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標(biāo)簽 > mosfet
簡(jiǎn)稱金氧半場(chǎng)效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場(chǎng)效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡(jiǎn)稱尚包括NMOS、PMOS等。
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如何區(qū)分MOS管,“電路符號(hào)”和“實(shí)物”介紹
讓我們來(lái)看看MOS管,分辨一下他們?cè)趺磪^(qū)別,怎么用吧。而且,我們不談原理,只談應(yīng)用。我們分“電路符號(hào)”和“實(shí)物”兩部分來(lái)看。
功率場(chǎng)效應(yīng)管的基本特性,如何提高功率MOSFET的動(dòng)態(tài)性能
MOSFET的漏伏安特性(輸出特性):截止區(qū)(對(duì)應(yīng)GTR的截止區(qū));飽和區(qū)(對(duì)應(yīng)于GTR的放大區(qū));非飽和區(qū)(對(duì)應(yīng)于GTR的飽和區(qū))。功率MOSFET在...
2023-07-04 標(biāo)簽:MOSFET功率場(chǎng)效應(yīng)管 2391 0
選擇一個(gè)工作點(diǎn)而不是另一個(gè)工作點(diǎn)作為數(shù)據(jù)表“最大”額定值的一些原因包括:選擇工作點(diǎn)作為在生產(chǎn)線末端測(cè)試時(shí)用于篩選器件的相同工作點(diǎn),或者出于營(yíng)銷或客戶目的...
新能源汽車電氣架構(gòu)與電源系統(tǒng)設(shè)計(jì)
隨著整車電氣負(fù)載的增加、 電氣架構(gòu)的發(fā)展、 新型能源的涌現(xiàn), 電源系統(tǒng)設(shè)計(jì)也隨之變革和優(yōu)化, 從開(kāi)始的保障電網(wǎng)用電平衡、 用電安全, 逐步發(fā)展到電網(wǎng)的智...
隨著能夠取代白熾燈泡的大功率LED的出現(xiàn),產(chǎn)生了對(duì)將LED與可用電源(電池、汽車電氣系統(tǒng)等)有效匹配的電路的需求。電路還應(yīng)該能夠調(diào)節(jié)和控制LED光輸出,...
ADI技術(shù)文章 - 電池充電器的反向電壓保護(hù)
負(fù)載和充電器雖與反向電壓隔離,但是起保護(hù)作用的 MOSFET 現(xiàn)在面臨的一大問(wèn)題是功耗過(guò)高。
如何為您的SiC MOSFET選擇合適的柵極驅(qū)動(dòng)器
雖然 SiC 提供了一系列優(yōu)勢(shì),包括更快的開(kāi)關(guān)和更高的效率,但它也帶來(lái)了一些設(shè)計(jì)挑戰(zhàn),可以通過(guò)選擇正確的柵極驅(qū)動(dòng)器來(lái)解決。
2022-08-03 標(biāo)簽:MOSFETSiC柵極驅(qū)動(dòng)器 2380 0
深度解析七大汽車芯片產(chǎn)業(yè)等細(xì)分領(lǐng)域機(jī)遇與挑戰(zhàn)
在車載鏡頭領(lǐng)域,舜宇光學(xué)(02382.HK)龍頭地位穩(wěn)固,其車載鏡頭出貨量已連續(xù)9年穩(wěn)居世界第一,2020年市占率32%,與第二名份額拉開(kāi)較大差距。
引言:一位朋友要求更一期Snubber的詳細(xì)介紹,這個(gè)拖更好久了,今天就補(bǔ)上!切斷電路中的電流時(shí),電路中的雜散電感會(huì)導(dǎo)致電壓急劇增加,緩沖器電路提供...
2023-09-26 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器MOSFET緩沖器 2372 0
用SiC驅(qū)動(dòng)強(qiáng)大的燈或電機(jī)
改變大功率燈或電機(jī)亮度的最佳技術(shù)之一是脈沖寬度調(diào)制 (PWM)。在汽車電子系統(tǒng)中,一段時(shí)間以來(lái),控制單元使用 PWM 命令控制和管理各種執(zhí)行器。例如,柴...
MOS管怎么用?從認(rèn)識(shí)米勒效應(yīng)、開(kāi)關(guān)損耗、參數(shù)匹配及選型入手
要比喻的話,三極管像綠皮車,MOS管像高鐵。
如何將CoolMOS應(yīng)用于連續(xù)導(dǎo)通模式的圖騰柱功率因數(shù)校正電路
為了實(shí)現(xiàn)在圖騰柱PFC使用常見(jiàn)的開(kāi)關(guān)器件,本文介紹預(yù)充電電路的解決方案。 相較采用寬禁帶半導(dǎo)體,此方案的功率半導(dǎo)體器件較普遍且容易取得,提供給使用者做為...
碳化硅(SiC)相較于硅(Si)有哪些優(yōu)勢(shì)!
硅碳化物(SiC)技術(shù)已經(jīng)達(dá)到了臨界點(diǎn),即無(wú)可否認(rèn)的優(yōu)勢(shì)推動(dòng)一項(xiàng)技術(shù)快速被采用的狀態(tài)。
雙極步進(jìn)電機(jī)和單極步進(jìn)電機(jī)之間差異
與兩相雙極步進(jìn)電機(jī)的驅(qū)動(dòng)電路相比,兩相單極步進(jìn)電機(jī)的驅(qū)動(dòng)電路在輸入段配置、內(nèi)部邏輯及控制電路和驅(qū)動(dòng)電路使用雙通道方面基本相同,但是輸出段的配置不同。兩相...
2023-03-10 標(biāo)簽:MOSFET步進(jìn)電機(jī)電動(dòng)勢(shì) 2353 0
MOSFET漏極導(dǎo)通特性與開(kāi)關(guān)過(guò)程簡(jiǎn)析
本文就MOSFET的開(kāi)關(guān)過(guò)程進(jìn)行相關(guān)介紹與分析,幫助理解學(xué)習(xí)工作過(guò)程中的相關(guān)內(nèi)容。首先簡(jiǎn)單介紹常規(guī)的基于柵極電荷的特性,理解MOSFET的開(kāi)通和關(guān)斷的過(guò)...
碳化硅(SiC)技術(shù)為電源、電動(dòng)汽車和充電、大功率工業(yè)設(shè)備、太陽(yáng)能應(yīng)用和數(shù)據(jù)中心等多個(gè)行業(yè)顯著提高了功率傳輸和管理性能。
MOS結(jié)構(gòu)加上一對(duì)背靠背的PN結(jié),就構(gòu)成一個(gè)MOSFET。如果MOS結(jié)構(gòu)在零柵壓時(shí)半導(dǎo)體表面不是反型的,此時(shí)由于PN結(jié)的反向截止效果,源漏之間不會(huì)導(dǎo)通。...
開(kāi)關(guān)電源的尖峰干擾是一個(gè)復(fù)雜而重要的問(wèn)題,它主要源于開(kāi)關(guān)電源內(nèi)部高頻開(kāi)關(guān)器件的快速通斷過(guò)程。這種干擾不僅影響開(kāi)關(guān)電源本身的性能,還可能對(duì)周圍的其他電子設(shè)...
2024-10-10 標(biāo)簽:MOSFET開(kāi)關(guān)電源尖峰干擾 2345 0
這種布置的要點(diǎn)是,它可以被解構(gòu)為相當(dāng)于一個(gè)全橋交流整流器,然后是一個(gè)功率因數(shù)校正升壓電路,但實(shí)際上與功率流一致的元件更少,損耗更低。圖騰柱電路中只需要兩...
2023-02-17 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器MOSFETSiC 2344 0
數(shù)字電路是利用電源電壓的高電平和低電平分別表示1和0,進(jìn)而實(shí)現(xiàn)信息的表達(dá)。
2023-06-19 標(biāo)簽:模擬電路MOSFET場(chǎng)效應(yīng)管 2343 0
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