對(duì)三星，SK海力士及鎂光的反壟斷調(diào)查獲重要進(jìn)展

中國政府2018年5月31日正式發(fā)起了對(duì)三星，SK海力士及鎂光的反壟斷調(diào)查，若指控成立，根據(jù)三家企業(yè)自2016年至今在中國市場(chǎng)的銷售行為，最高將面臨80...

2018-11-19 標(biāo)簽：NAND三星電子 4.2k 0

西部數(shù)據(jù)推出新款嵌入式閃存盤 采用64層3D NAND TLC閃存技術(shù)

西部數(shù)據(jù)公司致力于滿足汽車行業(yè)日益增長的存儲(chǔ)需求，為汽車制造商和系統(tǒng)供應(yīng)商提供先進(jìn)技術(shù)和更高容量，以支持更廣泛的汽車應(yīng)用產(chǎn)品，包括電子駕駛艙（e-coc...

2019-05-14 標(biāo)簽：NAND嵌入式閃存e.MMC 4.2k 0

美光計(jì)劃削減12.5億美元的資本支出，減少內(nèi)存及閃存芯片的產(chǎn)量

美光總裁、CEO Sanjay Mehrotra在財(cái)報(bào)電話會(huì)議上表示，為了適應(yīng)當(dāng)前市場(chǎng)的狀況，美光將減少DRAM內(nèi)存及NAND閃存芯片的產(chǎn)量。根據(jù)美光的...

2018-12-21 標(biāo)簽：NAND閃存芯片美光 4.2k 0

中國芯片追趕仍需努力 缺少人才和相應(yīng)的技術(shù)

但業(yè)內(nèi)人士對(duì)中國芯片廠商迅速崛起以滿足華為和其他國內(nèi)科技公司所有需求的愿景不容樂觀。

2019-06-15 標(biāo)簽：芯片半導(dǎo)體NAND 4.2k 0

SK海力士CES展即將亮相兩款128層4D NAND新品

最新消息，SK海力士將在2020年消費(fèi)電子展（CES）上推出兩款消費(fèi)類PCIe NVMe SSD Gold P31和 Platinum P31。值得注意...

2019-12-30 標(biāo)簽：NANDCES展會(huì)SK海力士 4.2k 0

SK海力士發(fā)布財(cái)報(bào)：看完你就知道DARM和NAND有多賺錢了？

據(jù)外媒報(bào)道，韓國第二大芯片制造商SK海力士周四發(fā)布財(cái)報(bào)稱，受益于DARM內(nèi)存芯片和NAND閃存芯片需求強(qiáng)勁的推動(dòng)，該公司第二季度凈利潤達(dá)到創(chuàng)紀(jì)錄的4.3...

2018-07-27 標(biāo)簽：NANDSK海力士 4.1k 0

長江存儲(chǔ)32層NAND閃存預(yù)計(jì)2018年內(nèi)量產(chǎn)

NAND閃存芯片是智能手機(jī)、SSD硬盤等行業(yè)中的基礎(chǔ)，也是僅次于DRAM內(nèi)存的第二大存儲(chǔ)芯片，國內(nèi)的存儲(chǔ)芯片幾乎100%依賴進(jìn)口。好在國產(chǎn)NAND閃存目...

2018-05-16 標(biāo)簽：nand紫光長江存儲(chǔ) 4.1k 0

NAND和NOR詳解

　　 NOR和NAND是現(xiàn)在市場(chǎng)上兩種主要的非易失閃存技術(shù)。Intel于1988年首先開發(fā)出NOR flash技術(shù)，...

2006-04-17 標(biāo)簽：NANDOR詳解 4.1k 0

DRAM供給不足，PC廠商年底或漲價(jià)

2018年以來，DRAM供貨依然吃緊，預(yù)計(jì)第三季價(jià)格仍會(huì)有小幅增長。而 NAND Flash 今年以來供貨過量，價(jià)格節(jié)節(jié)下滑。

2018-07-16 標(biāo)簽：DRAMNANDPC 4.1k 0

長江存儲(chǔ)首款128層QLC規(guī)格的3DNAND閃存，滿足不同應(yīng)用場(chǎng)景的需求

4月13日，長江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司宣布其128層QLC3DNAND閃存（型號(hào)：X2-6070）研發(fā)成功，并已在多家控制器廠商SSD等終端存儲(chǔ)產(chǎn)品上通過...

2020-04-13 標(biāo)簽：閃存nand長江存儲(chǔ) 4.1k 0

我國首次實(shí)現(xiàn)64層3DNAND閃存芯片的量產(chǎn) 將大幅縮短與國際先進(jìn)水平的差距

近日，紫光集團(tuán)旗下長江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司宣布，開始量產(chǎn)基于Xtacking架構(gòu)的64層256Gb TLC 3D NAND閃存。產(chǎn)品將應(yīng)用于固態(tài)硬盤、嵌...

2019-09-17 標(biāo)簽：芯片NAND 4.1k 0

紫光是中國發(fā)展半導(dǎo)體業(yè)領(lǐng)頭羊之一，能否頂住市場(chǎng)壓力？

受到智能手機(jī)發(fā)展停滯、服務(wù)器存在出貨量不確定以及英特爾處理器缺貨的影響，主要NAND Flash閃存制造商將會(huì)出現(xiàn)供過于求的情況。據(jù)中國閃存市場(chǎng)Chin...

2018-10-16 標(biāo)簽：半導(dǎo)體DRAMNAND 4.1k 0

美國依舊強(qiáng)勢(shì) 國內(nèi)無廠半導(dǎo)體份額有提升

近幾年全球半導(dǎo)體市場(chǎng)發(fā)生了很多變化，由于前些年DRAM、NAND閃存芯片的需求上升及價(jià)格上漲導(dǎo)致如三星等在DRAM、NAND閃存領(lǐng)域非常強(qiáng)勢(shì)的廠商市場(chǎng)份...

2019-06-23 標(biāo)簽：芯片半導(dǎo)體DRAM 4k 0

SK海力士將著重轉(zhuǎn)換細(xì)微工程 未來將停止生產(chǎn)成本相對(duì)高的3DNAND初期產(chǎn)品

SK海力士今年第一季財(cái)報(bào)和當(dāng)初預(yù)期相同，受存儲(chǔ)器行情影響，營收和營益驟減，對(duì)此SK海力士準(zhǔn)備以強(qiáng)化技術(shù)、調(diào)整生產(chǎn)線應(yīng)對(duì)市場(chǎng)，預(yù)計(jì)今年NAND晶圓投入量將...

2019-04-26 標(biāo)簽：NANDSK海力士 4k 0

SCM介于DRAM和NAND之間 最終將會(huì)取代閃存成為首選的高速存儲(chǔ)介質(zhì)

在過去的幾年中，許多存儲(chǔ)技術(shù)和市場(chǎng)都處于醞釀狀態(tài)，最近企業(yè)級(jí)存儲(chǔ)系統(tǒng)開始使用SCM存儲(chǔ)級(jí)內(nèi)存技術(shù)的消息越來越多，與以往不同的是，SCM不只是用作讀寫緩存...

2019-10-29 標(biāo)簽：DRAMNANDSCM 4k 0

NAND的生產(chǎn)工藝提升或?qū)⑼苿?dòng)智能手機(jī)很快進(jìn)入TB時(shí)代

2018年全球半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模達(dá)到1500億美金，其中NAND Flash將超過570億美金，而中國消耗了全球產(chǎn)能的32%，這意味著中國目前已經(jīng)是全球存儲(chǔ)...

2018-09-28 標(biāo)簽：智能手機(jī)NAND 4k 0

韓美日壟斷NAND flash市場(chǎng)，中國有望打破韓美日壟斷NAND flash的局面

據(jù)市調(diào)機(jī)構(gòu)DRAMeXchange發(fā)布的2018年四季度NAND flash市場(chǎng)份額排名顯示，三星、東芝、美光、西部數(shù)據(jù)和SK海力士占有的市場(chǎng)份額分別為...

2019-05-15 標(biāo)簽：NAND3D技術(shù)存儲(chǔ)芯片 4k 0