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標(biāo)簽 > mosfet
簡稱金氧半場效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡稱尚包括NMOS、PMOS等。
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在《意法半導(dǎo)體新能源功率解決方案:從產(chǎn)品到應(yīng)用,一文讀懂(上篇)》文章中,我們著重介紹了ST新能源功率器件中的傳統(tǒng)IGBT和高壓MOSFET器件,讓大家...
2025-02-07 標(biāo)簽:MOSFET意法半導(dǎo)體功率器件 858 0
在電源轉(zhuǎn)換領(lǐng)域,整流是一個(gè)關(guān)鍵環(huán)節(jié),而同步整流與非同步整流作為兩種常見的整流方式,它們有著諸多不同之處,這些差異直接影響著電源電路的性能表現(xiàn)。 從整流元...
基于垂直架構(gòu)的新型二維半導(dǎo)體/鐵電多值存儲(chǔ)器
二維層狀半導(dǎo)體材料得益于原子級(jí)薄的厚度,其受到靜電場屏蔽效應(yīng)大大減弱,利用門電壓可以對(duì)其電學(xué)性能進(jìn)行有效調(diào)控。利用二維層狀半導(dǎo)體材料構(gòu)建的多端憶阻晶體管...
High K材料與金屬柵實(shí)際上是兩項(xiàng)技術(shù)改進(jìn),但是由于他們往往聯(lián)袂出現(xiàn),所以經(jīng)常稱為HKMG。
N溝道MOSFET YC30D2519K在筋膜槍中的應(yīng)用
筋膜槍的流行反映出了人們對(duì)于健康品質(zhì)生活的追求;目前市面上的筋膜槍大致構(gòu)造普遍都大同小異,一般是通過電容觸控電路、PWM信號(hào)控制、集成功率MOS等架構(gòu)組...
2023-07-13 標(biāo)簽:MOSFET場效應(yīng)管PWM 854 0
在汽車、工業(yè)和逆變器應(yīng)用中,對(duì)在更高輸出功率水平下提高效率的需求日益增長。而在電動(dòng)汽車 (EV) 領(lǐng)域,通過提高電機(jī)驅(qū)動(dòng)效率和加快電池充電速度,此類優(yōu)化...
選擇合適的電源轉(zhuǎn)換器僅僅意味著找到最便宜的器件嗎?事實(shí)證明,電源電壓轉(zhuǎn)換領(lǐng)域的創(chuàng)新是值得的,并且在市場上獲得了回報(bào)——因?yàn)檫@些解決方案帶來了更高質(zhì)量的產(chǎn)...
2023-01-16 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器MOSFET功率轉(zhuǎn)換 851 0
汽車LED驅(qū)動(dòng)器仿真揭示MOSFET開關(guān)行為
圖1中的仿真電路圖是升壓轉(zhuǎn)換器功率級(jí)的仿真電路圖,此處用于評(píng)估柵極電阻對(duì)功率級(jí)的影響。在此仿真中,我將瞬態(tài)電壓、電流和導(dǎo)通功率的大小視為潛在可靠性和EM...
2023-06-28 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器MOSFETemi 850 0
數(shù)字化產(chǎn)品、定制化產(chǎn)品正成為今年“雙11”的新寵,驅(qū)動(dòng)數(shù)字消費(fèi)增長。消費(fèi)者對(duì)于高科技產(chǎn)品的需求將持續(xù)增加,特別是在智能家居和個(gè)人健康設(shè)備方面,而且越來越...
2024-11-13 標(biāo)簽:MOSFET開關(guān)電源電源IC 850 0
對(duì)于移動(dòng)和便攜式產(chǎn)品應(yīng)用中,尤其是可穿戴設(shè)備來說,準(zhǔn)則是更精簡、更高效。通過使用高效的開關(guān)選項(xiàng),設(shè)計(jì)者可以擁有更多空間來嵌入功能,同時(shí)最大限度降低電池消...
MRigidCSP 技術(shù):移動(dòng)設(shè)備電池管理應(yīng)用的突破
AOS的 MRigidCSP 技術(shù)專為電池管理應(yīng)用而定制。這項(xiàng)創(chuàng)新技術(shù)旨在降低導(dǎo)通電阻,同時(shí)增強(qiáng)機(jī)械強(qiáng)度。AOS 初提供 MRigidCSP 及其 AO...
碳化硅MOSFET助力新能源汽車實(shí)現(xiàn)更出色的能源效率和應(yīng)用可靠性
碳化硅MOSFET具有優(yōu)秀的高頻、高壓、高溫性能,是目前電力電子領(lǐng)域最受關(guān)注的寬禁帶功率半導(dǎo)體器件。
使用高端N溝道MOSFET (NFET)的熱插拔控制器,浪涌抑制器、電子保險(xiǎn)絲和理想二極管控制器,在啟動(dòng)和電壓/電流調(diào)節(jié)期間可能會(huì)發(fā)生振蕩。數(shù)據(jù)手冊通常...
簡介: 單個(gè)PN結(jié)結(jié)構(gòu),導(dǎo)通和斷開兩種狀態(tài),不具備放大,單向?qū)ǎ? 無外部電流、電壓控制,就是0和1的狀態(tài),電壓電流較小。 應(yīng)用: 各種電子設(shè)備...
在半導(dǎo)體邏輯的研發(fā)中,“小型化的極限”一直被人們談?wù)?。正如上次提到的,尖端邏輯MOS FET的加工尺寸已不再與技術(shù)節(jié)點(diǎn)值相匹配,可以說晶體管的小型化已經(jīng)...
MOSFET與IGBT的選擇對(duì)比:中低壓功率系統(tǒng)的權(quán)衡
在功率電子系統(tǒng)中,MOSFET和IGBT是兩種常見的開關(guān)器件,廣泛應(yīng)用于中低壓功率系統(tǒng)。它們各有優(yōu)缺點(diǎn),適用于不同的應(yīng)用場景。作為FAE,幫助客戶理解這...
提高電源可靠性的關(guān)鍵在于降低功率元件的熱、電壓和電流應(yīng)力,這主要是輸入電壓和所需功率的函數(shù)。不過,您可選擇有助于減輕這些應(yīng)力的拓?fù)洹?/p>
如何在空間受限型設(shè)計(jì)中實(shí)現(xiàn)有效的功率控制
作者:Art Pini 投稿人:DigiKey 北美編輯 諸如耳塞、智能手表、增強(qiáng)現(xiàn)實(shí) (AR)/虛擬現(xiàn)實(shí) (VR) 眼鏡和助聽器之類可穿戴設(shè)備正變得越...
LED照明驅(qū)動(dòng)ic U6113 品質(zhì)觸手可及
一個(gè)達(dá)標(biāo)的LED照明商品一定是結(jié)構(gòu)合理、燈具表面細(xì)致、各構(gòu)件結(jié)構(gòu)性和多功能性配對(duì)、有詳細(xì)清楚的燈具商品標(biāo)簽貼紙等。
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