mos管

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mos管是金屬（metal）—氧化物（oxide）—半導(dǎo)體（semiconductor）場(chǎng)效應(yīng)晶體管，或者稱是金屬—絕緣體（insulator）—半導(dǎo)體。MOS管的source和drain是可以對(duì)調(diào)的，他們都是在P型backgate中形成的N型區(qū)。

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mos管技術(shù)

三極管和場(chǎng)效應(yīng)管的結(jié)構(gòu)及工作原理

　　場(chǎng)效應(yīng)管柵極的最小寬度(柵長(zhǎng))，就是XX nm工藝中的數(shù)值。柵極的寬度則決定了電流通過時(shí)的損耗，表現(xiàn)出來就是手機(jī)常見的發(fā)熱和功耗，寬度越窄，功耗越低。

2023-02-07 標(biāo)簽：三極管開關(guān)電路放大電路 4361 0

簡(jiǎn)單認(rèn)識(shí)NMOS管

老生常談我們先結(jié)合手冊(cè)認(rèn)識(shí)下這個(gè)器件：我們以無錫新潔能的NCE2302為例。

2023-11-13 標(biāo)簽：原理圖封裝 MOS管 4350 0

Pspice電路仿真入門：基于MOS管的電平轉(zhuǎn)換電路

　　你有用過Cadence的PSpice仿真軟件嗎?PSpice是一個(gè)非常好用的仿真軟件，他可以做一些關(guān)于靜態(tài)工作點(diǎn)，瞬態(tài)分析，和一些穩(wěn)定性分析。那么我...

2023-10-01 標(biāo)簽：MOS管 Cadence 仿真 4342 1

MOS管開關(guān)電路原理圖解

對(duì)于MOS管，我們?cè)陔娐吩O(shè)計(jì)中都會(huì)遇到，那么應(yīng)該如何設(shè)計(jì)一個(gè)MOS管的開關(guān)電路呢？

2023-06-27 標(biāo)簽：三極管二極管開關(guān)電路 4339 0

C51單片機(jī)的IO口介紹(下)

上一篇文章我們對(duì)C51的IO簡(jiǎn)單的介紹了一下，現(xiàn)在我們來簡(jiǎn)單了解C51的IO的結(jié)構(gòu)

2023-11-02 標(biāo)簽：單片機(jī)MOS管 C51單片機(jī) 4331 0

圖騰柱TCM控制原理解析

通過AC電壓的極性檢測(cè)，得到AC極性信號(hào)Sign(Vac)，即Polarity crossing Vac，送到DSP的GPIO口，軟件在依據(jù)正負(fù)半波來切...

2023-08-06 標(biāo)簽：MOS管計(jì)數(shù)器 TCM 4314 0

IGBT與MOS管的區(qū)別

在電力電子領(lǐng)域，IGBT（絕緣柵雙極型晶體管）和MOS管（金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）是兩種非常重要的功率半導(dǎo)體器件。它們各自具有獨(dú)特的工作原理、結(jié)構(gòu)...

2024-05-12 標(biāo)簽：MOS管 IGBT 晶體管 4311 0

為什么數(shù)據(jù)傳輸需要電流信號(hào)？為什么電流信號(hào)是4~20mA呢？

在工廠自動(dòng)化控制領(lǐng)域，模擬信號(hào)的傳輸常見電流信號(hào)4-20mA，常見電壓信號(hào)0-10V，0~5V，-10V~+10V,-5V~-5V。

2023-06-13 標(biāo)簽：變送器 MOS管電磁干擾 4304 0

常見保護(hù)電路原理詳解（附電路圖）

在現(xiàn)實(shí)世界中，電子電路所處的周圍環(huán)境總是變幻莫測(cè)的。人體靜電、雷擊浪涌、誤操作等諸多不可預(yù)料的因素時(shí)刻威脅著電子設(shè)備的正常工作。因此保護(hù)電路的作用與意義...

2023-04-12 標(biāo)簽：電路圖保護(hù)電路過壓保護(hù) 4303 0

使用功率mos管設(shè)計(jì)的100W直流伺服放大電路方案

給大家分享的是使用功率 mos 管的 100W 直流伺服放大電路。如果你正好需要直流放大器電路，就可以直接參考了。

2022-10-13 標(biāo)簽：放大電路運(yùn)算放大器 MOS管 4296 0

數(shù)字源表如何測(cè)試MOS管電性能

MOSFET(金屬—氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)是一種利用電場(chǎng)效應(yīng)來控制其電流大小的常見半導(dǎo)體器件，可以廣泛應(yīng) 用在模擬電路和數(shù) ...

2022-12-09 標(biāo)簽：測(cè)試 MOSFET MOS管 4295 0

MOS管G極和S極串聯(lián)電阻的作用

MOS管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）的G極（柵極...

2024-07-16 標(biāo)簽：半導(dǎo)體 MOS管晶體管 4294 0

關(guān)于MOS管開關(guān)時(shí)電壓電流波形問題

如圖，為什么在Vce下降前ic就開始上升了呢？

2023-03-30 標(biāo)簽：MOS管波形 ZVS 4290 0

驅(qū)動(dòng)電路輸出模式的推挽與開漏輸出

推挽輸出（Push-Pull Output），故名思意能輸出兩種電平，一種是推（拉電流，輸出高電平），一種是挽（灌電流，輸出低電平）。推挽輸出可以使用一...

2024-04-06 標(biāo)簽：模擬電路上拉電阻場(chǎng)效應(yīng)管 4286 0

詳解IGBT內(nèi)部結(jié)構(gòu)/特性/工作原理

IGBT 是絕緣柵雙極晶體管的簡(jiǎn)稱，是一種三端半導(dǎo)體開關(guān)器件，可用于多種電子設(shè)備中的高效快速開關(guān)。 IGBT 主要用于放大器，用于通過脈沖寬度調(diào)制 (...

2023-11-17 標(biāo)簽：MOS管 IGBT 晶體管 4278 0

ADS調(diào)用spectre網(wǎng)表仿真異?！Χㄖ@的NetlistInclude

ADS是支持調(diào)用spice/spectre等網(wǎng)表文件進(jìn)行仿真的，可以用NetlistInclude控件來進(jìn)行調(diào)用。

2024-03-07 標(biāo)簽：MOS管芯片設(shè)計(jì)晶體管 4275 0

2kW高頻逆變器學(xué)習(xí)干貨

現(xiàn)代設(shè)備對(duì)電源的性能要求越來越高，未來電源將向著高功率密度、高效率、低EMI、小體積等方向發(fā)展。為了實(shí)現(xiàn)以上需求，現(xiàn)代的電源的頻率越做越高、諧振技術(shù)也逐...

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云途和智芯車規(guī)功能安全MCU分析

基于Cortex-M0+內(nèi)核的YTM32Z1L，集成LIN/CAN PHY及HV Driver,對(duì)標(biāo)NXP S12系列

2023-06-12 標(biāo)簽：arm MOS管 Cortex-M0 4258 0

IGBT芯片的結(jié)構(gòu)特點(diǎn)和性能優(yōu)勢(shì)

當(dāng)前的新能源車的模塊系統(tǒng)由很多部分組成，如電池、VCU、BSM、電機(jī)等，但是這些都是發(fā)展比較成熟的產(chǎn)品，國(guó)內(nèi)外的模塊廠商已經(jīng)開發(fā)了很多，但是有一個(gè)模塊需...

2023-10-19 標(biāo)簽：芯片 MOS管 IGBT 4248 0

mos管怎么判斷是n型還是p型

MOS（Metal-Oxide-Semiconductor）管是一種由金屬-氧化物-半導(dǎo)體構(gòu)成的場(chǎng)效應(yīng)晶體管，它常用于集成電路中作為開關(guān)或放大器。MOS...

2024-01-10 標(biāo)簽：集成電路半導(dǎo)體 MOS管 4245 0

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DC/DC轉(zhuǎn)換器為轉(zhuǎn)變輸入電壓后有效輸出固定電壓的電壓轉(zhuǎn)換器。DC/DC轉(zhuǎn)換器分為三類：升壓型DC/DC轉(zhuǎn)換器、降壓型DC/DC轉(zhuǎn)換器以及升降壓型DC/DC轉(zhuǎn)換器。
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功率放大器（英文名稱：power amplifier），簡(jiǎn)稱“功放”，是指在給定失真率條件下，能產(chǎn)生最大功率輸出以驅(qū)動(dòng)某一負(fù)載（例如揚(yáng)聲器）的放大器。
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