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標(biāo)簽 > mosfet
簡(jiǎn)稱(chēng)金氧半場(chǎng)效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場(chǎng)效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類(lèi)型,通常又稱(chēng)為NMOSFET與PMOSFET,其他簡(jiǎn)稱(chēng)尚包括NMOS、PMOS等。
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關(guān)于手機(jī)快充技術(shù)與鋰電池保護(hù)元件
鋰電池由于化學(xué)特性非?;钴S,所以增加充放電保護(hù)電路。隨著智能手機(jī)快速普及,手機(jī)電池容量越來(lái)越大,出現(xiàn)了快速充電的需求,在快速充電前30分鐘的大電流沖擊...
MOSFET是一種常見(jiàn)的電壓型控制器件,具有開(kāi)關(guān)速度快、高頻性能、輸入阻抗高、噪聲小、驅(qū)動(dòng)功率小、動(dòng)態(tài)范圍大、安全工作區(qū)域(SOA)寬等一系列的優(yōu)點(diǎn),因...
2022-08-23 標(biāo)簽:MOSFET開(kāi)關(guān)電源電源IC 2332 0
開(kāi)關(guān)電源的尖峰干擾是一個(gè)復(fù)雜而重要的問(wèn)題,它主要源于開(kāi)關(guān)電源內(nèi)部高頻開(kāi)關(guān)器件的快速通斷過(guò)程。這種干擾不僅影響開(kāi)關(guān)電源本身的性能,還可能對(duì)周?chē)钠渌娮釉O(shè)...
2024-10-10 標(biāo)簽:MOSFET開(kāi)關(guān)電源尖峰干擾 2327 0
SiC-MOSFET與Si-MOSFET的區(qū)別 SiC-MOSFET與IGBT的區(qū)別
率轉(zhuǎn)換電路中的晶體管的作用非常重要,對(duì)其改良可以實(shí)現(xiàn)低損耗與應(yīng)用尺寸小型化。SiC 功率元器件半導(dǎo)體具有低損耗、高速開(kāi)關(guān)、高溫工作等優(yōu)勢(shì)。
橋式整流器(BRIDGE RECTIFIERS)是電力電子領(lǐng)域中一種重要的整流設(shè)備,其主要功能是將交流電轉(zhuǎn)換為直流電。橋式整流器以其高效、穩(wěn)定、結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單...
閃存芯片是非揮發(fā)存儲(chǔ)芯片,廣泛用于電子產(chǎn)品,特別是如數(shù)碼相機(jī)、MP3播放器、手機(jī)、全球定位系統(tǒng)(GPS)、高端筆記本電腦和平板電腦等移動(dòng)電子產(chǎn)品的存儲(chǔ)應(yīng)用。
探討功率開(kāi)關(guān)各部位傳導(dǎo)損耗計(jì)算方法
在實(shí)際的計(jì)算中重要的是:導(dǎo)通電阻的值根據(jù)Io值中的導(dǎo)通電阻來(lái)計(jì)算。一般情況下在MOSFET的技術(shù)規(guī)格書(shū)中會(huì)給出導(dǎo)通電阻RDS(ON)和IDS的曲線(xiàn)圖,可...
2020-04-05 標(biāo)簽:二極管MOSFET功率開(kāi)關(guān) 2319 0
上一章針對(duì)與Si-MOSFET的區(qū)別,介紹了關(guān)于SiC-MOSFET驅(qū)動(dòng)方法的兩個(gè)關(guān)鍵要點(diǎn)。本章將針對(duì)與IGBT的區(qū)別進(jìn)行介紹。與IGBT的區(qū)別:Vd-...
基于區(qū)域網(wǎng)的供電系統(tǒng)或有源乙太網(wǎng)系統(tǒng)方案
NCP1095/NCP1096還支援自動(dòng)分類(lèi)(Autoclass),這可使系統(tǒng)的效能提高,并且借由自動(dòng)配對(duì)供電,可簡(jiǎn)化線(xiàn)路設(shè)計(jì)流程與設(shè)定,優(yōu)化PD端的功率輸出。
2021-01-25 標(biāo)簽:MOSFET供電系統(tǒng)智慧家庭 2317 0
電力場(chǎng)效應(yīng)管的結(jié)構(gòu)和工作原理
功率場(chǎng)效應(yīng)管(Power MOSFET)也叫電力場(chǎng)效應(yīng)晶體管,是一種單極型的電壓控制器件,不但有自關(guān)斷能力,而且有驅(qū)動(dòng)功率小,開(kāi)關(guān)速度高、無(wú)二次擊穿、安...
2023-05-05 標(biāo)簽:MOSFET場(chǎng)效應(yīng)管 2316 0
作為半導(dǎo)體技術(shù)的一個(gè)重要分支,主要是指那些能夠處理高電壓、大電流的半導(dǎo)體器件。它們?cè)陔娏ο到y(tǒng)中扮演著關(guān)鍵角色,負(fù)責(zé)電能的轉(zhuǎn)換、調(diào)節(jié)與控制。功率半導(dǎo)體的出...
引言:高性能的單(多)輸出同步升壓轉(zhuǎn)換器控制器,驅(qū)動(dòng)兩個(gè)N通道功率MOSFET,同步整流提高效率,減少功率損耗,減輕散熱需求,簡(jiǎn)化了高功率的應(yīng)用。
2023-10-18 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器MOSFET控制器 2306 0
MOSFET的操作可以分為兩種基本模式:線(xiàn)性模式和開(kāi)關(guān)模式。在線(xiàn)性模式下,晶體管的柵源電壓足以使電流通過(guò)通道,但通道電阻相對(duì)較高。通道上的電壓和通過(guò)通道...
2024-06-13 標(biāo)簽:MOSFET晶體管開(kāi)關(guān)損耗 2302 0
同步降壓型DC/DC穩(wěn)壓器ADP2384/86的主要特性及應(yīng)用
ADI公司的ADP2384/ADP2386是兩款4mm×4mm LFCSP封裝的高效、同步降壓DC/DC穩(wěn)壓器,內(nèi)部集成一個(gè)44mΩ的高邊檢測(cè)功率MOS...
半導(dǎo)體邏輯器件工藝流程 LTPS工藝對(duì)器件參數(shù)的影響
當(dāng)n型半導(dǎo)體與p型半導(dǎo)體接觸時(shí),電子與空穴都從濃度高處向濃度低處擴(kuò)散,稱(chēng)為擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)。當(dāng)電子進(jìn)入p型區(qū)域,空穴進(jìn)入n型區(qū)域后,即與對(duì)方多子復(fù)合,留下了固定...
同步整流芯片U7612是一款高頻率、高性能、CCM 同步整流開(kāi)關(guān),可以在GaN系統(tǒng)中替代肖特基整流二極管以提高系統(tǒng)效率。
為了安全使用SiC模塊,需要計(jì)算工作條件下的功率損耗和結(jié)溫,并在額定值范圍內(nèi)使用。MOSFET損耗計(jì)算與IGBT既有相似之處,也有不同。相對(duì)IGBT,M...
金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor,簡(jiǎn)稱(chēng)MOSFET)是現(xiàn)...
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