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標(biāo)簽 > mos管
mos管是金屬(metal)—氧化物(oxide)—半導(dǎo)體(semiconductor)場效應(yīng)晶體管,或者稱是金屬—絕緣體(insulator)—半導(dǎo)體。MOS管的source和drain是可以對調(diào)的,他們都是在P型backgate中形成的N型區(qū)。
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MOSFET(金屬-氧化物-半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)是一種廣泛應(yīng)用于電子電路中的半導(dǎo)體器件。根據(jù)其導(dǎo)電特性,MOSFET可以分為增強(qiáng)型(Enhancemen...
2024-07-14 標(biāo)簽:MOS管絕緣場效應(yīng)晶體管 4.9k 0
推挽輸出(Push-Pull Output),故名思意能輸出兩種電平,一種是推(拉電流,輸出高電平),一種是挽(灌電流,輸出低電平)。推挽輸出可以使用一...
2024-04-06 標(biāo)簽:模擬電路上拉電阻場效應(yīng)管 4.8k 0
Mos開關(guān)原理(簡要):Mos是電壓驅(qū)動型器件,只要柵極和源級間給一個適當(dāng)電壓,源級和漏級間通路就形成。這個電流通路的電阻被成為mos內(nèi)阻,就是導(dǎo)通電阻...
耗盡型MOS管(也稱為增強(qiáng)型MOS管)是一種常用的場效應(yīng)管。它是由金屬-氧化物-半導(dǎo)體(MOS)結(jié)構(gòu)組成的。在這種器件中,半導(dǎo)體基片分為N型和P型區(qū)域,...
控制器溫升快可能是控制器本身消耗的電流增加,一般消耗電流在30~40mA,或者是MOS管工作有問題;電動機(jī)無力可能是控制器檢測過流的康銅絲焊接不良,導(dǎo)致...
上一篇文章我們對C51的IO簡單的介紹了一下,現(xiàn)在我們來簡單了解C51的IO的結(jié)構(gòu)
2023-11-02 標(biāo)簽:單片機(jī)MOS管C51單片機(jī) 4.8k 0
Pspice電路仿真入門:基于MOS管的電平轉(zhuǎn)換電路
你有用過Cadence的PSpice仿真軟件嗎?PSpice是一個非常好用的仿真軟件,他可以做一些關(guān)于靜態(tài)工作點(diǎn),瞬態(tài)分析,和一些穩(wěn)定性分析。那么我...
在電路應(yīng)用中我們涉及到的一個問題就是電源的保護(hù),往往在保護(hù)MOS管方面需要特別注意。這里就是典型的電路應(yīng)用,此電路存在一個問題就是沒法進(jìn)行很好的保護(hù)MO...
每一個MOS管都提供有三個電極:Gate柵極(表示為“G”)、Source源極(表示為“S”)、Drain漏極(表示為“D”)。接線時,對于N溝道的電源...
什么是IGBT固態(tài)脈沖,它的工作原理是什么?IGBTa安裝與應(yīng)用技術(shù)
對于不含阻尼二極管的IGBT管,由于三個電極間的正反向電阻均為無窮大,故不能用此法判斷。一般地,可從外形上識別IGBT各電極的名稱,標(biāo)注型號的一面對著觀...
米勒效應(yīng)是什么?MOS管能避免米勒效應(yīng)嗎?
從t1時刻開始,MOS進(jìn)入了飽和區(qū)。在飽和有轉(zhuǎn)移特性:Id=Vgs*Gm。其中Gm是跨導(dǎo),只要Id不變Vgs就不變。Id在上升到最大值以后,而此時又處于...
MOS管的源極和漏極是否可以互換使用,場效應(yīng)管的D極和S極呢?
按照MOSFET的內(nèi)部導(dǎo)通原理來說,所有管子id電流是可以雙向流過的,讓人感覺似乎使用時D-S可以互換,也有很多資料在做功能或者產(chǎn)品對比時,也表明D-S...
2022-10-25 標(biāo)簽:二極管場效應(yīng)管MOS管 4.7k 0
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