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      標(biāo)簽　>　mosfet

      mosfet

      mosfet

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      簡稱金氧半場效晶體管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor， MOSFET）是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場效晶體管（field-effect transistor）。MOSFET依照其“通道”（工作載流子）的極性不同，可分為“N型”與“P型” 的兩種類型，通常又稱為NMOSFET與PMOSFET，其他簡稱尚包括NMOS、PMOS等。

      文章：6687個 瀏覽：233449次 帖子：1154個

      mosfet資訊

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      2016-07-27 標(biāo)簽：MOSFET功率半導(dǎo)體 2.4k 0

      Vishay的650V快速體二極管MOSFET可提高工業(yè)、通信和可再生能源應(yīng)用中軟開關(guān)的電壓余量

      　　賓夕法尼亞、MALVERN — 2016 年 5 月12 日 — 日前，Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代號...

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      英飛凌推出1200 V碳化硅MOSFET技術(shù)，助力電源轉(zhuǎn)換設(shè)計達(dá)到前所未有的效率和性能

      　　2016年5月10日，德國慕尼黑訊——英飛凌科技股份公司（FSE： IFX / OTCQX： IFNNY）推出革命性的碳化硅（SiC）MOSFET技...

      2016-05-10 標(biāo)簽：英飛凌MOSFET碳化硅 1.5k 0

      Power Integrations推出革命性的SCALE-iDriver IC，將高可靠性的SCALE-2驅(qū)動器技術(shù)引入到1200 V應(yīng)用中

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      英飛凌推出革命性的1200V碳化硅（SiC）MOSFET技術(shù) 助力電源轉(zhuǎn)換設(shè)計提升效率和性能

      英飛凌全新1200V SiC MOSFET經(jīng)過優(yōu)化，兼具可靠性與性能優(yōu)勢。它們在動態(tài)損耗方面樹立了新標(biāo)桿，相比1200V硅（Si）IGBT低了一個數(shù)量級...

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      據(jù)外媒報道，美國威斯康星大學(xué)麥迪遜分校（UW Madison）的研究人員們，已經(jīng)同合作伙伴聯(lián)手實現(xiàn)了一種突破性的方法。不僅大大簡化了低成本高性能、無線靈...

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      Diodes 40V車用MOSFET適用于電機(jī)控制應(yīng)用

      Diodes公司 （Diodes Incorporated） 新推出的兩款40V車用MOSFET DMTH4004SPSQ及DMTH4005SPSQ溫度...

      2016-03-23 標(biāo)簽：MOSFETDiodes直流電機(jī) 1.4k 0

      Fairchild新一代PowerTrench MOSFET提供一流性能

      全球領(lǐng)先的高性能功率半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商Fairchild （NASDAQ： FCS） 在2016年APEC上發(fā)布了新一代100V N溝道Power M...

      2016-03-22 標(biāo)簽：MOSFETFairchildFDMS86181 3.7k 1

      Diodes柵極驅(qū)動器可在半橋或全橋配置下 開關(guān)功率MOSFET與IGBT

      Diodes公司 （Diodes Incorporated） 新推出的DGD21xx系列包括六款半橋柵極驅(qū)動器及六款高/低側(cè)600V柵極驅(qū)動器，可在半橋...

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      東芝推出了40V N溝道功率MOSFET

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      Vishay推新款VRPower?集成式DrMOS功率級解決方案

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