富士通半導(dǎo)體（上海）有限公司今日宣布其低功耗鐵電隨機存取存儲器FRAM又添小封裝成員－SON-8封裝的MB85RC16。富士通的MB85RC16提供標(biāo)準(zhǔn)封裝SOP-8，SON-8是為該產(chǎn)品添加的新型封裝。
2012-11-27 10:00:23
6719 半導(dǎo)體存儲器一般可分為易失性(Volatile Memory)和非易失性存儲器(Non Volatile Memory)。易失性存儲器是指數(shù)據(jù)信息只有在通電條件下才能保存，斷電后數(shù)據(jù)會丟失，主要有
2023-06-25 14:30:185523 
鐵電存儲器通常具有更快的隨機存取時間（Access Time），能夠更快地執(zhí)行讀取和寫入操作。而閃存的存取速度較慢，通常與鐵電存儲器相比較為遲鈍。
2024-01-23 18:17:519734 
大家不要認為二維數(shù)組在內(nèi)存中就是按行、列這樣二維存儲的，實際上，不管二維、三維數(shù)組… 都是編譯器的語法糖。
存儲上和一維數(shù)組沒有本質(zhì)區(qū)別，舉個例子：
int array[3][3
2025-11-25 07:42:57
Erasable PROM）。 （6） 混合型。 二、半導(dǎo)體存儲器分類 1、按功能分為 ?。?）隨機存取存儲器（RAM）特點：包括DRAM（動態(tài)隨機存取存儲器）和SRAM（靜態(tài)隨機存取存儲器），當(dāng)關(guān)機或斷電
2020-12-25 14:50:34
flash存儲轉(zhuǎn)換成鐵電存儲,應(yīng)該怎么改代碼？需要注意哪些？
2023-01-29 10:56:32
鐵電存儲器FRAM是一種隨機存取存儲器，它將動態(tài)隨機存取存儲器DRAM的快速讀取和寫入訪問——它是個人電腦存儲中最常用的類型——與在電源關(guān)掉后保留數(shù)據(jù)能力（就像其他穩(wěn)定的存儲設(shè)備一樣，如只讀存儲器
2020-05-07 15:56:37
，擦寫次數(shù)低,寫數(shù)據(jù)功耗大等缺點。 鑒于以上情況，越來越多的設(shè)計者將目光投向了新型的非易失性鐵電存儲器(FRAM)。鐵電存儲器具有以下幾個突出的優(yōu)點： i. 讀寫速度快。串口FRAM的時鐘速度可達
2014-04-25 11:05:59
而言，鐵電存儲器具有一些獨一無二的特性。傳統(tǒng)的主流半導(dǎo)體存儲器可以分為兩類--易失性和非易失性。易失性的存儲器包括靜態(tài)存儲器SRAM和動態(tài)存儲器DRAM。SRAM和DRAM在掉電的時候均會失去保存的數(shù)據(jù)
2011-11-19 11:53:09
而言，鐵電存儲器具有一些獨一無二的特性。傳統(tǒng)的主流半導(dǎo)體存儲器可以分為兩類--易失性和非易失性。易失性的存儲器包括靜態(tài)存儲器SRAM和動態(tài)存儲器DRAM。SRAM和DRAM在掉電的時候均會失去保存的數(shù)據(jù)
2011-11-21 10:49:57
摘要：介紹鐵電存儲器（FRAM）的一般要領(lǐng)和基本原理，詳細分析其讀寫操作過程及時序。將FRAM與其它存儲器進行比較，分析在不同場合中各自的優(yōu)缺點。最后以FM1808為例說明并行FPGA與8051系列
2014-04-25 13:46:28
], a[2][3]二維數(shù)組在概念上是二維的，即是說其下標(biāo)在兩個方向上變化，下標(biāo)變量在數(shù)組中的位置也處于一個平面之中，而不是象一維數(shù)組只是一個向量。但是，實際的硬件存儲器卻是連續(xù)編址的，也就是說存儲器單元
2018-07-12 08:55:28
在許多電磁仿真應(yīng)用中，導(dǎo)體厚度不是影響器件電性能的關(guān)鍵因素，并且去掉導(dǎo)體厚度還可以提高解決效率。今天小編就和大家聊聊HFSS二維薄片或面上的的邊界設(shè)置應(yīng)用技巧。首先，我們來看兩個例子：一、貼片天線鋪銅厚度的影響二維薄片和三維實物的仿真結(jié)果對比如下圖：
2019-06-28 06:38:43
數(shù)據(jù) (L1D) 存儲器。另外，每個 CorePac 還擁有局域的二級統(tǒng)一存儲器。每個局域存儲器均能獨立配置成存儲器映射的SRAM、高速緩存，或是兩者的組合?！ eyStone 架構(gòu)包含共享的存儲器子系統(tǒng)，其由
2011-08-13 15:45:42
各位老鐵知不知道LABVIEW如何生成帶KEY秘鑰的二維碼?
2018-03-22 16:59:19
我遇到很奇葩的需求——STM32外掛鐵電存儲器，要求：最好SPI接口；最好能滿足64Kb容量；擦寫次數(shù)百萬次以上；支持的電壓最高不超過5.5V。很奇葩的要求啊，這個可以有么？親們，推薦下唄！
2014-05-26 10:53:41
stm32擴展鐵電存儲器FM16W08的程序怎么寫？？有參考 的嗎讀寫程序該怎么操作??！
2013-12-26 21:47:03
聲明一個位寬為8，深度為32的二維數(shù)組變量ram
2023-08-22 09:45:07
一丶存儲器的分類和層次半導(dǎo)體存儲芯片：片選器：用來選取芯片有兩種譯碼驅(qū)動方式：線選法：一維排列，結(jié)構(gòu)簡單，適合容量不大的存儲芯片重合法：二維陣列，適合容量大為什么線選法不適合大的呢？我們以9組
2021-07-23 08:20:14
半導(dǎo)體存儲器是指通過對半導(dǎo)體電路加以電氣控制，使其具備數(shù)據(jù)存儲保持功能的半導(dǎo)體電路裝置。與磁盤和光盤裝置等相比，具有數(shù)據(jù)讀寫快存儲密度高耗電量少耐震等特點。關(guān)閉電源后存儲內(nèi)容會丟失的存儲器稱作易失
2019-04-21 22:57:08
世界頂尖的非易失性鐵電存儲器 (F-RAM) 和集成半導(dǎo)體產(chǎn)品開發(fā)商及供應(yīng)商Ramtron International Corporation宣布推出新型V系列串口和并口F-RAM產(chǎn)品之第二款并口器件FM28V020。
2019-09-16 10:31:20
非易失性存儲器(NVM)在半導(dǎo)體市場占有重要的一席之地，特別是主要用于手機和其它便攜電子設(shè)備的閃存芯片。今后幾年便攜電子系統(tǒng)對非易失性存儲器的要求更高，數(shù)據(jù)存儲應(yīng)用需要寫入速度極快的高密度存儲器，而
2019-06-26 07:11:05
富士通半導(dǎo)體（上海）有限公司供稿鐵電隨機存儲器（FRAM） RFID由于存儲容量大、擦寫速度快一直被用作數(shù)據(jù)載體標(biāo)簽。內(nèi)置的串行接口可將傳感器與RFID連接在一起，從而豐富了RFID應(yīng)用。
2019-07-26 07:31:26
電存儲器ＦＲＡＭ，則可很好地解決成本問題，同時又可得到更高的數(shù)據(jù)存儲可靠性。鐵電存儲器是ＲＡＭＴＲＯＮ公司的專利產(chǎn)品，該產(chǎn)品的核心技術(shù)是鐵電晶體材料，這一特殊材料使得鐵電存儲器產(chǎn)品同時擁有隨機存儲器
2019-04-28 09:57:17
數(shù)字電子技術(shù)--半導(dǎo)體存儲器[hide][/hide]
2017-05-01 22:26:01
proteus 可以仿真鐵電存儲器FM25640嗎？或者直接用哪兒器件可以替代仿真嗎？
2015-07-27 17:24:15
用一個鐵電存儲器可取代原MCU需配置的2~3個不同的存儲器，統(tǒng)一的存儲器架構(gòu)使用戶在成本和靈活性上獲益。這種集
2021-11-10 08:28:08
半導(dǎo)體存儲器測試原理,半導(dǎo)體存儲器的性能測試,集成電路測試系統(tǒng).
2008-08-17 22:36:43
169 介紹鐵電存儲器(FRAM)的一般要領(lǐng)和基本原理，詳細分析其讀寫操作過程及時序。將FRAM與其它存儲器進行比較，分析在不同場合中各自的優(yōu)缺點。最后以FM1808 為例說明并行FRAM 與8051
2009-04-15 09:48:2566 鐵電存儲器FRAM 是具有低功耗、高寫入速度、高耐久力的新型非易失性存儲器，應(yīng)用范圍廣泛。本文介紹FRAM 及其應(yīng)用， 并給出FRAM 與MCS-51 單片機的接口電路和軟件設(shè)計。
2009-05-13 16:25:4525 介紹鐵電存儲器(FRAM)的一般要領(lǐng)和基本原理，詳細分析其讀寫操作過程及時序。將FRAM與其它存儲器進行比較，分析在不同場合中各自的優(yōu)缺點。最后以FM1808 為例說明并行FRAM 與8051
2009-05-16 14:19:5310 7.1.1 半導(dǎo)體存儲器的特點與應(yīng)用7.1.2 半導(dǎo)體存儲器的分類7.1.3 半導(dǎo)體存儲器的主要技術(shù)指標(biāo) 半導(dǎo)體存儲器是用半導(dǎo)體器件來存儲二值信息的大規(guī)模集成電路。
2009-07-15 18:40:530 相對于其它類型的半導(dǎo)體技術(shù)而言，鐵電存儲器具有一些獨一無二的特性。傳統(tǒng)的主流半導(dǎo)體存儲器可以分為兩類--易失性和非易失性。易失性的存儲器包括靜態(tài)存儲器SRAM（static rand
2010-03-13 14:19:4128 鐵電存儲器的高精度實時時鐘優(yōu)勢分析
2010-12-11 16:34:2738 摘要：RAMTRON公司生產(chǎn)的并行接口高性能鐵電存儲器FM1808是NV-SRAM的理想替代產(chǎn)品。文中介紹了FM1808的性能特點、引腳功能和工作原理，同時重點介紹了鐵電存儲器的
2006-03-24 13:01:422072 
摘 要： 本文簡單介紹了鐵電存儲器、磁性隨機存儲器和相變存儲器這三種比較有發(fā)展?jié)摿?b class="flag-6" style="color: red">存儲器的原理、研究進展及存在的問題等。引言 更高密度、更大帶寬、更
2006-03-24 13:32:182972 
鐵電存儲器FRAM詳解:
鐵電存儲器（FRAM）產(chǎn)品將ROM的非易失性數(shù)據(jù)存儲特性和RAM的無限次讀寫、高速讀寫
2008-01-30 09:13:505083 
FM3116 鐵電存儲器在復(fù)費率電能表中的應(yīng)用
1 引言
????? 在單片機應(yīng)用和智能儀器中，存儲器已成為不可或缺
2008-10-14 13:30:411228 
第三十講 半導(dǎo)體存儲器
第9章 半導(dǎo)體存儲器9.1 概述
9.2 只讀存儲器9.2.1固定ROM的結(jié)構(gòu)和工作原理一
2009-03-30 16:36:091329 
鐵電存儲器工作原理和器件結(jié)構(gòu)
?
1 鐵電存儲器簡介
隨著IT技術(shù)的不斷發(fā)展，對于非易失性存儲器的需求越來越大，讀寫速度
2009-10-25 09:59:5013010 
半導(dǎo)體存儲器,半導(dǎo)體存儲器原理圖解
半導(dǎo)體存儲器是具備可以儲存圖像數(shù)據(jù)或文字?jǐn)?shù)據(jù)、程序等信息，在必要時
2010-03-01 16:58:2327148 本文對目前幾種比較有競爭力和發(fā)展?jié)摿Φ?b class="flag-6" style="color: red">新型非易失性存儲器做了一個簡單的介紹。
鐵電存儲器(FeRAM)
鐵電存儲器是一種在斷電時不會丟失內(nèi)容的非易
2010-08-31 10:50:592835 
半導(dǎo)體存儲器 (semi-conductor memory)是一種以半導(dǎo)體電路作為存儲媒體的存儲器,內(nèi)存儲器就是由稱為存儲器芯片的半導(dǎo)體集成電路組成。按其功能可分為：隨機存取存儲器(簡稱RAM)和只讀存
2011-05-30 18:26:10199 介紹了一種新型鐵電存儲器FM25CL64，同時還分析了TMS320VC5402D SP的SPI引導(dǎo)裝載模式，給出了一種基于鐵電存儲器FM25CL64的DSP脫機獨立運行系統(tǒng)的設(shè)計方案，并且該方案已成功地應(yīng)用到一種
2011-09-21 17:04:1375 什么是F-RAM？ F-RAM：鐵電隨機存儲器。相對于其它類型的半導(dǎo)體技術(shù)而言，鐵電隨機存儲器（F-RAM）具有一些獨一無二的特性。已經(jīng)確定的半導(dǎo)體存儲器可以分為兩類：易失性和非易失性
2012-10-19 17:16:336822 數(shù)字電子技術(shù)--半導(dǎo)體存儲器
2016-12-12 21:54:280 數(shù)字電路--半導(dǎo)體存儲器原理
2016-12-20 17:20:070 存儲器與半導(dǎo)體存儲器
2022-07-08 16:07:4033 在以往產(chǎn)品開發(fā)過程中，大量的數(shù)據(jù)采集對于工程師來說一直是件頭疼的事情。數(shù)據(jù)需要不斷地高速寫入，傳統(tǒng)的存儲技術(shù)如EERPOM、Flash的寫入壽命和讀寫速度往往不能滿足其要求，而FRAM（鐵電隨機存取存儲器）的推出使得這些問題迎刃而解。
2017-03-29 11:51:581770 這是一個256bit的非易失性存儲器FM25L256采用先進的鐵電的過程。鐵電隨機存取存儲器或FRAM是非易失性和執(zhí)行讀取和寫入內(nèi)存一樣。它提供了可靠的數(shù)據(jù)保持10年，同時消除了復(fù)雜性，開銷和系統(tǒng)級的可靠性問題所造成的EEPROM和其他非易失性存儲器。
2017-11-03 17:15:34124 FM25L256是由RAMTRON生產(chǎn)，以鐵電存儲介質(zhì)的256Kb（32K字節(jié)）串行3V非易失性存儲器，采用SPI總線控制，構(gòu)成的系統(tǒng)具有簡單，占用硬件資源少，存取快速的特點。同時，由于鐵電存儲器（以下簡稱FRAM）有著固有的優(yōu)勢，因此，可用于高可靠場合信息存儲設(shè)備。
2017-11-03 17:26:3822 在原子尺度上精確設(shè)計具有垂直結(jié)構(gòu)的高性能半導(dǎo)體薄膜可用以現(xiàn)代集成電路和新型材料的研究。獲得這種薄膜的一種方法是實現(xiàn)連續(xù)的層層自組裝，即利用二維構(gòu)建材料在垂直方向上堆疊，并依靠范德華力連接。石墨烯以及
2018-06-28 14:40:003008 半導(dǎo)體存儲器可以簡單分成易失性存儲器和非易失性存儲器，易失存儲器在過去的幾十年里沒有特別大的變化，依然是以靜態(tài)隨機存取存儲器（SRAM）、動態(tài)隨機存取存儲器（DRAM）為主，非易失存儲器反而不斷有
2019-01-01 08:55:0013982 
北京大學(xué)物理學(xué)院戴倫教授介紹了一種室溫穩(wěn)定的二維鐵電材料α-In2Se3及其器件應(yīng)用。
2019-06-10 11:47:0912284 
全球第一的非存儲器半導(dǎo)體企業(yè)英特爾在韓國推出新一代存儲器半導(dǎo)體，外界解讀，英特爾選在存儲器半導(dǎo)體強國發(fā)表新產(chǎn)品，是在向全球前兩大存儲器半導(dǎo)體企業(yè)三星電子、SK海力士宣戰(zhàn)。
2019-09-27 17:20:141177 據(jù)韓國業(yè)界 27 日消息，三星電子重啟存儲器投資項目。據(jù)了解，目前新建的平澤存儲器第二工廠和中國西安第二工廠已經(jīng)開始進入半導(dǎo)體設(shè)備訂購階段。
2019-11-19 10:37:46998 本文檔的主要內(nèi)容詳細介紹的是半導(dǎo)體存儲器的學(xué)習(xí)課件資料說明包括了：存儲器基本概念，隨機存取存儲器（RAM），只讀存儲器（ROM），存儲器連接與擴充應(yīng)用，微機系統(tǒng)的內(nèi)存結(jié)構(gòu)
2020-05-08 08:00:002 集成鐵電存儲器的MCU，由于在MCU上集成了鐵電存儲器，該產(chǎn)品數(shù)據(jù)寫入速度比基于閃存和EEPROM的MCU快100倍，功耗降低250倍。它還可在所有的電源模式中提供數(shù)據(jù)保存功能、支持超過100萬億次
2020-11-17 16:33:39982 存儲器，顧名思義是存儲設(shè)備。在諸多電子設(shè)備中，存儲器是必不可少的重要組件。為增進大家對存儲器的了解，本文將對存儲器卡以及半導(dǎo)體存儲器的分類予以介紹。
2020-12-04 09:48:423012 存儲器，顧名思義是存儲設(shè)備。在諸多電子設(shè)備中，存儲器是必不可少的重要組件。為增進大家對存儲器的了解，本文將對存儲器卡以及半導(dǎo)體存儲器的分類予以介紹。如果你對存儲器的相關(guān)知識具有興趣，不妨繼續(xù)往下閱讀哦。
2020-12-06 17:54:0017128 半導(dǎo)體存儲器芯片，按照讀寫功能可分為隨機讀寫存儲器（RandomAccessMemory，RAM）和只讀存儲器（ReadOnlyMemory，ROM）兩大類。
2020-12-28 10:11:387291 半導(dǎo)體存儲器芯片中的只讀存儲器（Read Only Memory，ROM），是一種存儲固定信息的存儲器，在正常工作狀態(tài)下只能讀取數(shù)據(jù)，不能即時修改或重新寫入數(shù)據(jù)。
2020-12-28 15:33:037940 半導(dǎo)體存儲器能存儲大量二值信息，是數(shù)字系統(tǒng)不可缺少的部分， 半導(dǎo)體存儲器是一種能存儲大量二值信息的半導(dǎo)體器件，是數(shù)字系統(tǒng)和電子計算機的重要組成部分， 其功能是存放數(shù)據(jù)、 指令等信息。
2021-03-16 09:19:0020 半導(dǎo)體存儲器及其測試說明。
2021-03-19 16:11:4835 制。由此，為了提高二維微納電子器件的性能，尋找研究與二維材料兼容的介電薄膜十分重要。 為了突破摩爾定律的瓶頸，研究者們將二維材料作為溝道層引入到場效應(yīng)晶體管中。二維材料半導(dǎo)體材料如硫化鉬具有原子級別的厚度、表
2021-04-20 09:31:315702 
半導(dǎo)體存儲器及其測試.pdf(匯編語言嵌入式開發(fā))-半導(dǎo)體存儲器及其測試.pdf半導(dǎo)體存儲器及其測試.pdf
2021-07-30 09:39:3073 用一個鐵電存儲器可取代原MCU需配置的2~3個不同的存儲器，統(tǒng)一的存儲器架構(gòu)使用戶在成本和靈活性上獲益。這種集
2021-11-05 17:35:5918 FRAM（鐵電RAM）是一種寫入速度快的非易失性存儲器。與傳統(tǒng)的非易失性存儲器（如 EEPROM、閃存）相比，鐵電存儲器不需要用于數(shù)據(jù)保存的備用電池，具有更高的讀/寫耐久性、更快的寫入速度和更低
2021-11-11 16:24:092080 半導(dǎo)體是同時具有磁性及半導(dǎo)體性質(zhì)，且只有數(shù)原子層厚的新型材料，可對未來高密度信息器件的研發(fā)產(chǎn)生重要影響。由于二維磁性半導(dǎo)體的體積極小，無法應(yīng)用傳統(tǒng)磁性測量手段（如SQUID,中子散射等）來獲取其磁性，因此急需探索其
2021-12-16 16:08:251206 
拍字節(jié)VFRAM新型3D鐵電存儲器PB85RS128C適用于便攜式醫(yī)療刺激系統(tǒng)
2022-08-27 16:03:522081 高性能單層二硫化鉬晶體管的實現(xiàn)讓科研界看到了二維半導(dǎo)體的潛力，二維半導(dǎo)體材料的發(fā)展讓我們看到了晶體管縱向尺寸下目前的縮放極限（< 1 nm），同樣的科學(xué)家們也沒有停止追尋二維半導(dǎo)體晶體管橫向尺寸的極限（也就是晶體管溝道長度的縮放極限）。
2022-10-17 10:50:043987 鐵電存儲器稱FRAM或FeRAM，F(xiàn)RAM采用鐵電晶體材料作為存儲介質(zhì)，利用鐵電晶體材料電壓與電流關(guān)系具有特征滯后回路的特點來實現(xiàn)信息存儲。 ?? FRAM結(jié)構(gòu)圖 FRAM技術(shù)特點： 非易失性：斷電
2022-11-10 17:00:143282 
按照存儲介質(zhì)的不同，現(xiàn)代數(shù)字存儲主要分為光學(xué)存儲器、磁性存儲器和半導(dǎo)體存儲器三類。光學(xué)存儲器包括 CD、DVD 等。磁性存儲器包含磁帶、軟盤、HDD 硬盤等。半導(dǎo)體存儲器是目前存儲領(lǐng)域市場規(guī)模最大
2022-12-01 10:18:333782 兩種最常見的商業(yè)存儲器位于頻譜的兩端。DRAM 速度很快，但需要持續(xù)供電來維持其信息。閃存是非易失性的，對于長期大容量存儲來說足夠穩(wěn)定，但速度不是特別快。鐵電存儲器介于兩者之間，并可能提供必要的中間步驟。
2023-01-30 16:10:044097 鐵電存儲器硬件接線圖傳統(tǒng)的數(shù)據(jù)存儲器，讀寫速度較慢，存儲單元反復(fù)擦寫后容易損壞，無法滿足機艙油氣濃度數(shù)據(jù)存儲的要求，故此，國產(chǎn)鐵電存儲器可快速讀寫，擦寫次數(shù)可達1E6 次讀/寫操作*1，是本方案最理想的選擇。
2023-05-18 12:39:21675 
作為一種非易失性存儲器，鐵電存儲器兼具動態(tài)隨機存取存儲器DRAM的高速度與可擦除存儲器EEPROM非易失性優(yōu)點，雖然容量和密度限制了其大規(guī)模應(yīng)用，但在要求高安全性與高可靠性等工業(yè)應(yīng)用場合，鐵電存儲器以幾乎無限的讀寫次數(shù)、超低及高抗干擾能力得到用戶的青睞。
2023-06-01 10:57:52630 
從辦公室復(fù)印機、水電表、高檔服務(wù)器到汽車安全氣囊和娛樂設(shè)施，鐵電存儲器不斷改進性能，逐漸在世界范圍內(nèi)得到廣泛的應(yīng)用。拍字節(jié)推出的新型3D鐵電存儲器(VFRAM)在在工藝和設(shè)計上創(chuàng)新性采用3D架構(gòu)
2022-05-06 10:36:321107 
無錫拍字節(jié)科技有限公司自成立以來，一直專注于新型存儲芯片研發(fā)與銷售的高新技術(shù)，尤其是新型3D鐵電存儲器（VFRAM）新材料的研發(fā)，3D架構(gòu)和工藝的創(chuàng)新設(shè)計以及相關(guān)產(chǎn)品的制造及量產(chǎn)。經(jīng)過不懈的努力，拍
2022-04-29 15:34:082856 鐵電存儲器(FRAM)的核心技術(shù)是鐵電晶體材料，這種特殊材料使鐵電存儲器同時擁有隨機存取記憶體(RAM)和非易失性存儲器的特性，芯片能在常溫、沒有電場的情況下，數(shù)據(jù)保持此狀態(tài)達100年以上，鐵電
2023-06-20 14:19:251320 
該研究提出模塊化局域元素供應(yīng)生長技術(shù)，成功實現(xiàn)了半導(dǎo)體性二維過渡金屬硫族化合物晶圓批量化高效制備，晶圓尺寸可從2英寸擴展至與現(xiàn)代半導(dǎo)體工藝兼容的12英寸，有望推動二維半導(dǎo)體材料由實驗研究向產(chǎn)業(yè)應(yīng)用過渡，為新一代高性能半導(dǎo)體技術(shù)發(fā)展奠定了材料基礎(chǔ)。
2023-07-10 18:20:392248 
二維半導(dǎo)體是一種新興半導(dǎo)體材料，具有優(yōu)異的物理化學(xué)性質(zhì)，以單層過渡金屬硫族化合物為代表。與傳統(tǒng)半導(dǎo)體發(fā)展路線類似，晶圓材料是推動二維半導(dǎo)體技術(shù)邁向產(chǎn)業(yè)化的根基。如何實現(xiàn)批量化、大尺寸、低成本制備二維半導(dǎo)體晶圓是亟待解決的科學(xué)問題。
2023-07-12 16:01:131257 何謂半導(dǎo)體存儲器？ 半導(dǎo)體存儲器是指通過對半導(dǎo)體電路加以電氣控制，使其具備數(shù)據(jù)存儲保持功能的半導(dǎo)體電路裝置。 與磁盤和光盤裝置等相比，具有 數(shù)據(jù)讀寫快 存儲密度高 耗電量少 耐震 等特點。 關(guān)閉電源
2023-07-12 17:01:132304 
研究人員針對擴大二維半導(dǎo)體晶圓尺寸和批量制備的核心科學(xué)問題，提出了一種全新的模塊化局域元素供應(yīng)生長策略，成功實現(xiàn)了最大尺寸為12英寸的二維半導(dǎo)體晶圓的批量制備。
2023-07-13 11:16:00742 該研究提出模塊化局域元素供應(yīng)生長技術(shù)，成功實現(xiàn)了半導(dǎo)體性二維過渡金屬硫族化合物晶圓批量化高效制備，晶圓尺寸可從2英寸擴展至與現(xiàn)代半導(dǎo)體工藝兼容的12英寸，有望推動二維半導(dǎo)體材料由實驗研究向產(chǎn)業(yè)應(yīng)用過渡，為新一代高性能半導(dǎo)體技術(shù)發(fā)展奠定了材料基礎(chǔ)。
2023-07-13 16:06:491343 9月15日，華中科技大學(xué)材料成形與模具技術(shù)全國重點實驗室的翟天佑教授團隊宣布，其研發(fā)團隊在二維高性能浮柵晶體管存儲器方面取得重要進展。
2023-10-30 14:12:532742 
何謂半導(dǎo)體存儲器？ 半導(dǎo)體存儲器是指通過對半導(dǎo)體電路加以電氣控制，使其具備數(shù)據(jù)存儲保持功能的半導(dǎo)體電路裝置。 與磁盤和光盤裝置等相比，具有 數(shù)據(jù)讀寫快 存儲密度高 耗電量少 耐震 等特點。 關(guān)閉電源
2023-11-15 10:20:012866 
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《半導(dǎo)體存儲器電子課件.ppt》資料免費下載
2023-11-21 14:40:030 GHz頻率的二維半導(dǎo)體環(huán)形振蕩器電路，比原有記錄提升200倍，并預(yù)測了二維半導(dǎo)體應(yīng)用于1nm節(jié)點集成電路的潛力與技術(shù)路徑。
2023-11-24 14:36:371717 
半導(dǎo)體存儲器（Semiconductor Memory）是一種電子元件，用于存儲和檢索數(shù)據(jù)。它由半導(dǎo)體材料制成，采用了半導(dǎo)體技術(shù)，是計算機和電子設(shè)備中最常用的存儲器。 半導(dǎo)體存儲器可以分為兩種
2024-02-01 17:19:055136 半導(dǎo)體存儲器，又稱為半導(dǎo)體內(nèi)存，是一種基于半導(dǎo)體技術(shù)制造的電子器件，用于讀取和存儲數(shù)字信息。這種存儲器在現(xiàn)代計算機和其他電子設(shè)備中扮演著至關(guān)重要的角色，是數(shù)據(jù)存儲和處理的核心部件之一。以下是對半導(dǎo)體存儲器的基本結(jié)構(gòu)、特點以及詳細介紹的詳細闡述。
2024-08-10 16:40:103242 半導(dǎo)體存儲器，又稱為半導(dǎo)體內(nèi)存，是一種基于半導(dǎo)體技術(shù)制造的電子器件，用于讀取和存儲數(shù)字信息。這種存儲器在現(xiàn)代計算機和其他電子設(shè)備中扮演著至關(guān)重要的角色，是數(shù)據(jù)存儲和處理的核心部件之一。以下是對半導(dǎo)體存儲器的詳細介紹，包括其基本結(jié)構(gòu)、分類、特點、技術(shù)指標(biāo)以及發(fā)展趨勢。
2024-08-20 09:34:383759 半導(dǎo)體存儲器，作為現(xiàn)代電子系統(tǒng)的核心組成部分，其應(yīng)用場景極為廣泛，幾乎涵蓋了所有需要數(shù)據(jù)存儲和處理的領(lǐng)域。以下將從多個方面詳細闡述半導(dǎo)體存儲器的應(yīng)用場景，包括數(shù)據(jù)中心、網(wǎng)絡(luò)通信、消費電子、汽車電子、工業(yè)電子等多個領(lǐng)域。
2024-08-20 10:01:264214 鐵電存儲器（Ferroelectric RAM, FRAM）是一種結(jié)合了RAM的快速讀寫能力和非易失性存儲特性的存儲技術(shù)。其結(jié)構(gòu)特點主要體現(xiàn)在其獨特的材料構(gòu)成、工作原理、物理結(jié)構(gòu)以及所展現(xiàn)出的優(yōu)越性能上。
2024-09-29 15:18:541757 鐵電存儲器（Ferroelectric RAM, FRAM）作為一種新興的非易失性存儲器技術(shù)，憑借其獨特的優(yōu)勢在存儲市場中占據(jù)了一席之地。然而，與任何技術(shù)一樣，鐵電存儲器也有其優(yōu)點和缺點。
2024-09-29 15:21:003410 鐵電存儲器（Ferroelectric RAM, FRAM）與閃存（Flash）是兩種不同類型的非易失性存儲器，它們在工作原理、性能特點、應(yīng)用場景等方面存在顯著的差異。
2024-09-29 15:25:324375 相比，鐵電存儲器具有一些獨一無二的特性，因此受到很大關(guān)注。今天Aigtek安泰電子就給大家介紹一下和鐵電材料密切相關(guān)的鐵電存儲器（FRAM），以及功率放大器在鐵電存儲器（FRAM）鐵電疇的高壓極化測試中的應(yīng)用。 一、鐵電存儲器的定義 鐵電存儲
2024-11-27 11:57:08992 
電子發(fā)燒友App
工商網(wǎng)監(jiān)
評論