完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識(shí)你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>
標(biāo)簽 > mosfet
簡稱金氧半場(chǎng)效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場(chǎng)效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡稱尚包括NMOS、PMOS等。
文章:5685個(gè) 瀏覽:220352次 帖子:1132個(gè)
我將分享關(guān)于MOSFET中幾個(gè)關(guān)鍵溫度參數(shù)的計(jì)算方法:TJ(結(jié)溫)、TA(環(huán)境溫度)和TC(外殼溫度)。1.MOSFET溫度參數(shù)的重要性在電力電子應(yīng)
SMPD先進(jìn)絕緣封裝充分發(fā)揮SiC MOSFET優(yōu)勢(shì)
SMPD代表表面安裝功率器件(Surface Mount Power Device),是先進(jìn)的頂部散熱絕緣封裝,由IXYS(現(xiàn)在是Littelfuse公...
三相1200V/450A SiC MOSFET電動(dòng)汽車智能功率模塊
該智能功率模塊是為高熱環(huán)境的穩(wěn)定性應(yīng)用而設(shè)計(jì)的,額定的 最高結(jié)溫為 175℃。柵極驅(qū)動(dòng)器本身具備在最高環(huán)境工作溫度為 125℃的情況下、長時(shí)間工作的增強(qiáng)...
2020-06-12 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車MOSFET電機(jī)驅(qū)動(dòng) 2978 0
當(dāng)向MOSFET施加高于絕對(duì)最大額定值BVDSS的電壓時(shí),就會(huì)發(fā)生擊穿。當(dāng)施加高于BVDSS的高電場(chǎng)時(shí),自由電子被加速并帶有很大的能量。這會(huì)導(dǎo)致碰撞電離...
IGBT由柵極(G)、發(fā)射(E)和集電極(C)三個(gè)極控制。 如圖1,IGBT的開關(guān)作用是通過加正向柵極電壓形成溝道,給PNP晶體管提供基極電流,使IGB...
如何針對(duì)特定設(shè)計(jì)選擇正確的MOSFET
隨著制造技術(shù)的發(fā)展和進(jìn)步,系統(tǒng)設(shè)計(jì)人員必須跟上技術(shù)的發(fā)展步伐,才能為其設(shè)計(jì)挑選最合適的電子器件。MOSFET是電氣系統(tǒng)中的基本部件,工程師需要深入了解它...
大電流IGBT驅(qū)動(dòng)器在現(xiàn)代工業(yè)電機(jī)應(yīng)用中的作用
為了保障高頻開關(guān)所需的快速上升和下降時(shí)間,載流導(dǎo)體應(yīng)保持長度最小。每厘米長度增加約 8 nH 的電感,因此 95 A/μs 的 di/dt 會(huì)產(chǎn)生每厘米...
近年來,半導(dǎo)體行業(yè)最為火熱的話題非寬禁帶半導(dǎo)體莫屬,如碳化硅(SiC)。由于其優(yōu)越的物理和電氣特性,如高能量帶隙(eV),高臨界擊穿場(chǎng)強(qiáng)(MV/cm)和...
輸出端相當(dāng)于三極管的集電極。 要得到高電平狀態(tài)需要上拉電阻才行。適合于做電流型的驅(qū)動(dòng),其吸收電流的能力相對(duì)強(qiáng)(一般20ma以內(nèi))。
半導(dǎo)體是電子電路中使用最廣泛的元件之一,它們保證了可靠性、高電阻和低成本。半導(dǎo)體器件的制造過程通常用于創(chuàng)建集成電路,包括一系列多個(gè)照相和化學(xué)處理步驟,在...
在器件設(shè)計(jì)選擇過程中需要對(duì) MOSFET 的工作過程損耗進(jìn)行先期計(jì)算(所謂先期計(jì)算是指在沒能夠測(cè)試各工作波形的情況下,利用器件規(guī)格書提供的參數(shù)及工作電路...
2021-02-12 標(biāo)簽:二極管MOSFET開關(guān)電源 2952 0
管子能在短時(shí)間內(nèi)扛住較大的脈沖電流,且不能損壞。這對(duì)選擇MOSFET時(shí),需要對(duì)SOA區(qū)域和最大的脈沖電流有一定的考慮。當(dāng)然,講到這里。就需要考慮管子的體...
柵極驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)中的關(guān)鍵控制及400W CCM PFC中的效率比較
基于電荷平衡技術(shù)的超級(jí)結(jié)MOSFET在降低導(dǎo)通電阻和寄生電容方面提供了出色的性能,這通常需要權(quán)衡取舍。
單通道DC-DC轉(zhuǎn)換器LV5980MC的主要特性及應(yīng)用電路
該OnSemi公司的LV5980MC是單個(gè)內(nèi)嵌P MOSFET的單通道DC-DC轉(zhuǎn)換器,工作電壓范圍為4.5V至23V,最大輸出電流為3A??蓪?shí)現(xiàn)低功率...
2021-03-15 標(biāo)簽:開關(guān)轉(zhuǎn)換器mosfet 2939 0
簡單認(rèn)識(shí)P溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)管
P溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)管,簡稱P-MOSFET(P-channel Enhancement-Mode Metal-Oxide-Semiconductor F...
2024-09-23 標(biāo)簽:MOSFET場(chǎng)效應(yīng)管p溝道 2938 0
功率MOSFET的雪崩強(qiáng)度限值是衡量器件針對(duì)于感性負(fù)載在開關(guān)動(dòng)作應(yīng)用中的重要參數(shù)。 清楚地理解雪崩強(qiáng)度的定義,失效的現(xiàn)象及評(píng)估的方法是功率MOSFET電...
2023-05-15 標(biāo)簽:負(fù)載MOSFET電路設(shè)計(jì) 2934 0
穩(wěn)壓器產(chǎn)生預(yù)設(shè)幅度的固定輸出電壓,無論其輸入電壓或負(fù)載條件如何變化,該輸出電壓都保持不變。有兩種類型的穩(wěn)壓器:線性穩(wěn)壓器和開關(guān)穩(wěn)壓器。
隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器提供電平轉(zhuǎn)換、隔離和柵極驅(qū)動(dòng)強(qiáng)度,以便操作功率器件。這些柵極驅(qū)動(dòng)器的隔離特性允許高側(cè)和低側(cè)器件驅(qū)動(dòng),并且能夠在使用合適的器件時(shí)提供安全柵...
2022-12-19 標(biāo)簽:MOSFET驅(qū)動(dòng)器總線 2927 0
編輯推薦廠商產(chǎn)品技術(shù)軟件/工具OS/語言教程專題
電機(jī)控制 | DSP | 氮化鎵 | 功率放大器 | ChatGPT | 自動(dòng)駕駛 | TI | 瑞薩電子 |
BLDC | PLC | 碳化硅 | 二極管 | OpenAI | 元宇宙 | 安森美 | ADI |
無刷電機(jī) | FOC | IGBT | 逆變器 | 文心一言 | 5G | 英飛凌 | 羅姆 |
直流電機(jī) | PID | MOSFET | 傳感器 | 人工智能 | 物聯(lián)網(wǎng) | NXP | 賽靈思 |
步進(jìn)電機(jī) | SPWM | 充電樁 | IPM | 機(jī)器視覺 | 無人機(jī) | 三菱電機(jī) | ST |
伺服電機(jī) | SVPWM | 光伏發(fā)電 | UPS | AR | 智能電網(wǎng) | 國民技術(shù) | Microchip |
Arduino | BeagleBone | 樹莓派 | STM32 | MSP430 | EFM32 | ARM mbed | EDA |
示波器 | LPC | imx8 | PSoC | Altium Designer | Allegro | Mentor | Pads |
OrCAD | Cadence | AutoCAD | 華秋DFM | Keil | MATLAB | MPLAB | Quartus |
C++ | Java | Python | JavaScript | node.js | RISC-V | verilog | Tensorflow |
Android | iOS | linux | RTOS | FreeRTOS | LiteOS | RT-THread | uCOS |
DuerOS | Brillo | Windows11 | HarmonyOS |