每年，來自全球各地大學的學生團隊都會參加 SAE 方程式電動汽車大賽，這是一項國際工程競賽，要求團隊設計、制造和駕駛高性能電動汽車。雖然競賽為學習和創(chuàng)新提供了一個結構化的環(huán)境，但技術挑戰(zhàn)絕非學術性的。從最大限度提高能源效率到確保駕駛員安全，學生面臨的工程問題與專業(yè)汽車開發(fā)中遇到的問題相似。
2025-12-18 16:27:51
1618 
在存儲技術快速迭代的今天，MRAM芯片（磁阻隨機存取存儲器）以其獨特的性能，逐漸成為業(yè)界關注焦點。它不同于傳統(tǒng)的閃存或DRAM，利用磁性而非電荷來存儲數(shù)據(jù)，兼具高速、耐用與非易失性特點。
2025-12-15 14:39:04242 這項可選服務將幫助數(shù)據(jù)中心運營商監(jiān)測整個 AI GPU 集群運行狀況，從而最大限度地延長正常運行時間。
2025-12-13 09:37:36824 
Vicor 將于 2025 年 12 月 6 日在深圳舉行的亞洲電源技術發(fā)展論壇上發(fā)表主題為“薄型 DC-DC 電源解決方案最大限度提升 ATE 吞吐量”的演講。您將了解到如何為 ATE 設計最佳
2025-12-03 14:23:13598 在操作過程中損壞，從而提高了可靠性。端子的加載力得到降低，可最大限度地降低芯片開裂的風險，支持更簡易的安裝操作。作為久經(jīng)驗證的插座技術提供商，TE是新一代和未 來芯片設計值得信賴的插座合作伙伴
2025-11-25 09:35:04
安森美NTMFSS0D9N03P8 N溝道MOSFET是一款單源下MOSFET，具有低 ~RDS (on)~ ，可最大限度地降低導通損耗，另外還具有低~QG~ 和電容，可最大限度地降低驅動器損耗。該
2025-11-24 15:35:18262 
)，堅固耐用的側壁設計可最大限度地減小過度壓縮。特殊的防刮設計可將端子頂端鎖定在彈簧夾側壁內(nèi)，有利于避免彈簧夾在組裝過程中被操作員手套鉤住，從而為您提高產(chǎn)線組裝效率。取放區(qū)域支持自動組裝過程有不同的高度和樣式
2025-11-20 16:31:40
在存儲技術快速演進的今天，一種名為STT-MRAM（自旋轉移矩磁阻隨機存取存儲器）的新型非易失存儲器，正逐步走入產(chǎn)業(yè)視野。它不僅繼承了MRAM的高速讀寫能力與非易失特性，更通過“自旋電流”技術實現(xiàn)了信息寫入方式的突破，被視為第二代MRAM技術的代表。
2025-11-20 14:04:35244 在嵌入式存儲應用中，串口MRAM芯片憑借其非易失性、高速度及高耐用性受到廣泛關注。作為磁性隨機存儲器技術的代表，Everspin磁性隨機存儲器在工業(yè)控制、數(shù)據(jù)中心和汽車電子等領域表現(xiàn)優(yōu)異。
2025-11-19 11:51:41146 英尚微電子所代理的Everspin xSPI串行接口MRAM存儲芯片，基于最新的JEDEC xSPI標準與獨有的STT-MRAM技術構建，這款串行接口MRAM存儲芯片可全面替代傳統(tǒng)SRAM
2025-11-05 15:31:48285 在當今對數(shù)據(jù)持久性與系統(tǒng)可靠性要求極高的企業(yè)基礎設施和數(shù)據(jù)中心中，Everspin推出的自旋轉移扭矩MRAM（STT-MRAM）存儲器——EMD4E001G-1Gb，憑借其卓越的性能與獨特的技術優(yōu)勢，成為眾多高性能存儲解決方案中的亮點。
2025-11-05 14:34:28280 ADC32RF5x 是一款單核 14 位、2.6 GSPS 至 3 GSPS、雙通道模數(shù)轉換器 （ADC），支持輸入頻率高達 3 GHz 的射頻采樣。該設計最大限度地提高了信噪比 （SNR），并提
2025-10-29 14:42:20455 
該ADC34RF52是一款單核14位、1.5GSPS、四通道模數(shù)轉換器（ADC），支持輸入頻率高達2.5 GHz的射頻采樣。該設計最大限度地提高了信噪比 （SNR），并提供了 -153 dBFS
2025-10-29 11:13:24488 
仿真 (DEM) 采用脈沖跳躍模式，可最大限度地提高輕負載時的效率，并提供受控輸出電壓紋波。負載范圍內(nèi)強制PWM (FPWM) 使開關頻率保持恒定，最大限度地減少輸出電壓紋波。
2025-10-29 09:41:50371 
NMSIS NN 軟件庫是一組高效的神經(jīng)網(wǎng)絡內(nèi)核，旨在最大限度地提高 Nuclei N 處理器內(nèi)核上的神經(jīng)網(wǎng)絡的性能并最??大限度地減少其內(nèi)存占用。
該庫分為多個功能，每個功能涵蓋特定類別
2025-10-29 07:07:26
NMSIS NN 軟件庫是一組高效的神經(jīng)網(wǎng)絡內(nèi)核，旨在最大限度地提高 Nuclei N 處理器內(nèi)核上的神經(jīng)網(wǎng)絡的性能并最??大限度地減少其內(nèi)存占用。
該庫分為多個功能，每個功能涵蓋特定類別
2025-10-29 06:08:21
近日，國家統(tǒng)計局發(fā)布了最新制造業(yè)數(shù)據(jù)情況，9月份我國工業(yè)機器人產(chǎn)量76287套，較去年同期增長28.3%;服務機器人產(chǎn)量為171.26萬套，較去年同期增長4.7%。
2025-10-28 15:19:04763 Σ-Δ調制器，通過分流電流傳感器測量每個相位的電流。傳感電路和PCB布局經(jīng)過優(yōu)化，可最大限度地提高信噪比，實現(xiàn)最佳精度。
2025-10-28 09:47:58422 
該ADC32RF52是一款單核 14 位、1.5 GSPS、雙通道模數(shù)轉換器 （ADC），支持輸入頻率高達 2 GHz 的射頻采樣。該設計最大限度地提高了信噪比 （SNR），并提供 -153
2025-10-28 09:38:48477 
該ADC34RF55是一款單核 14 位、3GSPS、四通道模數(shù)轉換器 （ADC），支持輸入頻率高達 3 GHz 的射頻采樣。該設計最大限度地提高了信噪比（SNR），并提供了-156 dBFS/Hz的噪聲頻譜密度。使用額外的內(nèi)部ADC和片上信號平均，噪聲密度提高到-158 dBFS/Hz。
2025-10-27 15:48:36471 
在需要高速數(shù)據(jù)寫入與極致可靠性的工業(yè)與數(shù)據(jù)中心應用中，Everspin推出的8位位并行接口MRAM樹立了性能與耐用性的新標桿。這款Everspin存儲器MRAM與SRAM引腳兼容的存儲器，以高達35
2025-10-24 16:36:03532 MRAM是一種利用電子的自旋磁性來存儲信息的非易失性存儲器。它完美結合了SRAM的高速讀寫特性與閃存（Flash）的非易失性，能夠在斷電后永久保存數(shù)據(jù)，同時具備無限次擦寫、無磨損的卓越耐用性。MRAM將磁性材料集成于硅電路中，在單一芯片上實現(xiàn)了高速、可靠與長壽命的統(tǒng)一，是存儲技術的一次重大飛躍。
2025-10-24 15:48:44411 作為磁阻存儲器領域的重要分支，SOT-MRAM因其獨特的寫入機制與結構設計，正成為高性能MRAM研發(fā)的熱點方向。該技術利用具有強自旋軌道耦合效應的材料層，通過自旋軌道力矩驅動磁性隧道結中納米磁體的確定性翻轉，從而實現(xiàn)高效、可控的數(shù)據(jù)寫入與擦除操作。
2025-10-24 14:46:24338 STMicroelectronics AEK-POW-LDOV02X穩(wěn)壓器評估板基于L99VR02XP雙路車規(guī)級線性穩(wěn)壓器。L99VR02XP在輸入電壓降低時運行，最大限度地減少內(nèi)部耗散功率，并最大限度增加輸出電流。輸出電流限制保護穩(wěn)壓器和應用免受過載條件的影響，例如對地短路。
2025-10-15 10:04:19391 
Molex蜂窩柔性天線支持不斷發(fā)展的LTE和4G蜂窩技術。該器件采用平衡的傳輸設計，可通過消除額外的電路、頻率調諧和電子元件集成，最大限度地減少地面-平面效應、降低成本并減少所需的工程資源。該
2025-10-14 09:37:08
Texas Instruments TPS22992x負載開關是一款具有8.7m Ω功率MOSFET的單通道負載開關，設計用于在高達5.5V、6A的應用中最大化功率密度?？膳渲蒙仙龝r間為電源排序提供了靈活性，并最大限度減少了高電容負載下的浪涌電流。
2025-09-24 15:07:33868 
負載電流范圍。該器件提供一個額外的低壓電源（3.3V至5V）輸入引腳，從而最大限度地降低空載功耗。該器件集成了多種保護功能，如熱關斷、輸出鉗位和過流限制。些功能可在發(fā)生故障（如短路）時提高系統(tǒng)的穩(wěn)健性。
2025-09-23 14:12:26508 
LMK5C23208A是一款高性能網(wǎng)絡同步器和抖動清除器，旨在滿足無線通信和基礎設施應用的嚴格要求。
該器件集成了兩個 DPLL 和三個 APLL，通過可編程環(huán)路帶寬 （LBW） 和一個外部環(huán)路濾波電容器提供無中斷開關和抖動衰減，從而最大限度地提高靈活性和易用性。
2025-09-10 10:10:54497 
（ERP）與制造執(zhí)行系統(tǒng)（MES）相結合，可創(chuàng)建一個功能強大的系統(tǒng)，涵蓋業(yè)務和特定生產(chǎn)層面。這將提高靈活性、改善預測并優(yōu)化生產(chǎn)效率。 通過將精益原則與 MES 功能相結合，MES 在精益生產(chǎn)中發(fā)揮了決定性
2025-09-04 15:36:30
摘要在過去幾年中，數(shù)據(jù)中心的數(shù)量每年增長10%到30%，因此企業(yè)逐步重視優(yōu)化數(shù)據(jù)中心散熱效果，以期提高效率，更好地匹配性能以降低能耗，最大限度地提高性能并重用浪費的能源。領先的數(shù)據(jù)中心開發(fā)人員依靠
2025-09-03 15:59:16381 
Texas Instruments TPS22995導通電阻負載開關支持可配置上升時間，以最大限度地減小浪涌電流。該單通道負載開關包含一個可在0.4V至5.5V輸入電壓范圍內(nèi)運行的N溝道MOSFET，并且支持3.8A的最大連續(xù)電流。
2025-09-02 14:57:49637 
kHz，可以使用外部電阻器進行設置或通過 EPROM 進行預配置。可編程壓擺率控制和擴頻方案可最大限度地降低開關噪聲并提高 EMI 性能。
2025-08-29 10:09:04570 
：從原材料到成品的關鍵步驟 鏟齒散熱片的CNC加工流程通常包括以下環(huán)節(jié)： 材料準備：根據(jù)散熱需求選擇鋁、銅或復合材料，通過開型材工藝將原材料加工成規(guī)則形狀，最大限度減少材料浪費。 下料與初加工：按產(chǎn)品尺寸切割材料，可通過
2025-08-28 17:03:31874 激光焊接過程中無需使用助焊劑，不會產(chǎn)生助焊劑揮發(fā)物等污染物，最大限度地保證了電子器件的使用壽命，也減少了對環(huán)境的影響，符合綠色制造的發(fā)展趨勢。
2025-08-27 17:32:18728 
為-153dBFS/Hz，最大限度地提高了信噪比（SNR）。通過使用額外的內(nèi)部ADC和片上信號平均，噪聲密度可提高到-156dBFS/Hz。
2025-08-27 15:33:16873 
NORA-W4是一款緊湊型Wi-Fi 6模塊，結合了小尺寸、高質量和高性能，實現(xiàn)了注重成本的設計，可最大限度地提高工業(yè)物聯(lián)網(wǎng)性能。
2025-08-20 09:49:182258 
Texas Instruments ADC32RF5x射頻采樣數(shù)據(jù)轉換器是單核14位、2.6 GSPS至3 GSPS、雙通道模數(shù)轉換器 (ADC)，支持輸入頻率高達3GHz的射頻采樣。該設計最大限度
2025-08-15 11:45:211013 
-156dBFS/Hz，最大限度地提高了信噪比（SNR）。通過使用額外的內(nèi)部ADC以及片上信號平均，噪聲密度提高到-158dBFS/Hz。
2025-08-14 15:37:131137 
接口實現(xiàn)符合 IEEE 802.3at 的 2 類硬件分類。它還包括輔助電源檢測 （APD） 輸入和禁用功能 （DEN）。0.5 Ω、100V 通道 MOSFET 可最大限度地減少散熱并最大限度地提高功耗。
2025-08-06 10:08:29867 
接口實現(xiàn)符合 IEEE 802.3at 的 2 類硬件分類。它還包括輔助電源檢測 （APD） 輸入和禁用功能 （DEN）。0.5 Ω、100V 通道 MOSFET 可最大限度地減少散熱并最大限度地提高功耗。
2025-08-06 09:59:27863 
Texas Instruments OPAx237 MicroAmplifier? 運算放大器尺寸小，具有低失調電壓、低靜態(tài)電流、低偏置電流和寬電源范圍。單通道和雙通道版本具有相同的規(guī)格，可最大限度地提高設計靈活性。它們非常適合用于單電源、電池供電和空間有限的應用，例如PCMCIA卡和其他便攜式儀器。
2025-07-17 14:05:19552 
這款N溝道MV MOSFET采用MDD半導體先進的溝槽型功率工藝制造，融合了屏蔽柵極技術。該工藝經(jīng)過優(yōu)化，可最大限度降低導通電阻，同時保持卓越的開關性能和業(yè)界領先的軟體二極管特性。
2025-07-10 15:02:23
2 這款N溝道MV MOSFET采用MDD半導體先進的溝槽型功率工藝制造，該工藝整合了屏蔽柵極技術。該工藝經(jīng)過優(yōu)化，可最大限度降低導通電阻，同時保持卓越的開關性能，并具備業(yè)界領先的軟體二極管特性。
2025-07-10 15:01:371 這款N溝道MV MOSFET采用MDD半導體先進的溝槽型功率工藝制造，該工藝整合了屏蔽柵極技術。該工藝經(jīng)過優(yōu)化，可最大限度降低導通電阻，同時保持卓越的開關性能，并具備業(yè)界領先的軟體二極管特性。
2025-07-10 15:00:431 這款N溝道MV MOSFET采用MDD半導體先進的溝槽型功率工藝制造，融合了屏蔽柵極技術。該工藝經(jīng)過優(yōu)化，可最大限度降低導通電阻，同時保持卓越的開關性能，并具備業(yè)界領先的軟體二極管特性。
2025-07-10 14:59:501 這款N溝道MOSFET采用MDD半導體先進的溝槽型功率工藝制造，該工藝整合了屏蔽柵極技術。該工藝經(jīng)過優(yōu)化，可最大限度降低導通電阻，同時保持卓越的開關性能，并具備業(yè)界領先的軟體二極管特性。
2025-07-10 14:58:011 這款N溝道MOSFET采用MDD半導體先進的溝槽型功率工藝制造，融合了屏蔽柵極技術。該工藝經(jīng)過優(yōu)化，可最大限度降低導通電阻，同時保持卓越的開關性能和業(yè)界領先的軟體二極管特性。
2025-07-10 14:32:020 這款N溝道MOSFET采用MDD半導體先進的溝槽型功率工藝制造，整合了屏蔽柵極技術。該工藝經(jīng)過優(yōu)化，可最大限度降低導通電阻，同時保持卓越的開關性能和業(yè)界領先的軟體二極管特性。
2025-07-10 14:31:220 這款N溝道MOSFET采用MDD公司先進的溝槽型功率技術制造。該工藝經(jīng)過優(yōu)化，可最大限度降低導通電阻，同時保持卓越的開關性能和業(yè)界領先的軟體二極管特性。
2025-07-10 14:14:550 這款N溝道MOSFET采用MDD公司先進的溝槽型功率技術制造。該工藝經(jīng)過優(yōu)化，可最大限度降低導通電阻，同時保持卓越的開關性能，并具備業(yè)界領先的軟體二極管特性。
2025-07-09 16:53:570 這款N溝道MOSFET采用MDD公司先進的溝槽型功率技術制造。該工藝經(jīng)過優(yōu)化，可最大限度降低導通電阻，同時保持卓越的開關性能，并具備業(yè)界領先的軟體二極管特性。
2025-07-09 16:09:260 這款P溝道MOSFET采用MDD公司先進的溝槽型功率技術制造。該工藝經(jīng)過優(yōu)化，可最大限度降低導通電阻，同時保持卓越的開關性能和業(yè)界領先的軟體二極管特性。
2025-07-09 16:06:270 這款P溝道MOSFET采用MDD公司先進的溝槽型功率技術制造。該工藝經(jīng)過優(yōu)化，可最大限度降低導通電阻，同時保持卓越的開關性能和同類最佳的軟體二極管特性。
2025-07-09 15:14:420 這款N溝道MOSFET采用MDD公司先進的溝槽型功率技術制造。該工藝經(jīng)過優(yōu)化，可最大限度降低導通電阻，同時保持卓越的開關性能，并具備業(yè)界領先的軟體二極管特性。
2025-07-09 15:12:350 Analog Devices Inc. ADBT1001 4通道AFE數(shù)字控制器是功能豐富的靈活數(shù)字控制器，用于大容量電池測試和成型制造以及精密電池測試儀器儀表應用。該控制器經(jīng)優(yōu)化可最大限度地減少元件數(shù)量、最大限度地提高靈活性并縮短設計時間。
2025-06-30 09:55:16621 
使用全陶瓷電容器，從而最大限度地減少外部元件數(shù)量。可編程擴頻調制可最大限度地抑制電磁輻射。對于分立式解決方案，集成的低RDSON開關提高了重負載時的效率，顯著簡化了布局規(guī)劃。其他特性包括真正斷開、軟啟動、過流和過熱保護。
2025-06-26 10:07:54634 
光伏電池模塊和風力渦輪機產(chǎn)生的能量通過功率調節(jié)器從直流電轉換為交流電。最大限度降低這些轉換中的損耗，可以提升整個能源系統(tǒng)的效率。
2025-06-24 19:13:03422 
Switcher技術的單通道恒定頻率、電流模式降壓直流-直流轉換器。該技術可最大限度地降低EMI輻射，同時在高開關頻率下提供高效率。LT8638S具有集成輸入電容器，可優(yōu)化內(nèi)部的所有快速電流環(huán)路，并通過降低布局靈敏度最大限度地提高EMI性能。因此，LT8638S非常適合用于噪聲敏感型應用和環(huán)境。
2025-06-24 14:17:49654 
實現(xiàn)無縫連接：EtherNet/IP轉CANopen網(wǎng)關助力汽車制造智能化未來
2025-06-13 17:03:49509 
緩沖器電源工作，并采用精密低漂移內(nèi)部基準電壓源和基準電壓緩沖器，可獨立配置每個通道的SoftSpan輸入范圍，以匹配原生應用的信號擺幅，從而最大限度地減少額外的外部信號調理。為了進一步最大限度地擴大單
2025-06-11 11:51:32947 
精度。由于最大限度地采用了空心軸，因此可以節(jié)省安裝空間并降低復雜性，并通過驅動系統(tǒng)直接布線介質和電纜來提高效率。
數(shù)字產(chǎn)品目錄：為制造商提供高效的產(chǎn)品營銷
得益于WITTENSTEIN的在線目錄，產(chǎn)品可以
2025-06-06 14:12:52
現(xiàn)代基于EtherNet/IP的智能監(jiān)控與管理系統(tǒng)？這正是JH-DVN-EIP疆鴻智能DeviceNET轉EtherNet/IP網(wǎng)關的核心價值所在。 疆鴻智能的JH-DVN-EIP協(xié)議轉換網(wǎng)關，針對煙草制造場景量身打造。在卷接包、制絲等核心生產(chǎn)環(huán)節(jié)，大量采用DeviceNET協(xié)議的傳感器、執(zhí)行器，
2025-06-06 14:07:53446 
隨著環(huán)保意識的增強，企業(yè)面臨著采用可持續(xù)做法的巨大壓力。#綠色制造 通過減少廢棄物、節(jié)約能源和有效利用資源，最大限度地減少對環(huán)境的影響，從而極大地促進了這一轉變。
2025-05-19 09:36:15733 TPIC7218-Q1 器件在單個封裝中集成了多個 ABS 和 ESC 電子控制單元 （ECU） 所需的功能。此集成與 最大限度地減少外部組件可節(jié)省寶貴的 ECU 板空間。
2025-05-13 15:57:56760 
OPA211系列精密運算放大器實現(xiàn)了非常低的1.1 nV/√Hz噪聲密度，電源電流僅為3.6 mA。該系列還提供軌到軌輸出擺動，最大限度地提高了動態(tài)范圍。
2025-05-13 10:53:01854 
提高。因此，在制造光學系統(tǒng)的整個過程中，必須對其進行優(yōu)化，以確保從最初的構想到最終的驗收測試，所有后續(xù)環(huán)節(jié)都能實現(xiàn)精度和質量的最佳傳遞。
圖1.借助在線工具，光學制造鏈設計觸手可及
光學系統(tǒng)
2025-05-12 08:51:43
OPA209系列精密運算放大器實現(xiàn)了極低的電壓噪聲密度（2.2 nV/√Hz），電源電流僅為2.5 mA（最大）。該系列還提供軌到軌輸出擺動，有助于最大限度地提高動態(tài)范圍。
2025-05-11 15:43:00884 
OPA209系列精密運算放大器實現(xiàn)了極低的電壓噪聲密度（2.2 nV/√Hz），電源電流僅為2.5 mA（最大）。該系列還提供軌到軌輸出擺動，有助于最大限度地提高動態(tài)范圍。
2025-05-10 11:17:151004 
OPA209系列精密運算放大器實現(xiàn)了極低的電壓噪聲密度（2.2 nV/√Hz），電源電流僅為2.5 mA（最大）。該系列還提供軌到軌輸出擺動，有助于最大限度地提高動態(tài)范圍。
2025-05-10 10:48:00814 
負載電流。該器件提供額外的低電壓電源（3.3 V 至 5 V）輸入引腳，以最大限度地降低空載功耗。該器件集成了熱關斷、輸出箝位和過流限制等保護功能。這些 特性 提高了短路等故障事件期間的系統(tǒng)穩(wěn)健性。
2025-05-08 14:37:38663 
TPS22998 是一款單通道負載開關，可提供可配置的上升時間，以最大限度地減少浪涌電流。該器件包含一個 N 溝道 MOSFET，可在 0.2 V 至 5.5 V 的輸入電壓范圍內(nèi)工作，并支持 10 A 的最大連續(xù)電流。
2025-05-08 14:25:49704 
TPS22992x 產(chǎn)品系列由兩個器件組成：TPS22992 和 TPS22992S。每個器件都是一個單通道負載開關，帶有一個 8.7mΩ 功率 MOSFET，旨在最大限度地提高高達 5.5 V
2025-05-08 13:59:17941 
TPS281C30x 是一款單通道智能高側開關，旨在滿足工業(yè)控制系統(tǒng)的要求。低 RON （30mΩ） 最大限度地減少了器件的功率耗散，可驅動高達 6A DC 的寬范圍輸出負載電流，而 64V DC 容差提高了系統(tǒng)穩(wěn)健性。
2025-05-07 15:58:04732 
TPS281C100 是一款單通道智能高邊開關，旨在滿足工業(yè)控制系統(tǒng)的要求。低 RON 可最大限度地降低器件功耗，驅動高達 60V DC 的寬范圍輸出負載電流，從而提高系統(tǒng)穩(wěn)健性。
2025-05-07 09:43:38660 
(SNR)，“脈沖衰減”成為一個問題。 雖然與采用舊工藝的器件相比，基于氮化鎵 (GaN) 的功率放大器 (PA) 具有顯著的效率和其他優(yōu)勢，但設計人員仍需采用系統(tǒng)級方法，最大限度地減少脈沖衰減及其影響。這將確保遠程雷達系統(tǒng)的卓越性能。
2025-04-30 10:07:593558 
TPSM8663x 是一款高效、高電壓輸入、易于使用的同步降壓電源模塊。該器件集成了功率 MOSFET、屏蔽式電感器和基本型無源器件，從而最大限度地減小了設計尺寸。
2025-04-17 09:17:44732 
這種 29mΩ、–12V、P 溝道 FemtoFET? MOSFET 技術經(jīng)過設計和優(yōu)化，可在許多手持式和移動應用中最大限度地減小占用空間。該技術能夠取代標準小信號 MOSFET，同時顯著減小基底面尺寸。
2025-04-16 11:35:09637 
這種 30V、22mΩ、N 溝道 FemtoFET? MOSFET 技術經(jīng)過設計和優(yōu)化，可在許多手持式和移動應用中最大限度地減少占用空間。該技術能夠取代標準小信號 MOSFET，同時顯著減小基底面尺寸。
2025-04-16 11:15:15668 
這款 63mΩ、12V N 溝道 FemtoFET? MOSFET 經(jīng)過設計和優(yōu)化，可在許多手持式和移動應用中最大限度地減少占用空間。該技術能夠取代標準小信號 MOSFET，同時大幅減小基底面尺寸。
2025-04-16 11:10:20607 
低功耗石英晶體振蕩器是一種專為低功耗應用設計的晶體振蕩器，其核心目標是在保證頻率穩(wěn)定性的同時，最大限度地降低功耗。
2025-04-11 14:14:001056 UC3853 提供簡單但高性能的有源功率因數(shù)校正。這款 8 引腳器件采用與 UC1854 相同的控制技術，采用簡化的架構和內(nèi)部振蕩器，以最大限度地減少外部元件數(shù)量。UC3853 集成了精密乘法器
2025-04-07 17:00:211028 
一、生產(chǎn)效率提升AI智能制造系統(tǒng)能夠實現(xiàn)自動化生產(chǎn)流程。例如，在一些大型工廠中，機器人可以24小時不間斷地工作，而不會像人類工人一樣需要休息。這大大縮短了生產(chǎn)周期，提高了單位時間內(nèi)的產(chǎn)品產(chǎn)量。以汽車
2025-04-07 09:51:451069 
TPS92023 是一款高性能諧振開關 LED 驅動器控制器。是的 設計用于更高功率的 LED 照明系統(tǒng)。TPS92023 在 LLC 拓撲結構，與傳統(tǒng)的半橋轉換器相比，可實現(xiàn)非常高的效率。
可編程死區(qū)時間可實現(xiàn)零電壓開關和最小磁化 電流，最大限度地提高各種應用的系統(tǒng)效率。
2025-03-26 11:11:30687 
的不斷發(fā)展，寧波中電集創(chuàng)作為電子制造設備領域的專業(yè)廠商，致力于為客戶提供先進的SMT設備和技術支持，幫助客戶提高生產(chǎn)效率和產(chǎn)品質量，推動電子制造行業(yè)的持續(xù)發(fā)展。
2025-03-25 20:55:52
的 SR 控制器，因為它可以直接驅動 SR FET，以最大限度地提高效率并簡化設計。（對于隔離式應用，需要一個隔離式柵極驅動器 IC。
2025-03-20 17:02:45819 
控制器，因為它可以直接驅動 SR FET，以最大限度地提高效率并簡化設計。（對于隔離式應用，需要一個隔離式柵極驅動器 IC。
2025-03-20 16:25:311092 
電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報道，日前，萊迪思宣布在FPGA設計上前瞻性的布局，使其能夠結合MRAM技術，推出了包括Certus-NX、CertusPro-NX和Avant等多款創(chuàng)新產(chǎn)品。這些FPGA器件采用
2025-03-08 00:10:001803 制造顯示面板的主要挑戰(zhàn)之一是研究由工藝余量引起的主要因素，如CD余量，掩膜錯位和厚度變化。TRCX提供批量模擬和綜合結果，包括分布式計算環(huán)境中的寄生電容分析，以改善顯示器的電光特性并最大限度地減少缺陷。
（a）參照物
（b）膜層未對準
2025-03-06 08:53:21
各種應用進行了優(yōu)化。為了最大限度地降低成本和解決方案尺寸，該器件提供 0.6V 至 5V 的固定輸出電壓。該系列支持現(xiàn)代微控制器 （MCU） 的較低內(nèi)核電壓。此外，TLV757P具有低 IQ 和啟用
2025-03-03 09:36:521526 
應用進行了優(yōu)化。為了最大限度地降低成本和解決方案尺寸，該器件提供 0.6V 至 5V 的固定輸出電壓，以支持現(xiàn)代微控制器 （MCU） 的較低內(nèi)核電壓。此外，TLV755P 具有低 IQ 和使能功能，可
2025-02-28 17:32:561076 
為 1.5 MHz，可以最大限度地減少磁性元件。頻率抖動有助于提高 EMI 裕量。該UCC28782還集成了動態(tài)偏置電源管理，以優(yōu)化 Si 或 GaN MOSFET 的柵極驅動。
2025-02-25 09:24:491207 
描述語言（如Verilog、VHDL）編寫的電路設計，也可以是完成的電路板或者甚至是一些特定算法和技術。IP的使用大大提高了芯片設計的效率，避免了從頭開始設計所有功能模塊。下面詳細解釋芯片IP的幾個關鍵點： 1. 芯片IP的定義與作用： 芯片IP類似于建筑中的標準化模塊或構件，比
2025-02-08 10:43:452349 在工業(yè)領域，機器人的影響力顯而易見：不僅能夠提升工廠的效率和產(chǎn)量，還可助力配送中心最大限度提高訂單完成量。而在社會層面，機器人也在更廣泛領域內(nèi)展現(xiàn)出了滿足人類需求的巨大潛力。
2025-02-08 09:15:081157 作者：Jeff Shepard 投稿人：DigiKey 北美編輯 在下一代工業(yè) 4.0 制造、金屬與基礎材料加工、礦物提煉與采礦以及像飲用水和污水處理廠之類關鍵基礎設施中，都需要能夠最大限度地提高
2025-01-25 16:40:001388 
CAD變速箱和齒輪電機配置器，以按需選擇電機和驅動。為了最大限度地提高工程師的體驗度，配置器使用自定義參數(shù)，使用戶能夠為其應用選擇準確的產(chǎn)品。
如何為您的客戶提供在線三維CAD配置器eCATALOGsolutions是一款易于使用且智能的3D建模軟件，使您的客戶能夠在線查看所需產(chǎn)品的任何參數(shù)配置和規(guī)格，例如：
2025-01-20 16:09:27
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《AN101-最大限度地減少線性穩(wěn)壓器輸出中的開關穩(wěn)壓器殘留.pdf》資料免費下載
2025-01-09 14:19:480 如何提高半導體設備防震基座的制造效率？-江蘇泊蘇系統(tǒng)集成有限公司提高半導體設備防震基座的制造效率是一個綜合性的過程，需要從多個方面進行優(yōu)化和改進，以下是一些可行的方法：1，優(yōu)化生產(chǎn)流程（1)價值流
2025-01-08 15:06:57751 
C3級電子稱重傳感器以其高精度和可靠性，在各個領域得到了廣泛應用。在實際使用過程中，傳感器仍可能受到各種因素的影響而產(chǎn)生誤差。通過采取有效的應對措施，如溫度補償、定期校準、電磁屏蔽和選用高質量傳感器等，可以最大限度地減小誤差，提高測量準確性。
2025-01-06 15:21:11878 據(jù)路透社近日報道，汽車制造商Stellantis位于意大利的工廠在2024年遭遇了嚴重的產(chǎn)量下滑，引發(fā)了業(yè)界的廣泛擔憂。 數(shù)據(jù)顯示，Stellantis意大利工廠的汽車產(chǎn)量在2024年暴跌了37
2025-01-06 13:59:591089
電子發(fā)燒友App
工商網(wǎng)監(jiān)
評論