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NAND閃存是一種比硬盤驅(qū)動(dòng)器更好的存儲設(shè)備，在不超過4GB的低容量應(yīng)用中表現(xiàn)得猶為明顯。隨著人們持續(xù)追求功耗更低、重量更輕和性能更佳的產(chǎn)品，NAND被證明極具吸引力。

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行動(dòng)式內(nèi)存第三季或?qū)⒊制剑蛛x式行動(dòng)內(nèi)存價(jià)格或?qū)⑿q

根據(jù)集邦咨詢半導(dǎo)體研究中心(DRAMeXchange)調(diào)查顯示，第二季行動(dòng)式內(nèi)存合約價(jià)持續(xù)受到第一季非市場因素的影響，報(bào)價(jià)普遍趨于保守，漲價(jià)幅度低于其...

2018-06-25 標(biāo)簽：NAND 內(nèi)存 995 0

SK海力士：內(nèi)存芯片的需求旺盛，營業(yè)利潤增長近兩倍

1月25日消息，本周四，韓國SK海力士（SK Hynix）表示，由于內(nèi)存芯片的需求旺盛，盡管韓元更加堅(jiān)挺，2017年第四季度的營業(yè)利潤依然增長近兩倍，...

2018-06-25 標(biāo)簽：NAND SK海力士 1067 0

DRAM與存儲器價(jià)格帶動(dòng)汽車IC市場爆發(fā)

近年來車用存儲器需求量呈現(xiàn)爆炸式的增長，其原因在于先進(jìn)駕駛輔助系統(tǒng)(ADAS)技術(shù)逐漸成熟，乘客對于車內(nèi)信息娛樂系統(tǒng)、車用面板的需求日益增加，以及傳統(tǒng)儀...

2018-06-08 標(biāo)簽：ic nand adas 1297 0

全球NAND Flash市場龍頭三星2018年計(jì)劃提升目前64層3D NAND堆疊層數(shù)達(dá)50%以上

未來NAND Flash產(chǎn)品若采用可儲存4位元資料的QLC技術(shù)，可望較TLC技術(shù)多儲存約33%的資料量，不過，隨著每一儲存單元的儲存資料量增加，壽命亦將...

2018-06-01 標(biāo)簽：半導(dǎo)體 NAND 三星電子 8848 0

一日看點(diǎn)：聯(lián)發(fā)科出貨潮來臨、NAND明年恐過剩、富士康發(fā)行估值存變數(shù)

1.網(wǎng)曝小米新機(jī)搭載MT6765 聯(lián)發(fā)科下半年或迎出貨潮； 2.矽力杰Q2工業(yè)類產(chǎn)品進(jìn)入旺季五大類產(chǎn)品同步增長； 3.國巨陳泰銘：全球4大不確...

2018-05-23 標(biāo)簽：聯(lián)發(fā)科 dram nand 1577 0

蘋果預(yù)測NAND/DRAM價(jià)格有望走低，第2季度頹勢預(yù)估將延續(xù)至第3季度

美光科技（Micron Technology Inc.， MU.US）股價(jià)在5月1日盤后因蘋果（ Apple Inc. ）財(cái)務(wù)長Luca Maest...

2018-07-04 標(biāo)簽：DRAM NAND 美光 707 0

你了解SSD的結(jié)構(gòu)嗎？國產(chǎn)主控芯片何時(shí)才會真正來臨

SSD硬盤逐漸取代HDD機(jī)械硬盤已經(jīng)是大勢所趨，2016年全球SSD硬盤出貨1.5億個(gè)，到2021年還將進(jìn)一步增長到2.5億個(gè)，市場價(jià)值高達(dá)300億美元...

2018-05-22 標(biāo)簽：閃存 nand ssd 1.6萬 0

有哪些應(yīng)用領(lǐng)域推動(dòng)了3D NAND/SSD的需求增長？

物聯(lián)網(wǎng)的發(fā)展導(dǎo)致無論消費(fèi)性電子、企業(yè)、工業(yè)、汽車市場對SSD的需求都急速攀升，為NAND Flash內(nèi)存、控制芯片、SSD模塊等供應(yīng)鏈業(yè)者帶來絕佳的成...

2018-07-06 標(biāo)簽：NAND SSD 1791 0

雖然DRAM及NAND Flash 因淡季效應(yīng)而略顯弱勢，但美光繼續(xù)看好

雖然近期DRAM及NAND Flash價(jià)格走勢因淡季效應(yīng)而略顯弱勢，但是并不影響記內(nèi)存廠商的獲利表現(xiàn)。美國存儲廠商美光（Micron）昨日宣布調(diào)升20...

2018-07-06 標(biāo)簽：DRAM NAND 644 0

DRAM價(jià)格持續(xù)上漲，NAND Flash跌價(jià)壓力增加

根據(jù)CINNO Research從存儲器供應(yīng)鏈業(yè)者所掌握到的消息，除了DRAM供給端產(chǎn)出成長持續(xù)有限外，主要受惠于第二季智能型手機(jī)備貨需求開始增溫以及服...

2018-05-05 標(biāo)簽：DRAM NAND 5332 0

兆易創(chuàng)新一季營收歷史新高達(dá)5.42億 MCU可維持60%年復(fù)合增長率

我們看到了一季度財(cái)務(wù)業(yè)績低于預(yù)期的情況（營收，經(jīng)營性業(yè)績強(qiáng)勁），也看到了一些有趣的地方，但仍然給予樂觀的預(yù)期。在于公司基本面堅(jiān)挺以及合肥項(xiàng)目的高度可期。...

2018-04-30 標(biāo)簽：MCU 半導(dǎo)體 NAND 5303 0

美光Q2業(yè)績揭露存儲市場現(xiàn)狀如何

2 018 年Q 2 現(xiàn)金流達(dá)到2 2.34 億美元，同比增2 85 %。盡管美光資本支出正在增加，但預(yù)計(jì)公司自由現(xiàn)金流將從201 6 年的負(fù)值轉(zhuǎn)為2...

2018-05-29 標(biāo)簽：DRAM nand 美光 3275 0

2018年底開始向市場供應(yīng)尖端產(chǎn)品三維NAND型閃存芯片

那么前景如何呢？英國調(diào)查公司IHS Markit首席分析師南川明表示“2020年以后的NAND供需取決于長江存儲科技”。如果將該公司的計(jì)劃全部計(jì)算進(jìn)去，...

2018-04-25 標(biāo)簽：NAND 閃存芯片 5492 0

中國進(jìn)入全球存儲芯片第一梯隊(duì)指日可待

位于湖北武漢“中國光谷”的國家存儲器基地項(xiàng)目芯片生產(chǎn)機(jī)臺4月11日正式進(jìn)場安裝，這標(biāo)志著國家存儲器基地從廠房建設(shè)階段進(jìn)入量產(chǎn)準(zhǔn)備階段，我國首批擁有完全自...

2018-04-27 標(biāo)簽：nand 存儲芯片紫光集團(tuán) 5118 0

長江存儲32層三維NAND閃存芯片量產(chǎn)提上日程光谷是希望之地

按照計(jì)劃，今年四季度，設(shè)備有望點(diǎn)亮投產(chǎn)。紫光集團(tuán)全球執(zhí)行副總裁、長江存儲執(zhí)行董事長高啟全透露，今年將量產(chǎn)的產(chǎn)品，是去年成功研發(fā)的中國首顆32層三維NAN...

2018-04-23 標(biāo)簽：nand 紫光長江存儲 3589 0

中國存儲芯片即將起飛，有望打破韓美日壟斷存儲芯片的局面

2018-04-18 標(biāo)簽：集成電路 NAND 存儲芯片 6630 0

一文看懂半導(dǎo)體工藝演進(jìn)對DRAM、邏輯器件、NAND的影響

本文主要圍繞DRAM、邏輯器件和NAND這三大尖端產(chǎn)品來進(jìn)行詳細(xì)介紹。

2018-04-21 標(biāo)簽：dram nand 邏輯器件 1.3萬 0

中國力推半導(dǎo)體國產(chǎn)化,2018年底或?qū)㈤_始提供三維NAND閃存芯片

據(jù)報(bào)道，由于智能手機(jī)需求下降，NAND目前行情疲軟。不過，年初向來是需求下降的時(shí)期。很多人認(rèn)為，為迎接年底促銷，各公司2018年夏季將開始采購智能手機(jī)零...

2018-04-17 標(biāo)簽：半導(dǎo)體 NAND 閃存芯片 1.5萬 0

“中國芯”國際地位要提高長江存儲要用5年時(shí)間達(dá)到世界水平

目前，全球存儲器芯片技術(shù)主要掌握在韓、日、美等國企業(yè)手中，屬于相對壟斷市場。去年6月，三星宣布64層NAND閃存開始大規(guī)模量產(chǎn)。這些技術(shù)和產(chǎn)品，將推動(dòng)以...

2018-04-17 標(biāo)簽：nand 閃存芯片長江存儲 3481 0

解說DRAM、邏輯器件和NAND這三大尖端產(chǎn)品

影響DRAM工藝縮減的主要問題是電容。為了可靠地存儲數(shù)據(jù)，電容需要大于一定的閾值。要繼續(xù)制造出占用面積更小的電容，可以把電容做得更高，薄膜更薄，或者增加...

2018-04-16 標(biāo)簽：DRAM NAND 邏輯器件 9415 0

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云存儲是在云計(jì)算（cloud computing）概念上延伸和發(fā)展出來的一個(gè)新的概念，是一種新興的網(wǎng)絡(luò)存儲技術(shù)，本章詳細(xì)介紹了什么是云儲存，云數(shù)據(jù)存儲，免費(fèi)云存儲哪個(gè)好，云儲存應(yīng)用技術(shù)等內(nèi)容。
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富士通憑借在ICT領(lǐng)域的豐富經(jīng)驗(yàn)和實(shí)力，致力于與客戶攜手共創(chuàng)美好的未來社會。富士通集團(tuán)（東京證券交易所上市代碼：6702）截至2015年3月31日財(cái)政年度的合并收益為4.8兆日元（400億美元）。
3d nand

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3D NAND是英特爾和鎂光的合資企業(yè)所研發(fā)的一種新興的閃存類型，通過把內(nèi)存顆粒堆疊在一起來解決2D或者平面NAND閃存帶來的限制。固態(tài)硬盤的數(shù)據(jù)傳輸速度雖然很快，但售價(jià)和容量還都是個(gè)問題。這種寬度為2.5英寸的硬盤用來容納存儲芯片的空間較為有限，容量越高的芯片可以增加硬盤的總體存儲空間，但更高的成本也拉高了硬盤的售價(jià)。
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非易失性存儲器一般指非易失性內(nèi)存，非易失性存儲器（英語：non-volatile memory，縮寫為NVM）是指當(dāng)電流關(guān)掉后，所存儲的數(shù)據(jù)不會消失的電腦存儲器。非易失性存儲器中，依存儲器內(nèi)的數(shù)據(jù)是否能在使用電腦時(shí)隨時(shí)改寫為標(biāo)準(zhǔn)，可分為二大類產(chǎn)品，即ROM和Flash memory。
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2016年5月，長鑫存儲技術(shù)有限公司的事業(yè)在 “創(chuàng)新之都”——安徽合肥啟動(dòng)。作為一體化存儲器制造商，公司專業(yè)從事動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲芯片（DRAM）的設(shè)計(jì)、研發(fā)、生產(chǎn)和銷售，目前已建成第一座12英寸晶圓廠并投產(chǎn)。DRAM 產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于移動(dòng)終端、電腦、服務(wù)器、虛擬現(xiàn)實(shí)和物聯(lián)網(wǎng)等領(lǐng)域，市場需求巨大并持續(xù)增長。
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　　NOR Flash是一種非易失閃存技術(shù)，是Intel在1988年創(chuàng)建。是市場上兩種主要的非易失閃存技術(shù)之一。
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NVM Express（NVMe），或稱非易失性內(nèi)存主機(jī)控制器接口規(guī)范（英語：Non Volatile Memory Host Controller Interface Specification，縮寫：NVMHCIS），是一個(gè)邏輯設(shè)備接口規(guī)范。它是與AHCI類似的、基于設(shè)備邏輯接口的總線傳輸協(xié)議規(guī)范（相當(dāng)于通訊協(xié)議中的應(yīng)用層）
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　　sram存儲器是指靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器。這種存儲器只要保持通電，里面儲存的數(shù)據(jù)就可以恒常保持。相對之下，動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲器里面所儲存的數(shù)據(jù)就需要周期性地更新。然而，當(dāng)電力供應(yīng)停止時(shí)，SRAM儲存的數(shù)據(jù)還是會消失，這與在斷電后還能儲存資料的ROM或閃存是不同的。
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　　NoSQL僅僅是一個(gè)概念，泛指非關(guān)系型的數(shù)據(jù)庫，區(qū)別于關(guān)系數(shù)據(jù)庫，它們不保證關(guān)系數(shù)據(jù)的ACID特性。
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云盤

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云盤是一種專業(yè)的互聯(lián)網(wǎng)存儲工具，是互聯(lián)網(wǎng)云技術(shù)的產(chǎn)物，它通過互聯(lián)網(wǎng)為企業(yè)和個(gè)人提供信息的儲存，讀取，下載等服務(wù)。具有安全穩(wěn)定、海量存儲的特點(diǎn)。
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FORESEE為深圳市江波龍電子股份有限公司（longsys）的存儲品牌。
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長鑫存儲

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