mos管

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mos管是金屬（metal）—氧化物（oxide）—半導(dǎo)體（semiconductor）場(chǎng)效應(yīng)晶體管，或者稱是金屬—絕緣體（insulator）—半導(dǎo)體。MOS管的source和drain是可以對(duì)調(diào)的，他們都是在P型backgate中形成的N型區(qū)。

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mos管技術(shù)

MOS管被擊穿的原因

MOS管的敏感性使其容易受到靜電放電（ESD）的損害，這可能導(dǎo)致器件性能下降甚至完全失效。本文將深入探討MOS管被擊穿的原因，并提出相應(yīng)的解決方案，以幫...

2024-10-04 標(biāo)簽：ESD 靜電 MOS管 5.1k 0

繼電器可以作為驅(qū)動(dòng)嗎繼電器驅(qū)動(dòng)電路圖詳解

設(shè)計(jì)繼電器驅(qū)動(dòng)電路之前，先簡(jiǎn)單的描述一下繼電器，繼電器的簡(jiǎn)圖如下所示（圖片從公眾號(hào)“新能源BMS”處引用），當(dāng)線圈通電后，鐵芯就變成了一個(gè)電磁鐵，于是鐵...

2023-08-03 標(biāo)簽：繼電器電路圖 MOS管 5.1k 0

MOS管的驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)案例

對(duì)于小功率電源（50W以內(nèi)）MOS管的驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)相對(duì)簡(jiǎn)單，只需要一個(gè)驅(qū)動(dòng)電阻Rg即可對(duì)MOS管進(jìn)行驅(qū)動(dòng)。此時(shí)的驅(qū)動(dòng)開通電阻和關(guān)斷電阻阻值一致。

2023-06-19 標(biāo)簽：三極管振蕩器 MOS管 5.1k 0

CMOS模擬集成電路之反相器鏈電路的建立和前仿真

今天學(xué)習(xí)的是反相器鏈電路的建立和前仿真，說的簡(jiǎn)單點(diǎn)就是反相器的原理圖仿真，和用AD畫原理圖一樣，開始是設(shè)計(jì)庫，后面是根據(jù)庫中的器件畫原理圖

2023-09-13 標(biāo)簽：MOS管反相器 CMOS集成電路 5.1k 0

MOS管G極與S極之間的電阻作用

MOS管具有三個(gè)內(nèi)在的寄生電容：Cgs、Cgd、Cds。這一點(diǎn)在MOS管的規(guī)格書中可以體現(xiàn)（規(guī)格書常用Ciss、Coss、Crss這三個(gè)參數(shù)代替）。MO...

2023-05-08 標(biāo)簽：變壓器電阻 MOS管 5.1k 1

三極管和MOS管工作狀態(tài)圖解+實(shí)例

大家都知道三極管是電流控制型元件，三極管工作在放大狀態(tài)下存在Ic=βIb的關(guān)系，怎么理解三極管的放大模型呢?這兒我們拋開三極管內(nèi)部空穴和電子的運(yùn)動(dòng)，還是...

2023-02-02 標(biāo)簽：三極管二極管 MOS管 5.1k 0

講解一下全橋電路中的一類：全橋逆變線路

我們可以看到上圖是由芯片和4個(gè)MOS管共同構(gòu)成的全橋式開關(guān)電源輸出部分，當(dāng)時(shí)芯片使用的好像是LM27402MHX型號(hào)

2022-11-02 標(biāo)簽：開關(guān)電源 MOS管全橋電路 5.1k 0

如何防范開關(guān)電源emi？這些技巧你得知道

作為工作于開關(guān)狀態(tài)的能量轉(zhuǎn)換裝置，開關(guān)電源的電壓、電流變化率很高，產(chǎn)生的干擾強(qiáng)度較大；干擾源主要集中在功率開關(guān)期間以及與之相連的散熱器和高平變壓器，相...

2017-11-14 標(biāo)簽：開關(guān)電源 emi mos管 5.1k 0

為什么大家都用三極管來配合單片機(jī)IO口驅(qū)動(dòng)負(fù)載

上一篇推文中我們已經(jīng)說了，驅(qū)動(dòng)繼電器的時(shí)候，通常我們會(huì)采用三極管來配合單片機(jī)IO口。至于為什么不直接用單片機(jī)IO口驅(qū)動(dòng)，非得加個(gè)三極管，在上一篇推文中我...

2022-12-19 標(biāo)簽：三極管單片機(jī)MOS管 5.1k 0

mos管連續(xù)漏極電流是什么

MOS管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）的連續(xù)漏極電...

2024-09-18 標(biāo)簽：半導(dǎo)體 MOS管晶體管 5.1k 0

MOS管可變電阻區(qū)有什么用處

MOS管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）的可變電阻...

2024-07-23 標(biāo)簽：半導(dǎo)體 MOS管晶體管 5.1k 0

液氮的妙用你都知道嗎

液氮是指液態(tài)的氮?dú)?。液氮是惰性，無色，無臭，無腐蝕性，不可燃，溫度極低的液體，汽化時(shí)大量吸熱接觸造成凍傷。

2022-11-08 標(biāo)簽：三極管 MOS管 DDR 5k 0

Innovus教程：輸出用于LVS的Verilog網(wǎng)表文件各種控制選項(xiàng)

有時(shí)候網(wǎng)表中可能會(huì)有一些空的module（在網(wǎng)表中體現(xiàn)為Module下面沒有Cell或者準(zhǔn)確說沒有含MOS管的有效器件），而它們?cè)诎鎴D里面也是不存在的，...

2023-05-24 標(biāo)簽：MOS管 Verilog LVS 5k 0

三極管應(yīng)用項(xiàng)目之熱水循環(huán)泵系統(tǒng)搭建

本課程主要通過講解三極管應(yīng)用項(xiàng)目，讓大家學(xué)到電子領(lǐng)域更多元器件，以及能自如的搭建自己想要的電路。通過做一個(gè)個(gè)實(shí)際的項(xiàng)目，讓大家快速的成長(zhǎng)為一名有經(jīng)驗(yàn)的能...

2019-04-17 標(biāo)簽：三極管 MOS管驅(qū)動(dòng)電路 5k 0

DC/DC電源芯片內(nèi)部結(jié)構(gòu)全解

一顆 DC/DC 降壓電源芯片 LM2675 為例，盡量詳細(xì)講解下一顆芯片的內(nèi)部設(shè)計(jì)原理和結(jié)構(gòu)，IC 行業(yè)的同學(xué)隨便看看就好，歡迎指教!

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STD4NK60ZT4一款N溝道600 V，1.7 Ω 內(nèi)阻，4A超級(jí)MESH功率MOS管

2023-08-21 標(biāo)簽：MOS管 5k 0

MOS管的普遍用法，你知道么？

MOS管相對(duì)于三極管，因其沒有結(jié)點(diǎn)電壓，深受廣大電子發(fā)燒友歡迎。

2023-10-12 標(biāo)簽：三極管 MOS管 GND 5k 0

開關(guān)電源中場(chǎng)效應(yīng)管的作用解析

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2023-02-25 標(biāo)簽：場(chǎng)效應(yīng)管 MOS管晶體管 5k 0

MOS管的幾種失效模式

MOS管，即金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管，是現(xiàn)代電子電路中不可或缺的元器件之一。由于其獨(dú)特的導(dǎo)電性能和廣泛的應(yīng)用場(chǎng)景，MOS管在電源、電力電子、電機(jī)控制...

2024-05-30 標(biāo)簽：半導(dǎo)體 MOS管晶體管 5k 0

dcdc開關(guān)頻率高低有什么影響 dc/dc電源同步和異步區(qū)別

高開關(guān)頻率通?？梢蕴岣逥C-DC轉(zhuǎn)換器的效率。這是因?yàn)楦哳l率開關(guān)可以減小開關(guān)器件的尺寸，降低開關(guān)過程中的能量損耗，從而提高整體轉(zhuǎn)換效率。

2024-03-11 標(biāo)簽：MOS管 DC-DC 續(xù)流二極管 5k 0

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