mos管

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mos管是金屬（metal）—氧化物（oxide）—半導(dǎo)體（semiconductor）場(chǎng)效應(yīng)晶體管，或者稱(chēng)是金屬—絕緣體（insulator）—半導(dǎo)體。MOS管的source和drain是可以對(duì)調(diào)的，他們都是在P型backgate中形成的N型區(qū)。

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mos管技術(shù)

mos管怎么區(qū)分增強(qiáng)型和耗盡型

MOSFET（金屬-氧化物-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）是一種廣泛應(yīng)用于電子電路中的半導(dǎo)體器件。根據(jù)其導(dǎo)電特性，MOSFET可以分為增強(qiáng)型（Enhancemen...

2024-07-14 標(biāo)簽：MOS管絕緣場(chǎng)效應(yīng)晶體管 4.9k 0

工業(yè)現(xiàn)場(chǎng)0-10V輸出電路分析

　　今天分析一下，工業(yè)現(xiàn)場(chǎng)0-10V輸出電路，這個(gè)電路是一個(gè)網(wǎng)上的開(kāi)源的，今天主要分析一下0-10V輸出電路的實(shí)現(xiàn)。

2023-11-14 標(biāo)簽：電路圖單片機(jī)濾波器 4.9k 0

驅(qū)動(dòng)電路輸出模式的推挽與開(kāi)漏輸出

推挽輸出（Push-Pull Output），故名思意能輸出兩種電平，一種是推（拉電流，輸出高電平），一種是挽（灌電流，輸出低電平）。推挽輸出可以使用一...

2024-04-06 標(biāo)簽：模擬電路上拉電阻場(chǎng)效應(yīng)管 4.8k 0

什么是FET？FinFET將半導(dǎo)體制程帶入新境界

FET 的全名是“場(chǎng)效電晶體（Field Effect Transistor，F(xiàn)ET）”，先從大家較耳熟能詳?shù)摹癕OS”來(lái)說(shuō)明。

2023-07-12 標(biāo)簽：MOSFET MOS管 FET 4.8k 0

MOS管的工作原理及特性

MOS，是MOSFET的縮寫(xiě)。MOSFET金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管，簡(jiǎn)稱(chēng)金氧半場(chǎng)效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Fi...

2023-02-17 標(biāo)簽：MOSFET MOS管晶體管 4.8k 0

mos在控制器電路中的工作狀態(tài)及工作原理

Mos開(kāi)關(guān)原理（簡(jiǎn)要）：Mos是電壓驅(qū)動(dòng)型器件，只要柵極和源級(jí)間給一個(gè)適當(dāng)電壓，源級(jí)和漏級(jí)間通路就形成。這個(gè)電流通路的電阻被成為mos內(nèi)阻，就是導(dǎo)通電阻...

2023-01-17 標(biāo)簽：控制器 MOS管 4.8k 0

耗盡型mos管工作原理是什么

耗盡型MOS管（也稱(chēng)為增強(qiáng)型MOS管）是一種常用的場(chǎng)效應(yīng)管。它是由金屬-氧化物-半導(dǎo)體（MOS）結(jié)構(gòu)組成的。在這種器件中，半導(dǎo)體基片分為N型和P型區(qū)域，...

2023-12-19 標(biāo)簽：半導(dǎo)體 MOS管電荷 4.8k 0

圖騰柱TCM控制原理解析

通過(guò)AC電壓的極性檢測(cè)，得到AC極性信號(hào)Sign(Vac)，即Polarity crossing Vac，送到DSP的GPIO口，軟件在依據(jù)正負(fù)半波來(lái)切...

2023-08-06 標(biāo)簽：MOS管計(jì)數(shù)器 TCM 4.8k 0

解析電動(dòng)車(chē)控制器損壞的常見(jiàn)原因

控制器溫升快可能是控制器本身消耗的電流增加，一般消耗電流在30～40mA，或者是MOS管工作有問(wèn)題；電動(dòng)機(jī)無(wú)力可能是控制器檢測(cè)過(guò)流的康銅絲焊接不良，導(dǎo)致...

2024-03-11 標(biāo)簽：單片機(jī)控制器 MOS管 4.8k 0

模擬電路設(shè)計(jì)之MOSFET

　　MOSFET即金屬-氧化物-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管，其全稱(chēng)為METAL-OXIDE-SEMICONDUCTOR FIELD EFFECT TRANSIS...

2023-02-16 標(biāo)簽：模擬電路 MOSFET MOS管 4.8k 0

寄生二極管的作用和方向判斷方法

mos管本身自帶有寄生二極管，作用是防止VDD過(guò)壓的情況下，燒壞mos管，因?yàn)樵谶^(guò)壓對(duì)MOS管造成破壞之前，二極管先反向擊穿，將大電流直接到地，從而避免...

2023-02-24 標(biāo)簽：二極管 MOS管 N溝道 4.8k 0

C51單片機(jī)的IO口介紹(下)

上一篇文章我們對(duì)C51的IO簡(jiǎn)單的介紹了一下，現(xiàn)在我們來(lái)簡(jiǎn)單了解C51的IO的結(jié)構(gòu)

2023-11-02 標(biāo)簽：單片機(jī)MOS管 C51單片機(jī) 4.8k 0

全面解析MOS管封裝分析報(bào)告

DIP封裝有兩排引腳，需要插入到具有DIP結(jié)構(gòu)的芯片插座上，其派生方式為SDIP(Shrink DIP)，即緊縮雙入線(xiàn)封裝，較DIP的針腳密度高6倍。

2023-06-26 標(biāo)簽：pcb 整流器 MOS管 4.8k 0

Pspice電路仿真入門(mén)：基于MOS管的電平轉(zhuǎn)換電路

　　你有用過(guò)Cadence的PSpice仿真軟件嗎?PSpice是一個(gè)非常好用的仿真軟件，他可以做一些關(guān)于靜態(tài)工作點(diǎn)，瞬態(tài)分析，和一些穩(wěn)定性分析。那么我...

2023-10-01 標(biāo)簽：MOS管 Cadence 仿真 4.7k 1

硬件工程師入門(mén)的基礎(chǔ)元器件知識(shí)

本文介紹了硬件工程師入門(mén)的基礎(chǔ)元器件，包括二極管、三極管、MOS管和IGBT。對(duì)比了肖特基二極管與硅二極管的特性，探討了三極管作為開(kāi)關(guān)的應(yīng)用和電阻選擇方...

2024-12-10 標(biāo)簽：三極管二極管 MOS管 4.7k 0

嵌入式硬件開(kāi)發(fā)中MOS管保護(hù)方法

在電路應(yīng)用中我們涉及到的一個(gè)問(wèn)題就是電源的保護(hù)，往往在保護(hù)MOS管方面需要特別注意。這里就是典型的電路應(yīng)用，此電路存在一個(gè)問(wèn)題就是沒(méi)法進(jìn)行很好的保護(hù)MO...

2022-07-21 標(biāo)簽：嵌入式保護(hù)電路 MOS管 4.7k 0

MOS管知識(shí)全面解析

每一個(gè)MOS管都提供有三個(gè)電極：Gate柵極（表示為“G”）、Source源極（表示為“S”）、Drain漏極（表示為“D”）。接線(xiàn)時(shí)，對(duì)于N溝道的電源...

2022-08-09 標(biāo)簽：半導(dǎo)體 MOS管電極 4.7k 0

什么是IGBT固態(tài)脈沖，它的工作原理是什么？IGBTa安裝與應(yīng)用技術(shù)

對(duì)于不含阻尼二極管的IGBT管，由于三個(gè)電極間的正反向電阻均為無(wú)窮大，故不能用此法判斷。一般地，可從外形上識(shí)別IGBT各電極的名稱(chēng)，標(biāo)注型號(hào)的一面對(duì)著觀(guān)...

2017-05-24 標(biāo)簽：萬(wàn)用表 mos管 igbt 4.7k 0

米勒效應(yīng)是什么？MOS管能避免米勒效應(yīng)嗎？

從t1時(shí)刻開(kāi)始，MOS進(jìn)入了飽和區(qū)。在飽和有轉(zhuǎn)移特性：Id=Vgs*Gm。其中Gm是跨導(dǎo)，只要Id不變Vgs就不變。Id在上升到最大值以后，而此時(shí)又處于...

2022-08-22 標(biāo)簽：MOS管電容充電輸出電容 4.7k 0

MOS管的源極和漏極是否可以互換使用，場(chǎng)效應(yīng)管的D極和S極呢？

按照MOSFET的內(nèi)部導(dǎo)通原理來(lái)說(shuō)，所有管子id電流是可以雙向流過(guò)的，讓人感覺(jué)似乎使用時(shí)D－S可以互換，也有很多資料在做功能或者產(chǎn)品對(duì)比時(shí)，也表明D-S...

2022-10-25 標(biāo)簽：二極管場(chǎng)效應(yīng)管 MOS管 4.7k 0

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過(guò)壓保護(hù)電路

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COB

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dcdc轉(zhuǎn)換器

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DC/DC轉(zhuǎn)換器為轉(zhuǎn)變輸入電壓后有效輸出固定電壓的電壓轉(zhuǎn)換器。DC/DC轉(zhuǎn)換器分為三類(lèi)：升壓型DC/DC轉(zhuǎn)換器、降壓型DC/DC轉(zhuǎn)換器以及升降壓型DC/DC轉(zhuǎn)換器。
檢測(cè)電路圖

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過(guò)流保護(hù)電路

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電路過(guò)電流過(guò)電壓保護(hù)是為防止主回路短路或直流牽引電動(dòng)機(jī)發(fā)生環(huán)火造成主回路電流過(guò)大而損壞同步牽引發(fā)電機(jī)、主整流柜等電氣設(shè)備，機(jī)車(chē)在牽引、電阻制動(dòng)或自負(fù)載工況下，對(duì)主電路的過(guò)電流和過(guò)電壓均進(jìn)行保護(hù)。
VHF

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逆變器電路圖

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功放制作

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功率放大器（英文名稱(chēng)：power amplifier），簡(jiǎn)稱(chēng)“功放”，是指在給定失真率條件下，能產(chǎn)生最大功率輸出以驅(qū)動(dòng)某一負(fù)載（例如揚(yáng)聲器）的放大器。
電源濾波器

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電源濾波器是由電容、電感和電阻組成的濾波電路，又名“電源EMI濾波器”，或是“EMI電源濾波器”，一種無(wú)源雙向網(wǎng)絡(luò)，它的一端是電源，另一端是負(fù)載。電源濾波器的原理就是一種——阻抗適配網(wǎng)絡(luò)：電源濾波器輸入、輸出側(cè)與電源和負(fù)載側(cè)的阻抗適配越大，對(duì)電磁干擾的衰減就越有效。
LED手電筒

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LED球泡燈

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LED球泡燈是外觀(guān)采用人們已經(jīng)習(xí)慣的燈泡外形-球形，內(nèi)部光源選擇的是LED芯片。具備所有LED燈具的優(yōu)點(diǎn)：1、節(jié)能，環(huán)保；2、使用壽命長(zhǎng)；3、無(wú)頻閃，綠色。
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LED臺(tái)燈就是以L(fǎng)ED即發(fā)光二極管為光源的臺(tái)燈，LED是一種固態(tài)的半導(dǎo)體器件，它可以直接把電轉(zhuǎn)化為光。其使用的LED照明技術(shù)是第三代照明技術(shù)。LED臺(tái)燈使用產(chǎn)生的藍(lán)光會(huì)對(duì)眼睛造成傷害，但也有一系列優(yōu)點(diǎn)。
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DCR

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全橋整流電路

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　　全橋整流電路是把交流電能轉(zhuǎn)換為直流電能的電路，整流電路的作用是將交流降壓電路輸出的電壓較低的交流電轉(zhuǎn)換成單向脈動(dòng)性直流電，能夠輸出比輸入交流電壓更高的直流電壓，但這種電路輸出電流的能力較差，所以具有高電壓，小電流的輸出特性。
信號(hào)放大電路

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電流檢測(cè)放大器

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電流檢測(cè)放大器通過(guò)測(cè)量電流通道上電阻的壓降檢測(cè)電流的放大器，電流檢測(cè)放大器輸出與被測(cè)電流成正比的電壓或電流?？梢园央娏鳈z測(cè)放大器可看成一個(gè)輸入級(jí)浮置的儀表/差分放大器。
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倒相電路

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μModule

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火線(xiàn)

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單相電路里的兩根供電電線(xiàn)，一根叫火線(xiàn)（學(xué)名相線(xiàn)），另一根則叫零線(xiàn)（學(xué)名中性線(xiàn)）?；鹁€(xiàn)和零線(xiàn)的區(qū)別在于它們對(duì)地的電壓不同。如果火線(xiàn)和零線(xiàn)一旦碰起來(lái)，由于兩者之間的電壓等于220伏，而兩接觸點(diǎn)間的電阻幾乎等于零，這時(shí)的電流非常大，在火線(xiàn)和零線(xiàn)的接觸點(diǎn)處將產(chǎn)生巨大的熱量，從而發(fā)出電火花，火花處的溫度高到足以把金屬導(dǎo)線(xiàn)燒得熔化。
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行程開(kāi)關(guān)，位置開(kāi)關(guān)（又稱(chēng)限位開(kāi)關(guān)）的一種，是一種常用的小電流主令電器。利用生產(chǎn)機(jī)械運(yùn)動(dòng)部件的碰撞使其觸頭動(dòng)作來(lái)實(shí)現(xiàn)接通或分?jǐn)嗫刂齐娐罚_(dá)到一定的控制目的。通常，這類(lèi)開(kāi)關(guān)被用來(lái)限制機(jī)械運(yùn)動(dòng)的位置或行程，使運(yùn)動(dòng)機(jī)械按一定位置或行程自動(dòng)停止、反向運(yùn)動(dòng)、變速運(yùn)動(dòng)或自動(dòng)往返運(yùn)動(dòng)等。
MC34063A

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調(diào)理電路

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NE556

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A類(lèi)放大器

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