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標(biāo)簽 > mosfet
簡(jiǎn)稱金氧半場(chǎng)效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場(chǎng)效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡(jiǎn)稱尚包括NMOS、PMOS等。
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使用H橋電路驅(qū)動(dòng)有刷直流電機(jī)的原理
從本文開(kāi)始,我們將介紹如何使用H橋電路來(lái)驅(qū)動(dòng)有刷直流電機(jī)。在介紹具體的使用H橋電路來(lái)驅(qū)動(dòng)有刷直流電機(jī)的驅(qū)動(dòng)方法之前,本文將介紹H橋電路的原理。
降壓型DC/DC穩(wěn)壓器ADP2442的的主要特點(diǎn)性能及應(yīng)用
輸出電壓可在0.6 V至0.9×VIN范圍內(nèi)調(diào)節(jié)。集成的低電阻N溝道MOSFET在高端和低端器件中均能實(shí)現(xiàn)高效率。
使用Wolfspeed碳化硅MOSFET對(duì)常見(jiàn)拓?fù)溥M(jìn)行建模
現(xiàn)在,工程師比以往任何時(shí)候都更多地選擇基于碳化硅 (SiC) 的產(chǎn)品,因?yàn)樗鼈儽然诠?(Si) 的組件具有更高的效率、功率密度和更好的整體系統(tǒng)成本效益...
SGT MOSFET,即屏蔽柵溝槽MOSFET,是一種先進(jìn)的功率半導(dǎo)體器件。這種技術(shù)改變了MOSFET內(nèi)部電場(chǎng)的形態(tài),將傳統(tǒng)的三角形電場(chǎng)進(jìn)一步的變更為類...
開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器的基礎(chǔ)知識(shí)之輸出預(yù)偏置保護(hù)
DC/DC轉(zhuǎn)換器啟動(dòng)時(shí)的Vout電壓基本上假設(shè)為零伏,但實(shí)際上由于電路構(gòu)成和短時(shí)間內(nèi)的重新啟動(dòng)等因素影響,啟動(dòng)前Vout可能存在電壓,也就是說(shuō)可能并非為零。
2021-03-05 標(biāo)簽:MOSFET開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器DC-DC轉(zhuǎn)換器 2801 0
了解有關(guān)齊納二極管的基礎(chǔ)知識(shí)
齊納二極管是電子電路的一個(gè)基本構(gòu)建模塊,其作用是在達(dá)到特定反向電壓(常稱為齊納電壓)時(shí)允許大量電流反向流動(dòng)。達(dá)到或超過(guò)此反向擊穿電壓后,齊納二極管便以恒...
可編程直流電源是一種通過(guò)軟件接口控制輸出電壓和電流的電子設(shè)備。它采用先進(jìn)的數(shù)字控制技術(shù)和軟開(kāi)關(guān)器件技術(shù),能夠接收來(lái)自外部的、以數(shù)字形式提供的指令,并按照...
碳化硅MOSFET對(duì)比硅IGBT的優(yōu)勢(shì)
開(kāi)關(guān)器件在運(yùn)行過(guò)程中存在短路風(fēng)險(xiǎn),配置合適的短路保護(hù)電路,可以有效減少開(kāi)關(guān)器件在使用過(guò)程中因短路而造成的損壞。與硅IGBT相比,碳化硅MOSFET短...
2023-02-12 標(biāo)簽:MOSFETIGBT開(kāi)關(guān)器件 2779 0
共源級(jí)放大電路的偏置設(shè)計(jì) 共源級(jí)放大電路的小信號(hào)分析
前幾期的內(nèi)容介紹了MOSFET的結(jié)構(gòu)、電學(xué)特性、電路模型,這些都是分析MOSFET放大電路的基礎(chǔ)。介紹了MOSFET放大器一般有三種類型即三種拓?fù)浣Y(jié)構(gòu),...
采用4引腳封裝的SiC MOSFET:SCT3xxx xR系列
SiC MOSFET:SCT3xxx xR系列是面向服務(wù)器用電源、太陽(yáng)能逆變器和電動(dòng)汽車(chē)充電站等要求高效率的應(yīng)用開(kāi)發(fā)而成的溝槽柵極結(jié)構(gòu)SiC MOSFE...
柵極驅(qū)動(dòng)芯片最大開(kāi)關(guān)頻率的估算方法
最大開(kāi)關(guān)頻率是柵極驅(qū)動(dòng)芯片的重要性能指標(biāo),其表現(xiàn)會(huì)受到驅(qū)動(dòng)芯片的封裝、負(fù)載條件、散熱等多方面因素的制約。此外,如果半橋驅(qū)動(dòng)集成了自舉二極管,功耗的計(jì)算方...
2025-01-24 標(biāo)簽:二極管MOSFET開(kāi)關(guān)頻率 2768 0
交流充電樁:本質(zhì)是一個(gè)帶控制的插座,主要包含交流電表、控制主板、顯示屏、急停旋鈕、 交流接觸器、充電槍線等結(jié)構(gòu),結(jié)構(gòu)較為簡(jiǎn)單,需要車(chē)載充電機(jī)自己進(jìn)行變壓...
下一代高壓SiC MOSFET的可靠性和穩(wěn)健性測(cè)試
在當(dāng)今這一代,電力電子設(shè)備幾乎在從交流適配器到傳輸系統(tǒng)的各個(gè)領(lǐng)域都有應(yīng)用。這些器件包含硅 (Si) 作為低壓和高壓器件的主要元素。然而,隨著半導(dǎo)體行業(yè)的...
ADI浪涌抑制器——為產(chǎn)品的可靠運(yùn)行保駕護(hù)航
傳統(tǒng)的過(guò)電壓(OV)和過(guò)流(OC)保護(hù)系統(tǒng)往往包括:用于過(guò)濾低能量尖峰的電容器和電感、用于過(guò)電壓保護(hù)的瞬態(tài)電壓抑制器(TVS)、用于直流過(guò)流保護(hù)的保險(xiǎn)絲...
一文搞定開(kāi)關(guān)電源紋波的產(chǎn)生、測(cè)量及抑制
開(kāi)關(guān)電源紋波不可避免,我們最終的目的是要把輸出紋波降低到可以忍受的程度,達(dá)到這個(gè)目的最根本的解決方法就是要盡量避免紋波的產(chǎn)生,首先要清楚開(kāi)關(guān)電源紋波的種...
2023-05-30 標(biāo)簽:二極管MOSFET開(kāi)關(guān)電源 2761 0
空調(diào)用電流連續(xù)模式PFC電路:利用MOSFET和二極管提高效率的案例
上一篇文章中介紹了在LED照明電路中提升效率并降低噪聲的案例,本文將介紹在空調(diào)中的案例。近年來(lái),隨著表示全年能效比的APF(Annual Perform...
小功率電子負(fù)載實(shí)現(xiàn)快速負(fù)載瞬態(tài)測(cè)試
負(fù)載瞬態(tài)通常使用電子負(fù)載(E-Load)進(jìn)行測(cè)試,前面提到,負(fù)載的跳變斜率(Slew Rate)將對(duì)測(cè)試結(jié)果產(chǎn)生關(guān)鍵影響,然而受設(shè)備內(nèi)部電路限制,常規(guī)電...
2023-02-03 標(biāo)簽:測(cè)試轉(zhuǎn)換器MOSFET 2752 0
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