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      標(biāo)簽　>　mos管

      mos管

      mos管

      +關(guān)注109人關(guān)注

      mos管是金屬（metal）—氧化物（oxide）—半導(dǎo)體（semiconductor）場(chǎng)效應(yīng)晶體管，或者稱(chēng)是金屬—絕緣體（insulator）—半導(dǎo)體。MOS管的source和drain是可以對(duì)調(diào)的，他們都是在P型backgate中形成的N型區(qū)。

      文章：2179個(gè) 瀏覽：73647次 帖子：1229個(gè)

      mos管技術(shù)

      一文告訴你如何驅(qū)動(dòng)MOS管

      一文告訴你如何驅(qū)動(dòng)MOS管

      MOS管開(kāi)關(guān)電路在分立設(shè)計(jì)里面應(yīng)用非常廣泛，包括邏輯控制，電源切換，負(fù)載開(kāi)關(guān)等，在一些電路巧妙設(shè)計(jì)上具有非常大的創(chuàng)新性。

      2023-06-20 標(biāo)簽：電容器MOSFETMOS管 8.3k 0

      使用萬(wàn)用表測(cè)量MOS管的好壞

      使用萬(wàn)用表測(cè)量MOS管的好壞

      利用場(chǎng)管內(nèi)部的寄生二極管的單向?qū)ㄌ匦詫?duì)場(chǎng)管的好壞進(jìn)行判斷。

      2023-04-13 標(biāo)簽：萬(wàn)用表MOS管引腳 8.3k 0

      MOS管的導(dǎo)通和關(guān)斷過(guò)程

      MOS管的導(dǎo)通和關(guān)斷過(guò)程

      最近一直在說(shuō)MOS管的知識(shí)，就有朋友留言說(shuō)能具體說(shuō)一下MOS管的導(dǎo)通和關(guān)斷過(guò)程嗎，那我們今天來(lái)說(shuō)一下MOS管的導(dǎo)通和關(guān)斷具體過(guò)程。

      2023-03-26 標(biāo)簽：MOS管導(dǎo)通寄生電感 8.3k 0

      PMOS管和NMOS管的區(qū)別

      PMOS管和NMOS管的區(qū)別

      　　MOS管的管腳：源極S(source)、柵極G(Gate)和漏極(Drain)。

      2023-02-16 標(biāo)簽：MOS管MOS柵極 8.3k 0

      A/D轉(zhuǎn)換器的轉(zhuǎn)換過(guò)程及電路分析

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      將模擬信號(hào)轉(zhuǎn)換成數(shù)字信號(hào)的電路，稱(chēng)為模數(shù)轉(zhuǎn)換器(簡(jiǎn)稱(chēng)a/d轉(zhuǎn)換器或adc，analog to digital converter)，A/D轉(zhuǎn)換的作用是將...

      2023-02-28 標(biāo)簽：轉(zhuǎn)換器運(yùn)算放大器MOS管 8.3k 0

      功率MOS管損壞的主要原因

      mos在控制器電路中的工作狀態(tài)：開(kāi)通過(guò)程（由截止到導(dǎo)通的過(guò)渡過(guò)程）、導(dǎo)通狀態(tài)、關(guān)斷過(guò)程（由導(dǎo)通到截止的過(guò)渡過(guò)程）、截止?fàn)顟B(tài)。

      2019-07-27 標(biāo)簽：MOS管功率MOS管 8.3k 0

      怎么解決開(kāi)關(guān)電源MOS管波形震蕩的問(wèn)題呢？

      怎么解決開(kāi)關(guān)電源MOS管波形震蕩的問(wèn)題呢？

      根據(jù)筆者的經(jīng)驗(yàn)在逆變器和變頻器故障失效的維修案例中有相當(dāng)部分的導(dǎo)致模塊失效的原因是模塊的開(kāi)關(guān)電源損壞導(dǎo)致的，我們知道構(gòu)成開(kāi)關(guān)電源的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)有很多種，比如...

      2023-10-02 標(biāo)簽：開(kāi)關(guān)電源變頻器MOS管 8.2k 0

      思睿達(dá)CR6267SK與X1135N有區(qū)別？測(cè)試報(bào)告新鮮出爐

      思睿達(dá)CR6267SK與X1135N有區(qū)別？測(cè)試報(bào)告新鮮出爐

      上一篇報(bào)告我們將思睿達(dá)主推的CR6248和XX33AP進(jìn)行了對(duì)比，得出的結(jié)論是思睿達(dá)主推的CR6248會(huì)比XX33AP的效率高，功耗小。本篇文章，我們將...

      2021-04-23 標(biāo)簽：電源芯片MOSFET 8.1k 0

      MOS管的結(jié)構(gòu)/工作原理/特性/應(yīng)用

      MOS管的結(jié)構(gòu)主要由三個(gè)區(qū)域組成：柵極（Gate）、源極（Source）和漏極（Drain）。其中，柵極和漏極都是金屬電極，源極可以是金屬或半導(dǎo)體材料。

      2023-09-28 標(biāo)簽：傳感器半導(dǎo)體MOS管 8.1k 0

      MOS管的工作原理 采用MOS管開(kāi)關(guān)電源的電路設(shè)計(jì)

      初步的了解了以上的關(guān)于MOS管的一些知識(shí)后，一般的就可以簡(jiǎn)單的分析，采用MOS管開(kāi)關(guān)電源的電路了。

      2023-03-27 標(biāo)簽：三極管萬(wàn)用表元器件 8.1k 0

      高壓MOS管和低壓MOS管的區(qū)別

      　　MOS管，全稱(chēng)為金屬-氧化物-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管，或者稱(chēng)是金屬-絕緣體-半導(dǎo)體，是一種常見(jiàn)的半導(dǎo)體器件。根據(jù)其工作電壓的不同，MOS管主要可分為高壓...

      2023-10-16 標(biāo)簽：半導(dǎo)體封裝MOS管 8.1k 0

      半橋LLC電路中MOS管空載電壓尖峰的改善

      半橋LLC電路中MOS管空載電壓尖峰的改善

      半橋電路在空載和輕載下采用不對(duì)稱(chēng)發(fā)波方式，空載時(shí)，上管的占空比很小，甚至為0（下管和其互補(bǔ)），這樣LLC電路的下面的諧振電容電壓很低，導(dǎo)致下面的功率管導(dǎo)...

      2023-03-23 標(biāo)簽：MOS管LLC半橋電路 8.1k 0

      基于寄生電容的MOS等效模型

      基于寄生電容的MOS等效模型

      作為一個(gè)硬件工程師，相信大家都用過(guò)MOS管，很多人看到標(biāo)題會(huì)納悶，MOS管不是壓控型器件嗎？對(duì)于NMOS器件，不是只要GS電壓大于開(kāi)啟電壓不久導(dǎo)通了嗎？...

      2022-04-07 標(biāo)簽：MOS管驅(qū)動(dòng)電路 8k 0

      全面解析IGBT內(nèi)部結(jié)構(gòu)、工作原理、特性、優(yōu)缺點(diǎn)

      全面解析IGBT內(nèi)部結(jié)構(gòu)、工作原理、特性、優(yōu)缺點(diǎn)

      IGBT 有三個(gè)端子（集電極、發(fā)射極和柵極）都附有金屬層。然而，柵極端子上的金屬材料具有二氧化硅層。

      2023-09-19 標(biāo)簽：電子元器件MOS管IGBT 8k 0

      MOS管功率損耗怎么測(cè)？

      除了RDS（ON）之外，在MOS管的選擇過(guò)程中還有幾個(gè)MOS管參數(shù)也對(duì)電源設(shè)計(jì)人員非常重要。許多情況下，設(shè)計(jì)人員應(yīng)該密切關(guān)注數(shù)據(jù)手冊(cè)上的安全工作區(qū)（SO...

      2019-06-18 標(biāo)簽：電流MOS管功率損耗 8k 0

      壓控電流源電路設(shè)計(jì)及其工作原理

      電流源是一種非常常用的電路，如工業(yè)中4-20mA輸出，LED恒流驅(qū)動(dòng)，以及一些傳感器可能也需要恒流驅(qū)動(dòng)等。

      2022-10-20 標(biāo)簽：電路設(shè)計(jì)MOS管壓控電流源 8k 0

      mos管小電流發(fā)熱嚴(yán)重怎么解決

      mos管小電流發(fā)熱嚴(yán)重怎么解決

      mos管，做電源設(shè)計(jì)，或者做驅(qū)動(dòng)方面的電路，難免要用到MOS管。MOS管有很多種類(lèi)，也有很多作用。做電源或者驅(qū)動(dòng)的使用，當(dāng)然就是用它的開(kāi)關(guān)作用。

      2019-06-26 標(biāo)簽：MOS管小電流 8k 0

      什么是MOS管的線(xiàn)性區(qū)

      MOS管的線(xiàn)性區(qū)是指MOS管在特定工作條件下，其導(dǎo)電性能隨輸入電壓（通常是柵源電壓Vgs）和輸出電壓（漏源電壓Vds）的變化而保持近似線(xiàn)性的區(qū)域。

      2024-09-14 標(biāo)簽：MOS管電極源極 8k 0

      MOS管柵極電阻阻值作用

      1、如果沒(méi)有柵極電阻，或者電阻阻值太小 ? MOS導(dǎo)通速度過(guò)快，高壓情況下容易擊穿周?chē)钠骷?? ? 2、柵極電阻阻值過(guò)大 ? MOS管導(dǎo)通時(shí)，Rds...

      2022-11-04 標(biāo)簽：MOS管電壓柵極電阻 8k 0

      MOS管和IGBT管的辨別

      MOS管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）和IGBT（...

      2024-07-26 標(biāo)簽：MOS管晶體管IGBT管 7.9k 0

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        DC/DC轉(zhuǎn)換器為轉(zhuǎn)變輸入電壓后有效輸出固定電壓的電壓轉(zhuǎn)換器。DC/DC轉(zhuǎn)換器分為三類(lèi)：升壓型DC/DC轉(zhuǎn)換器、降壓型DC/DC轉(zhuǎn)換器以及升降壓型DC/DC轉(zhuǎn)換器。
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        功率放大器（英文名稱(chēng)：power amplifier），簡(jiǎn)稱(chēng)“功放”，是指在給定失真率條件下，能產(chǎn)生最大功率輸出以驅(qū)動(dòng)某一負(fù)載（例如揚(yáng)聲器）的放大器。
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        LED臺(tái)燈就是以LED即發(fā)光二極管為光源的臺(tái)燈，LED是一種固態(tài)的半導(dǎo)體器件，它可以直接把電轉(zhuǎn)化為光。其使用的LED照明技術(shù)是第三代照明技術(shù)。LED臺(tái)燈使用產(chǎn)生的藍(lán)光會(huì)對(duì)眼睛造成傷害，但也有一系列優(yōu)點(diǎn)。
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        　　全橋整流電路是把交流電能轉(zhuǎn)換為直流電能的電路，整流電路的作用是將交流降壓電路輸出的電壓較低的交流電轉(zhuǎn)換成單向脈動(dòng)性直流電，能夠輸出比輸入交流電壓更高的直流電壓，但這種電路輸出電流的能力較差，所以具有高電壓，小電流的輸出特性。
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