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mos管

mos管

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mos管是金屬(metal)—氧化物(oxide)—半導(dǎo)體(semiconductor)場(chǎng)效應(yīng)晶體管,或者稱是金屬—絕緣體(insulator)—半導(dǎo)體。MOS管的source和drain是可以對(duì)調(diào)的,他們都是在P型backgate中形成的N型區(qū)。

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mos管技術(shù)

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  電流源輸出的是穩(wěn)定的電流,電壓源輸出的是穩(wěn)定的電壓,當(dāng)然了,穩(wěn)定只是相對(duì)的,這個(gè)世界上沒(méi)有完全穩(wěn)定的電源。

2023-03-21 標(biāo)簽:MOS管電壓源電流源 5.7k 0

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2023-03-13 標(biāo)簽:MOSFET放大電路MOS管 5.7k 0

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在IIC主從設(shè)備連接時(shí),需要考慮主從設(shè)備的電平情況,常規(guī)的主要有3種:5V、3.3V、1.8V,如果電平相同,那么就直接連接;若電平不同,一個(gè)高電平是5...

2023-03-16 標(biāo)簽:MOS管總線IIC 5.7k 0

自舉電路的工作原理和經(jīng)典應(yīng)用

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自舉電容的核心原理是:電容兩端電壓不能突變。

2023-03-24 標(biāo)簽:二極管MOS管自舉電容 5.6k 0

低Vth加濕器MOS管解決方案與設(shè)計(jì)電路圖 100V耐壓MOS管 N溝道

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2021-01-19 標(biāo)簽:電路圖MOSFET場(chǎng)效應(yīng)管 5.6k 3

同步和異步buck電路的對(duì)比

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四種組合模式的簡(jiǎn)化結(jié)構(gòu)對(duì)比圖如下圖所示,通過(guò)對(duì)比,很清楚地看出同步和異步的差異是否存在續(xù)流二極管。而集成型buck和非集成型的主要差異就是將開(kāi)關(guān)控制部分...

2023-10-30 標(biāo)簽:二極管MOS管FET 5.6k 0

講講“熱插拔”的特性和芯片應(yīng)用

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隨著人類生活對(duì)現(xiàn)代通信技術(shù)的依賴程度越來(lái)越高,人們對(duì)電源系統(tǒng)的可靠性也提出了越來(lái)越嚴(yán)苛的要求,工作系統(tǒng)短暫的中斷,也會(huì)給我們?cè)斐蔁o(wú)法估量的損失。

2023-12-28 標(biāo)簽:連接器MOS管熱插拔 5.6k 0

一文吃透MOS管的構(gòu)造、特點(diǎn)以及實(shí)用電路

MOS管學(xué)名是場(chǎng)效應(yīng)管,是金屬-氧化物-半導(dǎo)體型場(chǎng)效應(yīng)管,屬于絕緣柵型。本文就結(jié)構(gòu)構(gòu)造、特點(diǎn)、實(shí)用電路、靜電防護(hù)等幾個(gè)方面用工程師的話簡(jiǎn)單描述。

2023-01-30 標(biāo)簽:半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管MOS管 5.6k 0

MOS學(xué)習(xí)筆記—驅(qū)動(dòng)電阻參數(shù)計(jì)算

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在簡(jiǎn)單的了解MOS管的基本原理以及相關(guān)參數(shù)后,如何在實(shí)際的電路中運(yùn)用是我們努力的方向。

2023-10-16 標(biāo)簽:MOSFETMOS管寄生電容 5.6k 0

MOS驅(qū)動(dòng)好不好?一看波形就清楚了!

如何從MOS管的驅(qū)動(dòng)波形來(lái)判斷驅(qū)動(dòng)好不好,到底是哪里出了問(wèn)題?本文分享幾種常見(jiàn)的MOS管驅(qū)動(dòng)波形。

2023-02-08 標(biāo)簽:三極管MOS管驅(qū)動(dòng) 5.6k 0

實(shí)戰(zhàn)講解:為什么MOS管要并聯(lián)個(gè)二極管?

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▼關(guān)注公眾號(hào):工程師看海▼ 原文來(lái)自原創(chuàng)書籍《硬件設(shè)計(jì)指南 從器件認(rèn)知到手機(jī)基帶設(shè)計(jì)》: 根據(jù)導(dǎo)電溝道的不同,MOS可以細(xì)分為NMOS和PMOS兩種。圖...

2024-03-06 標(biāo)簽:二極管MOS管PN結(jié) 5.6k 0

MOS管的米勒效應(yīng):感性負(fù)載

在上一篇文章中詳細(xì)描述了帶阻性負(fù)載時(shí)米勒平臺(tái)是怎樣的,對(duì)各階段做了定量分析,相信看過(guò)的同學(xué)應(yīng)該會(huì)有所收獲。今天我們來(lái)聊一聊帶感性負(fù)載時(shí)米勒平臺(tái)是怎樣的。

2023-03-26 標(biāo)簽:電路負(fù)載MOS管 5.5k 0

MOS管的安全工作區(qū)SOA詳解—如何判斷一個(gè)MOS管是否工作在SOA區(qū)?

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測(cè)量MOS管的電壓和電流波形,判斷電壓和電流是否超標(biāo)

2024-03-18 標(biāo)簽:示波器MOS管SOA 5.5k 0

開(kāi)關(guān)電源MOS管驅(qū)動(dòng)電路的設(shè)計(jì)

MOS管因?yàn)槠鋵?dǎo)通內(nèi)阻低,開(kāi)關(guān)速度快,因此被廣泛應(yīng)用在開(kāi)關(guān)電源上。而用好一個(gè)MOS管,其驅(qū)動(dòng)電路的設(shè)計(jì)就很關(guān)鍵。下面分享幾種常用的驅(qū)動(dòng)電路。

2022-09-15 標(biāo)簽:開(kāi)關(guān)電源MOS管驅(qū)動(dòng)電路 5.5k 0

電源驅(qū)動(dòng)ic的作用是什么 電源IC驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)圖

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電源驅(qū)動(dòng)IC的作用是提供對(duì)電源開(kāi)關(guān)器件的精確控制,同時(shí)保護(hù)電源和提供反饋控制功能,幫助實(shí)現(xiàn)高效、穩(wěn)定和可靠的電源系統(tǒng)。

2024-02-05 標(biāo)簽:MOSFETMOS管PWM 5.5k 0

一種新型串聯(lián)電感并聯(lián)調(diào)諧DE-1類功率放大器

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本文將D類功率放大器與E-1類功率放大器結(jié)合,提出一種新型串聯(lián)電感并聯(lián)調(diào)諧DE-1類功率放大器。首先利用ZCS和ZCSS條件[10]對(duì)該功率放大器的工作...

2018-09-07 標(biāo)簽:功率放大器MOS管串聯(lián)電感 5.5k 0

三極管基極/集電極電阻的選擇方法

三極管基極/集電極電阻的選擇方法

使用三極管做開(kāi)關(guān)使用,要么飽和導(dǎo)通,要么截止,我們期望飽和導(dǎo)通時(shí)集電極電流不能超過(guò)最大值限制,這個(gè)很容易達(dá)到,因?yàn)楝F(xiàn)在的三極管飽和電流都能承受幾百mA,...

2023-10-23 標(biāo)簽:三極管電阻MOS管 5.5k 0

詳解大電流H橋電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路

搭建H橋驅(qū)動(dòng)電路一般都包括兩個(gè)部分:半橋/全橋驅(qū)動(dòng)芯片和MOS管。自行搭建的H橋驅(qū)動(dòng)所能通過(guò)的電流幾乎由MOS管的導(dǎo)通漏極電流所決定。

2023-01-12 標(biāo)簽:MOS管電機(jī)驅(qū)動(dòng)驅(qū)動(dòng)芯片 5.5k 0

數(shù)字源表如何測(cè)試MOS管電性能

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MOSFET(金屬—氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)是 一種利用電場(chǎng)效應(yīng)來(lái)控制其電流大小的常見(jiàn)半導(dǎo)體器件,可 以 廣 泛 應(yīng) 用 在 模 擬 電 路 和 數(shù) ...

2022-12-09 標(biāo)簽:測(cè)試MOSFETMOS管 5.5k 0

MOS管驅(qū)動(dòng)電路原理與電路布線設(shè)計(jì)

MOS管驅(qū)動(dòng)電路原理與電路布線設(shè)計(jì)

一般認(rèn)為MOSFET是電壓驅(qū)動(dòng)的,不需要驅(qū)動(dòng)電流。然而,在MOS的G S兩級(jí)之間有結(jié)電容存在,這個(gè)電容會(huì)讓驅(qū)動(dòng)MOS變的不那么簡(jiǎn)單。

2023-05-30 標(biāo)簽:MOSFETMOS管PWM 5.5k 1

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