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標(biāo)簽 > mram
MRAM(Magnetoresistive Random Access Memory) 是一種非易失性(Non-Volatile)的磁性隨機(jī)存儲(chǔ)器。它擁有靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(SRAM)的高速讀取寫入能力,以及動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(DRAM)的高集成度,而且基本上可以無限次地重復(fù)寫入。
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Netsol的MRAM具有非易失特性和幾乎無限的耐用性。對(duì)于需要使用最少數(shù)量的引腳來快速存儲(chǔ)、檢索數(shù)據(jù)和程序的應(yīng)用程序而言,是最為理想的存儲(chǔ)器。適用于工...
Everspin MRAM可減少系統(tǒng)停機(jī)時(shí)間,并降低總成本
Everspin是設(shè)計(jì)制造MRAM、STT-MRAM的翹楚,其市場和應(yīng)用涉及數(shù)據(jù)持久性和完整性,低延遲和安全性至關(guān)重要。 在磁存儲(chǔ)器設(shè)計(jì),制造和交付給相...
MRAM實(shí)現(xiàn)了SPIEEPROM和SPIFlash組件通用的命令子集
Everspin是設(shè)計(jì),制造和商業(yè)銷售分立磁阻RAM(MRAM)到市場和應(yīng)用的全球領(lǐng)導(dǎo)者,在這些市場和應(yīng)用中,數(shù)據(jù)持久性和完整性,低延遲和安全性至關(guān)重要...
Netsol并口STT-MRAM非易失存儲(chǔ)S3R8016
其數(shù)據(jù)始終是非易失性的,可以取代具有相同功能的FRAM、低功耗SRAM或nvSRAM,并有助于簡化系統(tǒng)設(shè)計(jì)。由于STT-MRAM的非易失性和幾乎無限的續(xù)...
2023-05-12 標(biāo)簽:存儲(chǔ)器非易失存儲(chǔ)MRAM 790 0
MRAM技術(shù)是以可沉積在標(biāo)準(zhǔn)邏輯制程上的磁性隧道結(jié) (MTJ)儲(chǔ)存單元為基礎(chǔ),MTJ中包含了一個(gè)維持單一極性方向的固定層,和一個(gè)通過隧道結(jié)與其隔離的自由...
Everspin MRAM不影響系統(tǒng)性能下取代nvSRAM
nvSRAM使用傳統(tǒng)的捕獲電荷技術(shù)進(jìn)行非易失性存儲(chǔ)。由于溫度和過多的寫入周期會(huì)導(dǎo)致數(shù)據(jù)損耗,因此數(shù)據(jù)可能會(huì)泄漏。
如何最大限度的提高STT-MRAM IP的制造產(chǎn)量
Everspin公司在磁存儲(chǔ)器設(shè)計(jì)制造和交付到相關(guān)應(yīng)用中的知識(shí)和經(jīng)驗(yàn)在半導(dǎo)體行業(yè)中是獨(dú)一無二的。Everspin擁有超過600多項(xiàng)有效專利和申請(qǐng)的知識(shí)產(chǎn)...
新興存儲(chǔ)器鐵電RAM嵌入式應(yīng)用的優(yōu)勢(shì)是什么
存儲(chǔ)器IC市場一直是動(dòng)態(tài)的,但是隨著邊緣計(jì)算,人工智能(AI),5G和自動(dòng)駕駛的興起,對(duì)存儲(chǔ)器技術(shù)的需求正在不斷擴(kuò)大和發(fā)展。由于持續(xù)的大流行,使工作和商...
MRAM HS4MANSQ1A-DS1適用于導(dǎo)航定位系統(tǒng)
國芯思辰,國產(chǎn)芯片替代
2024-01-22 標(biāo)簽:定位系統(tǒng)MRAM國芯思辰 762 0
北京時(shí)間8月3日早間消息,三星周二宣布,他們已收購MRAM(磁性隨機(jī)存儲(chǔ)器)芯片開發(fā)商Grandis。具體協(xié)議條款尚未披露。
Everspin MRAM加強(qiáng)了RIM智能電表的即時(shí)非易失性
今天介紹Everspin的MR25H40非易失性存儲(chǔ)器MRAM如何在RIM的三相智能電表中提供強(qiáng)大的系統(tǒng)存儲(chǔ)優(yōu)勢(shì)。 Everspin的4Mbit MR2...
血液透析機(jī)專用非易失性Everspin MRAM芯片
血液透析是為人工腎、洗腎,是血液凈化技術(shù)的一種。其利用半透膜原理,通過擴(kuò)散、對(duì)人體內(nèi)各種有害以及多余的代謝廢物和過多的電解質(zhì)移出體外,達(dá)到凈化血液的目的...
2021-11-11 標(biāo)簽:RAM醫(yī)用設(shè)備MRAM 746 0
在不久的將來,我們將看到嵌入式STT-MRAM (eMRAM)出現(xiàn)在諸如物聯(lián)網(wǎng)(IoT)、微控制器(MCU)、汽車、邊緣運(yùn)算和人工智能(AI)等應(yīng)用中。...
2020-03-25 標(biāo)簽:MRAM 729 0
MRAM與其他內(nèi)存技術(shù)相比較具有相對(duì)優(yōu)勢(shì)
MRAM是一種非易失性存儲(chǔ)技術(shù),可以在不需要電源的情況下將其內(nèi)容保留至少10年。它適用于在系統(tǒng)崩潰期間需要保存數(shù)據(jù)的商業(yè)應(yīng)用?;贛RA...
2020-12-15 標(biāo)簽:嵌入式系統(tǒng)存儲(chǔ)MRAM 727 0
MRAM是一種非常復(fù)雜的薄膜多層堆疊,由10多種不同材料和超過30層以上的薄膜與堆疊組成,部分薄膜層的厚度僅達(dá)數(shù)埃,比人類的發(fā)絲還要薄5...
2020-12-10 標(biāo)簽:嵌入式系統(tǒng)RAMMRAM 717 0
一種稱為Universal Selector的新創(chuàng)新技術(shù),它將顯著提高現(xiàn)有和新興存儲(chǔ)技術(shù)(包括MRAM,DRAM和ReRAM)的功能,因?yàn)樗鼘⑻峁┮环N新...
Everspin非易失性MRAM-MR0D08BMA45R的特征
MR0D08BMA45R是一款雙電源1Mbit的磁阻隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(MRAM)器件。支持+1.6~+3.6V的I/O電壓。提供SRAM兼容的45ns讀/...
2022-01-26 標(biāo)簽:MRAM非易失性存儲(chǔ)器everspin 710 0
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