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標(biāo)簽 > mos管
mos管是金屬(metal)—氧化物(oxide)—半導(dǎo)體(semiconductor)場(chǎng)效應(yīng)晶體管,或者稱是金屬—絕緣體(insulator)—半導(dǎo)體。MOS管的source和drain是可以對(duì)調(diào)的,他們都是在P型backgate中形成的N型區(qū)。
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今天給大家講一下關(guān)于MOS管燒毀的原因,文字比較多點(diǎn),不容易讀,希望大家可以認(rèn)真看完。
2023-04-18 標(biāo)簽:電路設(shè)計(jì)MOS管過(guò)電壓 3168 0
對(duì)于27V輸出的低壓大電流應(yīng)用場(chǎng)合,在前期的拓?fù)溥x型時(shí),主要考慮了移相全橋,Boost+定頻諧振和Buck+定頻諧振三種拓?fù)洹R葡嗳珮蛲負(fù)渲?,由于需要?..
當(dāng)輸出電壓低于 VDZ1+0.7V 時(shí),Q1 三極管不導(dǎo)通,Q2 三極管導(dǎo)通,此時(shí) Q3 MOS 管導(dǎo)通使系統(tǒng)正常 輸出;當(dāng)輸出電壓高于 VDZ1+0....
2023-11-29 標(biāo)簽:三極管元器件過(guò)壓保護(hù) 3164 0
MOS管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor,金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)是現(xiàn)代電子...
電路設(shè)計(jì)基礎(chǔ)之MOSFET管開(kāi)關(guān)電路
對(duì)于MOS管,我們?cè)陔娐吩O(shè)計(jì)中都會(huì)遇到,那么應(yīng)該如何設(shè)計(jì)一個(gè)MOS管的開(kāi)關(guān)電路呢?
2022-12-08 標(biāo)簽:開(kāi)關(guān)電路MOSFET電路設(shè)計(jì) 3150 0
倍思立式無(wú)線充電器拆解,采用WINSOK(微碩)高性MOS管
倍思有這么一款無(wú)線充BSWC-P03,將底部支持底座設(shè)計(jì)成一塊輕薄的塑料板,支撐手機(jī)進(jìn)行立式無(wú)線充電對(duì)這塊小板來(lái)說(shuō)還是綽綽有余的。
MOS管柵極驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)注意事項(xiàng)
MOS管開(kāi)關(guān)電路在DC-DC電源、開(kāi)關(guān)控制、電平轉(zhuǎn)換等電路中都有普遍的應(yīng)用,今天就和大家一起學(xué)習(xí)一下MOS管柵極驅(qū)動(dòng)的設(shè)計(jì)注意事項(xiàng)。
2023-08-03 標(biāo)簽:開(kāi)關(guān)電路電路設(shè)計(jì)MOS管 3128 1
MOS管的損耗是一個(gè)復(fù)雜而重要的議題,它涉及到多個(gè)因素,包括MOS管本身的物理特性、電路設(shè)計(jì)、工作條件以及外部環(huán)境等。
ESP32開(kāi)源示波器基礎(chǔ)知識(shí)綜述
本電路采用兩級(jí)LM1117 LDO芯片串聯(lián)組成。第一級(jí)將輸入電壓轉(zhuǎn)換為5V輸出;第二級(jí)將5V電壓轉(zhuǎn)換為3.3V,從而滿足系統(tǒng)各模塊的供電需求。
Opendrop的數(shù)字微流控電浸潤(rùn)方案分析
今天與各位同好分享一下前天提到的 Opendrop的數(shù)字微流控電浸潤(rùn)方案的分析,有些地方還是不太看得懂,也歡迎看懂的同好私信講一下看不懂部分的原理。
2023-12-07 標(biāo)簽:原理圖MOS管驅(qū)動(dòng)板 3126 4
光伏儲(chǔ)能電池管理系統(tǒng)BMS充放電回路設(shè)計(jì)圖
完整的電化學(xué)儲(chǔ)能系統(tǒng)主要由電池組、電池管理系統(tǒng)(BMS)、能量管理系統(tǒng)(EMS)、儲(chǔ)能變流器(PCS)以及其他電氣設(shè)備構(gòu)成。BMS(Battery Ma...
2024-04-05 標(biāo)簽:過(guò)壓保護(hù)MOS管bms 3116 0
關(guān)于PCB芯片散熱焊盤(pán)設(shè)計(jì)方案
在PCB生產(chǎn)過(guò)程中增加電鍍厚度會(huì)改善通孔的熱阻。在上面的示例中,將電鍍厚度增加到70 um(2 oz.),會(huì)使每個(gè)通孔的熱阻降低到34°C/W。但是PC...
設(shè)計(jì)驅(qū)動(dòng)電路該使用MOS管還是三極管?(文末領(lǐng)BJT和MOSFET對(duì)比資料)
晶體管 BJT 和MOSFET 都適用于放大和開(kāi)關(guān)應(yīng)用。然而,它們具有顯著不同的特征。 ? 雙極結(jié)型晶體管 (BJT) 雙極結(jié)型晶體管,通常稱為 BJT...
此時(shí)它的發(fā)熱功率最大,隨后迅速降低直到完全導(dǎo)通,功率變成了100*100*0.003=30w,假設(shè)這個(gè)MOS管的內(nèi)阻是3毫歐姆,那這個(gè)開(kāi)關(guān)過(guò)程的發(fā)熱功率...
2024-04-30 標(biāo)簽:電流MOS管散熱設(shè)計(jì) 3107 0
NMOS防反接電路原理圖 基于MOS管的防反接電路和降壓電路設(shè)計(jì)
在我們?nèi)粘4蚪坏赖碾娮赢a(chǎn)品中,基本上所有的電子元件都是用的直流電,因此當(dāng)我們的電源線插反時(shí),極易容易燒壞電子產(chǎn)品。因此當(dāng)我們?cè)O(shè)計(jì)出一個(gè)電子產(chǎn)品,最先就應(yīng)...
對(duì)MOS管在開(kāi)關(guān)狀態(tài)下的Miller效應(yīng)的原因與現(xiàn)象進(jìn)行分析
MOS管的米勒效應(yīng)會(huì)在高頻開(kāi)關(guān)電路中,延長(zhǎng)開(kāi)關(guān)頻率、增加功耗、降低系統(tǒng)穩(wěn)定性,可謂是臭名昭著,各大廠商都在不遺余力的減少米勒電容。
2022-09-29 標(biāo)簽:MOS管米勒電容驅(qū)動(dòng)電壓 3079 0
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