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標(biāo)簽 > mosfet
簡(jiǎn)稱金氧半場(chǎng)效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場(chǎng)效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡(jiǎn)稱尚包括NMOS、PMOS等。
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茂睿芯推出新一代智能功率級(jí)產(chǎn)品MK684X系列
在生成式 AI、大模型訓(xùn)練與智能算力爆發(fā)式增長(zhǎng)的浪潮下,AI 服務(wù)器正朝著高密度、高功耗、高可靠性的方向極速演進(jìn),對(duì)供電系統(tǒng)的體積,效率、穩(wěn)定性提出了前...
ROHM推出適用于AI服務(wù)器的寬SOA范圍5 mm×6 mm小尺寸MOSFET
ROHM(羅姆半導(dǎo)體)宣布,開(kāi)發(fā)出實(shí)現(xiàn)業(yè)界超寬SOA*1范圍的100V耐壓功率MOSFET“RS7P200BM”。該款產(chǎn)品采用5060尺寸(5.0mm×...
鹽堿地變身“豐產(chǎn)田”:南疆“光伏+”生態(tài)融合發(fā)展新實(shí)踐
12月的南疆大地冬意漸濃,新疆生產(chǎn)建設(shè)兵團(tuán)第一師阿拉爾市的智能溫室大棚內(nèi),草莓苗油綠茂盛、果實(shí)紅艷。誰(shuí)能想到,這片豐產(chǎn)田曾是貧瘠鹽堿地。如今的蝶變,既得...
長(zhǎng)晶科技推出新一代SGT 30V MOSFET
長(zhǎng)晶科技重磅推出新一代 SGT Gen2.0工藝。在30V電壓平臺(tái),與Gen1.0相比,F(xiàn)om值可降低50%,超同期歐美系水平12.5%;相比上一代,R...
2025-12-18 標(biāo)簽:MOSFET工藝長(zhǎng)晶科技 147 0
探索EVAL-2EP130R-PR評(píng)估板:IGBT與MOSFET隔離柵極驅(qū)動(dòng)電源的理想之選
探索EVAL-2EP130R-PR評(píng)估板:IGBT與MOSFET隔離柵極驅(qū)動(dòng)電源的理想之選 在電子工程領(lǐng)域,對(duì)于IGBT和MOSFET的隔離柵極驅(qū)動(dòng)電源...
2025-12-19 標(biāo)簽:MOSFETIGBTEVAL-2EP130R-PR評(píng)估板 144 0
VS3615GE N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管
威兆半導(dǎo)體推出的VS3615GE是一款面向30V低壓大電流場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET,基于VeriMOS?II技術(shù)實(shí)現(xiàn)低導(dǎo)通電阻與高效能,適配低...
2025-12-03 標(biāo)簽:MOSFETMOS威兆半導(dǎo)體 137 0
SiC碳化硅MOSFET在光儲(chǔ)混合逆變器與輕型工商業(yè)PCS全碳化硅化進(jìn)程中的價(jià)值分析
深度研究報(bào)告:基本半導(dǎo)體SiC碳化硅MOSFET在光儲(chǔ)混合逆變器與輕型工商業(yè)PCS全碳化硅化進(jìn)程中的價(jià)值分析 傾佳電子(Changer Tech)是一家...
深入解析 IRF150DM115 MOSFET:特性、參數(shù)與應(yīng)用
深入解析 IRF150DM115 MOSFET:特性、參數(shù)與應(yīng)用 在電子工程師的日常設(shè)計(jì)工作中,MOSFET(金屬 - 氧化物 - 半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)...
2025-12-20 標(biāo)簽:MOSFET電子元件IRF150DM115 125 0
龍騰半導(dǎo)體亮相2025亞洲電源技術(shù)發(fā)展論壇
12月6日,由世紀(jì)電源網(wǎng)主辦的深圳第十六屆亞洲電源技術(shù)發(fā)展論壇圓滿收官。作為電源行業(yè)年度盛會(huì),本屆論壇規(guī)模空前,設(shè)有 5 大會(huì)場(chǎng),覆蓋半導(dǎo)體芯片、功率器...
基于SiC碳化硅MOSFET的120kW充電樁電源模塊設(shè)計(jì)與技術(shù)實(shí)現(xiàn)研究報(bào)告
基于BASiC B3M011C120Y碳化硅MOSFET的120kW充電樁電源模塊設(shè)計(jì)與技術(shù)實(shí)現(xiàn)研究報(bào)告 傾佳電子(Changer Tech)是一家專注...
探索英飛凌OptiMOS? 7 40V N溝道MOSFET:電機(jī)驅(qū)動(dòng)的新突破
探索英飛凌OptiMOS? 7 40V N溝道MOSFET:電機(jī)驅(qū)動(dòng)的新突破 在電子工程師的日常工作中,為電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)挑選合適的MOSFET至關(guān)重要。英...
2025-12-18 標(biāo)簽:MOSFET電機(jī)驅(qū)動(dòng) 97 0
OptiMOS? 5 Linear FET 2, 100 V IPT017N10NM5LF2 MOSFET深度解析
OptiMOS? 5 Linear FET 2, 100 V IPT017N10NM5LF2 MOSFET深度解析 作為電子工程師,我們?cè)谠O(shè)計(jì)中常常需要...
2025-12-19 標(biāo)簽:MOSFETIPT017N10NM5LF2 56 0
碳化硅MOSFET功率器件B3M011C120Y抗串?dāng)_能力深度解析
碳化硅MOSFET功率器件B3M011C120Y抗串?dāng)_能力深度解析、 傾佳電子(Changer Tech)是一家專注于功率半導(dǎo)體和新能源汽車(chē)連接器的分銷(xiāo)...
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