mos管

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mos管是金屬（metal）—氧化物（oxide）—半導(dǎo)體（semiconductor）場效應(yīng)晶體管，或者稱是金屬—絕緣體（insulator）—半導(dǎo)體。MOS管的source和drain是可以對調(diào)的，他們都是在P型backgate中形成的N型區(qū)。

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mos管技術(shù)

典型二級(jí)運(yùn)放的穩(wěn)定性分析

　　手算法其實(shí)就是根據(jù)設(shè)計(jì)要求，把結(jié)構(gòu)定下來之后運(yùn)用運(yùn)放的一些基礎(chǔ)知識(shí)將MOS管的W/L參數(shù)一一定下來的方法，這個(gè)方法不一定能設(shè)計(jì)出很完美的運(yùn)放，但是對...

2023-02-16 標(biāo)簽：MOS管運(yùn)放寄生電容 7.9k 0

MOS管的類型及工作原理

　　MOS，是MOSFET的縮寫。MOSFET金屬-氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管，簡稱金氧半場效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor ...

2023-02-16 標(biāo)簽：MOSFET MOS管晶體管 7.9k 0

開關(guān)電源的優(yōu)缺點(diǎn)、作用及基本結(jié)構(gòu)

　開關(guān)電源是一種利用電子元器件(如晶體管、二極管、場效應(yīng)管等)控制電流的開關(guān)狀態(tài)，實(shí)現(xiàn)電源輸出電壓的調(diào)節(jié)和穩(wěn)定的一種電源。其基本工作原理是通過開關(guān)器件對...

2023-09-08 標(biāo)簽：二極管開關(guān)電源 MOS管 7.8k 0

MOS管的原理 MOS管的特點(diǎn)

　　MOS管是由源極、漏極、門極和金屬氧化物層組成，其中金屬氧化物層是MOS管的核心部分，它由一層金屬和一層氧化物組成，金屬層和氧化物層之間有一個(gè)很小的...

2023-02-17 標(biāo)簽：三極管 MOS管晶體管 7.8k 0

MOS管導(dǎo)通電壓和溫度的關(guān)系

MOS管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，金屬-氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管）的導(dǎo)通電壓...

2024-07-23 標(biāo)簽：半導(dǎo)體 MOS管晶體管 7.8k 0

放大電路的基礎(chǔ)—單級(jí)放大器（1）

放大是模擬電路的基本功能之一，是運(yùn)算放大器、功率放大器、低噪聲放大器等模塊的主要功能。

2023-09-18 標(biāo)簽：功率放大器運(yùn)算放大器 MOS管 7.8k 0

開關(guān)GS波形為例來聊一下GS的波形

IC出來的波形正常，到C1兩端的波形就有振蕩了，實(shí)際上這個(gè)振蕩就是R1,L1和C1三個(gè)元器件的串聯(lián)振蕩引起的，R1為驅(qū)動(dòng)電阻，是我們外加的，L1是PCB...

2018-08-21 標(biāo)簽：芯片二極管 mos管 7.8k 0

三極管的基本原理和三種工作狀態(tài) 三極管的應(yīng)用和選型

如果說R、C、L屬于分離電路的基礎(chǔ)元件，那么二極管、三極管、MOS管就屬于集成電路的基礎(chǔ)元件。各種技術(shù)論壇和學(xué)習(xí)網(wǎng)站上都有許多關(guān)于三極管的知識(shí)，今天我們...

2023-12-05 標(biāo)簽：集成電路三極管二極管 7.8k 0

MOS管的柵極開通驅(qū)動(dòng)電阻

在驅(qū)動(dòng)MOS管時(shí)，我們希望給到MOS管柵極是標(biāo)準(zhǔn)的電壓方波波形，但是在實(shí)際情況下，我們在測得的Ugs波形往往是帶有振蕩的。

2023-06-25 標(biāo)簽：驅(qū)動(dòng)器振蕩器 MOS管 7.8k 0

介紹兩種電壓轉(zhuǎn)電流電路

這是一種較為常用的電壓轉(zhuǎn)換電流電路，也是一款恒流源電路。它由一個(gè)運(yùn)放、一個(gè)三極管（也可以是MOS管）以及若干電阻構(gòu)成，結(jié)構(gòu)簡單易懂。

2022-11-25 標(biāo)簽：三極管 MOS管電流電路 7.8k 0

按鍵開關(guān)電路原理分析

給大家分析一個(gè)按鍵開關(guān)的工作原理，通過對電路的分析，有助于大家提升自己的電路分析能力。

2023-03-14 標(biāo)簽：led 開關(guān)電路 MOS管 7.8k 0

三極管和MOS管的溫度特性

在電子器件中，溫度特性是一個(gè)至關(guān)重要的參數(shù)，它直接關(guān)系到器件的工作穩(wěn)定性、可靠性以及整體電路的性能。三極管（BJT）和MOS管（Metal-Oxide-...

2024-07-30 標(biāo)簽：三極管 MOS管溫度特性 7.8k 0

如何從MOS管的驅(qū)動(dòng)波形來判斷驅(qū)動(dòng)好不好

一般認(rèn)為MOS管是電壓驅(qū)動(dòng)型，所以驅(qū)動(dòng)MOS管，只需要提供一定的電壓，不需要提供電流。

2022-12-26 標(biāo)簽：MOS管寄生電容驅(qū)動(dòng)電阻 7.7k 0

增強(qiáng)型NMOS管的實(shí)際用法

面對這么大一段話，我不知道你有沒有搞明白，反正我大學(xué)里是完全沒有搞明白，學(xué)了一個(gè)學(xué)期就學(xué)了個(gè)寂寞。

2022-03-09 標(biāo)簽：半導(dǎo)體 MOS管晶體管 7.7k 0

gmId設(shè)計(jì)仿真及MOS管特性

以tsmc180nm工藝的nmos2V為例，搭建gmId設(shè)計(jì)電路schematic如figure1：

2023-11-21 標(biāo)簽：電路原理圖 MOS管仿真 7.7k 0

MOS管特性及其幾種常用驅(qū)動(dòng)電路詳解，電子工程師手把手教你

MOS管是一種電壓控制型半導(dǎo)體元件，具有輸入阻抗高、噪聲低、熱穩(wěn)定性好等優(yōu)點(diǎn)。工作原理基于半導(dǎo)體材料的能帶理論，通過調(diào)節(jié)柵極電壓來控制溝道的導(dǎo)通和截止。...

2023-10-26 標(biāo)簽：半導(dǎo)體場效應(yīng)管 MOS管 7.7k 0

MOS_DS電壓尖峰產(chǎn)生的原因

SiC MOSFET 作為第三代寬禁帶半導(dǎo)體具有擊穿電場高、熱導(dǎo)率高、電子飽和速率高、抗輻射能力強(qiáng)等優(yōu)勢，在各種各樣的電源應(yīng)用范圍在迅速地?cái)U(kuò)大。

2023-05-19 標(biāo)簽：MOSFET MOS管 SiC 7.7k 0

Flash存儲(chǔ)器的工作原理和基本結(jié)構(gòu)

　　Flash存儲(chǔ)器是一種非易失性存儲(chǔ)器，即使在供電電源關(guān)閉后仍能保持片內(nèi)信息。

2023-09-09 標(biāo)簽：FlaSh 存儲(chǔ)器 MOS管 7.7k 0

關(guān)于MOS管的工作狀態(tài)

MOS管的工作狀態(tài)一共有兩種：增強(qiáng)型和耗盡型兩類又有N溝道和P溝道之分。

2022-09-09 標(biāo)簽：MOSFET 場效應(yīng)管 MOS管 7.7k 0

MOS管的引腳數(shù)量及區(qū)分方法

MOS管，即金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管（MOSFET），通常具有三個(gè)引腳。

2024-08-13 標(biāo)簽：MOSFET MOS管引腳 7.6k 0

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