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標(biāo)簽 > mosfet
簡(jiǎn)稱(chēng)金氧半場(chǎng)效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場(chǎng)效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類(lèi)型,通常又稱(chēng)為NMOSFET與PMOSFET,其他簡(jiǎn)稱(chēng)尚包括NMOS、PMOS等。
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在功率MOSFET的數(shù)據(jù)表中,通常包括單脈沖雪崩能量EAS,雪崩電流IAR,重復(fù)脈沖雪崩能量EAR等參數(shù),而許多電子工程師在設(shè)計(jì)電源系統(tǒng)的過(guò)程中,很...
我們知道MOSFET的開(kāi)關(guān)速度相對(duì)于三極管已經(jīng)有相當(dāng)大的改善,可以達(dá)到數(shù)百K,甚至上M;但我們想想,當(dāng)我們需要MOSFET有
2010-12-23 標(biāo)簽:MOSFET開(kāi)關(guān)速 4.2k 0
恩智浦發(fā)布業(yè)界最低RDSon的30V MOSFET-PSMN
恩智浦發(fā)布業(yè)界最低RDSon的30V MOSFET-PSMN1R0-30YLC 中國(guó)上海,2010年12月6日訊--恩智浦半導(dǎo)體NXP Semicon...
2010-12-19 標(biāo)簽:MOSFET 980 0
如何為具體應(yīng)用恰當(dāng)?shù)倪x擇MOSFET
。雖然工程師都熟諳MOSFET數(shù)據(jù)手冊(cè)上的品質(zhì)因數(shù),但為了選擇出合適的MOSFET,工程師必需利用自己的專(zhuān)業(yè)知識(shí)對(duì)各個(gè)
2010-12-06 標(biāo)簽:MOSFET 2.9k 0
一種MOSFET雙峰效應(yīng)的簡(jiǎn)單評(píng)估方法
金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor,MOSFET)是由...
IR推出新系列-30V器件 P溝道MOSFET無(wú)需使用電平轉(zhuǎn)
國(guó)際整流器公司(International Rectifier,簡(jiǎn)稱(chēng)IR) 推出新系列-30 V器件,采用IR最新的SO-8封裝,P溝道MOSFET硅組...
2010-09-20 標(biāo)簽:MOSFET 1.4k 0
IR)推出新系列-30 V器件,采用 IR最新的SO-8封裝 P 溝道 MOSFET硅組件,適用于電池充電和放電開(kāi)關(guān),以及直流應(yīng)用的系統(tǒng)/負(fù)載開(kāi)關(guān)。新款...
國(guó)內(nèi)大功率MOSFET產(chǎn)品境況
功率MOSFET市場(chǎng)為歐美IDM半導(dǎo)體廠(chǎng)商所掌控,諸如Vishay、TI、凌力爾特在電源管理應(yīng)用市場(chǎng),而飛兆、英飛凌等公司的高壓MOSFET廣泛應(yīng)用...
2010-09-10 標(biāo)簽:MOSFET 4.2k 0
MAX5971A 單端口、40W、IEEE 802.3af/
MAX5971A為單端口、供電設(shè)備(PSE)電源控制器,設(shè)計(jì)用于IEEE® 802.3af/at兼容PSE。該器件為用電設(shè)備(PD)提供偵測(cè)、分...
2010-07-07 標(biāo)簽:MOSFET 720 0
英飛凌科技股份公司近日推出全新的650V CoolMOS C6/E6高性能功率MOSFET系列。該產(chǎn)品系列將現(xiàn)代超級(jí)結(jié)(SJ)器件的優(yōu)勢(shì)(如低導(dǎo)通電阻和...
MAX5971A IEEE 802.3af/at-compl
MAX5971A IEEE 802.3af/at-compliant, single-port PSE controller with integrat...
2010-05-13 標(biāo)簽:MOSFET 998 0
用于高壓功率MOSFET的全新無(wú)管腳SMD封裝ThinPAK
用于高壓功率MOSFET的全新無(wú)管腳SMD封裝ThinPAK 8x8 英飛凌科技股份公司近日推出適用于高壓功率MOSFET的全新無(wú)管腳SMD封裝Thi...
MICRO FOOT封裝的P溝道第三代TrenchFET功率
采用芯片級(jí)MICRO FOOT封裝的P溝道第三代TrenchFET功率MOSFET 日前,Visha...
2010-04-30 標(biāo)簽:MOSFET 1.1k 0
P溝道TrenchFET功率MOSFET管Si8499DB Vishay推出首款采用芯片級(jí)MICRO FOOT®封裝的P溝道第三代Trench...
MAX14544, MAX14545 Bidirection
MAX14544, MAX14545 Bidirectional current-limit switches integrate a 28V MOSF...
2010-04-23 標(biāo)簽:MOSFET 826 0
IR推出汽車(chē)專(zhuān)用MOSFET系列低導(dǎo)通電阻
IR推出汽車(chē)專(zhuān)用MOSFET系列低導(dǎo)通電阻 全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠(chǎng)商 – 國(guó)際整流器公司 (International Rectifier,簡(jiǎn)...
Toshiba推出高性能功率MOSFET TK系列 Toshiba推出新系列的功率MOSFET,這些功率MOSFET改善效率和具有快速開(kāi)關(guān)速度,應(yīng)用工...
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