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標(biāo)簽 > mosfet
簡稱金氧半場效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡稱尚包括NMOS、PMOS等。
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場效應(yīng)管(Field Effect Transistor,簡稱FET)是一種利用電場效應(yīng)控制半導(dǎo)體材料的導(dǎo)電性能的電子器件。它在電子電路、信號處理、功率...
2024-05-24 標(biāo)簽:MOSFET半導(dǎo)體場效應(yīng)管 2530 0
半導(dǎo)體功率器件技術(shù)的整體演進(jìn)情況
從發(fā)展歷程來看,20世紀(jì)50年代,功率二極管、功率三極管面世并應(yīng)用于工業(yè)和電力系統(tǒng);20世紀(jì)60至70年代,晶閘管等半導(dǎo)體功率器件快速發(fā)展
當(dāng)我們在GB之間加一個正電壓以后,便會在P區(qū)和O區(qū)之間形成N型半導(dǎo)體,從而使得SD導(dǎo)通;當(dāng)GB沒有電壓PO之間的N區(qū)就會消失,使得SD斷開。
安森美發(fā)布了第二代1200V碳化硅 (SiC) MOSFET—M3S
安森美(onsemi)發(fā)布了第二代1200V碳化硅 (SiC) MOSFET,命名為M3S,其中S代表開關(guān)。
未來幾年將看到電子設(shè)備和邏輯板的飛躍式增長。但作為電子產(chǎn)品和半導(dǎo)體滲透到新的行業(yè)和產(chǎn)品,設(shè)計師和制造商一直在尋找更好、更智能的制造方式這些重要組成部分。
SiC MOSFET相對于Si MOSFET和IGBT的優(yōu)勢
ROHM 具有電流隔離功能的新型晶體管柵極驅(qū)動器 ( BM6112 ) 非常適合應(yīng)對驅(qū)動 SiC MOSFET 的獨特挑戰(zhàn)。它可以驅(qū)動高達(dá) 20A 的大...
傳統(tǒng)的硅功率晶體管在理論上已經(jīng)被推到了極限。1,2基于寬帶隙器件的系統(tǒng)(即碳化硅)已經(jīng)超越了效率、密度和工作溫度方面的限制。3阻斷電壓與導(dǎo)通電阻之比是由...
三相正弦波逆變器瞬態(tài)的共同導(dǎo)通問題設(shè)計方案
在三相正弦波逆變器瞬中瞬態(tài)共同導(dǎo)通往往是被忽略的問題,因為瞬態(tài)過程很難捕捉。本文以半橋變換器為例,就這個問題進(jìn)行討論并給出相應(yīng)方案。
今天和大家分享一下MOSFET的設(shè)計參數(shù),MOSFET在電路設(shè)計中應(yīng)用非常廣泛,尤其是模擬電路中,各種電源變換,電機控制中都會看到MOSFET的身影,而...
RF技術(shù)被廣泛應(yīng)用于許多多領(lǐng)域,如:WLAN、手機、雷達(dá)、GPS、5G/6G、藍(lán)牙、電視、自動識別系統(tǒng)等。在這些應(yīng)用當(dāng)中RF設(shè)計工程師使用EDA軟件為商...
目前的目標(biāo)是更加縮小設(shè)計尺寸并提高效率。為了達(dá)到目標(biāo)必須縮短開關(guān)路徑以及在 Z 軸上重迭安裝器件。
2022-01-05 標(biāo)簽:pcbMOSFET降壓轉(zhuǎn)換器 2488 0
碳化硅MOSFET的經(jīng)濟(jì)高效且可靠的大功率解決方案
碳化硅已被證明是高功率和高電壓設(shè)備的理想材料。但是,設(shè)備的可靠性極其重要,我們不僅指短期可靠性,還指長期可靠性。性能、成本和可制造性也是其他重要因素,但...
近日,小編采訪了LED驅(qū)動電路設(shè)計方面的資深達(dá)人DougBailey,他總結(jié)了設(shè)計工作中需要注意的問題和親身設(shè)計心得、
ME8133是一款高性能,高效率電流模式PWM控制器,內(nèi)封650V/4A功率MOSFET,功率最高可達(dá)30W(220VAC)。
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