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標(biāo)簽 > mosfet
簡(jiǎn)稱金氧半場(chǎng)效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場(chǎng)效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡(jiǎn)稱尚包括NMOS、PMOS等。
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Si整流器與SiC二極管的性能特點(diǎn)及應(yīng)用比較
肖特基二極管比PN結(jié)器件的行為特性更像一個(gè)理想的開關(guān)。肖特基二極管最重要的兩個(gè)性能指標(biāo)就是它的低反向恢復(fù)電荷(QRR)和它的恢復(fù)軟化系數(shù)。
MOSFET是開關(guān)和汽車應(yīng)用中非常常見(jiàn)的元件,支持低壓或高壓擺幅,并具有寬范圍的電流驅(qū)動(dòng)。高功率應(yīng)用的數(shù)量正在增加,從而產(chǎn)生了對(duì)功率MOSFET的額外需...
2023-06-30 標(biāo)簽:放大器MOSFET驅(qū)動(dòng)器 2420 0
Key按下瞬間,Q2、Q1導(dǎo)通,7805輸入電壓在8.9V左右,7805工作,輸出5V電壓給單片機(jī)供電。
2022-08-24 標(biāo)簽:單片機(jī)MOSFET開關(guān)機(jī)電路 2417 0
MOSFET/IGBT的開關(guān)損耗測(cè)試是電源調(diào)試中非常關(guān)鍵的環(huán)節(jié),但很多工程師對(duì)開關(guān)損耗的測(cè)量還停留在人工計(jì)算的感性認(rèn)知上,PFC MOSFET的開關(guān)損耗...
在選擇逆變器電路中的開關(guān)器件時(shí),要選擇trr小的產(chǎn)品,這一點(diǎn)很重要。
MOSFET如何定義 MOSFET內(nèi)部結(jié)構(gòu)詳解
功率MOSFET為多單元集成結(jié)構(gòu),如IR的HEXFET采用六邊形單元;西門子Siemens的SIPMOSFET采用正方形單元;摩托羅拉公司Motorol...
功率MOSFET有兩種類型:N溝道和P溝道,在系統(tǒng)設(shè)計(jì)的過(guò)程中選擇N管還是P管,要針對(duì)實(shí)際的應(yīng)用具體來(lái)選擇,N溝道MOSFET選擇的型號(hào)多,成本低;P溝...
MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)是一種常用的功率開關(guān)器件,也是現(xiàn)代電子設(shè)備和電路中最重要的元件之一。它由金屬-氧化物-半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)組成。
為了確保安全可靠的運(yùn)行壽命,電源配備了各種保護(hù)機(jī)制。其中一些限制了短路故障條件下提供的電流,確保電源的組件不會(huì)過(guò)熱或擊穿,從而允許設(shè)備在故障消除后恢復(fù)正...
功率半導(dǎo)體專業(yè)術(shù)語(yǔ)有哪些
集成電路=IC:一種微型電子器件或部件。具體指采用半導(dǎo)體制備工藝,把一個(gè)電路中所需的晶體管、電阻、電容和電感等元件及布線互連一起,制作在一小塊或幾小塊半...
MOS 管在逆變電路,開光電源電路中經(jīng)常是成對(duì)出現(xiàn),習(xí)慣上稱之為上管和下管,如圖Figure 1中的同步Buck 變換器,High-side MOSFE...
為什么需要柵極驅(qū)動(dòng)器?柵極驅(qū)動(dòng)器及其應(yīng)用介紹
柵極驅(qū)動(dòng)器是低壓控制器和高功電路之間的緩沖電路,用于放大控制器的控制信號(hào),從而實(shí)現(xiàn)功率器件更有效的導(dǎo)通和關(guān)斷。
2024-04-02 標(biāo)簽:MOSFET寄生電容驅(qū)動(dòng)芯片 2391 0
如何區(qū)分MOS管,“電路符號(hào)”和“實(shí)物”介紹
讓我們來(lái)看看MOS管,分辨一下他們?cè)趺磪^(qū)別,怎么用吧。而且,我們不談原理,只談應(yīng)用。我們分“電路符號(hào)”和“實(shí)物”兩部分來(lái)看。
MOSFET是金屬-氧化物-半導(dǎo)體場(chǎng)效晶體管(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor,MOSFET)
2023-05-26 標(biāo)簽:MOSFETMOS管驅(qū)動(dòng)電流 2389 0
看懂MOSFET數(shù)據(jù)表:UIS/雪崩額定值
UIS測(cè)試由圖1中所示的測(cè)試電路執(zhí)行。在FET關(guān)閉時(shí),其上施加了一個(gè)電源電壓,然后檢查器件上是否有泄露。在FET接通時(shí),電感器電流穩(wěn)定增加。當(dāng)達(dá)到所需的...
功率場(chǎng)效應(yīng)管的基本特性,如何提高功率MOSFET的動(dòng)態(tài)性能
MOSFET的漏伏安特性(輸出特性):截止區(qū)(對(duì)應(yīng)GTR的截止區(qū));飽和區(qū)(對(duì)應(yīng)于GTR的放大區(qū));非飽和區(qū)(對(duì)應(yīng)于GTR的飽和區(qū))。功率MOSFET在...
2023-07-04 標(biāo)簽:MOSFET功率場(chǎng)效應(yīng)管 2386 0
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