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標(biāo)簽 > mram
MRAM(Magnetoresistive Random Access Memory) 是一種非易失性(Non-Volatile)的磁性隨機(jī)存儲(chǔ)器。它擁有靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(SRAM)的高速讀取寫入能力,以及動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(DRAM)的高集成度,而且基本上可以無限次地重復(fù)寫入。
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Everspin MRAM非易失性存儲(chǔ)器在太空探索中的應(yīng)用
Everspin半導(dǎo)體為環(huán)境苛刻的應(yīng)用,如軍事、航空航天、工業(yè)和汽車系統(tǒng)等提供非易失性存儲(chǔ)技術(shù)。Angstrom Aerospace在其磁力計(jì)子系統(tǒng)中使...
盡管具有規(guī)模經(jīng)濟(jì)性,但其他類型的存儲(chǔ)器仍具有AI應(yīng)用程序的未來可能性。 MRAM通過受外加電壓控制的磁體的方向存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的每一位。如果電壓低于翻轉(zhuǎn)位所需的...
everspin的MR25H10是一個(gè)1,048,576位磁阻隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(MRAM)設(shè)備,由131,072個(gè)8位字組成。MR25H10提供串行EEP...
2020-12-10 標(biāo)簽:存儲(chǔ)器嵌入式系統(tǒng)人工智能 602 0
Everspin并行接口4Mb MRAM是汽車應(yīng)用的理想選擇
MRAM速度快且非易失性。實(shí)時(shí)監(jiān)控的傳感器數(shù)據(jù)可以實(shí)時(shí)寫入,無需負(fù)載均衡或ECC開銷。AEC-Q1001級合格MRAM將在發(fā)動(dòng)機(jī)罩下應(yīng)用的擴(kuò)展溫度(-4...
醫(yī)療刺激裝置如何通過外部存儲(chǔ)器來實(shí)現(xiàn)高性能
隨著技術(shù)的不斷進(jìn)步,消費(fèi)類、便攜式醫(yī)療設(shè)備的功能越來越強(qiáng)大,越來越完善,極大地提高了準(zhǔn)確性、可靠性、連接性和易用性,同時(shí)保證了用戶健康信息的安全性,價(jià)格...
工業(yè)機(jī)械專用Netsol Parallel STT-MRAM
工業(yè)機(jī)械是指在工業(yè)建設(shè)及工業(yè)制造過程中所使用的代替人工勞動(dòng)力或輔助人工勞動(dòng)力的機(jī)械設(shè)備。 ? ? ??工業(yè)設(shè)備通常即使在惡劣的操作環(huán)境中,也需要防止數(shù)據(jù)...
2023-02-27 標(biāo)簽:存儲(chǔ)MRAM工業(yè)設(shè)備 425 0
專門用于便攜式醫(yī)療機(jī)械Netsol Serial STT-MRAM
Netsol的SPI STT-MRAM具有非易失特性和幾乎無限耐用性。醫(yī)療器械理想的存儲(chǔ)器用于快速存儲(chǔ)、檢索數(shù)據(jù)和程序的應(yīng)用程序,至少應(yīng)用于數(shù)量引腳。它...
在需要高速數(shù)據(jù)寫入與極致可靠性的工業(yè)與數(shù)據(jù)中心應(yīng)用中,Everspin推出的8位位并行接口MRAM樹立了性能與耐用性的新標(biāo)桿。這款Everspin存儲(chǔ)器...
MRAM是一種利用電子的自旋磁性來存儲(chǔ)信息的非易失性存儲(chǔ)器。它完美結(jié)合了SRAM的高速讀寫特性與閃存(Flash)的非易失性,能夠在斷電后永久保存數(shù)據(jù),...
作為磁阻存儲(chǔ)器領(lǐng)域的重要分支,SOT-MRAM因其獨(dú)特的寫入機(jī)制與結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì),正成為高性能MRAM研發(fā)的熱點(diǎn)方向。該技術(shù)利用具有強(qiáng)自旋軌道耦合效應(yīng)的材料層...
2025-10-24 標(biāo)簽:MRAM 128 0
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