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標(biāo)簽 > mos管
mos管是金屬（metal）—氧化物（oxide）—半導(dǎo)體（semiconductor）場效應(yīng)晶體管，或者稱是金屬—絕緣體（insulator）—半導(dǎo)體。MOS管的source和drain是可以對調(diào)的，他們都是在P型backgate中形成的N型區(qū)。
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詳解IGBT內(nèi)部結(jié)構(gòu)/特性/工作原理
IGBT 是絕緣柵雙極晶體管的簡稱，是一種三端半導(dǎo)體開關(guān)器件，可用于多種電子設(shè)備中的高效快速開關(guān)。 IGBT 主要用于放大器，用于通過脈沖寬度調(diào)制 (...
場效應(yīng)晶體管的源極、漏極和柵極分別相當(dāng)于晶體管的發(fā)射極、集電極和基極。對應(yīng)于晶體管放大電路，場效應(yīng)晶體管放大電路也有三種組態(tài)：共源極放大電路、共漏極放大...
2022-11-30 標(biāo)簽：放大電路MOS管場效應(yīng)晶體管 4.7k 0
現(xiàn)代設(shè)備對電源的性能要求越來越高，未來電源將向著高功率密度、高效率、低EMI、小體積等方向發(fā)展。為了實現(xiàn)以上需求，現(xiàn)代的電源的頻率越做越高、諧振技術(shù)也逐...
MOS管和驅(qū)動芯片的選型是電子工程設(shè)計中的關(guān)鍵環(huán)節(jié)，它們直接影響電路的性能、穩(wěn)定性和可靠性。以下將詳細(xì)闡述MOS管和驅(qū)動芯片的選型過程，包括需考慮的關(guān)鍵...
對于MOS管，我們在電路設(shè)計中都會遇到，那么應(yīng)該如何設(shè)計一個MOS管的開關(guān)電路呢？
2023-06-27 標(biāo)簽：三極管二極管開關(guān)電路 4.7k 0
本期拆解欄目，我們將帶來對公牛裝飾吊扇的拆解。通過拆解，我們可以更好認(rèn)識吊扇運(yùn)作原理和機(jī)制。
比如兩個芯片之間的供電電壓不一樣，一個是5V，另一個是3.3V，那么在兩者之間進(jìn)行通訊建立連接關(guān)系時，就需要進(jìn)行電平轉(zhuǎn)換。
UnCox和UpCox以及單個mos的Cox要通過仿真得到，發(fā)現(xiàn)這些參數(shù)是和MOS的W和L弱相關(guān)的，不影響計算，不會有數(shù)量級的差異的。
MOS（Metal-Oxide-Semiconductor）管是一種由金屬-氧化物-半導(dǎo)體構(gòu)成的場效應(yīng)晶體管，它常用于集成電路中作為開關(guān)或放大器。MOS...
拆解優(yōu)利德直流穩(wěn)壓電源內(nèi)部結(jié)構(gòu)原理
拆開外殼6個螺絲，底下是功率板，兩個變壓器，小的是輔助電源的，大的是主電源輸出的。一個3P插件是輔助電源給控制板供正負(fù)電壓的。還有個4P是溫度檢測和控制...
2023-10-15 標(biāo)簽：二極管開關(guān)電源穩(wěn)壓電源 4.6k 0
為了選出一個合適的LDO ，我們需要注意一些關(guān)鍵的指標(biāo)，它們包括：輸入電壓值VIN?(min),VIN?(max),輸出電壓和輸出電流VOUT,IOUT...
為什么數(shù)據(jù)傳輸需要電流信號？為什么電流信號是4~20mA呢？
在工廠自動化控制領(lǐng)域，模擬信號的傳輸常見電流信號4-20mA，常見電壓信號0-10V，0~5V，-10V~+10V,-5V~-5V。
推挽輸出是用兩個晶體管或者場效應(yīng)管構(gòu)成的推挽電路，電路的特點就是輸出電阻小?？梢暂敵龈?低電平,連接數(shù)字器件。
所以從這個角度來說，哪個有源MOS管子可以實現(xiàn)這樣的阻抗變化，就可以稱為有源電感。
溫度對MOS管（金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管）壽命的影響是一個復(fù)雜而重要的議題，它不僅關(guān)系到電子產(chǎn)品的性能穩(wěn)定性，還直接影響到產(chǎn)品的使用壽命和可靠性。以...
在雙MOS管Buck電路中，有兩個MOSFET管，并且它們直接與電源和負(fù)載相連。具體而言，其中一個MOSFET管與電源相連，另一個MOSFET管與負(fù)載相...
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