作者：Carolyn Mathas，特約作家

今天的分立元件速度更快、體積更小，而且效率大大提高。它們用于最常見(jiàn)的應(yīng)用程序，還在產(chǎn)品周期短的手持設(shè)備、汽車應(yīng)用程序和新興的物聯(lián)網(wǎng) (IoT) 應(yīng)用程序中迅速增加，而這些應(yīng)用程序在幾年前還不存在。這里有八個(gè)分立元件，旨在解決這些高增長(zhǎng)的行業(yè)領(lǐng)域。

ROHM R60xxJNx 系列 600-V 超級(jí)結(jié) MOSFETROHM 最近宣布推出 30 款新的R60xxJNx 系列超級(jí)結(jié) MOSFET，擴(kuò)展了 ROHM 的PrestoMOS 系列。MOSFET 為設(shè)計(jì)人員提供靈活性和業(yè)界最快的反向恢復(fù)時(shí)間 (trr)，針對(duì)電動(dòng)汽車 (EV) 充電站、風(fēng)能和太陽(yáng)能、節(jié)能汽車、云計(jì)算數(shù)據(jù)中心和電機(jī)驅(qū)動(dòng)輸入進(jìn)行了優(yōu)化。家電應(yīng)用。

ROHM 600-V MOSFET 提供故障預(yù)防功能以及業(yè)界最快的反向恢復(fù)時(shí)間。

鑒于該系列的超快恢復(fù)時(shí)間，ROHM 聲稱與絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) 實(shí)施方案相比，功率損耗降低了約 58%。R60xxJNx系列提高了開(kāi)啟 MOSFET 所需的參考電壓，這對(duì)于防止自開(kāi)啟（一種常見(jiàn)的損耗原因）很重要。新系列還將超級(jí)結(jié) MOSFET 特有的軟恢復(fù)指數(shù)提高了 30%，這對(duì)于降低引起故障的噪聲非常重要。

帶有反并聯(lián)二極管的英飛凌 650-V IGBT英飛凌的IKP28N65ES5 TRENCHSTOP 5高速軟開(kāi)關(guān) IGBT 采用全額定電流 RAPID 1 快速軟反并聯(lián)二極管封裝。IKP28N65ES5 設(shè)計(jì)用于工業(yè)加熱和焊接、太陽(yáng)能系統(tǒng)、不間斷電源和快速 EV 充電等應(yīng)用，其中控制 EMI 噪聲至關(guān)重要。

英飛凌采用小尺寸 TO-220 封裝，聲稱它在 10 kHz 和 40 kHz 之間切換的應(yīng)用中提供了最高的功率密度，從而提供了高效率和更快的上市時(shí)間。

設(shè)計(jì)人員可以降低電路設(shè)計(jì)的復(fù)雜性、降低材料清單成本并消除柵極鉗位元件。而且，使用IKP28N65ES5，不存在不必要的設(shè)備開(kāi)啟風(fēng)險(xiǎn)。 ?其他特性包括25°C 時(shí) 1.5 V 的極低 V CEsat 、4× I c ?脈沖電流 (100°CT c )、175°C 的最高結(jié)溫以及符合 JEDEC 標(biāo)準(zhǔn)。

英飛凌還提供 650-V TRENCHSTOP IGBT6 器件，開(kāi)關(guān)頻率介于 5 kHz 和 30 kHz 之間。

STMicroelectronics 40-A STGWA40HP65FB2 650-V 高頻 IGBTSTMicroelectronics 選擇了新的 650-V HB2 系列中的第一款器件來(lái)提高速度。40-A STGWA40HP65FB2中 高速 IGBT 可減少柵極電荷，在較低柵極電流的情況下轉(zhuǎn)換為更快的開(kāi)關(guān)。IGBT 采用溝槽場(chǎng)終止 (TFS) 技術(shù)設(shè)計(jì)，適用于功率因數(shù)校正 (PFC)、汽車、焊接、太陽(yáng)能逆變器和不間斷電源等應(yīng)用。

該器件具有一個(gè)保護(hù)二極管，并針對(duì) 16 至 60 kHz 的開(kāi)關(guān)頻率進(jìn)行了優(yōu)化，并符合汽車 AEC-Q101 Rev. D 標(biāo)準(zhǔn)。特性還包括最小化尾電流、低熱阻和正 V CEsat ?溫度系數(shù)。

HB2 系列出色的熱性能最大限度地提高了可靠性和功率密度。

STMicroelectronics 聲稱 STGWA40HP65FB2 在 TO-220 封裝中提供了最高的功率密度。它消除了對(duì)柵極鉗位元件的需求，并提供了良好的 EMI 性能。

提供采用 TO-247 長(zhǎng)引線封裝的 40A 版本，具有三個(gè)二極管選項(xiàng)，該公司表示目前正在開(kāi)發(fā)從 15A 到 100A 的完整產(chǎn)品系列。

Microchip SiC 700-V MOSFET 和 1,200-V 肖特基勢(shì)壘二極管碳化硅 (SiC) MOSFET 可阻擋大約 10 倍以上的電壓，提高系統(tǒng)效率，并產(chǎn)生比硅器件更高的功率密度。Microchip 剛剛擴(kuò)展了其 SiC 器件，包括700-V SiC MOSFET 以及 700-V 和 1,200-V SiC 肖特基勢(shì)壘二極管 (SBD)。新增產(chǎn)品專為電動(dòng)汽車系統(tǒng)等大功率應(yīng)用而設(shè)計(jì)，包括車載充電器和外部充電站、DC/DC 轉(zhuǎn)換器和動(dòng)力系統(tǒng)/牽引力控制。

Microchip SiC 測(cè)試證明了堅(jiān)固性、可靠性和高性能。

據(jù) Microchip 稱，新的 SiC MOSFET 和 SBD 在更高頻率下產(chǎn)生更好的開(kāi)關(guān)效率。在非鉗位感應(yīng)開(kāi)關(guān) (UIS) 耐用性測(cè)試中，SBD 的耐用性和可靠性被證明可提供比其他 SiC 二極管高 20% 的性能。如果電壓尖峰超過(guò)擊穿電壓，這些測(cè)試會(huì)測(cè)量退化和過(guò)早失效。Microchip 聲稱，其 SiC MOSFET 在這些測(cè)試中的表現(xiàn)也優(yōu)于其他替代品，即使經(jīng)過(guò) 100,000 次重復(fù) UIS 測(cè)試，也能提供出色的柵極氧化物屏蔽和通道完整性，并且壽命幾乎沒(méi)有下降。

Microchip 通過(guò)全面的開(kāi)發(fā)服務(wù)、工具和參考設(shè)計(jì)來(lái)支持這些產(chǎn)品線，幫助設(shè)計(jì)人員有效地執(zhí)行他們的開(kāi)發(fā)程序。

Diodes DXTN07x 雙極結(jié)型晶體管 Diodes, Inc. 的新型NPN 和 PNP DXTN07x 雙極結(jié)型晶體管 (BJT)系列尺寸為 3.3 × 3.3 × 0.8 mm， 可能很小，但可為需要高達(dá)100 V 和 3 A。

如果尺寸是主要考慮因素，PowerDI3333表面貼裝封裝占用的 PCB 空間比傳統(tǒng)小外形晶體管 (SOT223) 少 70%，并通過(guò)可潤(rùn)濕側(cè)面提高 PCB 吞吐量，以實(shí)現(xiàn)焊點(diǎn)的高速自動(dòng)光學(xué)檢測(cè) (AOI) .

NPN 和 PNP 晶體管設(shè)計(jì)用于執(zhí)行線性或 LDO 調(diào)節(jié)、MOSFET 或 IGBT 的柵極驅(qū)動(dòng)以及用于各種工業(yè)和消費(fèi)類應(yīng)用的負(fù)載開(kāi)關(guān)。

該系列器件的總功耗為 2 W，額定溫度為 175°C，可用于高溫環(huán)境。

Vishay FRED Pt Gen 5 1,200-V Hyperfast 和 Ultrafast 整流器針對(duì) EV/HEV 電池充電站、太陽(yáng)能逆變器的升壓級(jí)和 UPS 應(yīng)用等應(yīng)用，Vishay 聲稱其FRED Pt Gen 5 1,200-V Hyperfast 和 Ultrafast 整流器系列適用于軟開(kāi)關(guān)和諧振的高頻轉(zhuǎn)換器。Vishay 設(shè)計(jì)的整流器可降低與 MOSFET 和高速 IGBT 一起使用的傳導(dǎo)和開(kāi)關(guān)損耗。

總共六個(gè) Hyperfast 和 Ultrafast 整流器組成了最近的系列產(chǎn)品。與其他硅解決方案相比，整流器的損耗降低了 10%，縮小了 SiC 二極管的性能優(yōu)勢(shì)，并為 50kHz 范圍內(nèi)的應(yīng)用提供了具有成本效益的選擇。

新的 30-A 和 60-A 整流器均采用 TO-247L 封裝以及 X-type Hyperfast 和 H-type Ultrafast 速度等級(jí)。X 型整流器提供較低的恢復(fù)電荷 (Q RR )，而 H 型器件具有較低的正向電壓 (V F )。還有一個(gè)用于 30-A 設(shè)備的 TO-220AC 選項(xiàng)。

安森美半導(dǎo)體 NTHL080N120SC1 和 NVHL080N120SC1 SiC MOSFET安森美半導(dǎo)體將兩款 SiC MOSFET 器件推向市場(chǎng)，一款工業(yè)級(jí)NTHL080N120SC1和一款符合 AEC-Q101 標(biāo)準(zhǔn)的汽車級(jí)NVHL080N120SC1。這兩款堅(jiān)固耐用的 1,200-V、80-mΩ SiC MOSFET 均旨在滿足汽車 DC/DC 和車載充電器應(yīng)用固有的高頻設(shè)計(jì)要求，適用于電動(dòng)汽車、太陽(yáng)能以及數(shù)據(jù)中心的不間斷電源和服務(wù)器電源。

安森美半導(dǎo)體 SiC MOSFET 結(jié)合了高頻優(yōu)勢(shì)和減少的熱管理。

如果您的設(shè)備需要小尺寸，這些設(shè)備專為空間限制通常會(huì)轉(zhuǎn)化為更大熱挑戰(zhàn)的應(yīng)用而設(shè)計(jì)。兩者都提供高功率密度、高效運(yùn)行和更少的熱管理，并且 SiC MOSFET 在其專利端接結(jié)構(gòu)方面是獨(dú)一無(wú)二的，可提高可靠性、堅(jiān)固性和增強(qiáng)的運(yùn)行穩(wěn)定性。

其他關(guān)鍵特性包括一流的低漏電流、具有低反向恢復(fù)電荷的快速本征二極管、更高的功率密度、快速開(kāi)啟和關(guān)閉以及降低的 EMI。

Alpha and Omega Semiconductor AOZ8661BDT-05 瞬態(tài)電壓抑制器 Alpha and Omega Semiconductor Ltd.為降低非常常見(jiàn)的靜電放電 (ESD) 故障率而推出了其AOZ8661BDT-05瞬態(tài)電壓抑制器 (TVS)。該解決方案為筆記本電腦和移動(dòng)設(shè)備等 USB Type-C 應(yīng)用提供高速線路保護(hù)。該公司聲稱其新的超低電容 TVS 平臺(tái)在鉗位電壓乘以電容方面提供了更好的品質(zhì)因數(shù) (FOM)。

TVS 具有 0.15 pF 的電容，并針對(duì)需要為 USB3.1 Gen2、USB3.2 和 Thunderbolt 3.0 提供高速線路保護(hù)的設(shè)計(jì)人員進(jìn)行了優(yōu)化。它采用 0.6 × 0.3-mm 無(wú)引線表面貼裝器件，適合滿足 USB Type-C 連接器的小尺寸要求。

審核編輯 黃昊宇