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      標(biāo)簽　>　mram

      mram

      +關(guān)注1人關(guān)注

      MRAM（Magnetoresistive Random Access Memory） 是一種非易失性（Non-Volatile）的磁性隨機(jī)存儲器。它擁有靜態(tài)隨機(jī)存儲器（SRAM）的高速讀取寫入能力，以及動態(tài)隨機(jī)存儲器（DRAM）的高集成度，而且基本上可以無限次地重復(fù)寫入。

      文章：237個 瀏覽：32988次 帖子：28個

      mram資訊

      Everspin MRAM不影響系統(tǒng)性能下取代nvSRAM

      nvSRAM使用傳統(tǒng)的捕獲電荷技術(shù)進(jìn)行非易失性存儲。由于溫度和過多的寫入周期會導(dǎo)致數(shù)據(jù)損耗，因此數(shù)據(jù)可能會泄漏。

      2023-07-25 標(biāo)簽：存儲器nvSRAMMRAM 1.1k 0

      上海矽朋微電子怎么樣？MRAM榮獲“中國半導(dǎo)體市場年度最佳產(chǎn)品獎”

      上海矽朋微電子怎么樣？MRAM榮獲“中國半導(dǎo)體市場年度最佳產(chǎn)品獎”

      ? — 芯紐帶?新未來?—7月20日，由江蘇省工業(yè)和信息化廳、南京江北新區(qū)管理委員會主辦，江蘇省半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會、南京江北新區(qū)產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)研園、南京浦口經(jīng)濟(jì)...

      2023-07-21 標(biāo)簽：半導(dǎo)體DRAMFlaSh 1.5k 0

      芯片制造商N(yùn)etsol推出STT-MRAM

      Netsol的MRAM具有非易失特性和幾乎無限的耐用性。對于需要使用最少數(shù)量的引腳來快速存儲、檢索數(shù)據(jù)和程序的應(yīng)用程序而言，是最為理想的存儲器。適用于工...

      2023-07-07 標(biāo)簽：芯片MRAM 1k 0

      數(shù)據(jù)記錄應(yīng)用STT-MRAM芯片S3R1016

      MRAM在數(shù)據(jù)記錄應(yīng)用中，數(shù)據(jù)記錄是如下持續(xù)、反復(fù)地將重要數(shù)據(jù)保存于設(shè)備的過程。可以記錄系統(tǒng)內(nèi)外部發(fā)生的事件；使用歷史；環(huán)境參數(shù) ；機(jī)器狀態(tài)；用于分析目...

      2023-06-20 標(biāo)簽：芯片存儲器MRAM 1.2k 0

      為你的智能座駕選擇適宜的存儲器

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      縱觀整個市場，現(xiàn)在的汽車究竟搭載了多少復(fù)雜的功能？自動泊車、碰撞警告、主動剎車、ACC自適應(yīng)巡航、VSA車聯(lián)網(wǎng)檢查、ISA電子警察系統(tǒng)、TMC實(shí)時交通系...

      2021-07-29 標(biāo)簽：存儲器內(nèi)存fram 1.5k 0

      疫情推動智能表計(jì)迅速發(fā)展

      疫情推動智能表計(jì)迅速發(fā)展

      隨著低功耗傳感器技術(shù)的進(jìn)步，設(shè)備僅需極小電量就可高效地傳輸數(shù)據(jù)。作為蜂窩物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備的一個類別，智能表計(jì)在全球各地均有廣泛地應(yīng)用。特別是疫情期間，其遠(yuǎn)程抄...

      2021-07-27 標(biāo)簽：智能電表MRAMeverspin 1.6k 0

      RAID系統(tǒng)中理想的Netsol MRAM存儲器

      RAID控制卡的日志存儲器存放重要數(shù)據(jù)，如日志和數(shù)據(jù)寫入完成、奇偶校驗(yàn)寫入、錯誤日志等。在斷電的情況下，控制器查詢?nèi)罩緝?nèi)存，以了解從哪里開始恢復(fù)。

      2023-06-12 標(biāo)簽：存儲器RAIDMRAM 1.1k 0

      1Mbit存儲MRAM芯片MR0A16A

      Everspin型號MR0A16A容量為1Mbit的MRAM存儲芯片，組織為16位的65536個字。提供與SRAM兼容的35ns讀/寫時序，續(xù)航時間無限...

      2023-05-31 標(biāo)簽：芯片存儲MRAM 1.4k 0

      三種不同的存儲芯片性能比較

      三種不同的存儲芯片性能比較

      為了進(jìn)行性能比較，使用了三種不同的存儲芯片，即Everspin EM064LX 64Mib STT‐MRAM、Micron MT25Q 128Mib N...

      2023-05-31 標(biāo)簽：存儲器存儲芯片MRAM 2.4k 0

      適合用于多功能打印機(jī)存儲芯片S3A1604

      MRAM是一種新型的非易失性存儲器技術(shù)，與傳統(tǒng)的存儲器技術(shù)相比，MRAM具有更快的讀寫速度、更低的功耗、更高的可靠性和更長的壽命。

      2023-05-23 標(biāo)簽：打印機(jī)存儲芯片MRAM 1.2k 0

      Netsol并口STT-MRAM非易失存儲S3R8016

      其數(shù)據(jù)始終是非易失性的，可以取代具有相同功能的FRAM、低功耗SRAM或nvSRAM，并有助于簡化系統(tǒng)設(shè)計(jì)。由于STT-MRAM的非易失性和幾乎無限的續(xù)...

      2023-05-12 標(biāo)簽：存儲器非易失存儲MRAM 1.1k 0

      NETSOL串行MRAM產(chǎn)品介紹

      STT-MRAM它具有SPl總線接口、XIP（就地執(zhí)行）功能和基于硬件/軟件的數(shù)據(jù)保護(hù)機(jī)制。SPl（串行外圍接口）是一個帶有命令、地址和數(shù)據(jù)信號的同步串...

      2023-04-07 標(biāo)簽：寄存器存儲器SPI 1.7k 0

      Netsol MRAM非易失存儲芯片是數(shù)據(jù)記錄應(yīng)用的優(yōu)選

      因需要持續(xù)、反復(fù)地保存數(shù)據(jù)，內(nèi)存需要快速的寫入速度與高耐久性。英尚微提供的非易失性存儲芯片NETSOL MRAM的主要優(yōu)勢包括:與SRAM不同，無需電壓...

      2023-03-22 標(biāo)簽：存儲芯片MRAMNETSOL 1.3k 0

      工業(yè)機(jī)械專用Netsol Parallel STT-MRAM

      工業(yè)機(jī)械是指在工業(yè)建設(shè)及工業(yè)制造過程中所使用的代替人工勞動力或輔助人工勞動力的機(jī)械設(shè)備。 ? ? ??工業(yè)設(shè)備通常即使在惡劣的操作環(huán)境中，也需要防止數(shù)據(jù)...

      2023-02-27 標(biāo)簽：存儲MRAM工業(yè)設(shè)備 569 0

      專門用于便攜式醫(yī)療機(jī)械Netsol Serial STT-MRAM

      Netsol的SPI STT-MRAM具有非易失特性和幾乎無限耐用性。醫(yī)療器械理想的存儲器用于快速存儲、檢索數(shù)據(jù)和程序的應(yīng)用程序，至少應(yīng)用于數(shù)量引腳。它...

      2023-02-23 標(biāo)簽：存儲MRAM 524 0

      MRAM在智能電表中的重要優(yōu)勢

      由于智能電表必須不斷記錄數(shù)據(jù)，因此需要高耐久性的內(nèi)存。另外，OTA功能的加入，使得內(nèi)存的高效寫入速度更加關(guān)鍵。MRAM的應(yīng)用是最理想的存儲器，它能滿足智...

      2023-02-23 標(biāo)簽：芯片存儲器存儲 1.1k 0

      2023年ReRAM技術(shù)開始進(jìn)入主流市場

      ReRAM 代工工藝由臺積電、華邦和 Globalfoundries 提供支持，ReRAM 由瑞薩（通過收購 Adesto）、富士通、Microchip...

      2023-02-23 標(biāo)簽：NOR閃存framMRAM 2.4k 0

      xSPI STT-MRAM--EM064LX產(chǎn)品系列的主要優(yōu)勢

      Everspin的xSPI STT-MRAM產(chǎn)品系列提供高性能、多I/O、SPI兼容性，并具有高速、低引腳數(shù)SPI兼容總線接口，時鐘頻率高達(dá)200MHz...

      2022-12-08 標(biāo)簽：存儲器MRAM 1.3k 0

      STT-MRAM非易失存儲器特點(diǎn)及應(yīng)用

      STT-MRAM非易失性隨機(jī)存取存儲器是一款像SRAM一樣 高速、高耐久性、單字節(jié)訪問的工作，也可以像ROM/Flash一樣非揮發(fā)性，保留時間長的存儲。...

      2022-11-29 標(biāo)簽：存儲器MRAM非易失性存儲器 2.4k 0

      蓄勢待發(fā)的MRAM

      電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/周凱揚(yáng)）磁性隨機(jī)存儲器（MRAM）已經(jīng)有了多年的發(fā)展歷史，最早可以追溯到1984年，Arthur Pohm和 Jim Daught...

      2022-11-29 標(biāo)簽：MRAM 4k 0

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        電池
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        電池（Battery）指盛有電解質(zhì)溶液和金屬電極以產(chǎn)生電流的杯、槽或其他容器或復(fù)合容器的部分空間，能將化學(xué)能轉(zhuǎn)化成電能的裝置。具有正極、負(fù)極之分。隨著科技的進(jìn)步，電池泛指能產(chǎn)生電能的小型裝置。如太陽能電池。電池的性能參數(shù)主要有電動勢、容量、比能量和電阻。
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        Littelfuse
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        Arrow
        +關(guān)注
        Arrow Electronics 是向工業(yè)和商業(yè)電子元器件和企業(yè)運(yùn)算解決方案用戶提供產(chǎn)品、服務(wù)和解決方案的全球供應(yīng)商，2016 年銷售額達(dá) 23.8 億美元。Arrow 作為供應(yīng)渠道合作伙伴，通過遍布全球 90 多個國家和地區(qū)的 465 多個地點(diǎn)構(gòu)成的全球網(wǎng)絡(luò)，為超過 125,000 家原始設(shè)備制造商、合約制造商和商業(yè)客戶提供服務(wù)。
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        充電樁
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        充電樁其功能類似于加油站里面的加油機(jī)，可以固定在地面或墻壁，安裝于公共建筑（公共樓宇、商場、公共停車場等）和居民小區(qū)停車場或充電站內(nèi)，可以根據(jù)不同的電壓等級為各種型號的電動汽車充電。
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        博世
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        智能眼鏡
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        Vivado
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        All Programmable
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        　　隨著Vivado 設(shè)計(jì)套件通用版本的發(fā)布，賽靈思還針對All Programmable 7系列 FPGA和Zynq？-7000 EPP SoC器件推出Vivado高層次綜合（HLS）工具，繼續(xù)延續(xù)其在電子系統(tǒng)級（ESL）設(shè)計(jì)領(lǐng)域的領(lǐng)先地位。
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      james1110

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