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SK海力士2022年Q4虧損創(chuàng)紀(jì)錄,毛利率僅3%,2023財(cái)年將減少50%資本支出

花茶晶晶 ? 來(lái)源:電子發(fā)燒友網(wǎng) ? 作者:黃晶晶 ? 2023-02-01 15:49 ? 次閱讀
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2月1日SK海力士發(fā)布2022年第四季度財(cái)報(bào)。公司該季營(yíng)收為7.699萬(wàn)億韓元,環(huán)比下降30%,同比減少38%。毛利2300億韓元,環(huán)比下降94%,同比下降96%。營(yíng)業(yè)利潤(rùn)和凈利潤(rùn)均出現(xiàn)虧損,營(yíng)業(yè)虧損為1.701萬(wàn)億韓元,凈虧損為3.524萬(wàn)億韓元。毛利率為3%,Q3毛利率為35%,大降32%p。

分產(chǎn)品看,DRAM營(yíng)收占比60%,NAND營(yíng)收占比31%。分應(yīng)用來(lái)看,DRAM應(yīng)用于服務(wù)器市場(chǎng)占比最高,其次是PC(占比20%,其他占比80%)和智能手機(jī),再者圖形和消費(fèi)端。NAND應(yīng)用于SSD占比達(dá)50%左右,其次是智能手機(jī),再是USB、存儲(chǔ)卡和其他(共占比為10%)。

盡管市場(chǎng)存在高度不確定性,2022財(cái)年SK海力士年?duì)I收同比增長(zhǎng)1.7萬(wàn)億韓元。由于下半年內(nèi)存需求大幅下降,營(yíng)業(yè)利潤(rùn)年環(huán)比下降44%。DRAM PV/SV高密度產(chǎn)品銷(xiāo)量增加,高增長(zhǎng)潛力產(chǎn)品例如DDR5/HBM等推動(dòng)產(chǎn)品的銷(xiāo)售和驗(yàn)證活動(dòng),保持HBM行業(yè)領(lǐng)先地位。快速提升176層NAND的成本競(jìng)爭(zhēng)力,通過(guò)加強(qiáng)產(chǎn)品競(jìng)爭(zhēng)力和更廣泛的客戶群,eSSD銷(xiāo)售額同比增長(zhǎng)4倍。

對(duì)于2023年的終端市場(chǎng),SK海力士表達(dá)諸多預(yù)測(cè)。預(yù)計(jì)DRAM需求增長(zhǎng)在十位數(shù),NAND需求增長(zhǎng)在20%左右。

PC市場(chǎng)方面,預(yù)計(jì)2023年P(guān)C出貨量負(fù)增長(zhǎng),DRAM需求增長(zhǎng)10%以上,NB/游戲PC端預(yù)計(jì)年cSSD需求下滑20%。

移動(dòng)端,由于消費(fèi)者信心疲軟出貨量增長(zhǎng)有限。2023年下半年需求恢復(fù)有賴于渠道庫(kù)存下降和中國(guó)重新開(kāi)放/刺激措施。同時(shí)旗艦機(jī)型和中低端機(jī)型之間的持續(xù)兩極分化。

由于疲軟的企業(yè)IT投資和庫(kù)存調(diào)整,預(yù)計(jì)服務(wù)器市場(chǎng)需求放緩。隨著新CPU的發(fā)布,需求更高性能的DRAM。預(yù)計(jì)SV DRAM需求將有十位數(shù)的增長(zhǎng),eSSD需求增長(zhǎng)率則高達(dá)30%。

基于存儲(chǔ)市場(chǎng)行情的預(yù)判,2023財(cái)年SK海士力將削減超過(guò)50%的資本支出。

SK海力士表示,2023財(cái)年的資本支出主要是保持對(duì)新產(chǎn)品(DDR5/LPDDR5/HBM3)升級(jí)的關(guān)鍵投資,以及對(duì)研發(fā)/基礎(chǔ)設(shè)施的投資,為未來(lái)增長(zhǎng)做好準(zhǔn)備。保持最大化設(shè)備效率。第四季度對(duì)已停產(chǎn)和低利潤(rùn)產(chǎn)品的晶圓產(chǎn)量減少,預(yù)計(jì)2023年DRAM/NAND晶圓產(chǎn)量將同比下降。預(yù)計(jì)2023年DRAM的位生產(chǎn)負(fù)增長(zhǎng),NAND的增長(zhǎng)有限。

整體上,SK海力士給出了2023年公司產(chǎn)品和市場(chǎng)預(yù)期。DRAM靈活的出貨量增長(zhǎng),以滿足2023年的市場(chǎng)需求,2023年第一季度環(huán)比下降兩位數(shù)。

1anm DRAM到2022年占DRAM總產(chǎn)量的20%。到2013年中 1bnm的量產(chǎn)準(zhǔn)備就緒。實(shí)現(xiàn)業(yè)界首次對(duì)1anm DDR5產(chǎn)品進(jìn)行Intel驗(yàn)證。推出世界上最快的MO DRAM“LPDDR5 Turbo”。

NAND方面,預(yù)計(jì)2023年第一季度環(huán)比下降高個(gè)位數(shù)(包括Solidigm)。176層NAND到2022年占NAND總產(chǎn)量的60%。確保在2013年中前做好238L量產(chǎn)的準(zhǔn)備。

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