作者：Martin Warnke和Yazdi Mehrdad Baghaie 各種拓撲結(jié)構(gòu)中SiC MOSFET的出現(xiàn)大大提高了性能和效率。但是，如果使用不當，工程師會很快發(fā)現(xiàn)自己對設(shè)備故障感到沮喪
2021-03-11 11:38:03
3365 在高壓開關(guān)電源應(yīng)用中，相較傳統(tǒng)的硅MOSFET和IGBT，碳化硅（以下簡稱“SiC”）MOSFET有明顯的優(yōu)勢。使用硅MOSFET可以實現(xiàn)高頻（數(shù)百千赫茲）開關(guān)，但它們不能用于非常高的電壓（>
2023-08-03 11:09:572587 
（1）Vth是指當源極與漏極之間有指定電流時，柵極使用的電壓；
（2）Vth具有負溫度系數(shù)，選擇參數(shù)時需要考慮。
（3）不同電子系統(tǒng)選取MOSFET管的閾值電壓Vth并不相同，需要根據(jù)系統(tǒng)的驅(qū)動
2025-12-16 06:02:32
如圖2b、c和d所示。在實際應(yīng)用中，一般不特指時的MOSFET都是增強型MOSFET，即在柵極不控制時，漏極-源極之間可以承受正偏置電壓。
在圖1中，點劃線框內(nèi)就是典型的MOS結(jié)構(gòu)，或者稱為MOS柵
2024-06-13 10:07:47
MOSFET的VGS(th)：
柵極閾值
電壓MOSFET的VGS(th)：
柵極閾值
電壓是為使
MOSFET導(dǎo)通，
柵極與
源極間必需的
電壓。也就是說，VGS如果是閾值以上的
電壓，則
MOSFET導(dǎo)通?？赡苡?/div>
2019-05-02 09:41:04
電阻低，通道電阻高，因此具有驅(qū)動電壓即柵極－源極間電壓Vgs越高導(dǎo)通電阻越低的特性。下圖表示SiC-MOSFET的導(dǎo)通電阻與Vgs的關(guān)系。導(dǎo)通電阻從Vgs為20V左右開始變化（下降）逐漸減少，接近
2018-11-30 11:34:24
Si-MOSFET大得多。而在給柵極-源極間施加18V電壓、SiC-MOSFET導(dǎo)通的條件下，電阻更小的通道部分（而非體二極管部分）流過的電流占支配低位。為方便從結(jié)構(gòu)角度理解各種狀態(tài)，下面還給出了MOSFET的截面圖
2018-11-27 16:40:24
”）應(yīng)用越來越廣泛。關(guān)于SiC-MOSFET，這里給出了DMOS結(jié)構(gòu)，不過目前ROHM已經(jīng)開始量產(chǎn)特性更優(yōu)異的溝槽式結(jié)構(gòu)的SiC-MOSFET。具體情況計劃后續(xù)進行介紹。在特征方面，Si-DMOS存在
2018-11-30 11:35:30
1. 器件結(jié)構(gòu)和特征 Si材料中越是高耐壓器件，單位面積的導(dǎo)通電阻也越大（以耐壓值的約2~2.5次方的比例增加），因此600V以上的電壓中主要采用IGBT（絕緣柵極雙極型晶體管）?！ GBT
2023-02-07 16:40:49
1. 器件結(jié)構(gòu)和特征Si材料中越是高耐壓器件，單位面積的導(dǎo)通電阻也越大（以耐壓值的約2~2.5次方的比例增加），因此600V以上的電壓中主要采用IGBT（絕緣柵極雙極型晶體管）。IGBT通過
2019-04-09 04:58:00
確認現(xiàn)在的產(chǎn)品情況，請點擊這里聯(lián)系我們。ROHM SiC-MOSFET的可靠性柵極氧化膜ROHM針對SiC上形成的柵極氧化膜，通過工藝開發(fā)和元器件結(jié)構(gòu)優(yōu)化，實現(xiàn)了與Si-MOSFET同等的可靠性
2018-11-30 11:30:41
作的。全橋式逆變器部分使用了3種晶體管（Si IGBT、第二代SiC-MOSFET、上一章介紹的第三代溝槽結(jié)構(gòu)SiC-MOSFET），組成相同尺寸的移相DCDC轉(zhuǎn)換器，就是用來比較各產(chǎn)品效率的演示機
2018-11-27 16:38:39
專門的溝槽式柵極結(jié)構(gòu)（即柵極是在芯片表面構(gòu)建的一個凹槽的側(cè)壁上成形的），與平面式SiC MOSFET產(chǎn)品相比，輸入電容減小了35%，導(dǎo)通電阻減小了50%，性能更優(yōu)異。圖4 SCT3030KL的內(nèi)部電路
2019-07-09 04:20:19
，基于 Si-IGBT 設(shè)計的緩沖吸收電路參數(shù)并不適用于 SiC-MOSFET 的應(yīng)用場合。為了使本研究不失一般性，本文從基于半橋結(jié)構(gòu)的 SiC-MOSFET 電路出發(fā)，推導(dǎo)出關(guān)斷尖峰電壓和系統(tǒng)寄生參數(shù)以及緩沖
2025-04-23 11:25:54
（MPS）結(jié)構(gòu)，該結(jié)構(gòu)保持最佳場分布，但通過結(jié)合真正的少數(shù)載流子注入也可以增強浪涌能力。如今，SiC二極管非?？煽?，它們已經(jīng)證明了比硅功率二極管更有利的FIT率?！ ?b class="flag-6" style="color: red">MOSFET替代品 2008年推出
2023-02-27 13:48:12
柵極電壓，在20V柵極電壓下從幾乎300A降低到12V柵極電壓時的130A左右。即使碳化硅MOSFET的短路耐受時間短于IGTB的短路耐受時間，也可以通過集成在柵極驅(qū)動器IC中的去飽和功能來保護SiC
2019-07-30 15:15:17
的快速充電器等的功率因數(shù)校正電路（PFC電路）和整流橋電路中。2. SiC-SBD的正向特性SiC-SBD的開啟電壓與Si-FRD相同，小于1V。開啟電壓由肖特基勢壘的勢壘高度決定，通常如果將勢壘高度
2019-03-14 06:20:14
1. 器件結(jié)構(gòu)和特征Si材料中越是高耐壓器件，單位面積的導(dǎo)通電阻也越大（以耐壓值的約2~2.5次方的比例增加），因此600V以上的電壓中主要采用IGBT（絕緣柵極雙極型晶體管）。IGBT通過
2019-05-07 06:21:55
SiC-MOSFET的構(gòu)成中，SiC-MOSFET切換（開關(guān)）時高邊SiC-MOSFET的柵極電壓產(chǎn)生振鈴，低邊SiC-MOSFET的柵極電壓升高，SiC-MOSFET誤動作的現(xiàn)象。通過下面的波形圖可以很容易了解這是
2018-11-30 11:31:17
柵極與源極之間加一個電阻，這個電阻起到什么作用？一是為場效應(yīng)管提供偏置電壓；二是起到瀉放電阻的作用：保護柵極G-源極S；
2019-05-23 07:29:18
IGBT/功率MOSFET是一種電壓控制型器件，可用作電源電路、電機驅(qū)動器和其它系統(tǒng)中的開關(guān)元件。柵極是每個器件的電氣隔離控制端。MOSFET的另外兩端是源極和漏極，而對于IGBT，它們被稱為集電極
2021-01-27 07:59:24
摘要IGBT/功率MOSFET是一種電壓控制型器件，可用作電源電路、電機驅(qū)動器和其它系統(tǒng)中的開關(guān)元件。柵極是每個器件的電氣隔離控制端。MOSFET的另外兩端是源極和漏極，而對于IGBT，它們被稱為
2021-07-09 07:00:00
結(jié)構(gòu) 引言 功率MOSFET以其開關(guān)速度快、驅(qū)動功率小和功耗低等優(yōu)點在中小容量的變流器中得到了廣泛的應(yīng)用。當采用功率MOSFET橋式拓撲結(jié)構(gòu)時，同一橋臂上的兩個功率器件在轉(zhuǎn)換過程中，柵極驅(qū)動信號
2018-08-27 16:00:08
MOS管的開關(guān)電路中柵極電阻R5和柵源極級間電阻R6是怎么計算的？在這個電路中有什么用。已知道VDD=3.7V，在可變電阻狀態(tài)中，作為開關(guān)電路是怎么計算R5和R6？
2021-04-19 00:07:09
的生產(chǎn)成本也更低，因此價格更低，性能高于 p 溝道 MOSFET。在P溝道MOSFET中，源極連接到正電壓，當柵極上的電壓低于某個閾值（Vgs 0）時，F(xiàn)ET導(dǎo)通。這意味著，如果您想使用 P 溝道
2023-02-02 16:26:45
，以及源漏電壓進行采集，由于使用的非隔離示波器，就在單管上進行了對兩個波形進行了記錄：綠色：柵極源極間電壓；黃色：源極漏極間電壓；由于Mosfet使用的SiC材料，通過分析以上兩者電壓的導(dǎo)通時間可以判斷出
2020-06-07 15:46:23
導(dǎo)電溝道越大，則導(dǎo)通電阻越??；但是柵極驅(qū)動電壓太大的話，很容易將柵極和漏極之間絕緣層擊穿，造成Mosfet管的永久失效；3.為了增加開關(guān)管的速度，減少開關(guān)管的關(guān)斷時間是有必要的；且為了提高Mosfet管
2020-07-16 14:55:31
和更快的切換速度與傳統(tǒng)的硅mosfet和絕緣柵雙極晶體管(igbt)相比，SiC mosfet柵極驅(qū)動在設(shè)計過程中必須仔細考慮需求。本應(yīng)用程序說明涵蓋為SiC mosfet選擇柵極驅(qū)動IC時的關(guān)鍵參數(shù)。
2023-06-16 06:04:07
要充分認識 SiC MOSFET 的功能，一種有用的方法就是將它們與同等的硅器件進行比較。SiC 器件可以阻斷的電壓是硅器件的 10 倍，具有更高的電流密度，能夠以 10 倍的更快速度在導(dǎo)通和關(guān)斷
2017-12-18 13:58:36
隨著電力電子技術(shù)的不斷進步，碳化硅MOSFET因其高效的開關(guān)特性和低導(dǎo)通損耗而備受青睞，成為高功率、高頻應(yīng)用中的首選。作為碳化硅MOSFET器件的重要組成部分，柵極氧化層對器件的整體性能和使用壽命
2025-01-04 12:37:34
MOSFET柵極為低電平時，其漏極電壓上升直至使SiC JFET的GS電壓達到其關(guān)斷的負壓時，這時器件關(guān)斷。Cascode結(jié)構(gòu)主要的優(yōu)點是相同的導(dǎo)通電阻有更小的芯片面積，由于柵極開關(guān)由Si MOSFET控制
2022-03-29 10:58:06
和CN4的+18V、CN3和CN6的-3V為驅(qū)動器的電源。電路中增加了CGS和米勒鉗位MOSFET，使包括柵極電阻在內(nèi)均可調(diào)整。將該柵極驅(qū)動器與全SiC功率模塊的柵極和源極連接，來確認柵極電壓的升高情況
2018-11-27 16:41:26
2的結(jié)構(gòu)，用深度來換面積，將柵極埋入基體中，形成垂直的溝道，從而保持溝道的寬度，這樣形成的結(jié)構(gòu)稱為垂直導(dǎo)電的溝槽結(jié)構(gòu)。圖3：N溝道垂直導(dǎo)電的溝槽結(jié)構(gòu)及Rdson組成 工作原理是：柵極和源極間加正向電壓
2016-10-10 10:58:30
和漏極電荷Qgs：柵極和源極電荷柵極電荷測試的原理圖和相關(guān)波形見圖1所示。在測量電路中，柵極使用恒流源驅(qū)動，也就是使用恒流源IG給測試器件的柵極充電，漏極電流ID由外部電路提供，VDS設(shè)定為最大
2017-01-13 15:14:07
功率MOSFET的結(jié)構(gòu)特點為什么要在柵極和源極之間并聯(lián)一個電阻呢？
2021-03-10 06:19:21
本帖最后由 liuyongwangzi 于 2018-5-30 10:03 編輯
使用橋式整流器配置中的四個二極管是對AC電壓進行整流的最簡單、也是最常規(guī)的方法。在一個橋式整流器中運行一個
2018-05-30 10:01:53
極驅(qū)動器的優(yōu)勢和期望，開發(fā)了一種測試板，其中測試了分立式IGBT和SiC-MOSFET。標準電壓源驅(qū)動器也在另一塊板上實現(xiàn)，見圖3?！ D3.帶電壓源驅(qū)動器（頂部）和電流源驅(qū)動器（底部）的半橋
2023-02-21 16:36:47
） MOSFET很難在圖騰柱PFC拓撲中的連續(xù)導(dǎo)通模式（CCM）下工作，因為體二極管的反向恢復(fù)特性很差。碳化硅（SiC） MOSFET采用全新的技術(shù)，比Si MOSFET具有更勝一籌的開關(guān)性能、極小
2022-04-19 08:00:00
的一個潛在問題是，僅有一個隔離輸入通道，而且依賴高壓驅(qū)動器來提供通道間所需的時序匹配以及應(yīng)用所需的死區(qū)。另一問題是，高壓柵極驅(qū)動器并無電流隔離，而是依賴結(jié)隔離來分離同一IC中的上橋臂驅(qū)動電壓和下橋臂驅(qū)動
2018-10-16 16:00:23
MOSFET柵極充電所需的高電流。在此，柵極驅(qū)動器以差分方式驅(qū)動脈沖變壓器的原邊，兩個副邊繞組驅(qū)動半橋的各個柵極。在這種應(yīng)用中，脈沖變壓器具有顯著優(yōu)勢，不需要用隔離式電源來驅(qū)動副邊MOSFET. 圖3.
2018-09-26 09:57:10
描述此參考設(shè)計是一種通過汽車認證的隔離式柵極驅(qū)動器解決方案，可在半橋配置中驅(qū)動碳化硅 (SiC) MOSFET。此設(shè)計分別為雙通道隔離式柵極驅(qū)動器提供兩個推挽式偏置電源，其中每個電源提供 +15V
2018-10-16 17:15:55
本章將介紹最新的第三代SiC-MOSFET，以及可供應(yīng)的SiC-MOSFET的相關(guān)信息。獨有的雙溝槽結(jié)構(gòu)SiC-MOSFET在SiC-MOSFET不斷發(fā)展的進程中，ROHM于世界首家實現(xiàn)了溝槽柵極
2018-12-05 10:04:41
MOS的結(jié)構(gòu)碳化硅MOSFET（SiC MOSFET）N+源區(qū)和P井摻雜都是采用離子注入的方式，在1700℃溫度中進行退火激活。一個關(guān)鍵的工藝是碳化硅MOS柵氧化物的形成。由于碳化硅材料中同時有Si和C
2019-09-17 09:05:05
SiCMOSFET具有出色的開關(guān)特性，但由于其開關(guān)過程中電壓和電流變化非常大，因此如Tech Web基礎(chǔ)知識 SiC功率元器件“SiC MOSFET：橋式結(jié)構(gòu)中柵極－源極間電壓的動作-前言”中介
2022-09-20 08:00:00
MOSFET中的開關(guān)損耗為0.6 mJ。這大約是IGBT測量的2.5 mJ的四分之一。在每種情況下，均在 800 V、漏極/拉電流 10 A、環(huán)境溫度 150 °C 和最佳柵極-發(fā)射極閾值電壓下進行測試（圖
2023-02-22 16:34:53
柵極處獲得 20V，以便在最小 RDSon 時導(dǎo)通?！ ‘斠?V關(guān)閉SiC MOSFET時，必須考慮一種效應(yīng)，即Si MOSFET中已知的米勒效應(yīng)。當器件用于橋式配置時，這種影響可能會出現(xiàn)問題，尤其是
2023-02-24 15:03:59
輸入動作禁止功能）、過流保護、二次側(cè)電壓過壓保護等。在高耐壓應(yīng)用中，與Si-MOSFET相比，SiC-MOSFET具有開關(guān)損耗及傳導(dǎo)損耗少、溫度帶來的特性波動小的優(yōu)點。這些優(yōu)點有利于解決近年來的重要課題
2018-11-27 16:54:24
） MOSFET很難在圖騰柱PFC拓撲中的連續(xù)導(dǎo)通模式（CCM）下工作，因為體二極管的反向恢復(fù)特性很差。碳化硅（SiC） MOSFET采用全新的技術(shù)，比Si MOSFET具有更勝一籌的開關(guān)性能、極小
2022-05-30 10:01:52
IGBT/功率 MOSFET 是一種電壓控制型器件，可用作電源電路、電機驅(qū)動器和其它系統(tǒng)中的開關(guān)元件。柵極是每個器件的電氣隔離控制端。MOSFET的另外兩端是源極和漏極，而對于IGBT，它們被稱為
2018-10-25 10:22:56
Sanket Sapre摘要IGBT/功率MOSFET是一種電壓控制型器件，可用作電源電路、電機驅(qū)動器和其它系統(tǒng)中的開關(guān)元件。柵極是每個器件的電氣隔離控制端。MOSFET的另外兩端是源極和漏極，而對
2018-11-01 11:35:35
的影響，而且由于 RG_EXT 是外置電阻，因此也可調(diào)。下面同時列出公式（1）用以比較。能給我們看一下比較數(shù)據(jù)嗎？這里有雙脈沖測試的比較數(shù)據(jù)。這是為了將以往產(chǎn)品和具有驅(qū)動器源極引腳的 SiC MOSFET
2020-11-10 06:00:00
。
圖中的波形從上往下依次為柵極電壓Vgs、漏源電壓Vds和漏源電流Ids。在測試過程中，SiC MOSFET 具有極快的開關(guān)速度，可在十幾納秒內(nèi)完成開關(guān)轉(zhuǎn)換。然而，由于高速開關(guān)過程中產(chǎn)生的電磁干擾（EMI
2025-04-08 16:00:57
由于SiC MOSFET開關(guān)速度較快，使得橋式電路中串擾問題更加嚴重，這樣不僅限制了SiC MOSFET開關(guān)速度的提升，也會降低電力電子裝置的可靠性。針對SiC MOSFET的非開爾文結(jié)構(gòu)封裝
2018-01-10 15:41:22
3 下面給出的電路圖是在橋式結(jié)構(gòu)中使用 SiC MOSFET 時最簡單的同步式 boost 電路。該電路中使用的 SiC MOSFET 的高邊（HS）和低邊（LS）是交替導(dǎo)通的，為了防止 HS 和 LS
2020-12-07 22:44:0028 電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供功率MOSFET，為什么要在柵極和源極間并聯(lián)一個電阻?資料下載的電子資料下載，更有其他相關(guān)的電路圖、源代碼、課件教程、中文資料、英文資料、參考設(shè)計、用戶指南、解決方案等資料，希望可以幫助到廣大的電子工程師們。
2021-03-29 16:49:3720 中，我們將對相應(yīng)的對策進行探討。關(guān)于柵極－源極間電壓產(chǎn)生的浪涌，在之前發(fā)布的Tech Web基礎(chǔ)知識 SiC功率元器件 應(yīng)用篇的“SiC MOSFET：橋式結(jié)構(gòu)中柵極－源極間電壓的動作”中已進行了詳細說明。
2021-06-12 17:12:003577 
忽略SiC MOSFET本身的封裝電感和外圍電路的布線電感的影響。特別是柵極-源極間電壓，當SiC MOSFET本身的電壓和電流發(fā)生變化時，可能會發(fā)生意想不到的正浪涌或負浪涌，需要對此采取對策。 在本文中，我們將對相應(yīng)的對策進行探討。 什么是柵極－源極電壓產(chǎn)生的
2021-06-10 16:11:442954 具有驅(qū)動器源極引腳的TO-247-4L和TO-263-7L封裝SiC MOSFET，與不具有驅(qū)動器源極引腳的TO-247N封裝SiC MOSFET產(chǎn)品相比，SiC MOSFET柵-源電壓的行為不同。
2022-06-08 14:49:534312 具有驅(qū)動器源極引腳的TO-247-4L和TO-263-7L封裝SiC MOSFET，與不具有驅(qū)動器源極引腳的TO-247N封裝產(chǎn)品相比，SiC MOSFET的柵-源電壓的行為不同。
2022-07-06 12:30:422229 SiC MOSFET具有出色的開關(guān)特性，但由于其開關(guān)過程中電壓和電流變化非常大，因此如Tech Web基礎(chǔ)知識 SiC功率元器件“SiC MOSFET：橋式結(jié)構(gòu)中柵極－源極間電壓的動作-前言”中介紹的需要準確測量柵極和源極之間產(chǎn)生的浪涌。
2022-09-14 14:28:531289 在這里，將為大家介紹在測量柵極和源極之間的電壓時需要注意的事項。
2022-09-17 10:02:421967 
本文將介紹在SiC MOSFET這一系列開關(guān)動作中，SiC MOSFET的VDS和ID的變化會產(chǎn)生什么樣的電流和電壓。
2022-12-05 09:52:551552 在SiC-MOSFET不斷發(fā)展的進程中，ROHM于世界首家實現(xiàn)了溝槽柵極結(jié)構(gòu)SiC-MOSFET的量產(chǎn)。這就是ROHM的第三代SiC-MOSFET。溝槽結(jié)構(gòu)在Si-MOSFET中已被廣為采用，在SiC-MOSFET中由于溝槽結(jié)構(gòu)有利于降低導(dǎo)通電阻也備受關(guān)注。
2023-02-08 13:43:213059 
在探討“SiC MOSFET：橋式結(jié)構(gòu)中Gate-Source電壓的動作”時，本文先對SiC MOSFET的橋式結(jié)構(gòu)和工作進行介紹，這也是這個主題的前提。
2023-02-08 13:43:23971 
本文將針對上一篇文章中介紹過的SiC MOSFET橋式結(jié)構(gòu)的柵極驅(qū)動電路及其導(dǎo)通(Turn-on)/關(guān)斷( Turn-off)動作進行解說。
2023-02-08 13:43:231302 
在上一篇文章中，對SiC MOSFET橋式結(jié)構(gòu)的柵極驅(qū)動電路的導(dǎo)通(Turn-on)/關(guān)斷( Turn-off)動作進行了解說。
2023-02-08 13:43:23780 
上一篇文章中，簡單介紹了SiC MOSFET橋式結(jié)構(gòu)中柵極驅(qū)動電路的開關(guān)工作帶來的VDS和ID的變化所產(chǎn)生的電流和電壓情況。本文將詳細介紹SiC MOSFET在LS導(dǎo)通時的動作情況。
2023-02-08 13:43:231106 
上一篇文章中介紹了LS開關(guān)導(dǎo)通時柵極 – 源極間電壓的動作。本文將繼續(xù)介紹LS關(guān)斷時的動作情況。低邊開關(guān)關(guān)斷時的柵極 – 源極間電壓的動作：下面是表示LS MOSFET關(guān)斷時的電流動作的等效電路和波形示意圖。
2023-02-08 13:43:231163 
在上一篇文章中，簡單介紹了SiC功率元器件中柵極-源極電壓中產(chǎn)生的浪涌。從本文開始，將介紹針對所產(chǎn)生的SiC功率元器件中浪涌的對策。本文先介紹浪涌抑制電路。
2023-02-09 10:19:151757 
本文的關(guān)鍵要點：通過采取措施防止柵極－源極間電壓的正電壓浪涌，來防止LS導(dǎo)通時的HS誤導(dǎo)通。如果柵極驅(qū)動IC沒有驅(qū)動米勒鉗位用MOSFET的控制功能，則很難通過米勒鉗位進行抑制。作為米勒鉗位的替代方案，可以通過增加誤導(dǎo)通抑制電容器來處理。
2023-02-09 10:19:151943 
本文的關(guān)鍵要點?通過采取措施防止SiC MOSFET中柵極－源極間電壓的負電壓浪涌，來防止SiC MOSFET的LS導(dǎo)通時，SiC MOSFET的HS誤導(dǎo)通。?具體方法取決于各電路中所示的對策電路的負載。
2023-02-09 10:19:161830 
關(guān)于SiC功率元器件中柵極－源極間電壓產(chǎn)生的浪涌，在之前發(fā)布的Tech Web基礎(chǔ)知識 SiC功率元器件 應(yīng)用篇的“SiC MOSFET：橋式結(jié)構(gòu)中柵極－源極間電壓的動作”中已進行了詳細說明，如果需要了解,請參閱這篇文章。
2023-02-09 10:19:171679 
本文的關(guān)鍵要點?具有驅(qū)動器源極引腳的TO-247-4L和TO-263-7L封裝SiC MOSFET，與不具有驅(qū)動器源極引腳的TO-247N封裝SiC MOSFET產(chǎn)品相比，SiC MOSFET柵-源電壓的行為不同。
2023-02-09 10:19:20963 
SiC功率MOSFET內(nèi)部晶胞單元的結(jié)構(gòu)，主要有二種：平面結(jié)構(gòu)和溝槽結(jié)構(gòu)。平面SiC MOSFET的結(jié)構(gòu)，
2023-02-16 09:40:105634 
SiC MOSFET溝槽結(jié)構(gòu)將柵極埋入基體中形成垂直溝道，盡管其工藝復(fù)雜，單元一致性比平面結(jié)構(gòu)差。但是，溝槽結(jié)構(gòu)可以增加單元密度，沒有JFET效應(yīng)，寄生電容更小，開關(guān)速度快，開關(guān)損耗非常低；而且
2023-02-16 09:43:013341 
在N溝道MOSFET中，源極為P型區(qū)域，而在P溝道MOSFET中，源極為N型區(qū)域。在MOSFET的工作中，源極是控制柵極電場的參考點，它是連接到源極-漏極之間的電路，電流會從源極流入器件。通過改變柵極和源極之間的電壓，可以控制源極和漏極之間的電流流動。
2023-02-21 17:52:553591 如圖所示，MOSFET（不局限于SiC-MOSFET）在漏極-源極間存在體二極管。從MOSFET的結(jié)構(gòu)上講，體二極管是由源極-漏極間的pn結(jié)形成的，也被稱為“寄生二極管”或“內(nèi)部二極管”。對于MOSFET來說，體二極管的性能是重要的參數(shù)之一，在應(yīng)用中使用時，其性能發(fā)揮著至關(guān)重要的作用。
2023-02-24 11:47:404750 
在SiC-MOSFET不斷發(fā)展的進程中，ROHM于世界首家實現(xiàn)了溝槽柵極結(jié)構(gòu)SiC-MOSFET的量產(chǎn)。這就是ROHM的第三代SiC-MOSFET。
2023-02-24 11:48:181170 
下面給出的電路圖是在橋式結(jié)構(gòu)中使用SiC MOSFET時最簡單的同步式boost電路。該電路中使用的SiC MOSFET的高邊（HS）和低邊（LS）是交替導(dǎo)通的，為了防止HS和LS同時導(dǎo)通，設(shè)置了兩個SiC MOSFET均為OFF的死區(qū)時間。右下方的波形表示其門極信號（VG）時序。
2023-02-27 13:41:582279 
下面的電路圖是SiC MOSFET橋式結(jié)構(gòu)的同步式boost電路，LS開關(guān)導(dǎo)通時的示例。電路圖中包括SiC MOSFET的寄生電容、電感、電阻，HS和LS的SiC MOSFET的VDS和ID的變化帶來的各處的柵極電流（綠色線）。
2023-02-27 13:43:311436 
忽略SiC MOSFET本身的封裝電感和外圍電路的布線電感的影響。特別是柵極-源極間電壓，當SiC MOSFET本身的電壓和電流發(fā)生變化時，可能會發(fā)生意想不到的正浪涌或負浪涌，需要對此采取對策。在本文中，我們將對相應(yīng)的對策進行探討。
2023-02-28 11:36:501615 
SiC MOSFET溝槽結(jié)構(gòu)將柵極埋入基體中形成垂直溝道，盡管其工藝復(fù)雜，單元一致性比平面結(jié)構(gòu)差。
2023-04-01 09:37:173263 SiC MOSFET具有出色的開關(guān)特性，但由于其開關(guān)過程中電壓和電流變化非常大，因此如Tech Web基礎(chǔ)知識 SiC功率元器件“SiC MOSFET：橋式結(jié)構(gòu)中柵極－源極間電壓的動作-前言”中介
2023-04-06 09:11:461833 
布局注意事項。 橋式結(jié)構(gòu)SiC MOSFET的柵極信號，由于工作時MOSFET之間的動作相互關(guān)聯(lián)，因此導(dǎo)致SiC MOSFET的柵－源電壓中會產(chǎn)生意外的電壓浪涌。這種浪涌的抑制方法除了增加抑制電路外，電路板的版圖布局也很重要。希望您根據(jù)具體情況，參考本系列文章中介紹的
2023-04-13 12:20:022133 SiC MOSFET具有出色的開關(guān)特性，但由于其開關(guān)過程中電壓和電流變化非常大，因此如Tech Web基礎(chǔ)知識 SiC功率元器件“SiC MOSFET：橋式結(jié)構(gòu)中柵極－源極間電壓的動作-前言”中介
2023-05-08 11:23:141571 是兩個重要的參數(shù)，它們對電流的影響非常顯著。 首先，我們來討論MOSFET柵極電路電壓對電流的影響。在MOSFET中，柵極電路的電壓控制著源極和漏極之間的電流流動。當柵極電路的電壓為零時，MOSFET處于關(guān)閉狀態(tài)，即沒有電流通過MOSFET。當柵極電路的電壓為正時，會形成一
2023-10-22 15:18:123845 橋式結(jié)構(gòu)中的柵極-源極間電壓的行為：關(guān)斷時
2023-12-05 14:46:221105 
橋式結(jié)構(gòu)中的柵極-源極間電壓的行為：導(dǎo)通時
2023-12-05 16:35:571015 
如何選取SiC MOSFET的Vgs門極電壓及其影響
2023-12-05 16:46:291783 
SiC MOSFET：橋式結(jié)構(gòu)中柵極－源極間電壓的動作
2023-12-07 14:34:171189 
SiC MOSFET的柵極驅(qū)動電路和Turn-on/Turn-off動作
2023-12-07 15:52:381285 
SiC MOSFET的橋式結(jié)構(gòu)
2023-12-07 16:00:261150 的基本結(jié)構(gòu)和工作原理 MOSFET由源極（Source）、漏極（Drain）、柵極（Gate）和襯底（Substrate）四個部分組成。柵極與襯底之間有一層絕緣的氧化物層，稱為柵氧化物。當柵極電壓（Vg）高于閾值電壓（Vth）時，柵氧化物下方的襯底表面形成導(dǎo)電溝道，實現(xiàn)源極和漏極之間的導(dǎo)通。
2024-08-01 09:19:552997 
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