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標簽 > mosfet
簡稱金氧半場效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡稱尚包括NMOS、PMOS等。
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根據(jù)柵極電壓,觀察負載R1上流過的電流,看看MOSFET的導(dǎo)電性能如何。相對圖如圖3所示。對于–25 V至5.8 V之間的所有“柵極”電壓,該組件均保持...
BLDC驅(qū)動必修課:為何現(xiàn)代MOSFET驅(qū)動IC偏愛“上高下高”邏輯???
在無刷直流(BLDC)電機的控制系統(tǒng)中,6路PWM信號精準控制上下橋MOSFET的開關(guān)是核心。你是否注意到,驅(qū)動IC對PWM高低電平有效性的配置,經(jīng)歷了...
該輸入電容器的電流所產(chǎn)生的電壓(波形)因電容器的“靜電電容”之外存在的寄生成分“ESR(等效串聯(lián)電阻)”及“ESL(等效串聯(lián)電感)”的差異而不同。
SiC MOSFET在電源轉(zhuǎn)換器設(shè)計中的優(yōu)化方案
作者:英飛凌科技資深高級工程師René Mente 談起電源轉(zhuǎn)換器的設(shè)計,諸如碳化硅(SiC)等寬禁帶(WBG)技術(shù)是當今進行器件選擇時的現(xiàn)實考慮。65...
2021-03-25 標簽:MOSFET電源轉(zhuǎn)換器SiC 2619 0
LTC3788 的配置可使得第一個升壓級利用其同步整流功能,從而最大限度地提高了效率、降低了功率損耗并簡化了熱要求。使用同步整流時,該控制器的最大輸出電...
2023-01-08 標簽:轉(zhuǎn)換器MOSFET控制器 2619 0
顯然特斯拉用的是意法半導(dǎo)體2018年的第二代SiC MOSFET產(chǎn)品,第四代產(chǎn)品目前還沒有推出。溝槽型是發(fā)展方向,但意法半導(dǎo)體要到2025年才開始推出。
碳化硅功率器件已成為一種很有前途的技術(shù),人們對降低能耗和在高開關(guān)頻率應(yīng)用下運行的興趣日益濃厚。碳化硅還可以維持較高的工作溫度,使其成為工業(yè)環(huán)境的合適候選...
MOS,是MOSFET的縮寫。MOSFET 金屬-氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管,簡稱金氧半場效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor F...
2024-02-26 標簽:MOSFETMOS管場效應(yīng)晶體管 2595 0
功率放大器屬于電子設(shè)備的一種,主要用于放大電信號的幅度或功率。功率放大器通常用于音響系統(tǒng)、無線電通信、雷達系統(tǒng)、激光驅(qū)動器等領(lǐng)域。它是電子設(shè)備中的一...
如何在使用SiC MOSFET時最大限度地降低EMI和開關(guān)損耗
碳化硅 (SiC) MOSFET 的快速開關(guān)速度、高額定電壓和低導(dǎo)通 RDS(on) 使其對電源設(shè)計人員極具吸引力,這些設(shè)計人員不斷尋找提高效率和功率密...
硅終端金剛石半導(dǎo)體與場效應(yīng)管器件研究進展
金剛石作為超寬禁帶半導(dǎo)體材料的代表,近年來成為大家關(guān)注的熱點。盡管在材料制備、器件研制與性能方面取得了一定進展,但半導(dǎo)體摻雜技術(shù)至今沒有很好解決。氫終端...
2023-08-17 標簽:MOSFET半導(dǎo)體場效應(yīng)管 2587 0
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