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標(biāo)簽 > mos管
mos管是金屬(metal)—氧化物(oxide)—半導(dǎo)體(semiconductor)場(chǎng)效應(yīng)晶體管,或者稱(chēng)是金屬—絕緣體(insulator)—半導(dǎo)體。MOS管的source和drain是可以對(duì)調(diào)的,他們都是在P型backgate中形成的N型區(qū)。
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MOS(Metal-Oxide-Semiconductor)管是一種由金屬-氧化物-半導(dǎo)體構(gòu)成的場(chǎng)效應(yīng)晶體管,它常用于集成電路中作為開(kāi)關(guān)或放大器。MOS...
MOS管的源極和漏極是否可以互換使用,場(chǎng)效應(yīng)管的D極和S極呢?
按照MOSFET的內(nèi)部導(dǎo)通原理來(lái)說(shuō),所有管子id電流是可以雙向流過(guò)的,讓人感覺(jué)似乎使用時(shí)D-S可以互換,也有很多資料在做功能或者產(chǎn)品對(duì)比時(shí),也表明D-S...
2022-10-25 標(biāo)簽:二極管場(chǎng)效應(yīng)管MOS管 4230 0
HT7181 3.7V/7.4V升16V內(nèi)置MOS大功率升壓IC解決方案
HT7181是一款高功率非同步升壓轉(zhuǎn)換器,集成 20mΩ功率開(kāi)關(guān)管,為便攜式系統(tǒng)提供高效的小尺寸解決方案。HT7181具有2.7V至16V寬輸入電壓范圍...
工業(yè)現(xiàn)場(chǎng)0-10V輸出電路分析
今天分析一下,工業(yè)現(xiàn)場(chǎng)0-10V輸出電路,這個(gè)電路是一個(gè)網(wǎng)上的開(kāi)源的,今天主要分析一下0-10V輸出電路的實(shí)現(xiàn)。
MOS管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor,金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)的可變電阻...
在雙MOS管Buck電路中,有兩個(gè)MOSFET管,并且它們直接與電源和負(fù)載相連。具體而言,其中一個(gè)MOSFET管與電源相連,另一個(gè)MOSFET管與負(fù)載相...
推挽輸出是用兩個(gè)晶體管或者場(chǎng)效應(yīng)管構(gòu)成的推挽電路,電路的特點(diǎn)就是輸出電阻小。可以輸出高,低電平,連接數(shù)字器件。
Rdson對(duì)應(yīng)MOS管的哪個(gè)工作區(qū)?
關(guān)于MOS管的文章,例如MOS管的參數(shù)解析等,網(wǎng)上很多,這里就不寫(xiě)了,我們還是針對(duì)具體問(wèn)題具體分析。在問(wèn)題求證過(guò)程中,查漏補(bǔ)缺。
今天的文章簡(jiǎn)單總結(jié)一下MOS管,如下是本文目錄。
2023-01-05 標(biāo)簽:二極管MOSFET場(chǎng)效應(yīng)管 4143 0
通常情況下直流電源輸入防反接保護(hù)電路是利用二極管的單向?qū)щ娦詠?lái)實(shí)現(xiàn)防反接保護(hù)
兩級(jí)米勒補(bǔ)償放大器手算詳細(xì)過(guò)程
UnCox和UpCox以及單個(gè)mos的Cox要通過(guò)仿真得到,發(fā)現(xiàn)這些參數(shù)是和MOS的W和L弱相關(guān)的,不影響計(jì)算,不會(huì)有數(shù)量級(jí)的差異的。
硬件工程師入門(mén)的基礎(chǔ)元器件知識(shí)
本文介紹了硬件工程師入門(mén)的基礎(chǔ)元器件,包括二極管、三極管、MOS管和IGBT。對(duì)比了肖特基二極管與硅二極管的特性,探討了三極管作為開(kāi)關(guān)的應(yīng)用和電阻選擇方...
2023-09-05 標(biāo)簽:開(kāi)關(guān)電源運(yùn)算放大器MOS管 4138 0
開(kāi)關(guān)電源PCB布線(xiàn)原理圖分析
控制電路的調(diào)制輸出:模擬信號(hào),不要在開(kāi)關(guān)管下走長(zhǎng)線(xiàn),遠(yuǎn)離大電流的電源和地等區(qū)域。
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