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標(biāo)簽 > mos管
mos管是金屬（metal）—氧化物（oxide）—半導(dǎo)體（semiconductor）場效應(yīng)晶體管，或者稱是金屬—絕緣體（insulator）—半導(dǎo)體。MOS管的source和drain是可以對調(diào)的，他們都是在P型backgate中形成的N型區(qū)。
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和普通雙極型晶體管相比，MOS管具有輸入阻抗高、噪聲低、動態(tài)范圍大、功耗小、易于集成等優(yōu)勢，在開關(guān)電源、鎮(zhèn)流器、高頻感應(yīng)加熱、高頻逆變焊機(jī)、通信電源等高...
MOS管的米勒效應(yīng)：如何平衡抑制米勒效應(yīng)和抑制EMI風(fēng)險(xiǎn)的關(guān)系
關(guān)于MOS管的米勒效應(yīng)，已經(jīng)輸出了8篇，今天這一篇是MOS管章節(jié)的最后一篇，下一篇就開始整理運(yùn)放相關(guān)的內(nèi)容。我個(gè)人認(rèn)為今天聊的這個(gè)話題至關(guān)重要：抑制米勒...
在常規(guī)使用中，似乎流經(jīng)NMOS和PMOS的電流只朝一個(gè)方向流動，但實(shí)際情況是，MOS的電流流向和BJT不一樣，BJT的電流流向已經(jīng)固定，但是MOS并沒有。
MOS管的三個(gè)極分別是：G(柵極)，D(漏極)，S(源極)，當(dāng)柵極和源極之間電壓大于某一特定值，漏極和源極才能導(dǎo)通。
MOS管并聯(lián)工作原理和注意事項(xiàng) MOS管并聯(lián)方法電路圖
并聯(lián)是元件之間的一種連接方式，其特點(diǎn)是將2個(gè)同類或不同類的元件、器件等首首相接，同時(shí)尾尾亦相連的一種連接方式。通常是用來指電路中電子元件的連接方式，即并聯(lián)電路。
分享一款實(shí)用的太陽能充電電路（室內(nèi)光照可用）
隨著物聯(lián)網(wǎng)的發(fā)展，很多智能電子設(shè)備都朝著低功耗方向發(fā)展， 光能，風(fēng)能，機(jī)械能等不同的自然能源都能被利用起來作為電子設(shè)備的能量來源， 本文要分享一款太...
傳感器及發(fā)光器件常需恒流源供電，精確測量微小電阻一般也要用到恒流源。 恒流源的本質(zhì)是其具有調(diào)節(jié)負(fù)載兩端電壓的能力，凡具有電壓調(diào)整能力的器件均可構(gòu)成恒流源...
MOS管驅(qū)動電路原理與MOS管驅(qū)動電路布線設(shè)計(jì)
如果不考慮紋波和EMI等要求的話，MOS管開關(guān)速度越快越好，因?yàn)殚_關(guān)時(shí)間越短，開關(guān)損耗越小，而在開關(guān)電源中開關(guān)損耗占總損耗的很大一部分，因此MOS管驅(qū)動...
寬電壓應(yīng)用：輸入電壓并不是一個(gè)固定值，它會隨著時(shí)間或者其他因素而變動。這個(gè)變動導(dǎo)致PWM電路提供給MOS管的驅(qū)動電壓是不穩(wěn)定的。
模數(shù)A/D轉(zhuǎn)換器的基本原理與轉(zhuǎn)換過程解析
在一系列選定的瞬間對模擬信號進(jìn)行取樣，然后再將這些取樣值轉(zhuǎn)換成輸出的數(shù)字量，并按一定的編碼形式給出轉(zhuǎn)換結(jié)果。整個(gè)A/D轉(zhuǎn)換過程大致可分為取樣、量化、編碼...
2022-08-03 標(biāo)簽：運(yùn)算放大器MOS管電壓比較器 8384 0
硬件工程師的很多項(xiàng)目是在洞洞板上完成的，但有存在不小心將電源正負(fù)極接反的現(xiàn)象，導(dǎo)致很多電子元器件都燒毀，甚至整塊板子都廢掉，還得再焊接一塊，不知道有什么...
2022-08-29 標(biāo)簽：二極管MOS管反接保護(hù)電路 8253 0
場效應(yīng)晶體管（MOSFET）是一種廣泛應(yīng)用在電子電路中的半導(dǎo)體器件，它有三個(gè)引腳：源極（Source）、漏極（Drain）和柵極（Gate）。這三個(gè)引腳...
分享幾種常用的三極管和MOS管的基礎(chǔ)知識及應(yīng)用電路
咱們電路設(shè)計(jì)中，用的最多的就是三極管和MOS管，今天給大家分享幾種常用的三極管和MOS管的基礎(chǔ)知識及應(yīng)用電路。
硬件工程師的很多項(xiàng)目是在洞洞板上完成的，但有存在不小心將電源正負(fù)極接反的現(xiàn)象，導(dǎo)致很多電子元器件都燒毀，甚至整塊板子都廢掉，還得再焊接一塊，不知道有什么...
電力MOSFET都是通過增加N-漂移區(qū)的厚度來提高工作電壓，但由此也帶來通態(tài)電阻的增大，當(dāng)電流比較大時(shí)，管壓降和損耗會明顯加大，因此MOSFET特別適合...
射頻微波電路：MOS管的基礎(chǔ)概念（I/V特性，二級效應(yīng)）
MOS管的I/V特性 如前面所說，我們研究I/V特性不是為了推導(dǎo)而推導(dǎo)，只是為了讓我們更加清楚地了解MOS管的工作狀態(tài)，在后續(xù)的表達(dá)中可以更加簡潔精煉。
mos在控制器電路中的工作狀態(tài)：開通過程（由截止到導(dǎo)通的過渡過程）、導(dǎo)通狀態(tài)、關(guān)斷過程（由導(dǎo)通到截止的過渡過程）、截止?fàn)顟B(tài)。
MOS管擴(kuò)流穩(wěn)壓電路、其主要作用是將輸入的低壓直流信號轉(zhuǎn)換為高壓、大功率的脈沖信號。這種電路具有結(jié)構(gòu)簡單、響應(yīng)速度快、穩(wěn)定性好等優(yōu)點(diǎn)，因此在電力電子技術(shù)...
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