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標(biāo)簽 > mos管
mos管是金屬(metal)—氧化物(oxide)—半導(dǎo)體(semiconductor)場效應(yīng)晶體管,或者稱是金屬—絕緣體(insulator)—半導(dǎo)體。MOS管的source和drain是可以對調(diào)的,他們都是在P型backgate中形成的N型區(qū)。
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氮化鎵(GaN)MOS管是一種新型的功率器件,它具有高電壓、高開關(guān)速度和低導(dǎo)通電阻等優(yōu)點(diǎn),逐漸被廣泛應(yīng)用于功率電子領(lǐng)域。為了充分發(fā)揮氮化鎵MOS管的優(yōu)勢...
液氮是指液態(tài)的氮?dú)?。液氮是惰性,無色,無臭,無腐蝕性,不可燃,溫度極低的液體,汽化時(shí)大量吸熱接觸造成凍傷。
組裝一個(gè)電路來測試mos管的好壞-mos管好壞檢測電路圖
為了保護(hù)電路板上的其他組件,在將mos管連接到電路之前對其測試至關(guān)重要。mos管主要有三個(gè)引腳:漏極、源極和柵極。
米勒效應(yīng)是什么?MOS管能避免米勒效應(yīng)嗎?
從t1時(shí)刻開始,MOS進(jìn)入了飽和區(qū)。在飽和有轉(zhuǎn)移特性:Id=Vgs*Gm。其中Gm是跨導(dǎo),只要Id不變Vgs就不變。Id在上升到最大值以后,而此時(shí)又處于...
比如兩個(gè)芯片之間的供電電壓不一樣,一個(gè)是5V,另一個(gè)是3.3V,那么在兩者之間進(jìn)行通訊建立連接關(guān)系時(shí),就需要進(jìn)行電平轉(zhuǎn)換。
每一個(gè)MOS管都提供有三個(gè)電極:Gate柵極(表示為“G”)、Source源極(表示為“S”)、Drain漏極(表示為“D”)。接線時(shí),對于N溝道的電源...
Mos開關(guān)原理(簡要):Mos是電壓驅(qū)動(dòng)型器件,只要柵極和源級間給一個(gè)適當(dāng)電壓,源級和漏級間通路就形成。這個(gè)電流通路的電阻被成為mos內(nèi)阻,就是導(dǎo)通電阻...
Innovus教程:輸出用于LVS的Verilog網(wǎng)表文件 各種控制選項(xiàng)
有時(shí)候網(wǎng)表中可能會(huì)有一些空的module(在網(wǎng)表中體現(xiàn)為Module下面沒有Cell或者準(zhǔn)確說沒有含MOS管的有效器件),而它們在版圖里面也是不存在的,...
運(yùn)放與MOS管構(gòu)建的恒流電路分析及器件參數(shù)選擇應(yīng)用指南
這里使用的 運(yùn)放是 LM358 mos管是2N6755 (Nmos) 想讓其能夠輸出 1A 的恒流 (當(dāng)然恒流限定了所帶負(fù)載范圍,下面說) 設(shè)計(jì)恒定電流...
場效應(yīng)晶體管的源極、漏極和柵極分別相當(dāng)于晶體管的發(fā)射極、集電極和基極。對應(yīng)于晶體管放大電路,場效應(yīng)晶體管放大電路也有三種組態(tài):共源極放大電路、共漏極放大...
2022-11-30 標(biāo)簽:放大電路MOS管場效應(yīng)晶體管 4417 0
為什么大家都用三極管來配合單片機(jī)IO口驅(qū)動(dòng)負(fù)載
上一篇推文中我們已經(jīng)說了,驅(qū)動(dòng)繼電器的時(shí)候,通常我們會(huì)采用三極管來配合單片機(jī)IO口。至于為什么不直接用單片機(jī)IO口驅(qū)動(dòng),非得加個(gè)三極管,在上一篇推文中我...
耗盡型MOS管(也稱為增強(qiáng)型MOS管)是一種常用的場效應(yīng)管。它是由金屬-氧化物-半導(dǎo)體(MOS)結(jié)構(gòu)組成的。在這種器件中,半導(dǎo)體基片分為N型和P型區(qū)域,...
首先我們介紹增強(qiáng)型MOS管,也是以NMOS管為例。 為什么要叫增強(qiáng)型,我們下面都會(huì)介紹到。
2023-02-22 標(biāo)簽:場效應(yīng)管MOS管MOS 4392 0
dcdc開關(guān)頻率高低有什么影響 dc/dc電源同步和異步區(qū)別
高開關(guān)頻率通常可以提高DC-DC轉(zhuǎn)換器的效率。這是因?yàn)楦哳l率開關(guān)可以減小開關(guān)器件的尺寸,降低開關(guān)過程中的能量損耗,從而提高整體轉(zhuǎn)換效率。
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