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標(biāo)簽 > mos管
mos管是金屬(metal)—氧化物(oxide)—半導(dǎo)體(semiconductor)場(chǎng)效應(yīng)晶體管,或者稱是金屬—絕緣體(insulator)—半導(dǎo)體。MOS管的source和drain是可以對(duì)調(diào)的,他們都是在P型backgate中形成的N型區(qū)。
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MOS管的敏感性使其容易受到靜電放電(ESD)的損害,這可能導(dǎo)致器件性能下降甚至完全失效。本文將深入探討MOS管被擊穿的原因,并提出相應(yīng)的解決方案,以幫...
繼電器可以作為驅(qū)動(dòng)嗎 繼電器驅(qū)動(dòng)電路圖詳解
設(shè)計(jì)繼電器驅(qū)動(dòng)電路之前,先簡(jiǎn)單的描述一下繼電器,繼電器的簡(jiǎn)圖如下所示(圖片從公眾號(hào)“新能源BMS”處引用),當(dāng)線圈通電后,鐵芯就變成了一個(gè)電磁鐵,于是鐵...
MOS管的驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)案例
對(duì)于小功率電源(50W以內(nèi))MOS管的驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)相對(duì)簡(jiǎn)單,只需要一個(gè)驅(qū)動(dòng)電阻Rg即可對(duì)MOS管進(jìn)行驅(qū)動(dòng)。此時(shí)的驅(qū)動(dòng)開通電阻和關(guān)斷電阻阻值一致。
今天學(xué)習(xí)的是反相器鏈電路的建立和前仿真,說的簡(jiǎn)單點(diǎn)就是反相器的原理圖仿真,和用AD畫原理圖一樣,開始是設(shè)計(jì)庫,后面是根據(jù)庫中的器件畫原理圖
MOS管具有三個(gè)內(nèi)在的寄生電容:Cgs、Cgd、Cds。這一點(diǎn)在MOS管的規(guī)格書中可以體現(xiàn)(規(guī)格書常用Ciss、Coss、Crss這三個(gè)參數(shù)代替)。MO...
大家都知道三極管是電流控制型元件,三極管工作在放大狀態(tài)下存在Ic=βIb的關(guān)系,怎么理解三極管的放大模型呢?這兒我們拋開三極管內(nèi)部空穴和電子的運(yùn)動(dòng),還是...
作為工作于開關(guān)狀態(tài)的能量轉(zhuǎn)換裝置,開關(guān)電源的電壓、電流變化率很高,產(chǎn)生的干擾強(qiáng)度較大; 干擾源主要集中在功率開關(guān)期間以及與之相連的散熱器和高平變壓器,相...
2017-11-14 標(biāo)簽:開關(guān)電源emimos管 5.1k 0
我們可以看到上圖是由芯片和4個(gè)MOS管共同構(gòu)成的全橋式開關(guān)電源輸出部分,當(dāng)時(shí)芯片使用的好像是LM27402MHX型號(hào)
2022-11-02 標(biāo)簽:開關(guān)電源MOS管全橋電路 5.1k 0
為什么大家都用三極管來配合單片機(jī)IO口驅(qū)動(dòng)負(fù)載
上一篇推文中我們已經(jīng)說了,驅(qū)動(dòng)繼電器的時(shí)候,通常我們會(huì)采用三極管來配合單片機(jī)IO口。至于為什么不直接用單片機(jī)IO口驅(qū)動(dòng),非得加個(gè)三極管,在上一篇推文中我...
MOS管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor,金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)的連續(xù)漏極電...
MOS管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor,金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)的可變電阻...
液氮是指液態(tài)的氮?dú)狻R旱嵌栊?,無色,無臭,無腐蝕性,不可燃,溫度極低的液體,汽化時(shí)大量吸熱接觸造成凍傷。
Innovus教程:輸出用于LVS的Verilog網(wǎng)表文件 各種控制選項(xiàng)
有時(shí)候網(wǎng)表中可能會(huì)有一些空的module(在網(wǎng)表中體現(xiàn)為Module下面沒有Cell或者準(zhǔn)確說沒有含MOS管的有效器件),而它們?cè)诎鎴D里面也是不存在的,...
三極管應(yīng)用項(xiàng)目之熱水循環(huán)泵系統(tǒng)搭建
本課程主要通過講解三極管應(yīng)用項(xiàng)目,讓大家學(xué)到電子領(lǐng)域更多元器件,以及能自如的搭建自己想要的電路。通過做一個(gè)個(gè)實(shí)際的項(xiàng)目,讓大家快速的成長(zhǎng)為一名有經(jīng)驗(yàn)的能...
2019-04-17 標(biāo)簽:三極管MOS管驅(qū)動(dòng)電路 5k 0
DC/DC電源芯片內(nèi)部結(jié)構(gòu)全解
一顆 DC/DC 降壓電源芯片 LM2675 為例,盡量詳細(xì)講解下一顆芯片的內(nèi)部設(shè)計(jì)原理和結(jié)構(gòu),IC 行業(yè)的同學(xué)隨便看看就好,歡迎指教!
STD4NK60ZT4一款N溝道600 V,1.7 Ω 內(nèi)阻,4A超級(jí)MESH功率MOS管
STD4NK60ZT4一款N溝道600 V,1.7 Ω 內(nèi)阻,4A超級(jí)MESH功率MOS管
2023-08-21 標(biāo)簽:MOS管 5k 0
開關(guān)電源中場(chǎng)效應(yīng)管的作用解析
場(chǎng)效應(yīng)晶體管(Field Effect Transistor縮寫(FET))簡(jiǎn)稱場(chǎng)效應(yīng)管。主要有兩種類型:結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管(junction FET—JFE...
2023-02-25 標(biāo)簽:場(chǎng)效應(yīng)管MOS管晶體管 5k 0
MOS管,即金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管,是現(xiàn)代電子電路中不可或缺的元器件之一。由于其獨(dú)特的導(dǎo)電性能和廣泛的應(yīng)用場(chǎng)景,MOS管在電源、電力電子、電機(jī)控制...
dcdc開關(guān)頻率高低有什么影響 dc/dc電源同步和異步區(qū)別
高開關(guān)頻率通??梢蕴岣逥C-DC轉(zhuǎn)換器的效率。這是因?yàn)楦哳l率開關(guān)可以減小開關(guān)器件的尺寸,降低開關(guān)過程中的能量損耗,從而提高整體轉(zhuǎn)換效率。
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