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標(biāo)簽 > mosfet
簡(jiǎn)稱金氧半場(chǎng)效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場(chǎng)效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡(jiǎn)稱尚包括NMOS、PMOS等。
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MOS晶體管是金屬-氧化物-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管,或金屬-絕緣體-半導(dǎo)體。MOS管的源漏是可互換的,它們是在P型背柵中形成的N形區(qū)域。在大多數(shù)情況下,這兩...
MOSFET及MOSFET驅(qū)動(dòng)電路案例分析
MOSFET管是FET的一種(另一種是JFET),可以被制造成增強(qiáng)型或耗盡型,P溝道或N溝道共4種類型,但實(shí)際應(yīng)用的只有增強(qiáng)型的N溝道MOS管和增強(qiáng)型的...
了解熱插拔:熱插拔電路設(shè)計(jì)過(guò)程示例
高可用性系統(tǒng)中常見(jiàn)的兩種系統(tǒng)功率級(jí)別(–48 V和+12 V)使用不同的熱插拔保護(hù)配置。–48V 系統(tǒng)集成了低側(cè)熱插拔控制和調(diào)整 MOSFET;+12 ...
在設(shè)計(jì)基于 MOSFET 的電路時(shí),您可能想知道打開(kāi) MOSFET 的正確方法是什么?或者簡(jiǎn)單地說(shuō),應(yīng)該在器件的柵極/源極上施加什么最小電壓才能完美地打開(kāi)?
如何設(shè)計(jì)一個(gè)共源級(jí)放大電路
上一期介紹了共源級(jí)放大電路的工作原理,本期利用這個(gè)理論知識(shí)看看如何設(shè)計(jì)一個(gè)共源級(jí)放大電路。
MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)作為現(xiàn)代電子工業(yè)中的核心元件之一,其參數(shù)與工藝對(duì)于電路的性能、效率及可靠性具有至關(guān)重要的影響。以下將從MOS...
如何實(shí)現(xiàn)SiC MOSFET的短路檢測(cè)及保護(hù)?
SiC功率MOSFET由于其出色的物理特性,在充電樁及太陽(yáng)能逆變器等高頻應(yīng)用中日益得到重視。因?yàn)镾iC MOSFET開(kāi)關(guān)頻率高達(dá)幾百K赫茲,門極驅(qū)動(dòng)的設(shè)...
MOSFET作為主要的開(kāi)關(guān)功率器件之一,被大量應(yīng)用于模塊電源。了解MOSFET的損耗組成并對(duì)其分析,有利于優(yōu)化MOSFET損耗,提高模塊電源的功率;但是...
具有漏極開(kāi)路,推挽和雙向復(fù)位輸出的監(jiān)控電路
推挽輸出由一對(duì)互補(bǔ)MOSFET組成(圖2)。此配置類似于比較器的輸出級(jí)。當(dāng)Q2關(guān)閉并且Q1打開(kāi)時(shí),RESET輸出變?yōu)楦唠娖?;?dāng)Q2打開(kāi)并且Q1關(guān)閉時(shí),R...
2021-04-30 標(biāo)簽:MOSFET比較器監(jiān)控電路 2659 0
MOSFET的非理想特性對(duì)模擬集成電路設(shè)計(jì)具有重要影響。文章介紹了非理想特性的多個(gè)方面,包括電容、體效應(yīng)、溝道長(zhǎng)度調(diào)制、亞閾值導(dǎo)通、遷移率下降以及飽和速...
Buck電路中自舉電容的工作原理是理解該電路運(yùn)作機(jī)制的關(guān)鍵部分,它利用電容兩端電壓不能突變的特性,在特定條件下實(shí)現(xiàn)電壓的抬升,以驅(qū)動(dòng)高側(cè)MOSFET(金...
盡管電流折返和鎖存在短路事件期間都提供了額外的保護(hù)級(jí)別,但 LTC3857 / LTC3858 基本上受到其電流模式架構(gòu)的保護(hù)。電流比較器始終處于活動(dòng)狀...
2023-01-29 標(biāo)簽:電源MOSFET驅(qū)動(dòng)器 2643 0
繼電器開(kāi)關(guān)電路的設(shè)計(jì)和類型非常龐大,許多小型電子項(xiàng)目都使用晶體管和MOSFET作為其主要開(kāi)關(guān)設(shè)備。
2023-11-14 標(biāo)簽:繼電器開(kāi)關(guān)電路MOSFET 2643 0
半導(dǎo)體是我們生活中使用的電器里比較常用的一種器件,那么你對(duì)半導(dǎo)體有多少了解呢?今天我們就從最基礎(chǔ)的半導(dǎo)體功率器件入手,全面了解半導(dǎo)體的“前世今生”。
功率轉(zhuǎn)換器中CoolSiC?MOSFET技術(shù)解析
功率轉(zhuǎn)換器中越來(lái)越多地使用碳化硅(SiC)晶體管,這對(duì)尺寸,重量和/或效率提出了很高的要求。與雙極IGBT器件相反,SiC出色的材料性能使它可以設(shè)計(jì)快速...
羅姆提供先進(jìn)器件的工業(yè)電機(jī)設(shè)計(jì)系統(tǒng)級(jí)方案
工業(yè)電機(jī)是電機(jī)應(yīng)用的關(guān)鍵領(lǐng)域,沒(méi)有高效的電機(jī)系統(tǒng)就無(wú)法搭建先進(jìn)的自動(dòng)化生產(chǎn)線,由于應(yīng)用條件比較苛刻和對(duì)性能要求比較嚴(yán)格,設(shè)計(jì)復(fù)雜的工業(yè)電機(jī)系統(tǒng)涉及眾多元...
2020-12-17 標(biāo)簽:MOSFET穩(wěn)壓器柵極驅(qū)動(dòng)器 2631 0
根據(jù)柵極電壓,觀察負(fù)載R1上流過(guò)的電流,看看MOSFET的導(dǎo)電性能如何。相對(duì)圖如圖3所示。對(duì)于–25 V至5.8 V之間的所有“柵極”電壓,該組件均保持...
2021-03-11 標(biāo)簽:MOSFET電源設(shè)計(jì) 2631 0
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