英尚代理的恒爍半導(dǎo)體NOR FLASH存儲器，具備通用SPI接口，覆蓋廣泛的工作電壓與容量選項，為各類嵌入式系統(tǒng)提供可靠的非易失性存儲支持。該系列包括適用于1.8V低電壓環(huán)境的ZB25LD
2026-01-05 16:11:01
34 電機分為發(fā)電機和電動機兩類，馬達通常指?電動機?，即利用電磁感應(yīng)原理將電能轉(zhuǎn)換為機械能的裝置，常見于起動機、驅(qū)動系統(tǒng)等場景。? 以下是關(guān)于馬達的詳細(xì)介紹： 1.基本原理 馬達的工作基于電磁感應(yīng)定律
2026-01-05 09:32:0522 
片上 FLASH 閃存由兩部分物理區(qū)域組成：主 FLASH 存儲器和啟動程序存儲器。
1、主 FLASH 存儲器，共 64KB，地址空間為 0x0000 0000 - 0x0000 FFFF。該區(qū)
2025-12-23 08:28:04
在存儲技術(shù)快速迭代的今天，MRAM芯片（磁阻隨機存取存儲器）以其獨特的性能，逐漸成為業(yè)界關(guān)注焦點。它不同于傳統(tǒng)的閃存或DRAM，利用磁性而非電荷來存儲數(shù)據(jù)，兼具高速、耐用與非易失性特點。
2025-12-15 14:39:04242 如何利用CW32L083系列微控制器的內(nèi)部Flash存儲器進行程序升級和數(shù)據(jù)存儲？
2025-12-15 07:39:51
SRAM（靜態(tài)隨機存儲器）是一種在通電狀態(tài)下可保持?jǐn)?shù)據(jù)不丟失的存儲器件，無需刷新即可持續(xù)工作，因此具有高速讀寫、響應(yīng)及時的特點，廣泛應(yīng)用于對實時性要求高的場景。
2025-12-08 16:51:57442 
在計算機和電子設(shè)備中，存儲器扮演著數(shù)據(jù)臨時存放與快速交換的關(guān)鍵角色。其中，DDR SDRAM（雙數(shù)據(jù)速率同步動態(tài)隨機存取存儲器）已成為現(xiàn)代內(nèi)存的主流技術(shù)之一。它不僅在速度上顯著超越前代產(chǎn)品，更憑借其高效傳輸機制，廣泛應(yīng)用于電腦、服務(wù)器、移動設(shè)備及各類嵌入式系統(tǒng)中。
2025-12-08 15:20:44293 概述CW32L052內(nèi)部集成了64KB嵌入式FLASH供用戶使用，可用來存儲應(yīng)用程序和用戶數(shù)據(jù)。
芯片支持對 FLASH 存儲器的讀、擦除和寫操作，支持擦寫保護和讀保護。
芯片內(nèi)置 FLASH 編程
2025-12-05 08:22:19
在內(nèi)存技術(shù)持續(xù)革新的今天，SRAM（靜態(tài)隨機存取存儲器）和DRAM（動態(tài)隨機存取存儲器）依然是計算系統(tǒng)中最核心的存儲組件。盡管出現(xiàn)了MRAM、ReRAM等新興存儲方案，但二者憑借成熟的設(shè)計與明確
2025-12-02 13:50:46868 CW32的22 字節(jié) OTP 存儲器一般都怎么使用？
2025-12-02 06:39:44
在當(dāng)今高速發(fā)展的3C領(lǐng)域（計算機外設(shè)、通信及消費電子），對存儲器的性能與功耗提出了更高要求。DRAM動態(tài)隨機存取存儲器作為核心存儲部件，其性能表現(xiàn)直接影響設(shè)備整體效能。Etron憑借其活緩沖DRAM
2025-12-01 13:42:00253 在各類存儲設(shè)備中，SRAM（靜態(tài)隨機存儲器）因其高速、低功耗和高可靠性，被廣泛應(yīng)用于高性能計算、通信和嵌入式系統(tǒng)中。其中，雙口SRAM靜態(tài)隨機存儲器憑借其獨特的雙端口設(shè)計，在高帶寬和多任務(wù)場景中表現(xiàn)尤為出色，成為提升系統(tǒng)效率的重要組件。
2025-11-25 14:28:44273 在存儲技術(shù)快速演進的今天，一種名為STT-MRAM（自旋轉(zhuǎn)移矩磁阻隨機存取存儲器）的新型非易失存儲器，正逐步走入產(chǎn)業(yè)視野。它不僅繼承了MRAM的高速讀寫能力與非易失特性，更通過“自旋電流”技術(shù)實現(xiàn)了信息寫入方式的突破，被視為第二代MRAM技術(shù)的代表。
2025-11-20 14:04:35244 在嵌入式存儲應(yīng)用中，串口MRAM芯片憑借其非易失性、高速度及高耐用性受到廣泛關(guān)注。作為磁性隨機存儲器技術(shù)的代表，Everspin磁性隨機存儲器在工業(yè)控制、數(shù)據(jù)中心和汽車電子等領(lǐng)域表現(xiàn)優(yōu)異。
2025-11-19 11:51:41146 電子和物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備提供了理想的存儲解決方案。這款256Kb容量、SPI接口的非易失性存儲器，正在重新定義嵌入式存儲的性能標(biāo)準(zhǔn)。
2025-11-13 11:23:46210 片上FLASH 閃存由兩部分物理區(qū)域組成：主FLASH 存儲器和啟動程序存儲器。
●● 主 FLASH 存儲器，共 64KB，地址空間為 0x0000 0000 - 0x0000 FFFF。該區(qū)
2025-11-12 07:34:35
PSRAM（偽靜態(tài)隨機存儲器）是一種兼具SRAM接口協(xié)議與DRAM內(nèi)核架構(gòu)的特殊存儲器。它既保留了SRAM無需復(fù)雜刷新控制的易用特性，又繼承了DRAM的高密度低成本優(yōu)勢。這種獨特的設(shè)計使PSRAM在嵌入式系統(tǒng)和移動設(shè)備領(lǐng)域獲得了廣泛應(yīng)用。
2025-11-11 11:39:04497 在要求高性能與高可靠性的電子系統(tǒng)中，存儲器的選擇往往成為設(shè)計成敗的關(guān)鍵。Netsol推出的高速異步SRAM系列，憑借其出色的性能表現(xiàn)與獨有的錯誤校正（ECC）能力，為工業(yè)控制、通信設(shè)備及高精度計算等應(yīng)用提供了值得信賴的存儲解決方案。
2025-11-05 16:21:39284 、BBSRAM、NVSRAM及NOR存儲器件，專為應(yīng)對工業(yè)物聯(lián)網(wǎng)、嵌入式系統(tǒng)及高性能存儲應(yīng)用的嚴(yán)苛需求而設(shè)計。旨在通過其高性能、高可靠性及廣泛的適用性，為下一代存儲架構(gòu)提供支撐。
2025-11-05 15:31:48285 在當(dāng)今對數(shù)據(jù)持久性與系統(tǒng)可靠性要求極高的企業(yè)基礎(chǔ)設(shè)施和數(shù)據(jù)中心中，Everspin推出的自旋轉(zhuǎn)移扭矩MRAM（STT-MRAM）存儲器——EMD4E001G-1Gb，憑借其卓越的性能與獨特的技術(shù)優(yōu)勢，成為眾多高性能存儲解決方案中的亮點。
2025-11-05 14:34:28280 如下圖是胡振波先生的書《RISC-V架構(gòu)與嵌入式開發(fā)快速入門》第344頁附錄D存儲器模型背景介紹中D.3節(jié)的內(nèi)容。請問“無須屏障其之后的操作”和“無須屏障其之前的操作”是什么意思？
“無須屏障其之后
2025-11-05 07:55:34
本次分享的內(nèi)容是基于級聯(lián)分類器的人臉檢測基本原理
1) 人臉檢測概述
關(guān)于人臉檢測算法，目前主流方法分為兩類，一類是基于知識，主要方法包括模板匹配，人臉特征，形狀和邊緣，紋理特征，顏色特征
2025-10-30 06:14:29
在需要高速數(shù)據(jù)寫入與極致可靠性的工業(yè)與數(shù)據(jù)中心應(yīng)用中，Everspin推出的8位位并行接口MRAM樹立了性能與耐用性的新標(biāo)桿。這款Everspin存儲器MRAM與SRAM引腳兼容的存儲器，以高達35
2025-10-24 16:36:03532 MRAM是一種利用電子的自旋磁性來存儲信息的非易失性存儲器。它完美結(jié)合了SRAM的高速讀寫特性與閃存（Flash）的非易失性，能夠在斷電后永久保存數(shù)據(jù)，同時具備無限次擦寫、無磨損的卓越耐用性。MRAM將磁性材料集成于硅電路中，在單一芯片上實現(xiàn)了高速、可靠與長壽命的統(tǒng)一，是存儲技術(shù)的一次重大飛躍。
2025-10-24 15:48:44411 作為磁阻存儲器領(lǐng)域的重要分支，SOT-MRAM因其獨特的寫入機制與結(jié)構(gòu)設(shè)計，正成為高性能MRAM研發(fā)的熱點方向。該技術(shù)利用具有強自旋軌道耦合效應(yīng)的材料層，通過自旋軌道力矩驅(qū)動磁性隧道結(jié)中納米磁體的確定性翻轉(zhuǎn)，從而實現(xiàn)高效、可控的數(shù)據(jù)寫入與擦除操作。
2025-10-24 14:46:24338 QSPI PSRAM是一種集成了QSPI接口與PSRAM存儲功能的高效芯片。QSPI（四線串行外設(shè)接口）是一種高速串行通信接口，用于連接外部設(shè)備；而PSRAM（偽靜態(tài)隨機存儲器）則結(jié)合了快速隨機訪問與動態(tài)存儲的特性。
2025-10-23 15:40:17379 PSRAM之所以被稱為"偽靜態(tài)"存儲器，主要是因為其采用類SRAM的接口協(xié)議：只需要提供地址和讀寫命令就可以實現(xiàn)數(shù)據(jù)存取，無需像傳統(tǒng)DRAM一樣需要內(nèi)存控制器定期刷新數(shù)據(jù)單元。
2025-10-23 14:29:00296 一次性可編程（OTP）非易失性存儲器問世已久。與其他非易失性存儲技術(shù)相比，OTP的占用面積更小，且無需額外的制造工序，因此成為存儲啟動代碼、加密密鑰等內(nèi)容的熱門選擇。盡管聽起來簡單，但隨著人工智能（AI）的大規(guī)模部署和對更先進技術(shù)的需求日益增長，平衡OTP的各項需求變得極具挑戰(zhàn)性。
2025-10-21 10:38:111440 
沖擊電壓發(fā)生器的基本原理是 “電容并聯(lián)充電、串聯(lián)放電”，核心流程分三步：
先通過整流電路，將工頻交流電轉(zhuǎn)換為直流電，給多組電容器并聯(lián)充電，儲存足夠電能并達到設(shè)定電壓；
當(dāng)充電完成后，觸發(fā)高壓開關(guān)使
2025-10-17 14:10:16
，還請大家海涵，如有需要可看文尾聯(lián)系方式，當(dāng)前在網(wǎng)絡(luò)平臺上均以“ 愛在七夕時 ”的昵稱為ID跟大家一起交流學(xué)習(xí)！ 一提到“存儲器”，相信很多朋友都會想到計算機。是的，在計算機的組成結(jié)構(gòu)中，有一個很重要的部分，就是
2025-09-19 11:04:071443 
NAND Flash是什么？NAND Flash（閃存）是一種非易失性存儲器技術(shù)，主要用于數(shù)據(jù)存儲。與傳統(tǒng)的DRAM或SRAM不同，NAND Flash在斷電后仍能保存數(shù)據(jù)。它通過電荷的存儲與釋放來實現(xiàn)數(shù)據(jù)的存儲。
2025-09-08 09:51:206272 
Keysight MSOS204A是德MSOS204A存儲器示波器2GHz keysight是德MSOS204A存儲器示波器， S 系列示波器配備 2 GHz 存儲器、15 英寸 XGA
2025-08-12 15:48:29
基礎(chǔ)，能夠進行高性能計算和數(shù)據(jù)處理。 - 了解自動駕駛技術(shù)的基本原理，如傳感器融合、路徑規(guī)劃等。 - 具備良好的溝通能力和團隊合作精神，能夠與不同領(lǐng)域的工程師協(xié)作。 2.智能手機行業(yè)： - 熟悉嵌入式編程
2025-08-11 15:43:03
的基本原理 核心組成 ： CPU ：負(fù)責(zé)執(zhí)行指令（如算術(shù)運算、邏輯控制）。 存儲器 ： ROM/Flash ：存儲程序代碼（如固件）。 RAM ：臨時存儲運行時的數(shù)據(jù)。 I/O端口 ：連接外部設(shè)備（如傳感器、顯示屏、按鍵）。 定時器/計數(shù)器 ：用于時間控制、頻率測量。 中斷系統(tǒng) ：處理緊急任務(wù)（
2025-08-11 13:57:391884 隨著全球二氧化碳減排的推進，可再生能源，尤其是太陽能發(fā)電的重要性日益凸顯。光伏逆變器又稱功率調(diào)節(jié)器可將太陽能板產(chǎn)生的電壓轉(zhuǎn)換成正確的電流及電壓波形并入電網(wǎng)。由于需要連接到電網(wǎng)基礎(chǔ)設(shè)施，因此對可靠性、易維護性和使用壽命有所要求，F(xiàn)eRAM(鐵電體存儲器)的優(yōu)異特性得以發(fā)揮。
2025-08-08 14:41:061506 
調(diào)壓器在電力系統(tǒng)中扮演著至關(guān)重要的角色，無論是單相調(diào)壓器還是三相調(diào)壓器，它們都在各自的應(yīng)用場景中發(fā)揮著調(diào)節(jié)電壓、穩(wěn)定電力、保護設(shè)備的作用，了解這兩種調(diào)壓器的基本原理與主要結(jié)構(gòu)，對于電力系統(tǒng)的設(shè)計和運維具有重要意義。本文將和大家一起探討單相調(diào)壓器和三相調(diào)壓器的基本原理與主要結(jié)構(gòu)。
2025-08-05 15:27:28942 摘 要:無軸承同步磁阻電機運行控制系統(tǒng)中，須使用相關(guān)傳感器檢測出電機轉(zhuǎn)速和位置信號，然而傳統(tǒng)機械式傳感器的安裝與使用不僅使電機體積增大、成本增加，難以準(zhǔn)確檢測高速度，限制了無軸承同步磁阻電機高速運行
2025-07-29 16:22:56
HBM（High Bandwidth Memory）即高帶寬存儲器，是一種基于 3D 堆疊技術(shù)的高性能 DRAM（動態(tài)隨機存取存儲器）。其核心設(shè)計是通過硅通孔（TSV）和微凸塊（Microbump
2025-07-18 14:30:122949 近日，紫光國芯自主研發(fā)的PSRAM（低功耗偽靜態(tài)隨機存儲器）芯片系列產(chǎn)品正式發(fā)布，并同步上線天貓官方旗艦店。此次上新的PSRAM產(chǎn)品兼容業(yè)界主流接口協(xié)議Xccela，容量覆蓋32Mb，64Mb
2025-07-01 16:42:501443 ），QLC/PLC追求更高密度和更低成本，PCIe 5.0/6.0 NVMe 提升接口速度，QLC/PLC應(yīng)用拓展（需要更強糾錯和磨損均衡）。
新興存儲器：MRAM (磁阻)、PCM (相變)、ReRAM
2025-06-24 09:09:39
。網(wǎng)絡(luò)變壓器作為POE供電系統(tǒng)中的關(guān)鍵組件，其接線方式和設(shè)計對系統(tǒng)的性能和可靠性起著至關(guān)重要的作用。本文將詳細(xì)探討網(wǎng)絡(luò)變壓器在POE供電中的不同接線方式，包括空閑對供電和數(shù)據(jù)對供電的特點、差異以及布線要求。 一、POE供電的基本原理 POE技術(shù)的核心在于通過
2025-06-07 15:51:311492 
單片機實例項目：AT24C02EEPROM存儲器，推薦下載！
2025-06-03 20:50:02
，設(shè)計人員必須注意電路板布局并使用適當(dāng)?shù)膶?dǎo)線和連接器，從而最大限度地減少反射、噪聲和串?dāng)_。此外，還必須了解傳輸線、阻抗、回波損耗和共振等基本原理。 本文將介紹討論信號完整性時使用的一些術(shù)語，以及設(shè)計人員需要考慮的問題，然后介紹 [Amphenol] 優(yōu)異的電纜和
2025-05-25 11:54:001056 
DeepCover 嵌入式安全方案通過多層高級物理保護為系統(tǒng)提供最安全的密鑰存儲,有效保護敏感數(shù)據(jù)。DeepCover安全存儲器(DS28C22)集成了基于FIPS 180-3安全散列算法
2025-05-14 11:28:35866 
ADSP-21992進一步擴展了ADSP-2199x混合信號DSP產(chǎn)品系列的性能，可提供32K字程序存儲器RAM和16K字?jǐn)?shù)據(jù)存儲器RAM。此外，ADSP-21992還可提供片上CAN通信端口，支持
2025-05-12 16:08:28889 
? ? ? ?MCU的存儲器層次結(jié)構(gòu)通過整合不同性能與功能的存儲單元，優(yōu)化系統(tǒng)效率并滿足多樣化場景需求。其核心架構(gòu)可分為以下層次： 一、寄存器層（最高速） 定位?：集成于CPU內(nèi)核中，直接參與運算
2025-05-09 10:21:09618 在半導(dǎo)體存儲器測試中，測試圖形（Test Pattern）是檢測故障、驗證可靠性的核心工具。根據(jù)測試序列長度與存儲單元數(shù)N的關(guān)系，測試圖形可分為N型、N2型和N3/?型三大類。
2025-05-07 09:33:371223 
CYPD3177-24LQXQT 是否實現(xiàn)內(nèi)部存儲器？（例如 內(nèi)存）？
BCR 數(shù)據(jù)表中似乎沒有提及這一點。
2025-05-07 07:23:10
UV-EPROM的結(jié)構(gòu)與使用方法，閃速存儲器的結(jié)構(gòu)與使用方法，EEPROM的結(jié)構(gòu)與使用方法， SRAM的結(jié)構(gòu)與使用方法， 特殊的SRAM的結(jié)構(gòu)與使用方法 ，DRAM的結(jié)構(gòu)與使用方法，
2025-04-16 16:04:56
3.3 存儲器映射 前文所述，寄存器與RAM、FLASH一樣都是芯片內(nèi)部的一種存儲設(shè)備。那么，當(dāng)我們需要訪問它們的時候，我們需要知道它們的存儲地址。 3.3.1 存儲器映射表 如下圖所示為RA6M5
2025-04-16 15:52:091376 
非易失性存儲器（NVM）芯片廣泛應(yīng)用于各種設(shè)備中，從智能手機、個人電腦到服務(wù)器和工業(yè)控制系統(tǒng)，都是不可或缺的關(guān)鍵組件，它們不僅提高了數(shù)據(jù)的安全性和可靠性，還極大地增強了系統(tǒng)的整體性能。此外，為了滿足
2025-04-10 14:02:241333 單片機與存儲器的關(guān)系像什么？單片機里的存儲都是一樣的嗎？為什么有的單片機既有EEPROM又有Flash？
2025-04-10 10:06:011434 
STM32 定時器基本原理及常見問題之培訓(xùn)資料v3.10
時基單元、捕捉比較功能、主從觸發(fā)與級聯(lián)、案例分享
培訓(xùn)內(nèi)容：
2025-04-08 16:26:10
、運算放大器、負(fù)反饋、振蕩電路原理以及數(shù)字電路的數(shù)字邏輯、二進制運算、大規(guī)模微處理器以及A-D、D-A轉(zhuǎn)換電路的基本原理，并對模擬(線性)電路設(shè)計的SPICE軟件仿真以及現(xiàn)代邏輯電路設(shè)計的硬件描述語言做了詳細(xì)
2025-04-08 16:21:19
便攜式醫(yī)療鐵電存儲器SF25C20(FM25V20A)的替換方案
2025-04-07 09:46:03626 
人工智能與高性能計算（HPC）正以空前的速度發(fā)展，將動態(tài)隨機存取存儲器（DRAM）和NAND閃存等傳統(tǒng)存儲技術(shù)發(fā)揮到極致。為了滿足人工智能時代日益增長的需求，業(yè)界正在探索超越傳統(tǒng)存儲技術(shù)的新興存儲技術(shù)。
2025-04-03 09:40:411709 ）、外部存儲器組成的三級存儲體系；
p 多級存儲體系的計算裝置主要圍繞主存儲器來組織和運行；
p 對于體積、重量、功耗、可靠性以及成本等方面有特定要求的各類嵌入式系統(tǒng)而言，存儲子系統(tǒng)的設(shè)計具有定制
2025-03-26 11:12:24
特性64 千比特鐵電隨機存取存儲器（F - RAM），邏輯上組織為 8K×8高達 100 萬億次（\(10^{14}\)）讀 / 寫耐久性151 年的數(shù)據(jù)保存期限（詳見 “數(shù)據(jù)保存期限和耐久性表
2025-03-19 11:35:49
有關(guān)本文所談?wù)摰臒o刷電機內(nèi)容, 只涉及低速飛行類航模電調(diào)的小功率無傳感器應(yīng)用,講解的理論比較淺顯易懂 ,旨在讓初學(xué)者能夠?qū)o刷電機有一個比較快的認(rèn) 識,掌握基本原理和控制方法,可以在短時間內(nèi)達到
2025-03-17 19:57:58
優(yōu)化的架構(gòu)設(shè)計和成熟的制程技術(shù)，具備內(nèi)置的硬擦除器、錯誤檢測和校正機制，為用戶提供了可靠的開發(fā)環(huán)境。用戶可利用最新的Radiant工具，直接實現(xiàn)MRAM的編程接口，支持多種存儲容量和數(shù)據(jù)速率。利用這些FPGA器件，用戶可以受益于低功耗FPGA架構(gòu)和快速安全的位流配置/重新配置。 ? 為
2025-03-08 00:10:001803 本書主要介紹了UV-EPROM的結(jié)構(gòu)和使用方法，閃速存儲器的結(jié)構(gòu)和使用方法，EEPROM的結(jié)構(gòu)和使用方法， SRAM的結(jié)構(gòu)與使用方法，特殊的SRAM的結(jié)構(gòu)與使用方法，DRAM的結(jié)構(gòu)與使用方法，
2025-03-07 10:52:47
鐵電存儲器SF24C64對標(biāo)FM24C64性能、應(yīng)用和成本分析
2025-03-03 10:25:451304 DS1992/DS1993內(nèi)存iButtons（以下簡稱DS199x）是堅固的讀/寫數(shù)據(jù)載體，充當(dāng)本地化數(shù)據(jù)庫，易于用最少的硬件訪間。非易失性存儲器和可選的計時功能為存儲和檢索與iButton所連接
2025-02-26 10:39:06821 
鐵電存儲器SF24C64對標(biāo)MB85RC64性能、應(yīng)用深度分析
2025-02-25 09:40:591103 旋轉(zhuǎn)編碼器選用國產(chǎn)鐵電存儲器(?SF24C512)的5個理由
2025-02-20 09:42:03906 ? 動態(tài)隨機存取存儲器（DRAM）是現(xiàn)代計算機系統(tǒng)中不可或缺的核心組件，廣泛應(yīng)用于個人計算機、服務(wù)器、移動設(shè)備及高性能計算領(lǐng)域。本文將探討DRAM的基本工作原理、存儲單元結(jié)構(gòu)及制造工藝演進，并分析
2025-02-14 10:24:401444 
MTFC64GAZAQHD-AAT是一款高性能的eMMC存儲器，由MICRON制造，專為滿足現(xiàn)代電子設(shè)備對大容量存儲的需求而設(shè)計。該產(chǎn)品具備卓越的存儲性能和能效，適用于多種應(yīng)用場景。目前可提供數(shù)量為
2025-02-14 07:46:05
MTFC32GASAQHD-AAT是一款高性能的eMMC存儲器，由MICRON制造，專為滿足現(xiàn)代電子設(shè)備對大容量存儲的需求而設(shè)計。該產(chǎn)品具備出色的存儲性能和能效，適用于多種應(yīng)用場景。目前可提供數(shù)量為
2025-02-14 07:45:22
MTFC128GBCAQTC-AAT是一款高性能的eMMC存儲器，由MICRON制造，專為滿足現(xiàn)代電子設(shè)備對大容量存儲的需求而設(shè)計。該產(chǎn)品具備卓越的存儲性能和能效，適用于多種應(yīng)用場景。目前可提供數(shù)量
2025-02-14 07:44:29
MTFC128GAVATTC-AAT是一款高性能的eMMC存儲器，由MICRON制造，專為滿足現(xiàn)代電子設(shè)備對大容量存儲的需求而設(shè)計。該產(chǎn)品具備卓越的存儲性能和能效，適用于多種應(yīng)用場景。目前可提供數(shù)量
2025-02-14 07:43:46
MTFC128GASAQJP-AAT是一款高性能的eMMC存儲器，由MICRON制造，專為滿足現(xiàn)代電子設(shè)備對大容量存儲的需求而設(shè)計。該產(chǎn)品具備出色的存儲性能和能效，適用于多種應(yīng)用場景。目前可提供數(shù)量
2025-02-14 07:42:49
? 非易失性存儲器是一種應(yīng)用于計算機及智能手機等設(shè)備中的存儲裝置（存儲器），其特點是在沒有外部電源的情況下仍能保存數(shù)據(jù)信息。本文將介紹非易失性存儲器的類型、特點及用途。 什么是非易失性存儲器
2025-02-13 12:42:142470 
舜銘存儲鐵電存儲器SF25C20：替換FM25V20A/MB85RS2MT
2025-02-13 10:29:091167 BP神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)（Back Propagation Neural Network）的基本原理涉及前向傳播和反向傳播兩個核心過程。以下是關(guān)于BP神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)基本原理的介紹： 一、網(wǎng)絡(luò)結(jié)構(gòu) BP神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)通常由
2025-02-12 15:13:371651
數(shù)顯千分表的數(shù)據(jù)如何用存儲器進行接收
2025-02-11 06:01:54
產(chǎn)品概述 Korchip DCS5R5334H 是一款高性能的低功耗 SRAM（靜態(tài)隨機存取存儲器），專為高速數(shù)據(jù)存儲和處理而設(shè)計。該器件具有快速的訪問時間和較高的數(shù)據(jù)傳輸速率，廣泛應(yīng)用
2025-02-09 22:38:10
產(chǎn)品概述Adesto AT45DB321E 是一款高性能的串行閃存存儲器，具有 32Mb 的存儲容量，采用 SPI 接口進行數(shù)據(jù)傳輸。該產(chǎn)品專為嵌入式系統(tǒng)設(shè)計，提供快速的數(shù)據(jù)讀寫能力
2025-02-09 22:26:30
初學(xué)者要了解SDRAM需要先了解存儲器分類。按照存儲器的存儲功能劃分，可將其分為RAM 和 ROM 兩大類。
2025-02-08 11:24:513961 
在數(shù)字存儲技術(shù)的快速發(fā)展中，閃速存儲器（Flash Memory）以其獨特的性能和廣泛的應(yīng)用領(lǐng)域，成為了連接隨機存取存儲器（RAM）與只讀存儲器（ROM）之間的重要橋梁。本文將深入探討閃速存儲器的技術(shù)特性、分類及其在現(xiàn)代電子設(shè)備中的應(yīng)用。
2025-01-29 16:53:001683 本文旨在深入探討閃速存儲器的歸屬問題，即它是否屬于RAM或ROM，同時詳細(xì)闡述閃速存儲器的功能與作用。
2025-01-29 15:21:001590 閃速存儲器之所以得名“閃速”，主要源于其擦除操作的高效性。傳統(tǒng)的EPROM（可擦除可編程只讀存儲器）和EEPROM（電可擦除可編程只讀存儲器）在擦除數(shù)據(jù)時，往往需要較長的時間，且操作相對繁瑣。而閃速
2025-01-29 15:14:001378 在信息技術(shù)飛速發(fā)展的今天，閃速存儲器（Flash Memory）以其高速度、大容量和非易失性的特性，成為數(shù)據(jù)存儲領(lǐng)域的重要成員。而U盤，作為閃速存儲器的一種常見應(yīng)用形式，更是憑借其便攜性和易用性，在
2025-01-29 15:12:001449 高速緩沖存儲器（Cache）是內(nèi)存的一種特殊形式，但它與通常所說的主存儲器（RAM）有所不同。在計算機存儲體系中，Cache位于CPU和主存儲器之間，用于存儲CPU近期訪問過的數(shù)據(jù)或指令，以加快數(shù)據(jù)的訪問速度。
2025-01-29 11:48:003395 舜銘存儲鐵電存儲器SF25C20能否替換賽普拉斯FM25V20A
2025-01-23 09:03:29953 近日，據(jù)韓媒最新報道，全球NAND Flash存儲器市場正面臨供過于求的嚴(yán)峻挑戰(zhàn)，導(dǎo)致價格連續(xù)四個月呈現(xiàn)下滑趨勢。為應(yīng)對這一不利局面，各大存儲器廠商紛紛采取減產(chǎn)措施，旨在平衡市場供求關(guān)系，進而穩(wěn)定
2025-01-20 14:43:551095 一個電勢VH，稱其為霍爾電勢，其大小正比于控制電流I。 1、霍爾電流傳感器的基本原理 霍爾器件是一種采用半導(dǎo)體材料制成的磁電轉(zhuǎn)換器件。如果在輸入端通入控制電流IC，當(dāng)有一磁場B穿過該器件感磁面，則在輸出端出現(xiàn)霍爾電勢VH。
2025-01-16 17:36:521426 特點16-Kbit 鐵電隨機存取存儲器 (F-RAM)為 2 K × 8 ? 高耐久性 100 萬億次（1014）讀/寫 ? 151 年數(shù)據(jù)保留期（請參閱數(shù)據(jù)保留期
2025-01-16 14:14:37
舜銘存儲鐵電存儲器SF25C20替換FM25V20A參數(shù)分析及應(yīng)用
2025-01-16 10:17:061232 
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《AN-881: 通過LIN—協(xié)議4進行Flash/EE存儲器編程.pdf》資料免費下載
2025-01-14 16:12:44
0 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《AN-282: 采樣數(shù)據(jù)系統(tǒng)基本原理[中文版].pdf》資料免費下載
2025-01-13 14:32:270 舜銘存儲鐵電存儲器SF25C20替換MB85RS2MT性能及應(yīng)用優(yōu)勢有哪些？
2025-01-10 09:12:15901 
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《EE-271: 高速緩沖存儲器在Blackfin處理器中的應(yīng)用.pdf》資料免費下載
2025-01-07 14:18:170 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《EE-302：ADSP-BF53x Blackfin處理器與NAND FLASH存儲器的接口.pdf》資料免費下載
2025-01-07 14:03:230 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《EE-132：使用VisualDSP將C代碼和數(shù)據(jù)模塊放入SHARC存儲器中.pdf》資料免費下載
2025-01-07 13:55:190 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《EE-286：SDRAM存儲器與SHARC處理器的接口.pdf》資料免費下載
2025-01-06 15:47:010 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《EE-213：Blackfin處理器通過異步存儲器接口進行主機通信.pdf》資料免費下載
2025-01-05 10:09:190 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《EE-349：ADSP-2146xDDR2存儲器電路板設(shè)計指南.pdf》資料免費下載
2025-01-05 09:21:410
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