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標(biāo)簽 > mosfet
簡稱金氧半場效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡稱尚包括NMOS、PMOS等。
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通過驅(qū)動器源極引腳改善開關(guān)損耗-有無驅(qū)動器源極引腳的差異及其效果
本文的關(guān)鍵要點?具備驅(qū)動器源極引腳,可以消除VLSOURCE對VGS_INT的影響。?具備驅(qū)動器源極引腳,可以提高導(dǎo)通速度。
通過驅(qū)動器源極引腳改善開關(guān)損耗-傳統(tǒng)的MOSFET驅(qū)動方法
MOSFET和IGBT等電源開關(guān)器件被廣泛應(yīng)用于各種電源應(yīng)用和電源線路中。需要盡可能地降低這種開關(guān)器件產(chǎn)生的開關(guān)損耗和傳導(dǎo)損耗,但不同的應(yīng)用其降低損耗的...
SiC MOSFET:柵極-源極電壓的浪涌抑制方法-浪涌抑制電路的電路板布局注意事項
關(guān)于SiC功率元器件中柵極-源極間電壓產(chǎn)生的浪涌,在之前發(fā)布的Tech Web基礎(chǔ)知識 SiC功率元器件 應(yīng)用篇的“SiC MOSFET:橋式結(jié)構(gòu)中柵極...
SiC MOSFET:柵極-源極電壓的浪涌抑制方法-負(fù)電壓浪涌對策
本文的關(guān)鍵要點?通過采取措施防止SiC MOSFET中柵極-源極間電壓的負(fù)電壓浪涌,來防止SiC MOSFET的LS導(dǎo)通時,SiC MOSFET的HS誤...
SiC MOSFET:柵極-源極電壓的浪涌抑制方法-正電壓浪涌對策
本文的關(guān)鍵要點:通過采取措施防止柵極-源極間電壓的正電壓浪涌,來防止LS導(dǎo)通時的HS誤導(dǎo)通。如果柵極驅(qū)動IC沒有驅(qū)動米勒鉗位用MOSFET的控制功能,則...
SiC MOSFET:柵極-源極電壓的浪涌抑制方法-浪涌抑制電路
在上一篇文章中,簡單介紹了SiC功率元器件中柵極-源極電壓中產(chǎn)生的浪涌。從本文開始,將介紹針對所產(chǎn)生的SiC功率元器件中浪涌的對策。本文先介紹浪涌抑制電路。
CCPAK:銅夾片技術(shù)進(jìn)入高壓應(yīng)用
一段時間以來,高壓應(yīng)用的要求迫使設(shè)計師不得不依賴傳統(tǒng)功率封裝,例如TO-220 / TO-247和D2PAK-7。然而,隨著開關(guān)頻率越來越高,這些傳統(tǒng)封...
多種功率半導(dǎo)體在不同領(lǐng)域具有的優(yōu)勢
功率半導(dǎo)體器件是電力電子電路的重要組成部分,理想的功率半導(dǎo)體器件應(yīng)具有良好的靜態(tài)和動態(tài)特性,在截止?fàn)顟B(tài)下能夠承受高電壓和小泄漏電流。在接通狀態(tài)下,可...
2023-02-08 標(biāo)簽:MOSFETIGBT功率半導(dǎo)體 1266 0
法國和瑞士科學(xué)家首次使用氮化鎵在(100)-硅(晶體取向為100)基座上,成功制造出了性能優(yōu)異的高電子遷徙率晶體管(HEMTs)。
新型LTC1266開關(guān)穩(wěn)壓器可在10A負(fù)載條件下提供高效率
新型 LTC?1266 是一款同步、降壓型開關(guān)穩(wěn)壓控制器,能夠驅(qū)動兩個外部、N 溝道 MOSFET 開關(guān)。N 溝道 MOSFET 的卓越性能使 LTC1...
2023-02-08 標(biāo)簽:MOSFET 1224 0
SiC MOSFET:柵極-源極電壓的浪涌抑制方法-什么是柵極-源極電壓產(chǎn)生的浪涌?
MOSFET和IGBT等功率半導(dǎo)體作為開關(guān)元件已被廣泛應(yīng)用于各種電源應(yīng)用和電力線路中。
SiC MOSFET:橋式結(jié)構(gòu)中柵極-源極間電壓的動作-低邊開關(guān)關(guān)斷時的柵極-源極間電壓的動作
上一篇文章中介紹了LS開關(guān)導(dǎo)通時柵極 – 源極間電壓的動作。本文將繼續(xù)介紹LS關(guān)斷時的動作情況。低邊開關(guān)關(guān)斷時的柵極 – 源極間電壓的動作:下面是表示L...
SiC MOSFET:橋式結(jié)構(gòu)中柵極-源極間電壓的動作-低邊開關(guān)導(dǎo)通時的Gate-Source間電壓的動作
上一篇文章中,簡單介紹了SiC MOSFET橋式結(jié)構(gòu)中柵極驅(qū)動電路的開關(guān)工作帶來的VDS和ID的變化所產(chǎn)生的電流和電壓情況。本文將詳細(xì)介紹SiC MOS...
SiC MOSFET:橋式結(jié)構(gòu)中柵極-源極間電壓的動作-橋式電路的開關(guān)產(chǎn)生的電流和電壓
在上一篇文章中,對SiC MOSFET橋式結(jié)構(gòu)的柵極驅(qū)動電路的導(dǎo)通(Turn-on)/關(guān)斷( Turn-off)動作進(jìn)行了解說。
SiC MOSFET:橋式結(jié)構(gòu)中柵極-源極間電壓的動作-SiC MOSFET的柵極驅(qū)動電路和Turn-on/Turn-off動作
本文將針對上一篇文章中介紹過的SiC MOSFET橋式結(jié)構(gòu)的柵極驅(qū)動電路及其導(dǎo)通(Turn-on)/關(guān)斷( Turn-off)動作進(jìn)行解說。
SiC MOSFET:橋式結(jié)構(gòu)中柵極源極間電壓的動作-SiC MOSFET的橋式結(jié)構(gòu)
在探討“SiC MOSFET:橋式結(jié)構(gòu)中Gate-Source電壓的動作”時,本文先對SiC MOSFET的橋式結(jié)構(gòu)和工作進(jìn)行介紹,這也是這個主題的前提。
SiC MOSFET:橋式結(jié)構(gòu)中柵極-源極間電壓的動作-前言
從本文開始,我們將進(jìn)入SiC功率元器件基礎(chǔ)知識應(yīng)用篇的第一彈“SiC MOSFET:橋式結(jié)構(gòu)中柵極-源極間電壓的動作”。前言:MOSFET和IGBT等電...
本文就SiC-MOSFET的可靠性進(jìn)行說明。這里使用的僅僅是ROHM的SiC-MOSFET產(chǎn)品相關(guān)的信息和數(shù)據(jù)。另外,包括MOSFET在內(nèi)的SiC功率元...
本章將介紹部分SiC-MOSFET的應(yīng)用實例。其中也包括一些以前的信息和原型級別的內(nèi)容,總之希望通過這些介紹能幫助大家認(rèn)識采用SiC-MOSFET的好處...
2023-02-08 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器MOSFETIGBT 1361 0
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