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mosfet

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簡稱金氧半場效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡稱尚包括NMOS、PMOS等。

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mosfet資訊

FS2459是一款內(nèi)部集成有功率MOSFET管的降壓型開關(guān)穩(wěn)壓器

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FS2459是一款內(nèi)部集成有功率MOSFET管的降壓型開關(guān)穩(wěn)壓器。以電流模式控制方式達(dá)到快速環(huán)路響應(yīng)并提高環(huán)路的穩(wěn)定性。寬范圍輸入電壓(4.5 V至60...

2023-04-21 標(biāo)簽:MOSFET穩(wěn)壓器 611 0

SIC功率器件在新能源領(lǐng)域所發(fā)揮的作用都有哪些呢?

中國碳化硅行業(yè)是一個極具潛力的行業(yè),其涉及的產(chǎn)品多樣化,產(chǎn)業(yè)鏈深入,應(yīng)用領(lǐng)域廣泛,具有良好的市場發(fā)展前景。

2023-08-02 標(biāo)簽:新能源汽車MOSFET功率器件 610 0

賦能SiC碳化硅MOSFET電源應(yīng)用:BTD25350MMCWR雙通道隔離型門極驅(qū)動器

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賦能SiC碳化硅MOSFET電源應(yīng)用:BTD25350MMCWR雙通道隔離型門極驅(qū)動器 ——傾佳電子攜手基本半導(dǎo)體,為新能源與工業(yè)電源注入強(qiáng)“芯”動力 ...

2025-08-15 標(biāo)簽:MOSFETSiC碳化硅 610 0

龍騰半導(dǎo)體亮相2025中國電源學(xué)會學(xué)術(shù)年會

11月7日至10日,第四屆中國電力電子與能量轉(zhuǎn)換大會暨展覽會&中國電源學(xué)會第二十八屆學(xué)術(shù)年會(CPEEC & CPSSC 2025)在深...

2025-11-12 標(biāo)簽:MOSFETSiC功率半導(dǎo)體 608 0

探索英飛凌OptiMOS? 7 40V N溝道MOSFET:電機(jī)驅(qū)動的新突破

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2025-12-18 標(biāo)簽:MOSFET電機(jī)驅(qū)動 602 0

分立半導(dǎo)體跟上汽車、物聯(lián)網(wǎng)和移動領(lǐng)域的嚴(yán)格要求

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這里有八個分立元件,可滿足當(dāng)今許多快速發(fā)展的應(yīng)用程序中常見的更苛刻的需求

2022-08-16 標(biāo)簽:MOSFET物聯(lián)網(wǎng)分立半導(dǎo)體 602 0

飛虹TO-220封裝MOS管FHP8N65W在高頻開關(guān)電源中的應(yīng)用

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2025-12-05 標(biāo)簽:MOSFET封裝MOS管 601 0

銷售培訓(xùn)手冊:SiC碳化硅MOSFET功率半導(dǎo)體的工程化應(yīng)用與市場破局

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傾佳電子有限公司銷售團(tuán)隊深度技術(shù)賦能與銷售培訓(xùn)手冊:SiC碳化硅MOSFET功率半導(dǎo)體的工程化應(yīng)用與市場破局 第一章 執(zhí)行摘要與戰(zhàn)略定位 1.1 全球功...

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近日,安世半導(dǎo)體在碳化硅(SiC)功率器件領(lǐng)域的技術(shù)實力再次獲得行業(yè)權(quán)威認(rèn)可。1200 V SiC MOSFET產(chǎn)品系列憑借卓越的創(chuàng)新設(shè)計與可靠性能,接...

2025-12-11 標(biāo)簽:MOSFETSiC安世半導(dǎo)體 590 0

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隨著數(shù)據(jù)中心規(guī)模的持續(xù)擴(kuò)張與計算密度的不斷提升,服務(wù)器與通信電源系統(tǒng)對高效率、大功率與小型化的電源解決方案提出了更高要求。為滿足這一趨勢,東芝推出了一款...

2026-01-19 標(biāo)簽:MOSFET東芝SiC 590 0

FPGA、功率 MOSFET 和汽車電阻器短缺問題依舊持續(xù)

預(yù)計第一季度全球電子元件需求和采購活動環(huán)比下降 2%,而工程預(yù)計下降 20%——進(jìn)一步證明需求下降。

2023-03-15 標(biāo)簽:微控制器fpgaMOSFET 587 0

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2025-12-11 標(biāo)簽:MOSFET電子負(fù)載 585 0

只能靠版圖微調(diào)與營銷話術(shù)的國產(chǎn)碳化硅MOSFET設(shè)計公司被掃入歷史塵埃

國產(chǎn)碳化硅MOSFET設(shè)計公司當(dāng)前面臨的困境,本質(zhì)上是技術(shù)路徑依賴與底層工藝能力缺失的必然結(jié)果。其“無言之痛”不僅體現(xiàn)在市場競爭力的喪失,更折射出中國半...

2025-03-16 標(biāo)簽:MOSFET碳化硅 579 0

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光伏混合逆變器(簡稱“混逆”)在100-125kW功率段主要面向工商業(yè)場景,其設(shè)計融合了并網(wǎng)發(fā)電與儲能管理能力,綜合優(yōu)勢顯著。 100–125kW混逆的...

2025-08-10 標(biāo)簽:MOSFETSiC功率模塊 577 0

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意法半導(dǎo)體將為汽車T1廠博格華納供應(yīng)碳化硅器件

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2023-09-06 標(biāo)簽:電動汽車MOSFET逆變器 572 0

內(nèi)置羅姆新型2kV SiC MOSFETs的賽米控丹佛斯模塊?被SMA的太陽能系統(tǒng)采用

全球先進(jìn)的太陽能發(fā)電及儲能系統(tǒng)技術(shù)的專業(yè)企業(yè)SMA Solar Technology AG(以下簡稱“SMA”)在其太陽能系統(tǒng)新產(chǎn)品“Sunny Cen...

2025-05-15 標(biāo)簽:MOSFET太陽能系統(tǒng) 571 0

上海貝嶺車規(guī)級MOSFET BLQ3N120入選2025中國汽車芯片創(chuàng)新成果

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近日,中國汽車工業(yè)協(xié)會公示 2025 中國汽車芯片創(chuàng)新成果推薦名單,上海貝嶺自主研發(fā)的車規(guī)級、特高壓平面MOSFET BLQ3N120 成功入選。該活動...

2025-12-18 標(biāo)簽:MOSFET功率芯片上海貝嶺 571 0

100%授權(quán)分立晶體管的必要性

分立晶體管是電子設(shè)計中最常見的元器件之一。該產(chǎn)品適用于眾多應(yīng)用,從簡單的小信號晶體管到大型高功率器件,以及高頻/高功率器件。

2023-08-16 標(biāo)簽:MOSFETIGBT晶體管 571 0

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    IOT
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    IoT是Internet of Things的縮寫,字面翻譯是“物體組成的因特網(wǎng)”,準(zhǔn)確的翻譯應(yīng)該為“物聯(lián)網(wǎng)”。物聯(lián)網(wǎng)(Internet of Things)又稱傳感網(wǎng),簡要講就是互聯(lián)網(wǎng)從人向物的延伸。
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    海思
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  • STM32F103C8T6
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    STM32F103C8T6是一款集成電路,芯體尺寸為32位,程序存儲器容量是64KB,需要電壓2V~3.6V,工作溫度為-40°C ~ 85°C。
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    數(shù)字隔離技術(shù)常用于工業(yè)網(wǎng)絡(luò)環(huán)境的現(xiàn)場總線、軍用電子系統(tǒng)和航空航天電子設(shè)備中,尤其是一些應(yīng)用環(huán)境比較惡劣的場合。數(shù)字隔離電路主要用于數(shù)字信號和開關(guān)量信號的傳輸。另一個重要原因是保護(hù)器件(或人)免受高電壓的危害。本文詳細(xì)介紹了數(shù)字隔離器工作原理及特點,選型及應(yīng)用,各類數(shù)字隔離器件性能比較等內(nèi)容。
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    靜電防護(hù)
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