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標(biāo)簽 > mos管
mos管是金屬（metal）—氧化物（oxide）—半導(dǎo)體（semiconductor）場(chǎng)效應(yīng)晶體管，或者稱是金屬—絕緣體（insulator）—半導(dǎo)體。MOS管的source和drain是可以對(duì)調(diào)的，他們都是在P型backgate中形成的N型區(qū)。
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PIN Diode射頻開關(guān)驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)與調(diào)試
在小功率無(wú)線產(chǎn)品射頻開關(guān)電路設(shè)計(jì)中，我們常常選用CMOS，GaAs，SOI等工藝的射頻器件，其外圍電路很簡(jiǎn)單，通常只需要配合電阻電容就可以正常工作。
2023-07-04 標(biāo)簽：MOS管驅(qū)動(dòng)電路射頻開關(guān) 5.5k 0
N溝道增強(qiáng)型MOS管的工作區(qū)間及開通過(guò)程分析
N溝道增強(qiáng)型MOS管的結(jié)構(gòu)如圖1所示，P型襯底上制作兩個(gè)高摻雜的N區(qū)，引出作為漏極D和源極S，襯底上再制作一塊絕緣層，絕緣層上在制作一層金屬電極，引...
為什么MOS管要并聯(lián)一個(gè)二極管？有什么用？
MOS管，是MOSFET的縮寫，全拼是Metal-Oxide-SemiconductorField-Effect Transistor，翻譯過(guò)來(lái)是金屬-...
MOS開關(guān)實(shí)現(xiàn)的功能和開關(guān)條件
借助寄生二極管來(lái)辨別。將萬(wàn)用表檔位撥至二極管檔，紅表筆接S,黑表筆接D，有數(shù)值顯示，反過(guò)來(lái)接無(wú)數(shù)值，說(shuō)明是N溝道，若情況相反是P溝道。
什么是安全工作區(qū)？SOA具體如何應(yīng)用和測(cè)試呢？
VDS（Drain-source voltage）：漏源電壓標(biāo)稱值，反應(yīng)的是漏源極能承受的最大的電壓值；
控制直流電機(jī)，需要直流電機(jī)驅(qū)動(dòng)，無(wú)非是控制電機(jī)正反轉(zhuǎn)和轉(zhuǎn)速。
2023-12-25 標(biāo)簽：直流電機(jī)MOS管驅(qū)動(dòng)電路 5.4k 0
摘要：前兩天同學(xué)做了一個(gè)電路，功能就是用MOS管來(lái)控制一個(gè)電源的開關(guān),但是做出來(lái)后發(fā)現(xiàn)不能用控制MOS管的開關(guān)，MOS管一直處于導(dǎo)通狀態(tài)。一起來(lái)看看到底...
理想的MOS晶體管不應(yīng)該有任何電流流入襯底或者阱中，當(dāng)晶體管關(guān)閉的時(shí)候DS之間不應(yīng)該存在任何的電流。但是，現(xiàn)實(shí)中MOS卻存在各種不同的漏電流。漏電流一方...
MOS管（三極管）—一些常用的硬件設(shè)計(jì)電路分析
芯片的集成度雖然越來(lái)越高，但是整個(gè)電路功能的實(shí)現(xiàn)，還是離不開分離器件的搭配，本文就針對(duì)筆者在實(shí)際工作中的關(guān)于 MOS 管（三極管）的應(yīng)用做一些整理。
Path1容易出現(xiàn)hold問(wèn)題，path2容易出現(xiàn)setup問(wèn)題；如果在path1和path2的commen part修timing就會(huì)導(dǎo)致另外一個(gè)pa...
對(duì)于MOSFET，米勒效應(yīng)（Miller Effect）指其輸入輸出之間的分布電容（柵漏電容）在反相放大作用下，使得等效輸入電容值放大的效應(yīng)。由于米勒效...
MOS管因?yàn)槠鋵?dǎo)通內(nèi)阻低，開關(guān)速度快，因此被廣泛應(yīng)用在開關(guān)電路上。而用好一個(gè)MOS管，其驅(qū)動(dòng)電路的設(shè)計(jì)就很關(guān)鍵。下面分享幾種常用的驅(qū)動(dòng)電路。
2022-07-12 標(biāo)簽：三極管MOS管驅(qū)動(dòng)電路 5.4k 0
渥爾曼電路的基本結(jié)構(gòu)及設(shè)計(jì)總結(jié)
共基極電路正常工作的電流變化是由于集電極電阻上電壓降不同而人造成的，而集電極上電壓降卻絕育集電極電流的變化，而集電極電流的變化取決于基極輸入電流的變化。
學(xué)習(xí)razavi的書籍以及視頻，給人感覺(jué)，就是每一個(gè)電路都不是平白無(wú)故來(lái)的，其產(chǎn)生都是因?yàn)橛行枨蟆?/p>
在電力電子領(lǐng)域，IGBT（絕緣柵雙極型晶體管）和MOS管（金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）是兩種非常重要的功率半導(dǎo)體器件。它們各自具有獨(dú)特的工作原理、結(jié)構(gòu)...
電池管理系統(tǒng)(BMS)是電力巡檢機(jī)器人、電動(dòng)汽車、大型無(wú)人遙控車等系統(tǒng)的中一個(gè)越來(lái)越重要的關(guān)鍵部分,我國(guó)在這方面的研究正在逐步加強(qiáng)。
一種典型的三極管和MOS管結(jié)合的開關(guān)控制電路
本篇博文分享在實(shí)際工作中經(jīng)常使用的一種典型的三極管和MOS管結(jié)合的開關(guān)控制電路，關(guān)于三極管和MOS管的基礎(chǔ)使用方法可以參見(jiàn)下文說(shuō)明。
開關(guān)電源中除了我們常規(guī)介紹的差模噪聲源和共模噪聲源，還存在一些其它的噪聲源也應(yīng)該解決，這些高頻噪聲源同樣會(huì)帶來(lái)電磁兼容問(wèn)題，因此我們需要關(guān)注
2023-09-11 標(biāo)簽：RCD吸收電路開關(guān)電源整流二極管 5.3k 0
主要是講一下關(guān)于mos管的基礎(chǔ)知識(shí)，例如：mos管工作原理、mos管封裝等知識(shí)。
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