mos管

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mos管是金屬（metal）—氧化物（oxide）—半導(dǎo)體（semiconductor）場效應(yīng)晶體管，或者稱是金屬—絕緣體（insulator）—半導(dǎo)體。MOS管的source和drain是可以對(duì)調(diào)的，他們都是在P型backgate中形成的N型區(qū)。

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mos管技術(shù)

使用MOS管的注意事項(xiàng)

MOSMOS管由于輸入阻抗極高，所以在運(yùn)輸、貯藏中必須將引出腳短路，要用金屬屏蔽包裝，以防止外來感應(yīng)電勢將柵極擊穿。尤其要注意，不能將MOSMOS管放入...

2019-07-08 標(biāo)簽：二極管元器件 MOS管 1.0萬 0

對(duì)MOS失效的原因總結(jié)以下六點(diǎn)

到底什么是雪崩失效呢，簡單來說MOSFET在電源板上由于母線電壓、變壓器反射電壓、漏感尖峰電壓等等系統(tǒng)電壓疊加在MOSFET漏源之間，導(dǎo)致的一種失效模式...

2017-09-18 標(biāo)簽：汽車電子 mos管雪崩失效 1.0萬 0

簡述MOS管的工作區(qū)域

MOS管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，金屬-氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管）是電子電路...

2024-09-14 標(biāo)簽：半導(dǎo)體 MOS管晶體管 1.0萬 0

一文簡析TC3xx Rest/Clock/Watch模塊

在時(shí)鐘系統(tǒng)部分主要介紹時(shí)鐘源選擇，PLL倍頻配置，時(shí)鐘分發(fā)等內(nèi)容。在看門狗模塊部分主要介紹了開門狗復(fù)位的觸發(fā)路徑，看門狗模塊的工作原理，CPU EndI...

2023-02-21 標(biāo)簽：MOS管 pll MCU芯片 1.0萬 0

關(guān)于MOS管、IGBT米勒平臺(tái)的分析

米勒平臺(tái)的形成與其材料、制造工藝息息相關(guān)，當(dāng)GE之間電壓大于閾值點(diǎn)的時(shí)候，管子的CE電壓開始下降，但是下降的速度十分緩慢

2023-11-03 標(biāo)簽：MOS管 IGBT 驅(qū)動(dòng)電流 1.0萬 0

一文講透MOS管，從內(nèi)部結(jié)構(gòu)到電路應(yīng)用

MOS管學(xué)名是場效應(yīng)管，是金屬-氧化物-半導(dǎo)體型場效應(yīng)管，屬于絕緣柵型，本文就結(jié)構(gòu)構(gòu)造、特點(diǎn)、實(shí)用電路等幾個(gè)方面用工程師的話詳細(xì)描述。

2023-03-28 標(biāo)簽：二極管場效應(yīng)管 MOS管 1.0萬 0

淺談MOS管的輸出特性曲線

恒流區(qū)在輸出特性曲線中間的位置，電流Id基本不隨Uds變化，Id的大小主要決定于電壓Ugs，所以叫做恒流區(qū)，也叫飽和區(qū)。當(dāng)MOS用來做放大電路時(shí)，就是工...

2022-09-29 標(biāo)簽：三極管 MOSFET MOS管 1.0萬 0

mosfet和mos管的區(qū)別 MOSFET的工作原理

? MOS FET基本概述 MOSFET由 MOS (Metal Oxide Semiconductor金屬氧化物半導(dǎo)體)+ FET (Field Ef...

2023-08-16 標(biāo)簽：MOSFET 場效應(yīng)管 MOS管 1.0萬 0

MOS管的種類及結(jié)構(gòu)

MOS管，即金屬（Metal）—氧化物（Oxide）—半導(dǎo)體（Semiconductor）場效應(yīng)晶體管，是一種應(yīng)用場效應(yīng)原理工作的半導(dǎo)體器件。

2022-07-15 標(biāo)簽：二極管半導(dǎo)體 MOS管 1.0萬 0

九種簡易MOS管開關(guān)電路圖

電路由1顆MOS管、4只電阻、發(fā)光二極管、電池組成,電路非常簡單。

2023-06-25 標(biāo)簽：電路圖開關(guān)電路 MOS管 1.0萬 0

反接保護(hù)電路

這種接法簡單可靠，但當(dāng)輸入大電流的情況下功耗影響是非常大的。以輸入電流額定值達(dá)到2A，如選用Onsemi的快速恢復(fù)二極管??MUR3020PT，額定管壓...

2019-07-08 標(biāo)簽：二極管保護(hù)電路 MOS管 1.0萬 0

一文詳解源跟隨器

在共源放大器和源跟隨器中，輸入信號(hào)都是加在MOS管的柵極。我們也可以把輸入信號(hào)加在MOS管的源端。共漏級(jí)在源端接受輸入，在漏端產(chǎn)生輸出。柵極接一個(gè)直流電...

2023-04-26 標(biāo)簽：放大器 MOS管小信號(hào) 1.0萬 0

IGBT基礎(chǔ)知識(shí)、參數(shù)特性、驅(qū)動(dòng)電路總結(jié)

IGBT——絕緣柵雙極型晶體管(Insulated Gate Bipolar Transistor)，顧名思義，是由 BJT(雙極結(jié)型晶體三極管) 和 ...

2022-12-22 標(biāo)簽：MOS管 IGBT 晶體管 1.0萬 0

MOS管源極和漏極是什么意思

MOS管，全稱為Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor（金屬-氧化物-半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管），...

2024-07-23 標(biāo)簽：半導(dǎo)體 MOS管源極 1.0萬 0

MOS管和三極管的區(qū)別

　　MOS管和三極管的區(qū)別，很多伙伴都知道，MOS管屬于電壓驅(qū)動(dòng)，三極管屬于電流驅(qū)動(dòng)。

2022-11-23 標(biāo)簽：三極管半導(dǎo)體 MOS管 1.0萬 0

設(shè)計(jì)開關(guān)電源時(shí)，mos管驅(qū)動(dòng)電路參數(shù)、要求

mos管因?yàn)閮?nèi)阻低，開發(fā)速度低被廣泛應(yīng)用于開關(guān)電路中。mos管往往根據(jù)電源IC和mos管的參數(shù)選擇合適的驅(qū)動(dòng)電路。

2022-12-12 標(biāo)簽：開關(guān)電源 MOS管驅(qū)動(dòng)電路 1.0萬 2

基本場效應(yīng)管電路詳解

電流鏡的作用是無論外輸入電壓遇到波動(dòng)還是大范圍變化，電流鏡的輸出電流總保持不變。Q1和Q2均工作在飽和區(qū)，且具有相等的柵源電壓的相同晶體管傳輸相同電流，...

2022-07-18 標(biāo)簽：放大器放大電路場效應(yīng)管 9999 0

CDM防護(hù)措施以及設(shè)計(jì)思路

前幾期曾經(jīng)講過，對(duì)封裝后的芯片進(jìn)行CDM測試，大量非平衡載流子會(huì)通過金線集聚到封裝框架中。所以封裝也是影響CDM的關(guān)鍵因素之一，恰宜的封裝能大幅度提升芯...

2023-05-16 標(biāo)簽：二極管 ESD MOS管 9995 0

MOSFET開關(guān)損耗的計(jì)算方法

MOS管在電源應(yīng)用中作為開關(guān)用時(shí)將會(huì)導(dǎo)致一些不可避免的損耗，這些損耗可以分為兩類。

2023-03-26 標(biāo)簽：電源 MOSFET 電容 9991 0

IGBT中米勒效應(yīng)的影響和處理方法

之前我們在介紹MOS和IGBT的文章中也有提到米勒電容和米勒效應(yīng)的概念，在IGBT的導(dǎo)通過程分析的文章中我們也簡單提到過米勒平臺(tái)

2023-05-25 標(biāo)簽：三極管 MOSFET MOS管 9985 0

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DC/DC轉(zhuǎn)換器為轉(zhuǎn)變輸入電壓后有效輸出固定電壓的電壓轉(zhuǎn)換器。DC/DC轉(zhuǎn)換器分為三類：升壓型DC/DC轉(zhuǎn)換器、降壓型DC/DC轉(zhuǎn)換器以及升降壓型DC/DC轉(zhuǎn)換器。
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　　全橋整流電路是把交流電能轉(zhuǎn)換為直流電能的電路，整流電路的作用是將交流降壓電路輸出的電壓較低的交流電轉(zhuǎn)換成單向脈動(dòng)性直流電，能夠輸出比輸入交流電壓更高的直流電壓，但這種電路輸出電流的能力較差，所以具有高電壓，小電流的輸出特性。
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單相電路里的兩根供電電線，一根叫火線（學(xué)名相線），另一根則叫零線（學(xué)名中性線）?；鹁€和零線的區(qū)別在于它們對(duì)地的電壓不同。如果火線和零線一旦碰起來，由于兩者之間的電壓等于220伏，而兩接觸點(diǎn)間的電阻幾乎等于零，這時(shí)的電流非常大，在火線和零線的接觸點(diǎn)處將產(chǎn)生巨大的熱量，從而發(fā)出電火花，火花處的溫度高到足以把金屬導(dǎo)線燒得熔化。
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