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標(biāo)簽 > mram
MRAM(Magnetoresistive Random Access Memory) 是一種非易失性(Non-Volatile)的磁性隨機(jī)存儲(chǔ)器。它擁有靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(SRAM)的高速讀取寫入能力,以及動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(DRAM)的高集成度,而且基本上可以無限次地重復(fù)寫入。
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磁阻式隨機(jī)存儲(chǔ)器MRAM的基本原理是怎樣的
MRAM與傳統(tǒng)的隨機(jī)存儲(chǔ)器的區(qū)別在于MRAM的信息攜帶者是磁性隧道結(jié)(MTJ ),而后者則是電荷。 每一個(gè)磁性隧道結(jié)包含一個(gè)固定層和一個(gè)自由層。固定層的...
非易失性MRAM存儲(chǔ)器在各級(jí)高速緩存中的應(yīng)用
磁阻式隨機(jī)存儲(chǔ)器MRAM是一種新型存儲(chǔ)器,其優(yōu)點(diǎn)有讀取速度快和集成度高及非揮發(fā)性等。目前許多研究主要是致力于將MRAM運(yùn)用于計(jì)算機(jī)存儲(chǔ)系統(tǒng)中。同時(shí)非易失...
磁存儲(chǔ)芯片STT-MRAM的特點(diǎn)是什么
隨著半導(dǎo)體工藝技術(shù)的不斷進(jìn)步,芯片工藝制程的不斷演進(jìn)和成本的不斷降低,半導(dǎo)體芯片廣泛應(yīng)用在物聯(lián)網(wǎng)、個(gè)人終端、汽車電子、可穿戴設(shè)備、工業(yè)互聯(lián)網(wǎng)等各個(gè)領(lǐng)域。...
MRAM芯片相比于其它存儲(chǔ)器的優(yōu)勢是什么
對(duì)于存儲(chǔ)器而言,重要的技術(shù)指標(biāo)無非就是速度、是否為非易失性、功耗、成本、體積、壽命等。已經(jīng)有很多種類的產(chǎn)品做出了各種各樣的努力,但是始終只能偏重某一方面...
FRAM存儲(chǔ)器技術(shù)和標(biāo)準(zhǔn)的CMOS制造工藝相互兼容
新型的存儲(chǔ)器既具有RAM的優(yōu)點(diǎn),又有非失易失性特征,同時(shí)克服了非易失性寫入速度慢且寫入次數(shù)有限等缺點(diǎn)。 FRAM的核心技術(shù)是鐵電晶體材料。這一特殊材料使...
MRAM是一種全新的技術(shù),它將有望改變PC的應(yīng)用方式
內(nèi)存技術(shù)在幾十年的發(fā)展過程中性能提高了不少,但并沒有實(shí)質(zhì)性的改變。因?yàn)檫@些內(nèi)存產(chǎn)品都是基于動(dòng)態(tài)隨機(jī)訪問存儲(chǔ)器DRAM的,一旦沒有持續(xù)的電力,所存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)...
MRAM擁有著廣泛的應(yīng)用領(lǐng)域,它的優(yōu)異性能是什么
非易失性是指MRAM單元在關(guān)斷電源后仍可保持完整記億,功能雖與閃存類同,但本質(zhì)各異。 閃存的非易失性不是閃存的固有屬性,而是靠兩個(gè)閃存反相器交叉耦合組成...
MRAM是一種非易失性的磁性隨機(jī)存儲(chǔ)器,其原理是怎樣的
MRAM是一種非易失性的磁性隨機(jī)存儲(chǔ)器。它擁有SRAM的高速讀取寫入能力,以及DRAM的高集成度,基本上可以無限次地重復(fù)寫入。專注于代理銷售MRAM芯片...
Rick Gottscho博士:下一代芯片在堆疊、微縮和檢驗(yàn)方面的挑戰(zhàn)
泛林集團(tuán)首席技術(shù)官Rick Gottscho博士接受了行業(yè)媒體Semiconductor Engineering (SE)的專訪。
2020-10-12 標(biāo)簽:存儲(chǔ)技術(shù)機(jī)器學(xué)習(xí)EUV 912 0
為嵌入式MRAM選擇合適的內(nèi)存測試和修復(fù)解決方案
嵌入式內(nèi)存測試和修復(fù)的挑戰(zhàn)是眾所周知的,包括最大程度地?cái)U(kuò)大故障覆蓋范圍以防止測試失敗以及使用備用元件來最大程度地提高制造良率。隨著有前途的非易失性存儲(chǔ)器...
一種稱為Universal Selector的新創(chuàng)新技術(shù),它將顯著提高現(xiàn)有和新興存儲(chǔ)技術(shù)(包括MRAM,DRAM和ReRAM)的功能,因?yàn)樗鼘⑻峁┮环N新...
盡管具有規(guī)模經(jīng)濟(jì)性,但其他類型的存儲(chǔ)器仍具有AI應(yīng)用程序的未來可能性。 MRAM通過受外加電壓控制的磁體的方向存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的每一位。如果電壓低于翻轉(zhuǎn)位所需的...
?Everspin MRAM MR25H40VDF相比富士通FRAM MB85RS4MT的優(yōu)勢
Everspin是設(shè)計(jì)制造MRAM到市場和應(yīng)用的翹楚,在這些市場和應(yīng)用中,數(shù)據(jù)持久性和完整性,低延遲和安全性是至關(guān)重要。MR25H40VDF是一個(gè)419...
高密度MRAM具有非常低的功率,高的讀取速度,非常高的數(shù)據(jù)保留能力和耐久性,適用于廣泛的應(yīng)用。單元面積僅為0.0456平方微米,讀取速度為10ns,讀取...
2020-09-19 標(biāo)簽:數(shù)據(jù)寫入讀出MRAM讀取 4.7k 0
Everspin MRAM存儲(chǔ)芯片如何用MRAM和NVMe SSD構(gòu)建未來的云存儲(chǔ)
Everspin MRAM存儲(chǔ)芯片如何用MRAM這類非易失性存儲(chǔ)和NVMe SSD構(gòu)建未來的云存儲(chǔ)的解決方案。 首先STT-MRAM作為異常掉電數(shù)據(jù)緩存...
MRAM具有一些獨(dú)特的功能 可能導(dǎo)致MRAM替換現(xiàn)有的內(nèi)存
在所有常年興起的記憶中,MRAM似乎最有可能瀕臨大規(guī)模,廣泛采用。這是否會(huì)很快發(fā)生取決于制造的進(jìn)步和支持分立和嵌入式MRAM器件技術(shù)的生態(tài)系統(tǒng)。 MRA...
Everspin器件是一個(gè)40MHz/50MHz MRAM,工作于2.7V-3.6V,標(biāo)稱Vdd=3.3V,而SPI FRAM具有更寬的工作電壓范圍(1...
Everspin MRAM內(nèi)存技術(shù)是如何工作的及其特點(diǎn)
Everspin MRAM內(nèi)存技術(shù)是如何工作的? Everspin MRAM與標(biāo)準(zhǔn)CMOS處理集成 Everspin MRAM基于與CMOS處理集成的磁...
MR25H256是一個(gè)串行MRAM,具有使用串行外圍設(shè)備接口的芯片選擇(CS),串行輸入(SI),串行輸出(SO)和串行時(shí)鐘(SCK)的四針接口在邏輯上...
淺談非易失性MRAM在汽車領(lǐng)域中的應(yīng)用分析
Everspin是設(shè)計(jì)制造和商業(yè)銷售MRAMSTT-MRAM的全球領(lǐng)導(dǎo)者,其市場和應(yīng)用涉及數(shù)據(jù)持久性和完整性,低延遲和安全性至關(guān)重要。Everspin在...
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