)電源里面一個(gè)細(xì)節(jié):MOS管的驅(qū)動(dòng)電阻為啥要并聯(lián)一個(gè)二極管。
2023-07-04 標(biāo)簽:led二極管開關(guān)電源 1.3萬(wàn) 0
MOS管是金屬(metal)—氧化物(oxide)—半導(dǎo)體(semiconductor)場(chǎng)效應(yīng)晶體管,或者稱是金屬—絕緣體(insulator)—半導(dǎo)體。
上邊說(shuō)的4V或10V是常用的MOS管的導(dǎo)通電壓,設(shè)計(jì)時(shí)當(dāng)然需要有一定的余量。而且電壓越高,導(dǎo)通速度越快,導(dǎo)通電阻也越小?,F(xiàn)在也有導(dǎo)通電壓更小的MOS管用...
2019-06-19 標(biāo)簽:MOS管驅(qū)動(dòng)電壓 1.3萬(wàn) 0
在電子電路中,MOS 管和 IGBT 管會(huì)經(jīng)常出現(xiàn),它們都可以作為開關(guān)元件來(lái)使用,MOS 管和 IGBT 管在外形及特性參數(shù)也比較相似,那為什么有些電路...
電容效應(yīng)于二極管的作用是什么?電容緩沖電路該如何設(shè)計(jì)?
首先,測(cè)量MOSFET開關(guān)節(jié)點(diǎn)(SW)在關(guān)斷時(shí)的振鈴頻率(Fring)。在MOSFET上焊接一個(gè)100 pF低ESR薄膜電容。增加電容,直到振鈴頻率為初...
MOS管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor,金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)是電子電路...
在實(shí)際產(chǎn)品設(shè)計(jì)中可以有多種電源方案,這里以一般的單片機(jī)產(chǎn)品為例,3.3V左右供電的系統(tǒng),常見的有 USB供電、外接電源適配器供電 和 電池供電。
由于無(wú)橋PFC拓?fù)渲饕獮樘岣咝剩ㄊ〉袅苏鳂蚣捌鋼p耗),但相對(duì)傳統(tǒng)Boost PFC,在成本(所用MOS管和快速二極管多一倍)、控制(相對(duì)復(fù)雜)和EM...
場(chǎng)效應(yīng)管和三極管相同點(diǎn)、區(qū)別
場(chǎng)效應(yīng)管主要分兩個(gè)種類,分別是結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管和金屬氧化物場(chǎng)效應(yīng)管。結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管我連見都沒(méi)有見過(guò),更不要說(shuō)應(yīng)用了,所以就不說(shuō)了。金屬氧化物場(chǎng)效應(yīng)管就是我們常...
2022-12-09 標(biāo)簽:三極管場(chǎng)效應(yīng)管MOS管 1.3萬(wàn) 0
共8種工作模式,4種輸入,1.輸入浮空模式2.輸入上拉模式 3.輸入下拉模式4.模擬輸入模式 4種輸出模式:開漏輸出、開漏復(fù)用功能、推挽輸出、推挽復(fù)用輸...
2020-10-18 標(biāo)簽:MOS管晶體管電流驅(qū)動(dòng) 1.3萬(wàn) 0
mos管旁邊并以二極管是防止場(chǎng)效應(yīng)管反向擊穿而設(shè)置的。
2023-02-21 標(biāo)簽:二極管場(chǎng)效應(yīng)管MOS管 1.3萬(wàn) 0
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