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標(biāo)簽 > mos管
mos管是金屬(metal)—氧化物(oxide)—半導(dǎo)體(semiconductor)場(chǎng)效應(yīng)晶體管,或者稱(chēng)是金屬—絕緣體(insulator)—半導(dǎo)體。MOS管的source和drain是可以對(duì)調(diào)的,他們都是在P型backgate中形成的N型區(qū)。
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MOSFET(金屬-氧化物-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)是一種廣泛應(yīng)用于電子電路中的半導(dǎo)體器件。根據(jù)其導(dǎo)電特性,MOSFET可以分為增強(qiáng)型(Enhancemen...
2024-07-14 標(biāo)簽:MOS管絕緣場(chǎng)效應(yīng)晶體管 4.9k 0
工業(yè)現(xiàn)場(chǎng)0-10V輸出電路分析
今天分析一下,工業(yè)現(xiàn)場(chǎng)0-10V輸出電路,這個(gè)電路是一個(gè)網(wǎng)上的開(kāi)源的,今天主要分析一下0-10V輸出電路的實(shí)現(xiàn)。
驅(qū)動(dòng)電路輸出模式的推挽與開(kāi)漏輸出
推挽輸出(Push-Pull Output),故名思意能輸出兩種電平,一種是推(拉電流,輸出高電平),一種是挽(灌電流,輸出低電平)。推挽輸出可以使用一...
2024-04-06 標(biāo)簽:模擬電路上拉電阻場(chǎng)效應(yīng)管 4.8k 0
MOS,是MOSFET的縮寫(xiě)。MOSFET金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管,簡(jiǎn)稱(chēng)金氧半場(chǎng)效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Fi...
Mos開(kāi)關(guān)原理(簡(jiǎn)要):Mos是電壓驅(qū)動(dòng)型器件,只要柵極和源級(jí)間給一個(gè)適當(dāng)電壓,源級(jí)和漏級(jí)間通路就形成。這個(gè)電流通路的電阻被成為mos內(nèi)阻,就是導(dǎo)通電阻...
耗盡型MOS管(也稱(chēng)為增強(qiáng)型MOS管)是一種常用的場(chǎng)效應(yīng)管。它是由金屬-氧化物-半導(dǎo)體(MOS)結(jié)構(gòu)組成的。在這種器件中,半導(dǎo)體基片分為N型和P型區(qū)域,...
通過(guò)AC電壓的極性檢測(cè),得到AC極性信號(hào)Sign(Vac),即Polarity crossing Vac,送到DSP的GPIO口,軟件在依據(jù)正負(fù)半波來(lái)切...
2023-08-06 標(biāo)簽:MOS管計(jì)數(shù)器TCM 4.8k 0
解析電動(dòng)車(chē)控制器損壞的常見(jiàn)原因
控制器溫升快可能是控制器本身消耗的電流增加,一般消耗電流在30~40mA,或者是MOS管工作有問(wèn)題;電動(dòng)機(jī)無(wú)力可能是控制器檢測(cè)過(guò)流的康銅絲焊接不良,導(dǎo)致...
MOSFET即金屬-氧化物-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管,其全稱(chēng)為METAL-OXIDE-SEMICONDUCTOR FIELD EFFECT TRANSIS...
上一篇文章我們對(duì)C51的IO簡(jiǎn)單的介紹了一下,現(xiàn)在我們來(lái)簡(jiǎn)單了解C51的IO的結(jié)構(gòu)
2023-11-02 標(biāo)簽:單片機(jī)MOS管C51單片機(jī) 4.8k 0
Pspice電路仿真入門(mén):基于MOS管的電平轉(zhuǎn)換電路
你有用過(guò)Cadence的PSpice仿真軟件嗎?PSpice是一個(gè)非常好用的仿真軟件,他可以做一些關(guān)于靜態(tài)工作點(diǎn),瞬態(tài)分析,和一些穩(wěn)定性分析。那么我...
硬件工程師入門(mén)的基礎(chǔ)元器件知識(shí)
本文介紹了硬件工程師入門(mén)的基礎(chǔ)元器件,包括二極管、三極管、MOS管和IGBT。對(duì)比了肖特基二極管與硅二極管的特性,探討了三極管作為開(kāi)關(guān)的應(yīng)用和電阻選擇方...
在電路應(yīng)用中我們涉及到的一個(gè)問(wèn)題就是電源的保護(hù),往往在保護(hù)MOS管方面需要特別注意。這里就是典型的電路應(yīng)用,此電路存在一個(gè)問(wèn)題就是沒(méi)法進(jìn)行很好的保護(hù)MO...
每一個(gè)MOS管都提供有三個(gè)電極:Gate柵極(表示為“G”)、Source源極(表示為“S”)、Drain漏極(表示為“D”)。接線(xiàn)時(shí),對(duì)于N溝道的電源...
什么是IGBT固態(tài)脈沖,它的工作原理是什么?IGBTa安裝與應(yīng)用技術(shù)
對(duì)于不含阻尼二極管的IGBT管,由于三個(gè)電極間的正反向電阻均為無(wú)窮大,故不能用此法判斷。一般地,可從外形上識(shí)別IGBT各電極的名稱(chēng),標(biāo)注型號(hào)的一面對(duì)著觀(guān)...
米勒效應(yīng)是什么?MOS管能避免米勒效應(yīng)嗎?
從t1時(shí)刻開(kāi)始,MOS進(jìn)入了飽和區(qū)。在飽和有轉(zhuǎn)移特性:Id=Vgs*Gm。其中Gm是跨導(dǎo),只要Id不變Vgs就不變。Id在上升到最大值以后,而此時(shí)又處于...
MOS管的源極和漏極是否可以互換使用,場(chǎng)效應(yīng)管的D極和S極呢?
按照MOSFET的內(nèi)部導(dǎo)通原理來(lái)說(shuō),所有管子id電流是可以雙向流過(guò)的,讓人感覺(jué)似乎使用時(shí)D-S可以互換,也有很多資料在做功能或者產(chǎn)品對(duì)比時(shí),也表明D-S...
2022-10-25 標(biāo)簽:二極管場(chǎng)效應(yīng)管MOS管 4.7k 0
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