飛兆半導(dǎo)體公司新推出了40V 的N溝道PowerTrench MOSFET FDB9403，該產(chǎn)品可幫助設(shè)計(jì)人員在汽車動(dòng)力轉(zhuǎn)向系統(tǒng)的設(shè)計(jì)工程師需要能夠提供更高效率和更佳功率控制的解決方案。
2012-12-04 14:56:04
1314 Vishay推出新款通過(guò)AEC-Q101認(rèn)證的40V N溝道TrenchFET功率MOSFET---SQM200N04-1m1L。
2012-12-07 14:08:383286 中國(guó)上海， 2023 年 2 月 3 日 ——東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社（“東芝”）宣布推出采用新型L-TOGL?（大型晶體管輪廓鷗翼式引腳）封裝的車載40V N溝道功率MOSFET
2023-02-06 10:01:471486 
X-H工藝制造而成的100V N溝道功率MOSFET“TPH3R10AQM”。新款產(chǎn)品適用于數(shù)據(jù)中心和通信基站所用的工業(yè)設(shè)備電源線路上的開關(guān)電路和熱插拔電路[1]等應(yīng)用。該產(chǎn)品于今日開始支持批量出貨。 ? ? TPH3R10AQM具有業(yè)界領(lǐng)先的[2]3.1mΩ最大漏極-源極導(dǎo)通電阻，比東芝目前100V產(chǎn)品“
2023-07-03 14:48:141126 
意法半導(dǎo)體最先進(jìn)的40V功率MOSFET可以完全滿足EPS (電動(dòng)助力轉(zhuǎn)向系統(tǒng))和EPB (電子駐車制動(dòng)系統(tǒng)) 等汽車安全系統(tǒng)的機(jī)械、環(huán)境和電氣要求。 這些機(jī)電系統(tǒng)必須符合汽車AEC Q101規(guī)范，具體而言，低壓MOSFET必須耐受高溫和高尖峰電流。
2019-08-09 07:28:08
功率MOSFET有二種類型：N溝通和P溝道，在系統(tǒng)設(shè)計(jì)的過(guò)程中，選擇N管還是P管，要針對(duì)實(shí)際的應(yīng)用具體來(lái)選擇。下面先討論這二種溝道的功率MOSFET的特征，然后再論述選擇的原則。
2021-03-02 08:40:51
TO-252 N溝道 MOS管30V 85A TO-252 N溝道 MOS管 【40V MOS N溝道】40V 10A SOP8 N溝道 MOS管【60V MOS N溝道】60V 3A SOT23 N
2020-11-02 16:02:10
尤為明顯，其中包含封裝電阻在內(nèi)的總通態(tài)電阻幾乎減半。英飛凌推出了多個(gè)型號(hào)的40V和 60V MOSFET器件（圖3），使設(shè)計(jì)工程師能夠輕松地找到最理想的應(yīng)用解決方案。圖3：40V和60V產(chǎn)品組合實(shí)用性
2018-12-06 09:46:29
Vishay推出500V N溝道功率MOSFET：SiHF8N50L-E3
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新款500V N溝道功率MOSFET——SiHF8N50L-E3。與前一代器件相比，該器件的
2010-04-07 10:52:521102 英飛凌科技股份公司近日宣布推出采用先進(jìn)溝道工藝制造的全新單P溝道40V汽車電源MOSFET產(chǎn)品系列。全新的40V OptiMOS P2產(chǎn)品為能效改進(jìn)、碳減排和成本節(jié)約樹立了行業(yè)新標(biāo)桿，從而進(jìn)一步
2011-09-13 08:33:16897 MOSFET---Si8802DB和Si8805EDB。8V N溝道Si8802DB和P溝道Si8805EDB TrenchFET?功率
2011-10-21 08:53:051058 東芝于日前宣布，開始銷售可確保在175℃條件下工作的車載設(shè)備用功率MOSFET“TK80A04K3L”。這是一款耐壓為＋40V的n通道產(chǎn)品，是該公司功率MOSFET系列“U-MOS IV”的新成員。除車載電子設(shè)備外，還可用于工業(yè)電子設(shè)備和消費(fèi)類電子產(chǎn)品等的馬達(dá)驅(qū)動(dòng)電路和開關(guān)穩(wěn)壓器。
2013-01-23 09:25:13961 東京—東芝公司（TOKYO：6502）旗下半導(dǎo)體&存儲(chǔ)產(chǎn)品公司今天宣布，推出單通道高邊N溝道功率金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MOSFET）柵極驅(qū)動(dòng)器“TPD7104F”。
2014-11-05 18:54:362106 東芝拓展650V超結(jié)結(jié)構(gòu)N溝道功率MOSFET新品 景嘉微發(fā)布JH920 東芝拓展新一代超級(jí)結(jié)結(jié)構(gòu)N溝道功率MOSFET“DTMOSVI系列”的產(chǎn)品線 東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社 （“東芝
2022-03-18 17:35:265833 東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社（“東芝”）今日宣布，推出150V N溝道功率MOSFET---“TPH9R00CQH”。
2022-04-01 16:42:3612278 NP3P06MR(40V P溝道增強(qiáng)模式MOSFET)
2022-07-13 11:01:232636 
東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社（“東芝”）宣布，推出采用新型L-TOGLTM（大型晶體管輪廓鷗翼式引腳）封裝的車載40V N溝道功率MOSFET---“XPQR3004PB”和“XPQ1R004PB
2023-02-04 18:31:453725 60 V、N 溝道溝槽 MOSFET-PMN40SNA
2023-02-16 20:54:00
0 LFPAK56D（半橋配置）中的雙 N 溝道 40 V、13 mOhm 邏輯電平 MOSFET-BUK9V13-40H
2023-02-16 21:23:500 20 V、N 溝道溝槽 MOSFET-NXV40UN
2023-02-17 19:18:530 40 V、N 溝道溝槽 MOSFET-BUK6D30-40E
2023-02-20 19:14:270 40 V、N 溝道溝槽 MOSFET-PMPB14XN
2023-02-20 19:15:240 40 V、N 溝道溝槽 MOSFET-PMV60ENEA
2023-02-20 19:52:300 40 V、N 溝道溝槽 MOSFET-PMN20ENA
2023-02-20 19:55:270 40 V、N 溝道溝槽 MOSFET-BUK6D120-40E
2023-02-20 19:58:171 60 V、N 溝道溝槽 MOSFET-PMN40ENA
2023-02-20 20:01:240 40 V、N 溝道溝槽 MOSFET-PMV130ENEA
2023-02-20 20:02:130 LFPAK33 中的 N 溝道 40 V、11.0 mΩ 邏輯電平 MOSFET-BUK9M11-40H
2023-02-20 20:15:430 LFPAK33 中的 N 溝道 40 V、15.0 mΩ 標(biāo)準(zhǔn)電平 MOSFET-BUK7M15-40H
2023-02-20 20:16:320 LFPAK33 中的 N 溝道 40 V、11.0 mΩ 標(biāo)準(zhǔn)電平 MOSFET-BUK7M11-40H
2023-02-20 20:16:490 雙 N 溝道 40 V、9.4 mΩ 邏輯電平 MOSFET-山毛櫸9K8R7-40E
2023-02-21 19:37:460 雙 N 溝道 40 V、7.2 mΩ 邏輯電平 MOSFET-山毛櫸9K6R8-40E
2023-02-21 19:40:300 雙 N 溝道 40 V、29 mΩ 邏輯電平 MOSFET-山毛櫸9K25-40E
2023-02-21 19:41:060 雙 N 溝道 40 V、6.8 mΩ 標(biāo)準(zhǔn)電平 MOSFET-山毛櫸7K6R8-40E
2023-02-21 19:41:570 雙 N 溝道 40 V、19 mΩ 標(biāo)準(zhǔn)電平 MOSFET-山毛櫸7K18-40E
2023-02-21 19:42:570 LFPAK33 中的 N 溝道 40 V、52 mΩ 邏輯電平 MOSFET-BUK9M52-40E
2023-02-21 19:48:090 雙 N 溝道 40 V、19.5 mΩ 邏輯電平 MOSFET-山毛櫸9K18-40E
2023-02-21 19:51:010 LFPAK33 中的 N 溝道 40 V、45 mΩ 標(biāo)準(zhǔn)電平 MOSFET-BUK7M45-40E
2023-02-21 19:51:420 LFPAK33 中的 N 溝道 40 V、21 mΩ 標(biāo)準(zhǔn)電平 MOSFET-BUK7M21-40E
2023-02-21 19:52:540 LFPAK33 中的 N 溝道 40 V、10 mΩ 標(biāo)準(zhǔn)電平 MOSFET-BUK7M10-40E
2023-02-21 19:53:380 雙 N 溝道 40 V、8.5 mΩ 標(biāo)準(zhǔn)電平 MOSFET-山毛櫸7K8R7-40E
2023-02-22 18:43:410 LFPAK33 中的 N 溝道 40 V、12 mΩ 標(biāo)準(zhǔn)電平 MOSFET-BUK7M12-40E
2023-02-22 18:45:180 SOT7 封裝的 N 溝道 40 V、2.2 mΩ 邏輯電平 MOSFET-PSMN2R1-40PL
2023-02-22 18:45:360 N 溝道 LFPAK 40 V、3.3 mΩ 標(biāo)準(zhǔn)電平 MOSFET-PSMN3R3-40YS
2023-02-22 18:48:170 N 溝道 LFPAK 40 V、5.7 mΩ 標(biāo)準(zhǔn)電平 MOSFET-PSMN5R8-40YS
2023-02-22 18:48:520 N 溝道 LFPAK 40 V、4.2 mΩ 標(biāo)準(zhǔn)電平 MOSFET-PSMN4R0-40YS
2023-02-22 18:54:030 N 溝道 LFPAK 40 V、14 mΩ 標(biāo)準(zhǔn)電平 MOSFET-PSMN014-40YS
2023-02-22 18:57:370 N 溝道 TO220 40 V、2.8 mΩ 標(biāo)準(zhǔn)電平 MOSFET-PSMN2R8-40PS
2023-02-23 18:37:550 N 溝道 40 V、1.6 mΩ 標(biāo)準(zhǔn)電平 MOSFET，采用 TO220-PSMN1R5-40PS
2023-02-23 18:39:390 40 V、N 溝道溝槽 MOSFET-BUK9D23-40E
2023-02-23 19:05:410 40 V、N 溝道溝槽 MOSFET-BUK6D23-40E
2023-02-23 19:05:580 40 V、N 溝道溝槽 MOSFET-BUK7D25-40E
2023-02-23 19:06:150 30 V、N 溝道溝槽 MOSFET-PMN40ENE
2023-02-27 19:13:230 12 V、N 溝道溝槽 MOSFET-PMXB40UNE
2023-03-02 22:47:240 40 V、N 溝道溝槽 MOSFET-PMV65ENEA
2023-03-03 19:33:120 RBA160N04AHPF-4UA01 40V – 160A – N 溝道功率 MOS FET 應(yīng)用：汽車
2023-03-13 19:19:370 40V – 250A – N 溝道功率 MOS FET 應(yīng)用：汽車
2023-03-13 19:19:530 東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社(“東芝”)今日宣布，推出150V N溝道功率MOSFET——“TPH9R00CQ5”，其采用最新一代[1]U-MOSX-H工藝，可用于工業(yè)設(shè)備開關(guān)電源，涵蓋數(shù)據(jù)中心和通信基站等電源應(yīng)用。該產(chǎn)品于今日開始支持批量出貨。
2023-03-31 10:05:322107 RBA160N04AHPF-4UA01 40V – 160A – N 溝道功率 MOS FET 應(yīng)用：汽車
2023-07-04 20:37:050 40V – 250A – N 溝道功率 MOS FET 應(yīng)用：汽車
2023-07-04 20:37:240 東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社（“東芝”）今日宣布，推出兩款采用東芝新型S-TOGLTM（小型晶體管輪廓鷗翼式引腳）封裝與U-MOS IX-H工藝芯片的車載40V N溝道功率MOSFET——“XPJR6604PB”和“XPJ1R004PB”。兩款產(chǎn)品于今日開始支持批量出貨。
2023-08-22 11:03:211439 
東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社（“東芝”）宣布，推出兩款采用東芝新型S-TOGL（小型晶體管輪廓鷗翼式引腳）封裝與U-MOS IX-H工藝芯片的車載40V N溝道功率MOSFET——“XPJR6604PB”和“XPJ1R004PB”。兩款產(chǎn)品已于8月17日開始支持批量出貨。
2023-08-24 11:19:101596 
東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社（“東芝”）近日宣布，推出“SSM10N961L”低導(dǎo)通電阻30V N溝道共漏極MOSFET，適用于帶有USB的設(shè)備以及電池組保護(hù)。
2023-11-09 17:39:101320 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《40V N 通道 NexFETTM 功率 MOSFET CSD18510KTT數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費(fèi)下載
2024-03-27 13:55:340 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《40V N 通道 NexFETTM 功率 MOSFET CSD18510KCS數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費(fèi)下載
2024-04-03 15:08:221 東芝近日發(fā)布了兩款專為車載環(huán)境設(shè)計(jì)的N溝道功率MOSFET產(chǎn)品——“XPQR8308QB”（80V）和“XPQ1R00AQB”（100V），均采用了其前沿的L-TOGL?封裝技術(shù)。這兩款新品不僅集成了東芝最新一代的U-MOS X-H工藝，使得導(dǎo)通電阻達(dá)到極低水平，極大提升了能效。
2024-05-08 14:35:421114 對(duì)旗下的40V N溝道功率MOSFET產(chǎn)品線進(jìn)行了重要拓展，推出了三款采用先進(jìn)SOP Advance(WF)封裝的新品——XPHR9904PS、XPH2R404PS與XPH3R304PS，旨在通過(guò)技術(shù)創(chuàng)新，為汽車行業(yè)帶來(lái)前所未有的節(jié)能效率與駕駛樂(lè)趣的雙重提升。
2024-09-03 15:25:371060 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《BUK9M3R3-40H N溝道40V、3.3 mΩ邏輯電平MOSFET規(guī)格書.pdf》資料免費(fèi)下載
2025-02-13 11:31:090 這款 40V、2.1mΩ、TO-220 NexFET? 功率 MOSFET 旨在最大限度地減少功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用中的損耗。 *附件：CSD18511KCS 40V N 溝道 NexFET 功率
2025-04-15 16:23:11775 
這款 40V、0.79mΩ、SON 5mm × 6mm NexFET? 功率 MOSFET 旨在最大限度地降低功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用中的損耗。 *附件：CSD18510Q5B N 溝道 NexFET 功率
2025-04-16 10:05:07664 
這款 40V、1.4mΩ、TO-220 NexFET? 功率 MOSFET 旨在最大限度地減少功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用中的損耗。 *附件：CSD18510KCS 40V N 溝道 NexFETTM 功率
2025-04-16 10:13:57766 
產(chǎn)品概述 ? 型號(hào) ?：CSD18512Q5B ? 類型 ?：40V N溝道 NexFET? 功率MOSFET ? 封裝 ?：SON 5mm × 6mm 塑料封裝 ? 特點(diǎn) ?：低導(dǎo)通電阻（R_DS(ON)）、低熱阻、雪崩額定、邏輯電平、無(wú)鉛端子鍍
2025-04-16 10:20:33786 
這款 40V、2.8mΩ、5mm × 6mm SON NexFET? 功率 MOSFET 旨在最大限度地降低功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用中的損耗。 *附件：CSD18513Q5A 40V N 溝道 NexFET
2025-04-16 10:54:00758 
仁懋電子（MOT）推出的MOT4111T是一款面向40V低壓大電流場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，憑借超低導(dǎo)通電阻、300A超大電流承載能力及TOLL-8L小型化封裝，適用于高功率系統(tǒng)逆變器
2025-11-05 15:28:39205 
仁懋電子（MOT）推出的MOT4529J是一款面向40V低壓場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，憑借超低導(dǎo)通電阻、無(wú)鉛環(huán)保封裝特性，適用于DC/DC轉(zhuǎn)換器等低壓功率轉(zhuǎn)換場(chǎng)景。一、產(chǎn)品基本信息器件類型
2025-11-17 11:27:39243 仁懋電子（MOT）推出的MOT4383T是一款面向40V低壓超大電流場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，憑借0.8mΩ超低導(dǎo)通電阻、400A超大電流承載能力及TOLL-8L小型化封裝，適用于高功率
2025-11-19 15:15:00184 仁懋電子（MOT）推出的MOT4523D是一款面向40V低壓場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，憑借先進(jìn)溝槽技術(shù)、低導(dǎo)通電阻及低柵極電荷特性，適用于負(fù)載開關(guān)、PWM應(yīng)用、電源管理等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品
2025-11-19 15:25:38253 仁懋電子（MOT）推出的MOT4522J是一款面向40V低壓場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，憑借超低導(dǎo)通電阻、無(wú)鉛環(huán)保封裝特性，適用于DC/DC轉(zhuǎn)換器等低壓功率轉(zhuǎn)換場(chǎng)景。一、產(chǎn)品基本信息器件類型
2025-11-25 15:14:47191 仁懋電子（MOT）推出的MOT4180G是一款面向40V低壓大電流場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，憑借超低導(dǎo)通電阻、高雪崩穩(wěn)定性及無(wú)鉛封裝特性，適用于DC/DC轉(zhuǎn)換器、高頻開關(guān)與同步整流等領(lǐng)域
2025-11-25 15:23:16209 威兆半導(dǎo)體推出的VS4020AP是一款面向40V低壓大電流場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，支持5V邏輯電平控制，憑借極低導(dǎo)通電阻與高可靠性，適用于DC/DC轉(zhuǎn)換器、同步整流、負(fù)載開關(guān)等領(lǐng)域。一
2025-11-26 14:55:52232 威兆半導(dǎo)體推出的VS4620GEMC是一款面向40V低壓場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，基于VeriMOS?II技術(shù)實(shí)現(xiàn)低導(dǎo)通電阻與高效能，適配低壓DC/DC轉(zhuǎn)換器、同步整流、中功率負(fù)載開關(guān)等
2025-11-28 12:03:51205 
威兆半導(dǎo)體推出的VS4401ATH是一款面向40V低壓超大電流場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，采用TO-220AB直插封裝，憑借1.4mΩ極致低導(dǎo)通電阻與400A大電流承載能力，適用于低壓大電流
2025-12-01 11:10:07190 
威兆半導(dǎo)體推出的VS4620GP是一款面向40V低壓場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，基于VeriMOS?II技術(shù)實(shí)現(xiàn)低導(dǎo)通電阻與高可靠性，適配低壓DC/DC轉(zhuǎn)換器、同步整流、中功率負(fù)載開關(guān)等領(lǐng)域
2025-12-01 15:07:36169 
威兆半導(dǎo)體推出的VS40200AT是一款面向40V低壓超大電流場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，采用TO-220AB直插封裝，憑借超低導(dǎo)通電阻與200A大電流承載能力，適配低壓超大電流DC/DC
2025-12-03 09:48:43296 
威兆半導(dǎo)體推出的VS4610AE是一款面向40V低壓場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，憑借低導(dǎo)通電阻、快速開關(guān)特性與高可靠性，適配低壓DC/DC轉(zhuǎn)換器、同步整流、中功率負(fù)載開關(guān)等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品
2025-12-02 09:32:01256 
威兆半導(dǎo)體推出的VS4401AKH是一款面向40V低壓超大電流場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，采用TOLL封裝，適配低壓大電流DC/DC轉(zhuǎn)換器、電源管理、高功率負(fù)載開關(guān)等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息
2025-12-05 11:41:32251 
威兆半導(dǎo)體推出的VS4802GPHT-IG是一款面向40V低壓超大電流場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，采用PDFN5x6封裝，適配低壓超大電流DC/DC轉(zhuǎn)換器、電源管理等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息
2025-12-09 10:26:37255 
威兆半導(dǎo)體推出的VS4603DM6是一款面向40V低壓超大電流場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，采用TO-263-RL封裝，適配低壓大電流DC/DC轉(zhuǎn)換器、電源管理等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件類型
2025-12-11 11:52:34197 威兆半導(dǎo)體推出的VS40200AP是一款面向40V低壓超大電流場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，采用PDFN5x6封裝，適配低壓大電流DC/DC轉(zhuǎn)換器、電源管理等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件類型：N
2025-12-15 10:49:09206 威兆半導(dǎo)體推出的VS4603GPHT是一款面向40V低壓超大電流場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，采用PDFN5x6封裝，適配低壓超大電流DC/DC轉(zhuǎn)換器、電源管理等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件類型
2025-12-16 11:40:15161 威兆半導(dǎo)體推出的VS40200AD是一款面向40V低壓超大電流場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，采用TO-252封裝，適配低壓超大電流電源管理、DC/DC轉(zhuǎn)換器等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件類型：N
2025-12-17 18:24:11160 威兆半導(dǎo)體推出的VS4603GPMT是一款面向40V低壓超大電流場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，采用PDFN5x6封裝，適配低壓超大電流DC/DC轉(zhuǎn)換器、電源管理等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件類型
2025-12-17 18:20:18207 
威兆半導(dǎo)體推出的VS40200ATD是一款面向40V低壓超大電流場(chǎng)景的雙通道N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，支持5V邏輯電平控制，采用TO-263封裝，適配低壓超大電流電源管理、DC/DC轉(zhuǎn)換器等領(lǐng)域
2025-12-17 18:13:5497 探索英飛凌OptiMOS? 7 40V N溝道MOSFET：電機(jī)驅(qū)動(dòng)的新突破 在電子工程師的日常工作中，為電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)挑選合適的MOSFET至關(guān)重要。英飛凌最新推出的OptiMOS? 7 40V N
2025-12-18 14:30:06188 威兆半導(dǎo)體推出的VS4080AI是一款面向40V低壓場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，采用DIPPAK封裝，適配低壓中功率電源管理、負(fù)載開關(guān)等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件類型：N溝道增強(qiáng)型功率
2025-12-23 11:18:11199 威兆半導(dǎo)體推出的VS4604AP是一款面向40V低壓超大功率場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，采用PDFN5x6封裝，適配低壓超大電流電源管理、DC/DC轉(zhuǎn)換器等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件類型：N
2025-12-31 17:14:451196 
威兆半導(dǎo)體推出的VS4618AE是一款面向40V低壓場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，采用PDFN3333封裝，適配低壓小型高功率密度電源管理、負(fù)載開關(guān)等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件類型：N溝道
2025-12-31 17:20:351311 威兆半導(dǎo)體推出的VS4020AS是一款面向40V低壓場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，采用小型封裝（圖中未明確具體型號(hào)，推測(cè)為SOP類小封裝），適配低壓小型電源管理、電機(jī)驅(qū)動(dòng)等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品
2025-12-31 17:30:401620
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